JPS6111506B2 - - Google Patents
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- JPS6111506B2 JPS6111506B2 JP53056919A JP5691978A JPS6111506B2 JP S6111506 B2 JPS6111506 B2 JP S6111506B2 JP 53056919 A JP53056919 A JP 53056919A JP 5691978 A JP5691978 A JP 5691978A JP S6111506 B2 JPS6111506 B2 JP S6111506B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- resistor
- circuit
- time constant
- picture tube
- Prior art date
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/16—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
- H04N3/20—Prevention of damage to cathode-ray tubes in the event of failure of scanning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテレビジヨン受像機のスポツトキラー
回路に関するものであり、電源遮断後の受像管の
焼付を完全に防止する回路を提供するものであ
る。
回路に関するものであり、電源遮断後の受像管の
焼付を完全に防止する回路を提供するものであ
る。
テレビジヨン受像機、デイスプレイモニタ等の
受像管使用機器において、電源遮断後に受像管に
電荷が残つていると、偏向系が停止してからも、
受像管のヒータの余熱のためにビーム電流が流れ
て、画面にスポツト（輝点）が発生する。この輝
点が強い場合は受像管の螢光面の一点を損傷して
しまう恐れがあつた。それを避けるために、電源
遮断の瞬間に受像管のバイアス電圧を零に近づけ
て、受像管の電荷の放出を行うスポツトキラー回
路を用いていた。
受像管使用機器において、電源遮断後に受像管に
電荷が残つていると、偏向系が停止してからも、
受像管のヒータの余熱のためにビーム電流が流れ
て、画面にスポツト（輝点）が発生する。この輝
点が強い場合は受像管の螢光面の一点を損傷して
しまう恐れがあつた。それを避けるために、電源
遮断の瞬間に受像管のバイアス電圧を零に近づけ
て、受像管の電荷の放出を行うスポツトキラー回
路を用いていた。
第１図に従来のテレビジヨン受像機の要部の一
例を示す。１はフライバツクトランスの受像管カ
ソードバイアス用巻線であり、直流＋50〜＋
150Vを発生する。２は整流用ダイオード、３は
平滑コンデンサ、４はフライバツクトランスの受
像管グリツドバイアス用巻線であり直流−50〜−
200Vを発生する。５は整流ダイオード、６は平
滑コンデンサ、７は放電用抵抗、８は映像増幅回
路、９は映像出力トランジスタ、１０はトランジ
スタ９のコレクタ抵抗、１１はエミツタ抵抗、１
２は映像管、１３はダイオード、１４，１５は輝
度調整用分圧抵抗、１６は輝度用可変抵抗器、１
７はスポツトキラー用コンデンサである。Vcは
映像出力用＋電源、Vdはグリツド用−電源であ
る。
例を示す。１はフライバツクトランスの受像管カ
ソードバイアス用巻線であり、直流＋50〜＋
150Vを発生する。２は整流用ダイオード、３は
平滑コンデンサ、４はフライバツクトランスの受
像管グリツドバイアス用巻線であり直流−50〜−
200Vを発生する。５は整流ダイオード、６は平
滑コンデンサ、７は放電用抵抗、８は映像増幅回
路、９は映像出力トランジスタ、１０はトランジ
スタ９のコレクタ抵抗、１１はエミツタ抵抗、１
２は映像管、１３はダイオード、１４，１５は輝
