JPS611076A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS611076A JPS611076A JP59119834A JP11983484A JPS611076A JP S611076 A JPS611076 A JP S611076A JP 59119834 A JP59119834 A JP 59119834A JP 11983484 A JP11983484 A JP 11983484A JP S611076 A JPS611076 A JP S611076A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- light
- film
- output
- laser array
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザアレイ装置に関するものである
。
。
（従来例の構成とその問題点）
半導体レーザのアレイ装置は、従来、主として大出力を
取り出すために作製されてきた。第１図（ａ）は従来の
最も代表的な例である位相同期型レーザアレイである。
取り出すために作製されてきた。第１図（ａ）は従来の
最も代表的な例である位相同期型レーザアレイである。
１はｎ −ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ｇａ、、、Ａ（！ｏ
３Ａｓ、３はＧａ、、９３ＡＱｏｏ７Ａｓ活性領域、４
はｐ−Ｇａｏ７ＡＱｏ 、ａＡｓ、５はｎ−ＧａＡｓ、
６は活性領域、７はＺｎ拡散領域である。このアレイの
近視野像は、同図（ｂ）に示しであるように、全アレイ
発光点にわたり、はぼ均一のパワー分布を示しており、
その全出力は連続発振１．５Ｗのものも得られている（
１９８３年、１００Ｃ予稿集Ｐ２７Ｂ２−４）。このア
レイは全体的には大出力を得ることができるが、非常に
入力が大きくなり、多くの実装機に導入するには装置が
大がかりになり実用的でない。
３Ａｓ、３はＧａ、、９３ＡＱｏｏ７Ａｓ活性領域、４
はｐ−Ｇａｏ７ＡＱｏ 、ａＡｓ、５はｎ−ＧａＡｓ、
６は活性領域、７はＺｎ拡散領域である。このアレイの
近視野像は、同図（ｂ）に示しであるように、全アレイ
発光点にわたり、はぼ均一のパワー分布を示しており、
その全出力は連続発振１．５Ｗのものも得られている（
１９８３年、１００Ｃ予稿集Ｐ２７Ｂ２−４）。このア
レイは全体的には大出力を得ることができるが、非常に
入力が大きくなり、多くの実装機に導入するには装置が
大がかりになり実用的でない。
（発明の目的）
本発明は少ないアレイ発光点で、即ち小入力で、実用的
には高出力アレイと等価な役割を果す半導体レーザアレ
イ装置を提供するものである。
には高出力アレイと等価な役割を果す半導体レーザアレ
イ装置を提供するものである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザアレイ装置は、全発光点を同時に
発光させた場合、その近視野像が非対称分布をしており
、かつ近視野像の端部に鋭いピークを有するレーザアレ
イ装置からなっている。
発光させた場合、その近視野像が非対称分布をしており
、かつ近視野像の端部に鋭いピークを有するレーザアレ
イ装置からなっている。
（実施例の説明）
本発明の一実施例を第２図に示す。このレーザは活性領
域３が階段状になっており、各階段のピッチは５μｍと
なっている。また階段の高さの差は各々０．０１μｍと
なっている。このレーザはまずｎ−ＧａＡｓ基板１の上
にｎ−Ｇａ、 、１Ａｉ２ｎ ３Ａｓ ２を２μｍ、活
性領域Ｇａ、 、 ９３ Ａ１２ｏ 、 ０７ Ａ９３
を０．２μ、ｍの厚さに成長させる。つぎにフォトマス
クによる化学エツチングを用いて５μｍピッチでエツチ
ングを行ない、図のように段差を０．０１μｍピッチと
する。次にその上に再びｐ Ｇａｏ７Ａ（！（１，２
Ａｓ４ 、 ｎ ＧａＡｓ５を各々、２及び１μｍの
厚、さに成長させる。最後にＺｎ拡散領域７を活性領域
の必要段差部に行ない、電極９及び１０を形成すること
により、レーザ素子はでき上がる。この素子の活性領域
の厚さ分布を第２図（ｂ）に、また各領域におけるしき
い領分布を第２図（ｃ）に、注入電流が２００ｍＡのと
きの発光分布を第２図（ｄ）に各々示す。
域３が階段状になっており、各階段のピッチは５μｍと
なっている。また階段の高さの差は各々０．０１μｍと
なっている。このレーザはまずｎ−ＧａＡｓ基板１の上
にｎ−Ｇａ、 、１Ａｉ２ｎ ３Ａｓ ２を２μｍ、活
性領域Ｇａ、 、 ９３ Ａ１２ｏ 、 ０７ Ａ９３
を０．２μ、ｍの厚さに成長させる。つぎにフォトマス
クによる化学エツチングを用いて５μｍピッチでエツチ
ングを行ない、図のように段差を０．０１μｍピッチと
する。次にその上に再びｐ Ｇａｏ７Ａ（！（１，２
Ａｓ４ 、 ｎ ＧａＡｓ５を各々、２及び１μｍの
厚、さに成長させる。最後にＺｎ拡散領域７を活性領域
の必要段差部に行ない、電極９及び１０を形成すること
