JPS61107140A - 光検出器 - Google Patents
光検出器Info
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- JPS61107140A JPS61107140A JP60213706A JP21370685A JPS61107140A JP S61107140 A JPS61107140 A JP S61107140A JP 60213706 A JP60213706 A JP 60213706A JP 21370685 A JP21370685 A JP 21370685A JP S61107140 A JPS61107140 A JP S61107140A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/491—Details of non-pulse systems
- G01S7/4912—Receivers
- G01S7/4913—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は重要な被測定・ξラメータを形成する周波数で
変調された光ビームの強度を表わす信号を送出するよう
な検出器に関し、特にその光電センサーがビームを受光
するアバランシェフォトダイオ−Ｐである検出器に関す
る。本発明は特に同じ光源からの２本のコヒーレントビ
ームを使用し、その中の１本が周波数に影響を及ぼす研
究対象の物理現象の作用を受け、次にフォトダイオード
によ多形成されたセンサー上で２本のビームを混合する
ような装置に内蔵された検出器装置で使用するのに特に
適している。
変調された光ビームの強度を表わす信号を送出するよう
な検出器に関し、特にその光電センサーがビームを受光
するアバランシェフォトダイオ−Ｐである検出器に関す
る。本発明は特に同じ光源からの２本のコヒーレントビ
ームを使用し、その中の１本が周波数に影響を及ぼす研
究対象の物理現象の作用を受け、次にフォトダイオード
によ多形成されたセンサー上で２本のビームを混合する
ような装置に内蔵された検出器装置で使用するのに特に
適している。
物理現象により変調されるビームの強度は一般的に、６
局部発振器”と呼ばれる他方のビームの強度よりも小さ
い。この他方のビームの強度は光源から送出されるビー
ムの強度と同程度である場合が多い。フォトダイオード
は２本のビームのうなシ周波数成分を有する電気信号を
供給する。
局部発振器”と呼ばれる他方のビームの強度よりも小さ
い。この他方のビームの強度は光源から送出されるビー
ムの強度と同程度である場合が多い。フォトダイオード
は２本のビームのうなシ周波数成分を有する電気信号を
供給する。
アノζランシェフオドダイオードをセンサーとして使用
すると問題が生じる。特に、フォトダイオードの公称す
なわち“設定”動作点は容易に調整可能なバイアス電圧
だけではなく受信光線強度にも依存する。すなわち実際
上、局部発振器ビームの強度および温度に本質的に依存
する。フォトダイオ−Ｐの動作特性を表わす曲線自体が
その動作点および・ξラメータに依存する。
すると問題が生じる。特に、フォトダイオードの公称す
なわち“設定”動作点は容易に調整可能なバイアス電圧
だけではなく受信光線強度にも依存する。すなわち実際
上、局部発振器ビームの強度および温度に本質的に依存
する。フォトダイオ−Ｐの動作特性を表わす曲線自体が
その動作点および・ξラメータに依存する。
従って、特に信号／ノイズ比に関する限シ、・々イアス
ミ圧がアバランシェ効果を生じる値よりも僅かに低い値
に調整されている時、すなわち特性曲線上の彎曲部直前
の点に調整されている時に７オトダイオーＰの動作は最
適となる。動作中、特性曲線のこの彎曲部のオー・ζシ
ュートは不可避的な変動に対しても回避しなければなら
ないため、動作が常にア・９ランシエ圏に達しないよう
な値にバイアス電圧を調整することからなる解決策が現
在までのところ採用されている。
ミ圧がアバランシェ効果を生じる値よりも僅かに低い値
に調整されている時、すなわち特性曲線上の彎曲部直前
の点に調整されている時に７オトダイオーＰの動作は最
適となる。動作中、特性曲線のこの彎曲部のオー・ζシ
ュートは不可避的な変動に対しても回避しなければなら
ないため、動作が常にア・９ランシエ圏に達しないよう
な値にバイアス電圧を調整することからなる解決策が現
在までのところ採用されている。
これは公称動作点がアバランシエ圏よりも実質的に低く
なるようなバイアス電圧であるため、この解決策ではア
ノζランシェフオドダイオードの可能性が充分活用され
ない欠点がある。
なるようなバイアス電圧であるため、この解決策ではア
ノζランシェフオドダイオードの可能性が充分活用され
ない欠点がある。
本発明の目的は従来技術による検出器に較べて改良され
た、特に前記解決策をもはや必要としない上述の種類の
光検出器、を提供することである。
た、特に前記解決策をもはや必要としない上述の種類の
光検出器、を提供することである。
このため、本発明は被測定特性パラメータはフォトダイ
オードが受光する光エネルギーではなくビームの変調周
波数であることが極めて多く、したがって受光エネルギ
ーとセンサーから供給される信号の強度との間に比例関
係がなくても不便は来たさないという事実を使用してい
る。したがって、アノ々ランシエダイオ−１”を流れる
平均電流を測定する回路と、前記回路により制御され前
記平均電流が実質的に可調整基準値と等しくなるように
ダイオ−げにノぐイアスミ圧を加える手段とを有する前
