JPS61108149A - 半導体ペレツトの位置検出装置 - Google Patents
半導体ペレツトの位置検出装置Info
- Publication number
- JPS61108149A JPS61108149A JP59229524A JP22952484A JPS61108149A JP S61108149 A JPS61108149 A JP S61108149A JP 59229524 A JP59229524 A JP 59229524A JP 22952484 A JP22952484 A JP 22952484A JP S61108149 A JPS61108149 A JP S61108149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- laser
- laser beam
- receiving element
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
- H10P72/53—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路いわゆる工Ｃの組立工程の始
めに、ウェー−・を個々のペレット（チップ）に切断（
ダイシング）後、チップ１個ずつ良否判定し、その良品
をピックアップしてダイボンディングし不良品を残して
行く作業において、ピックアップアームの真空コレット
の直下にチップを１個ずつ正確に置くようＸＹテーブル
をチップのピッチ分の距離だけ送る必要がち如、そのた
めチップの位置を精密に検出する装置に関する。
めに、ウェー−・を個々のペレット（チップ）に切断（
ダイシング）後、チップ１個ずつ良否判定し、その良品
をピックアップしてダイボンディングし不良品を残して
行く作業において、ピックアップアームの真空コレット
の直下にチップを１個ずつ正確に置くようＸＹテーブル
をチップのピッチ分の距離だけ送る必要がち如、そのた
めチップの位置を精密に検出する装置に関する。
前記のように工Ｃのダイボンディング作業においては、
各ペレットの良否判定（不良マーク有無の検出）を行な
うためにも、あるいはリードフレーム上に正確にペレッ
トを載せるためにも、各チップを１個ずつ正確にピック
アップアームの真空コレットの直下にくるように位置決
めせねばならず、そのためにはチップの位置を正確に検
出しなければならない０従来これには顕微鏡とテレビカ
メラを用いほぼチッグ一枚が写る画面を５２５本または
その２倍の走査線で走査を行なってチップの輪郭を得、
それによって位置の検出を行なっているか、その方式の
改良例えば特願昭５７−５１９２９のように提案されて
いるにすぎない。
各ペレットの良否判定（不良マーク有無の検出）を行な
うためにも、あるいはリードフレーム上に正確にペレッ
トを載せるためにも、各チップを１個ずつ正確にピック
アップアームの真空コレットの直下にくるように位置決
めせねばならず、そのためにはチップの位置を正確に検
出しなければならない０従来これには顕微鏡とテレビカ
メラを用いほぼチッグ一枚が写る画面を５２５本または
その２倍の走査線で走査を行なってチップの輪郭を得、
それによって位置の検出を行なっているか、その方式の
改良例えば特願昭５７−５１９２９のように提案されて
いるにすぎない。
これらの方式の欠、点は、顕微鏡で画像拡大をするため
画像コントラストが低下すること、テレビの画面・走査
・補“舟処理のため時間がかかること、お゛よび装置が
高価なことである。
画像コントラストが低下すること、テレビの画面・走査
・補“舟処理のため時間がかかること、お゛よび装置が
高価なことである。
本発明の目高は、画像拡大、画面走査を行なわない安価
で信頼度の高いペレット位置検出装置を提供するにある
。
で信頼度の高いペレット位置検出装置を提供するにある
。
このような目的を達成するために本発明は、拡がシの少
ないＨ，Ｎ、等のレーザを使用し、半導体集積回路すな
わち工Ｃチップをウェーハから切断（ダイシング）する
際約９０μｍ・のスポット径でチップ端面に当て、ウェ
ーハがＸ＝ＹテーブルでＸ方向に移動中にチップを切シ
分ける縦みぞに来ると、縦１文字の・臂ターンが十字・
母ターンに変化するので、十文字の中心から約１ ｍｍ
離れた横−文字上の一点に半導体受光素子を置き、その
光量変化でペレット間のみぞ従ってペレットの端の位置
を検知するようにしたものである。
ないＨ，Ｎ、等のレーザを使用し、半導体集積回路すな
わち工Ｃチップをウェーハから切断（ダイシング）する
際約９０μｍ・のスポット径でチップ端面に当て、ウェ
ーハがＸ＝ＹテーブルでＸ方向に移動中にチップを切シ
分ける縦みぞに来ると、縦１文字の・臂ターンが十字・
母ターンに変化するので、十文字の中心から約１ ｍｍ
離れた横−文字上の一点に半導体受光素子を置き、その
光量変化でペレット間のみぞ従ってペレットの端の位置
を検知するようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例で、レーザ光照射な−らびに
受光系統を示す。すなわち、ヘリウム・ネオンレーザ１
から出た直径７００μｍ程度のレーザ光はフィルター２
で光量、を調節され、ミラー５で反射され、レンズ４で
直径９０μｍ位の光束に絞られてペレット５に当てられ
るようになっている。そして、該ペレットからの反射光
は受光素子ホルダ６内の受光素子７に照射されるように
なつ、ている。
受光系統を示す。すなわち、ヘリウム・ネオンレーザ１
から出た直径７００μｍ程度のレーザ光はフィルター２
で光量、を調節され、ミラー５で反射され、レンズ４で
直径９０μｍ位の光束に絞られてペレット５に当てられ
るようになっている。そして、該ペレットからの反射光
は受光素子ホルダ６内の受光素子７に照射されるように
なつ、ている。
第２図は、一部すでにピックアップされた残シの切断さ
れたＸ−Ｙステージ１０上のウェーハを示している。前
記レーザ光のスポットが例えばペレット２１の一辺の縁
２３を照射する場合には、第３図のような一文字ノ！タ
ーンが現われるが、タテみぞとの交点２４のような所を
照射すると、第４図のような十字ノ臂ターンに変化する
ことから、第４図中符号４１の場所に相当する点に受光
素子７をおくことによって、ペレット移動中にタテみぞ