により、レーザ素子はでき上がる。この素子の活性領域
の厚さ分布を第２図（ｂ）に、また各領域におけるしき
い領分布を第２図（ｃ）に、注入電流が２００ｍＡのと
きの発光分布を第２図（ｄ）に各々示す。
（発明の効果）
本発明の半導体レーザアレイ装置は、光分布についてみ
ると、第２図（ｄ）に示すように、端部での光強度が非
常に強くなっている。これは１例えば光デイスク上の一
点を溶融させる必要がある場合、従来のような大出力ア
レイの光を集光して当ててもよいが、本発明の半導体レ
ーザアレイ装置によれば、まず最も光密度の高い光を当
てて必要箇所を加熱したあと、光密度の小さい他のアレ
イの残部を所望の点に走査していき、低出力で溶融する
方がアレイ全体の出力も小さくてすみ、また効率的であ
る。このように本発明の半導体レーザアレイ装置は、全
体としては低出力でありながら、高出力アレイと同等の
効果を発揮できる応用が多くある。
ると、第２図（ｄ）に示すように、端部での光強度が非
常に強くなっている。これは１例えば光デイスク上の一
点を溶融させる必要がある場合、従来のような大出力ア
レイの光を集光して当ててもよいが、本発明の半導体レ
ーザアレイ装置によれば、まず最も光密度の高い光を当
てて必要箇所を加熱したあと、光密度の小さい他のアレ
イの残部を所望の点に走査していき、低出力で溶融する
方がアレイ全体の出力も小さくてすみ、また効率的であ
る。このように本発明の半導体レーザアレイ装置は、全
体としては低出力でありながら、高出力アレイと同等の
効果を発揮できる応用が多くある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、従来の高出力レーザアレ
イ装置の断面図とその光分布を示す図、第２図（ａ）。 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）は、それぞれ本発明の
レーザアレイ装置の断面図、活性層の厚さ分布図、しき
い値分布図、光出力分布図。 １−ｎ−ＧａＡｓ、’２ ”・ｎ−Ｇａｏ、７ＡＱｏ、
３Ａｓ、３・・・Ｇａｏ、５３ＡＱｏ 、０７ＡＳ、４
”・ｐ−Ｇａ０．、Ａｅ［＋、、Ａｓ、５・・・ｎ−
ＧａＡｓ、６・・・活性領域、７・・・Ｚｎ拡散領域、
９．１０・・・電極。 第１図 第２図
イ装置の断面図とその光分布を示す図、第２図（ａ）。 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）は、それぞれ本発明の
レーザアレイ装置の断面図、活性層の厚さ分布図、しき
い値分布図、光出力分布図。 １−ｎ−ＧａＡｓ、’２ ”・ｎ−Ｇａｏ、７ＡＱｏ、
３Ａｓ、３・・・Ｇａｏ、５３ＡＱｏ 、０７ＡＳ、４
”・ｐ−Ｇａ０．、Ａｅ［＋、、Ａｓ、５・・・ｎ−
ＧａＡｓ、６・・・活性領域、７・・・Ｚｎ拡散領域、
９．１０・・・電極。 第１図 第２図
Claims (1)
- ３つ以上の発光点の全発光点を同時に発振させる際に形
成される近視野像が非対称で、かつ前記近視野像のピー
ク位置が、最端部の前記発光点上にあることを特徴とす
る半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119834A JPS611076A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119834A JPS611076A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611076A true JPS611076A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14771408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119834A Pending JPS611076A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202582A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-09-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 集積型半導体レ−ザ |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59119834A patent/JPS611076A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202582A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-09-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 集積型半導体レ−ザ |
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