記した種類の検出器が提供される。アノζランシュ効果
によりアオドダイオード電流に逆電流が生じ、この電流
は急速に増大するため、この基準値は実験的に決定する
ことができる。このようにして、信号／ノイズ′比が得
られそれは実際上考えられる最善の値である。
オードが受光する光エネルギーではなくビームの変調周
波数であることが極めて多く、したがって受光エネルギ
ーとセンサーから供給される信号の強度との間に比例関
係がなくても不便は来たさないという事実を使用してい
る。したがって、アノ々ランシエダイオ−１”を流れる
平均電流を測定する回路と、前記回路により制御され前
記平均電流が実質的に可調整基準値と等しくなるように
ダイオ−げにノぐイアスミ圧を加える手段とを有する前
記した種類の検出器が提供される。アノζランシュ効果
によりアオドダイオード電流に逆電流が生じ、この電流
は急速に増大するため、この基準値は実験的に決定する
ことができる。このようにして、信号／ノイズ′比が得
られそれは実際上考えられる最善の値である。
アバランシェフォトダイオ＝ｒの寿命を短くするような
値のバイアス電圧を与えることを避けるために、測定回
路により制御される手段にリミッタ−を設けるのが有利
である。
値のバイアス電圧を与えることを避けるために、測定回
路により制御される手段にリミッタ−を設けるのが有利
である。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明による光検出器の一実施例を示すブロッ
ク図、第２図は第１図に示す特定調整ループを有する実
施例の回路図である。
ク図、第２図は第１図に示す特定調整ループを有する実
施例の回路図である。
第１図に略示する装置はへテロゲイン光検出器を構成し
ている。この検出器はビームを受光するアバランシェフ
ォトダイオード１０によ多構成された光電センサーを有
している。ビームは一般的にレーザーであるコヒーレン
ト光源１２から到来する２成分を重畳して形成される。
ている。この検出器はビームを受光するアバランシェフ
ォトダイオード１０によ多構成された光電センサーを有
している。ビームは一般的にレーザーであるコヒーレン
ト光源１２から到来する２成分を重畳して形成される。
局部発振器と考えられる第１の成分が実際上フォトダイ
オード１０が受信する全エネルギーを運んでいる。第１
図において、この成分１４は半反射鏡１６及び鏡１８．
２０によりレーザー１２からフォトダイオード１０へ送
られる。この成分によりフォトダイオード１０へ運ばれ
るエネルギー量は明らかにレーザー１２から供給される
ビームの強度と、その径路上での吸収に依存する。
オード１０が受信する全エネルギーを運んでいる。第１
図において、この成分１４は半反射鏡１６及び鏡１８．
２０によりレーザー１２からフォトダイオード１０へ送
られる。この成分によりフォトダイオード１０へ運ばれ
るエネルギー量は明らかにレーザー１２から供給される
ビームの強度と、その径路上での吸収に依存する。
第２の成分２２は符号２４に゛おいて、成分の周波数に
影響を及ぼす物理現象の作用を受ける。
影響を及ぼす物理現象の作用を受ける。
この成分はしばしば局部発振器のエネルギーよりも数次
低い大きさの低エネルギーを運ぶ。
低い大きさの低エネルギーを運ぶ。
２成分はフォトダイオード１０の感光面上で混合され、
それに応答して出力線２６から２成分１４および２２の
うな９周波数に等しい周波数の信号が出力される。
それに応答して出力線２６から２成分１４および２２の
うな９周波数に等しい周波数の信号が出力される。
検出器はフォトダイオ−Ｐｌｏの動作点を調整する回路
を有している。この回路はフォトダイオ−Ｐｌｏに加え
られるバイアス電圧Ｖに作用するループで構成される。
を有している。この回路はフォトダイオ−Ｐｌｏに加え
られるバイアス電圧Ｖに作用するループで構成される。
調整ループはフォトダイオ−Ｐを流れる平均電流を測定
する回路とノζイアス電圧Ｖを調整する装置からなるも
のと考えることができる。
する回路とノζイアス電圧Ｖを調整する装置からなるも
のと考えることができる。
平均電流測定回路２８は数ヘルツの遮断周波数を有する
低域濾波器と積分器を有している。
低域濾波器と積分器を有している。
実施例において、回路２８の出力電流は保護リミッタ−
３０に加えられ、フォトダイオ−Ｐｌｏの最大許容ノ々
イアス電圧に対応する所与の可調整値を越えない範囲で
回路２８からの電流を送出する。制御信号であるリミッ
タ−３０からの出力１！流はバイアス電圧を調整する装
置３２へ加えられる。この装置は比較器を有し、それに
はりミツター３０からの制御信号およびフォトダイオ−
Ｐｌｏを流れる平均電流の基準値の関数として選定され
た可調整基準信号ｖｒが加えられる。
３０に加えられ、フォトダイオ−Ｐｌｏの最大許容ノ々
イアス電圧に対応する所与の可調整値を越えない範囲で
回路２８からの電流を送出する。制御信号であるリミッ
タ−３０からの出力１！流はバイアス電圧を調整する装
置３２へ加えられる。この装置は比較器を有し、それに
はりミツター３０からの制御信号およびフォトダイオ−
Ｐｌｏを流れる平均電流の基準値の関数として選定され
た可調整基準信号ｖｒが加えられる。
回路２８．３０および３２は従来の素子で構成すること
ができる。第２図は、フォトダイオードの電流に比例し
た出力電圧を供給する内蔵された前置増幅器を有する広
帯域シリコンアバランシェフォトダイオードと共に使用
するのに適した調整ループの構成を示している。第２図
のループの素子は第１図とは異なる構成とされているが
、同等な結果が得られる。第１図の素子と対応する素子