との交点に来るたびに受光素子の光量が増すことになシ
タテみぞの位置、したがってペレットの端の位置が検出
される。
れたＸ−Ｙステージ１０上のウェーハを示している。前
記レーザ光のスポットが例えばペレット２１の一辺の縁
２３を照射する場合には、第３図のような一文字ノ！タ
ーンが現われるが、タテみぞとの交点２４のような所を
照射すると、第４図のような十字ノ臂ターンに変化する
ことから、第４図中符号４１の場所に相当する点に受光
素子７をおくことによって、ペレット移動中にタテみぞ
との交点に来るたびに受光素子の光量が増すことになシ
タテみぞの位置、したがってペレットの端の位置が検出
される。
第５図はウェーハを等速移動させたとき、タテみぞの位
置で・ぐルスが出る有様を示している？工Ｃの・リーン
による・やルスとのＳ、Ｎ、Ｊｉは大きく必ずし丙等速
移動でなくても十分てツゾの端の位置が±２５μｍの精
度で検出される。
置で・ぐルスが出る有様を示している？工Ｃの・リーン
による・やルスとのＳ、Ｎ、Ｊｉは大きく必ずし丙等速
移動でなくても十分てツゾの端の位置が±２５μｍの精
度で検出される。
以上説明したことから明らかなよ？に、本実施例はレー
ザとそ？レーザを受ける受光素子とから構成されている
ため、極めて簡単な構成を採やことができ、しかも半導
体ウエーノ・に対するレーザ光の相対的走査によってペ
レット周辺を検知していることになることから極めて信
頼性が高くなる。
ザとそ？レーザを受ける受光素子とから構成されている
ため、極めて簡単な構成を採やことができ、しかも半導
体ウエーノ・に対するレーザ光の相対的走査によってペ
レット周辺を検知していることになることから極めて信
頼性が高くなる。
以上説明したように本発明による半導隼ペレット、の位
置検出装置によれば、声価な装置で精度良く半導体ペレ
ットの位置を検出できるので、ペレットの精密位置決め
、正確なペレット良否判定、正確なダイボンディングが
可能となる。
置検出装置によれば、声価な装置で精度良く半導体ペレ
ットの位置を検出できるので、ペレットの精密位置決め
、正確なペレット良否判定、正確なダイボンディングが
可能となる。
第１図は本発明による半導体ペレットの位置検出装置の
一実施例を示す構成図、第２図はウェーハから良品ペレ
ットのみをピックアップしてボンディングしてゆく途中
でのペレットの位置検出時のレーザスポットの位置を示
す図、第３図はチップの上辺すなセち第２図の符号２３
の位置を照射し、た時発生する一文字回折パターンの模
様の例を示す図、第４．図はチップの角すなわち第２図
の符号２４の位置を照射した時発生する十文字回折・ヤ
ターン９例を示す図、第５図はウェーハを等連送りする
時、チップのメチみぞの位置毎に発生するｉ４ルスを示
す図である。 １・・・ヘリウム・ネオンレーザ発振器、２・・・可変
フィルター、３・・・ミラー、４・・・レンズ、 ５・・・被検半導体ペレット（チップ）、６・・・受光
素子ホルダー、 ７・・・半導体受光素子、 ８・・・ダイボンダのピックアップアーム１．。 ９・・・真空吸着コレット、 １０・・・ＸＹテーブル、 ２０・・・各ペレットにダイシングされたウエーノ１．
２１・・・被検チップ、 ２２・・・ウエーノ１を貼付けたビニル膜、２５・・・
チップ上辺レーザ照射スポット位置、２４・・・チップ
角のレーザ照射スポット位置、４１・・・半導体受光素
子の検出位置。 代理人 鵜 沼 辰 之 第１図 第２図 ｏ２１ 第３図 第４図 第５図 「［ −”ｉｖ′
一実施例を示す構成図、第２図はウェーハから良品ペレ
ットのみをピックアップしてボンディングしてゆく途中
でのペレットの位置検出時のレーザスポットの位置を示
す図、第３図はチップの上辺すなセち第２図の符号２３
の位置を照射し、た時発生する一文字回折パターンの模
様の例を示す図、第４．図はチップの角すなわち第２図
の符号２４の位置を照射した時発生する十文字回折・ヤ
ターン９例を示す図、第５図はウェーハを等連送りする
時、チップのメチみぞの位置毎に発生するｉ４ルスを示
す図である。 １・・・ヘリウム・ネオンレーザ発振器、２・・・可変
フィルター、３・・・ミラー、４・・・レンズ、 ５・・・被検半導体ペレット（チップ）、６・・・受光
素子ホルダー、 ７・・・半導体受光素子、 ８・・・ダイボンダのピックアップアーム１．。 ９・・・真空吸着コレット、 １０・・・ＸＹテーブル、 ２０・・・各ペレットにダイシングされたウエーノ１．
２１・・・被検チップ、 ２２・・・ウエーノ１を貼付けたビニル膜、２５・・・
チップ上辺レーザ照射スポット位置、２４・・・チップ
角のレーザ照射スポット位置、４１・・・半導体受光素
子の検出位置。 代理人 鵜 沼 辰 之 第１図 第２図 ｏ２１ 第３図 第４図 第５図 「［ −”ｉｖ′
Claims (1)
- ダイシングにより各ペレットに分割され、なおかつ半
導体ウエーハとしての形状を保持する半導体ウェーハと
、各ペレットの分離部のうち一方向に一致する分離部上
あるいはその近傍上を前記半導体ウェーハに対して相対
的に走査して照射するレーザ光と、前記分離部上に照射
されたレーザ光の反射光を検出する受光素子と、この受
光素子の出力から前記一方向と直交する他方向の分離部
を検知して各ペレットの位置を検出する手段とを具備す
ることを特徴とする半導体ペレットの位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229524A JPS61108149A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 半導体ペレツトの位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59229524A JPS61108149A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 半導体ペレツトの位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108149A true JPS61108149A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16893517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59229524A