JPS61111990A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPS61111990A JPS61111990A JP23117084A JP23117084A JPS61111990A JP S61111990 A JPS61111990 A JP S61111990A JP 23117084 A JP23117084 A JP 23117084A JP 23117084 A JP23117084 A JP 23117084A JP S61111990 A JPS61111990 A JP S61111990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulling
- single crystal
- gas
- seed
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明はチョクラルスキー法（ＣＺ法という）によって
シリコンなどの単結晶を製造する装置の改良に関するも
のである。
シリコンなどの単結晶を製造する装置の改良に関するも
のである。
（従来の技術）
従来の大形単結晶引上装置においては、シード（種結晶
）を回転させながら上下に移動可能としたシード引上軸
に、金属の棒の代りに金属線またはポールチェーン（通
称玉ぐさｉ） ）などの可撓性材料を用いて装置の高さ
を抑制しているが、このような引上装置ではシード回転
、外部振動および炉内ガスの流れなどによって、特にシ
ードが回転振れを生じ完全な単結晶の引上げが困難とな
り、その対策が強く望まれていた。なお回転振れとは簡
単にいうと横振れであって、複雑なときはシード引上軸
を中心として上から見た形が円形、欄内形、８字形また
はＸ字形など（＝なる。
）を回転させながら上下に移動可能としたシード引上軸
に、金属の棒の代りに金属線またはポールチェーン（通
称玉ぐさｉ） ）などの可撓性材料を用いて装置の高さ
を抑制しているが、このような引上装置ではシード回転
、外部振動および炉内ガスの流れなどによって、特にシ
ードが回転振れを生じ完全な単結晶の引上げが困難とな
り、その対策が強く望まれていた。なお回転振れとは簡
単にいうと横振れであって、複雑なときはシード引上軸
を中心として上から見た形が円形、欄内形、８字形また
はＸ字形など（＝なる。
（発明の目的）
本発明はＣＺ法によって単結晶を製造する装置の引上軸
に、可撓性耐熱材料を用いる場合に回転振れが生じた場
合、これを直ちに減衰させることを目的としている。
に、可撓性耐熱材料を用いる場合に回転振れが生じた場
合、これを直ちに減衰させることを目的としている。
（発明の構成と作用）
第１図は本発明を実施した単結晶引上装置の構成例を示
す断面図である。図中の１はるつぼで、内部には溶融し
た結晶材料が収容されている。なおるつぼの加熱装置は
よく知られているので図示を省いた。２は生長中の単結
晶、３はシード、４はシード以下を保持するチャック、
５は引上軸でこの場合は金属ワイヤまたはボールチェー
ン、６はシードおよび単結晶の引上げと回転を行う機構
、７はガス導入口、８は結晶収納室（チャンバ、炉）９
は結晶監視用ＴＶカメラ、１０はのぞき窓である。第２
図は引上軸にガス導入口からガスを吹付ける状態の一例
を示す第１図の断面図で、この例では引上軸５と直角な
方向にチャンバ８の外壁に対称な位置に取付けた複数の
ガス吹出しロアａを示しているが、ガス導入ロアけ１つ
または複数のいずれでもよく、ガス吹出しロアａの数は
状況によって３個以上任意に選ぶことができるが、ガス
の吹付けによって引上軸が中心にくるようにバランスを
考えて決定する。ガスには不活性ガスが使用され、さら
にガスを吹付ける部分は引上軸下方の単結晶部分とする
こともある。
す断面図である。図中の１はるつぼで、内部には溶融し
た結晶材料が収容されている。なおるつぼの加熱装置は
よく知られているので図示を省いた。２は生長中の単結
晶、３はシード、４はシード以下を保持するチャック、
５は引上軸でこの場合は金属ワイヤまたはボールチェー
ン、６はシードおよび単結晶の引上げと回転を行う機構
、７はガス導入口、８は結晶収納室（チャンバ、炉）９
は結晶監視用ＴＶカメラ、１０はのぞき窓である。第２
図は引上軸にガス導入口からガスを吹付ける状態の一例
を示す第１図の断面図で、この例では引上軸５と直角な
方向にチャンバ８の外壁に対称な位置に取付けた複数の
ガス吹出しロアａを示しているが、ガス導入ロアけ１つ
または複数のいずれでもよく、ガス吹出しロアａの数は
状況によって３個以上任意に選ぶことができるが、ガス
の吹付けによって引上軸が中心にくるようにバランスを
考えて決定する。ガスには不活性ガスが使用され、さら
にガスを吹付ける部分は引上軸下方の単結晶部分とする
こともある。
さて、実際に上記のようにシード回転その他によって、
引上軸に回転振れを生じた場合には、たとえばその状態
をビデオカメラ９などで検出し、ガス導入ロアよりのガ
ス流量を調整してガス吹出し口から引上軸、または単結
晶に不活性ガスを吹付けることによって、引上軸の回転
振れを迅速に減衰させることができる。
引上軸に回転振れを生じた場合には、たとえばその状態
をビデオカメラ９などで検出し、ガス導入ロアよりのガ
ス流量を調整してガス吹出し口から引上軸、または単結
晶に不活性ガスを吹付けることによって、引上軸の回転
振れを迅速に減衰させることができる。
（発明の効果）
本発明の実施によって、単結晶引上用の金属線やポール
チェーンの回転振れを急速に減衰させることができるの
で、単結晶の品質が向上する。これは実用上技術的にも
経済的にも著しい効果である。
チェーンの回転振れを急速に減衰させることができるの
で、単結晶の品質が向上する。これは実用上技術的にも
経済的にも著しい効果である。
第１図は本発明を実施した単結晶引上装置の構成側断面
図、第２図は引上軸にガスを吹付ける状態の一例を示す
図である。 ｌ・−・・るつぼ、 ２・・０単結晶、 ３・・・・シ
ード、４０・・チャック、 ５・・・・引上（デワイヤまたは引上げくさり、６・・
・・単結晶引上げと回転を行う機構部分、７・ａ−・ガ
ス導入口、 ７ａ・・・・ガス吹出し口、 ８・・・・結晶収納室、 ９０・・監視カメラ、 １０−・・窓。
図、第２図は引上軸にガスを吹付ける状態の一例を示す
図である。 ｌ・−・・るつぼ、 ２・・０単結晶、 ３・・・・シ
ード、４０・・チャック、 ５・・・・引上（デワイヤまたは引上げくさり、６・・
・・単結晶引上げと回転を行う機構部分、７・ａ−・ガ
ス導入口、 ７ａ・・・・ガス吹出し口、 ８・・・・結晶収納室、 ９０・・監視カメラ、 １０−・・窓。
Claims (1)
- 引上軸に可撓性材料を用いた単結晶引上装置の引上軸
、または引上中の単結晶に、それらの軸と直角方向の３
箇以上のガス吹出口より不活性ガスを吹きつける装置を
設けて、引上単結晶の回転振れを防止するようにしたこ
とを特徴とする単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23117084A JPS61111990A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23117084A JPS61111990A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 単結晶引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111990A true JPS61111990A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16919406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23117084A Pending JPS61111990A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105019018A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-11-04 | 常州市宜控自动控制系统有限公司 | 一种软轴晃动主动干预稳定装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826095A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-16 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23117084A patent/JPS61111990A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826095A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-16 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105019018A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-11-04 | 常州市宜控自动控制系统有限公司 | 一种软轴晃动主动干预稳定装置 |
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