には同じ参照番号が付されている。
ができる。第２図は、フォトダイオードの電流に比例し
た出力電圧を供給する内蔵された前置増幅器を有する広
帯域シリコンアバランシェフォトダイオードと共に使用
するのに適した調整ループの構成を示している。第２図
のループの素子は第１図とは異なる構成とされているが
、同等な結果が得られる。第１図の素子と対応する素子
には同じ参照番号が付されている。
ダイオード１０の出力電圧はコンデンサ３４を介して取
シ出され、測定信号として使用される。この電圧は積分
器として働くように構成された差動サーゼ制御増幅器３
６の一方の入力として直接加えられる。増幅器３６の他
方の入力としてはポテンショメータ３８により調整可能
な、ダイオードを流れる平均電流の基準値を表換器３３
および変換器３３の供給電圧を制御するトランジスタ４
０を有している。差動増幅器３６の出力信号はダイオ−
Ｆ″４２を介してトランジスタ４０のに一スヘ加えられ
る。ツェナダイオード３０は変換器の入力電圧が７オト
ダイオーＰ１０に対して出力電圧が過剰となるような値
を越えるのを防止する入力リミッタ−を構成している。
シ出され、測定信号として使用される。この電圧は積分
器として働くように構成された差動サーゼ制御増幅器３
６の一方の入力として直接加えられる。増幅器３６の他
方の入力としてはポテンショメータ３８により調整可能
な、ダイオードを流れる平均電流の基準値を表換器３３
および変換器３３の供給電圧を制御するトランジスタ４
０を有している。差動増幅器３６の出力信号はダイオ−
Ｆ″４２を介してトランジスタ４０のに一スヘ加えられ
る。ツェナダイオード３０は変換器の入力電圧が７オト
ダイオーＰ１０に対して出力電圧が過剰となるような値
を越えるのを防止する入力リミッタ−を構成している。
変換器３２の出力側に配置された第２のツェナーダイオ
−Ｐ４４がさらに安全性を加えている。
−Ｐ４４がさらに安全性を加えている。
フォトダイオードの動作状態を維持するには、そのノ々
イアス電圧を最小値としなければならない。フォトダイ
オードの受光する光束が強烈に増大すると、増幅器３６
は電圧をこの最小値よりも低く低下させることができる
。この場合に動作を行うために、ループは・々イアスミ
圧を最小値よりも高く維持する素子を有している。第２
図に示すように、この素子はトランジスタ４０（７）
、ｑ−スに接続されたポテンショメータ４６によ多構成
されている。
イアス電圧を最小値としなければならない。フォトダイ
オードの受光する光束が強烈に増大すると、増幅器３６
は電圧をこの最小値よりも低く低下させることができる
。この場合に動作を行うために、ループは・々イアスミ
圧を最小値よりも高く維持する素子を有している。第２
図に示すように、この素子はトランジスタ４０（７）
、ｑ−スに接続されたポテンショメータ４６によ多構成
されている。
例として、第２図に示す種類の調整ループを。
内蔵の前置増幅器を有しかつダイオード電流に比例した
電圧を供給するＲＣ！Ａ社の７オトダイオーｒｅ ３０
９５０に応用した。Ｄｏ／Ｄｏ変換器は入出力電圧間の
比例性を保証するＲＯＡ社のＰＦ１０４１Ｐ 型であ
る。ツェナーダイオード３０および４４は印加電圧をそ
れぞれ４ｖおよび４８０ｖに制限している。
電圧を供給するＲＣ！Ａ社の７オトダイオーｒｅ ３０
９５０に応用した。Ｄｏ／Ｄｏ変換器は入出力電圧間の
比例性を保証するＲＯＡ社のＰＦ１０４１Ｐ 型であ
る。ツェナーダイオード３０および４４は印加電圧をそ
れぞれ４ｖおよび４８０ｖに制限している。
第１図は本発明による光検出器の一実施例を示すブロッ
ク図、第２図は第１図の実施例の特定調整ループの回路
図である。 参照符号の説明 １０・・・・・・アノζランシェアオドダイオード１２
・・・・・・レーザー １６・・・・・・半反射鏡 １８．２０・・・鏡 ２８・・・・・・平均電流測定回路 ３０・・・・・・リミッタ− ３２・・・・・・ノ々イアス電圧調整回路３３・・・・
・・高電圧ＤＣ／ＤＣ！変換器３４・・・・・・コンデ
ンサ ３６・・・・・・差動増幅器 ３８．４６・・・ポテンショメータ ４０・・・・・・トランジスタ ４２・・・・・・ダイオード
ク図、第２図は第１図の実施例の特定調整ループの回路
図である。 参照符号の説明 １０・・・・・・アノζランシェアオドダイオード１２
・・・・・・レーザー １６・・・・・・半反射鏡 １８．２０・・・鏡 ２８・・・・・・平均電流測定回路 ３０・・・・・・リミッタ− ３２・・・・・・ノ々イアス電圧調整回路３３・・・・
・・高電圧ＤＣ／ＤＣ！変換器３４・・・・・・コンデ
ンサ ３６・・・・・・差動増幅器 ３８．４６・・・ポテンショメータ ４０・・・・・・トランジスタ ４２・・・・・・ダイオード
Claims (6)
- （１）光ビームを受光するアバランシェフォトダイオー
ドと、前記フォトダイオードへバイアス電圧を加えて前
記フォトダイオードに電流を循環させる手段と、前記電
流の平均値を測定して該平均値を表わす出力信号を送出
する回路と、該出力信号に応答し前記回路を制御して前
記平均値を所定の可調整設定値に維持するように構成さ
れた手段とを備え、重要な被測定パラメータを構成する
周波数で変調された光ビームを検出する光検出器。 - （２）前記回路の出力信号に応答する前記手段は、さら
に前記バイアス電圧を前記フォトダイオードの通常の寿
命に適合した値に制限するように構成された制限手段を
含む特許請求の範囲第１項に記載の光検出器。 - （３）前記平均値測定回路が数ヘルツの遮断周波数を有
する低域濾波器を有する特許請求の範囲第１項に記載の