Pending JPS61108149A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 半導体ペレツトの位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614080A3 (en) * | 1993-03-05 | 1995-01-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Device for recognizing the shape of a semiconductor wafer. |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5586131A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-28 | Toshiba Corp | Detecting device for dicing line |
| JPS5854648A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
| JPS58125837A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 自動ダイボンダのペレツト位置決め装置 |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59229524A patent/JPS61108149A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5586131A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-28 | Toshiba Corp | Detecting device for dicing line |
| JPS5854648A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
| JPS58125837A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 自動ダイボンダのペレツト位置決め装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0614080A3 (en) * | 1993-03-05 | 1995-01-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Device for recognizing the shape of a semiconductor wafer. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7687373B2 (en) | Wafer dividing method and apparatus | |
| KR102867712B1 (ko) | 피가공물의 절삭 방법 | |
| US20110266266A1 (en) | Laser processing machine | |
| TWI890675B (zh) | 加工裝置及被加工物的加工方法 | |
| EP1003212A2 (en) | Method of and apparatus for bonding light-emitting element | |
| US5307154A (en) | Semiconductor chip position detector | |
| US11476137B2 (en) | Dividing apparatus including an imaging unit for detecting defects in a workplace | |
| KR20130075656A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 가공 장치 | |
| KR20060055457A (ko) | 다이싱장치 | |
| KR20220044655A (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
| JP3162580B2 (ja) | ダイシング装置 | |
| US20090291544A1 (en) | Wafer laser processing method and apparatus | |
| TWM665260U (zh) | 雷射缺陷檢測系統 | |
| JP2020068316A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| CN101456222A (zh) | 晶片的分割方法 | |
| JP2004111601A (ja) | ダイボンダ | |
| CN114055647B (zh) | 切割装置以及切割品的制造方法 | |
| JPS61108149A (ja) | 半導体ペレツトの位置検出装置 | |
| JP2023023037A (ja) | 加工装置および振動検出方法 | |
| JP2012179644A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2017050377A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US20210069826A1 (en) | Method of confirming optical axis of laser processing apparatus | |
| JP2009277778A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP2022186378A (ja) | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 | |
| CN114102718A (zh) | 切割装置以及切割品的制造方法 |