光検出器。 - （４）前記平均値測定回路が前記フォトダイオードから
の出力信号と前記設定値を表わす基準電圧を受信するよ
うに接続された積分差動増幅器を有し、前記回路の出力
信号に応答する前記手段が、ＤＣ／ＤＣ変換器と前記差
動増幅器の出力に接続された制御入力および前記変換器
に接続されてそれを制御する出力を有するトランジスタ
回路とを具備する特許請求の範囲第１項に記載の光検出
器。 - （５）前記変換器がさらに前記トランジスタ回路による
優先制御により前記変換器の出力電圧を最小値に維持す
るように接続された電圧調整手段を有する特許請求の範
囲第４項に記載の光検出器。 - （６）前記光ビームは同じ光源からの２成分の組合せか
ら生じ、一方の成分はその成分の光の周波数を変更させ
る研究対象となる物理現象の作用を受け、他方の成分よ
りも遥かに強度が低い特許請求の範囲第１項に記載の光
検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8414980 | 1984-09-28 | ||
| FR8414980A FR2571148B1 (fr) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | Detecteur de faisceau lumineux a photodiode a circuit de reglage du point de fonctionnement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107140A true JPS61107140A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=9308198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213706A Pending JPS61107140A (ja) | 1984-09-28 | 1985-09-28 | 光検出器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4626676A (ja) |
| EP (1) | EP0176448A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61107140A (ja) |
| CA (1) | CA1243857A (ja) |
| FR (1) | FR2571148B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212145A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 過渡吸収測定装置 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3870493D1 (de) * | 1987-03-17 | 1992-06-04 | Siemens Ag | Regelung des multiplikationsfaktors von lawinenphotodioden in optischen empfaengern. |
| US10361802B1 (en) | 1999-02-01 | 2019-07-23 | Blanding Hovenweep, Llc | Adaptive pattern recognition based control system and method |
| US8352400B2 (en) | 1991-12-23 | 2013-01-08 | Hoffberg Steven M | Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-factored interface therefore |
| US5286967A (en) * | 1992-12-04 | 1994-02-15 | Stanley Home Automation | Method and apparatus for self-biasing a light beam obstacle detector with a bias light |
| US5396510A (en) * | 1993-09-30 | 1995-03-07 | Honeywell Inc. | Laser sensor capable of measuring distance, velocity, and acceleration |
| JP3421103B2 (ja) * | 1993-12-20 | 2003-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオードを用いた光検出回路 |
| US5750980A (en) * | 1995-06-07 | 1998-05-12 | Computer Identics, Inc. | High-speed, high-resolution optical scanner system |
| US7966078B2 (en) | 1999-02-01 | 2011-06-21 | Steven Hoffberg | Network media appliance system and method |
| ATE239901T1 (de) | 1999-09-06 | 2003-05-15 | Univ Liege | Photometer |
| US7087882B1 (en) * | 2002-10-31 | 2006-08-08 | Finisar Corporation | Controlling the dynamic range of an avalanche photodiode |
| CN102967566A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-13 | 广东汉唐量子光电科技有限公司 | 一种高精密度快速痕量分析装置 |
| US9591245B2 (en) | 2015-04-14 | 2017-03-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with adjustable body bias |
| CN107421570B (zh) * | 2017-07-20 | 2020-05-08 | 全球能源互联网研究院 | 一种多功能分布式光纤传感装置 |
| CN107560644B (zh) * | 2017-07-20 | 2020-01-14 | 全球能源互联网研究院 | 一种基于信号复用感知与解调的分布式光纤传感装置 |
| US11530947B1 (en) * | 2021-07-08 | 2022-12-20 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Linear regulation of SPAD shutoff voltage |
| CN115541037A (zh) * | 2022-10-11 | 2022-12-30 | 浙江大学 | 一种雪崩光电二极管传感器电路 |
| EP4530582A1 (en) * | 2023-09-26 | 2025-04-02 | Stichting VU | System and method for interrogating a photonic circuit |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1582850A (ja) * | 1968-03-29 | 1969-10-10 | ||
| JPS547181Y2 (ja) * | 1973-07-06 | 1979-04-04 | ||
| US4077718A (en) * | 1976-03-01 | 1978-03-07 | Raytheon Company | Receiver for optical radar |
| US4181863A (en) * | 1976-04-03 | 1980-01-01 | Ferranti Limited | Photodiode circuit arrangements |
| JPS5531323A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-05 | Fujitsu Ltd | Automatic gain control system for optical communication reception system |
| US4236069A (en) * | 1978-10-16 | 1980-11-25 | Varo, Inc. | Avalanche photodiode gain control system |
| FR2454105A1 (fr) * | 1979-04-10 | 1980-11-07 | Sercel Rech Const Elect | Dispositif photorecepteur a faible bruit |
| NL8103439A (nl) * | 1981-07-21 | 1983-02-16 | Oce Nederland Bv | Lichtgevoelige detectieschakeling. |
| JPS5838041A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Asahi Optical Co Ltd | Ａｐｄバイアス回路 |
| JPS58165020A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 光電変換装置 |
| US4454418A (en) * | 1982-04-26 | 1984-06-12 | Walker Clifford G | Integrated optics transducer |
-
1984
- 1984-09-28 FR FR8414980A patent/FR2571148B1/fr not_active Expired
-
1985
- 1985-09-20 CA CA000491245A patent/CA1243857A/en not_active Expired
- 1985-09-25 US US06/779,985 patent/US4626676A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1985-09-28 JP JP60213706A patent/JPS61107140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212145A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 過渡吸収測定装置 |
Also Published As
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