度調整用分圧抵抗、１６は輝度用可変抵抗器、１
７はスポツトキラー用コンデンサである。Vcは
映像出力用＋電源、Vdはグリツド用−電源であ
る。
テレビジヨン受像機の電源スイツチを断にする
ことにより、コンデンサ１７の一端電位Vdはコ
ンデンサ６、抵抗７の時定数によつてアース電位
に向つて上昇し、コンデンサ１７の電荷によつて
受像管１２のグリツドG1の電位も同様に上昇
し、受像管１２のバイアスは定常時より浅くな
り、受像管１２の電荷は放出される。しかしこの
場合は、電位Vdがコンデンサ６、抵抗７の時定
〓〓〓〓
数に従つて変化するため、受像管１２のグリツド
のG1の変化もゆるやかであり、放電量が少な
い。従つて高圧系の容量が大きい場合は、偏向系
のストツプまでに放電し切らず、スポツトが発生
する。特に輝度用可変抵抗器１６を絞つた場合に
激しい。
ことにより、コンデンサ１７の一端電位Vdはコ
ンデンサ６、抵抗７の時定数によつてアース電位
に向つて上昇し、コンデンサ１７の電荷によつて
受像管１２のグリツドG1の電位も同様に上昇
し、受像管１２のバイアスは定常時より浅くな
り、受像管１２の電荷は放出される。しかしこの
場合は、電位Vdがコンデンサ６、抵抗７の時定
〓〓〓〓
数に従つて変化するため、受像管１２のグリツド
のG1の変化もゆるやかであり、放電量が少な
い。従つて高圧系の容量が大きい場合は、偏向系
のストツプまでに放電し切らず、スポツトが発生
する。特に輝度用可変抵抗器１６を絞つた場合に
激しい。
本発明は、このようなスポツトキラー回路の改
良に関するもので、従来以上に強力なスポツトキ
ラー回路を提供するものである。特に、従来のス
ポツトキラー回路では高圧のリツプルを除くため
に受像管のアノード端子に並列に、容量を追加し
た場合に、スポツトキラー効果が不十分であつた
が、本発明ではこのような場合にもスポツト焼付
の発生を未然に防ぐことができる。
良に関するもので、従来以上に強力なスポツトキ
ラー回路を提供するものである。特に、従来のス
ポツトキラー回路では高圧のリツプルを除くため
に受像管のアノード端子に並列に、容量を追加し
た場合に、スポツトキラー効果が不十分であつた
が、本発明ではこのような場合にもスポツト焼付
の発生を未然に防ぐことができる。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第２図に本発明の一実施例における回路を示し、
第１図と同一個所には同一番号を付して説明す
る。第２図に示すように、コンデンサ１８と抵抗
２２の直列回路を整流ダイオード２とトランジス
タ２４のベースとの間に接続し、抵抗１９をコイ
ル４の一端と抵抗２２との間に接続し、トランジ
スタ２４のベースとダイオード５との間にダイオ
ード２３を接続し、抵抗２２とダイオード５との
間に抵抗２０とダイオード２１の直列回路を接続
し、トランジスタ２４のコレクタとダイオード２
との間に抵抗２５を接続し、トランジスタ２４の
コレクタと受像管１２のグリツドG1との間にス
ポツトキラー用コンデンサ２６と管内放電時にト
ランジスタ２４を保護するための抵抗２７との直
列接続回路を接続した。
第２図に本発明の一実施例における回路を示し、
第１図と同一個所には同一番号を付して説明す
る。第２図に示すように、コンデンサ１８と抵抗
２２の直列回路を整流ダイオード２とトランジス
タ２４のベースとの間に接続し、抵抗１９をコイ
ル４の一端と抵抗２２との間に接続し、トランジ
スタ２４のベースとダイオード５との間にダイオ
ード２３を接続し、抵抗２２とダイオード５との
間に抵抗２０とダイオード２１の直列回路を接続
し、トランジスタ２４のコレクタとダイオード２
との間に抵抗２５を接続し、トランジスタ２４の
コレクタと受像管１２のグリツドG1との間にス
ポツトキラー用コンデンサ２６と管内放電時にト
ランジスタ２４を保護するための抵抗２７との直
列接続回路を接続した。
抵抗１９と抵抗２０の接続点ａの電圧は、Vd
を基準として、トランジスタ２４のＶBE（約
0.7V）にVcとVdのリツプル値を加えた値より大
にしておく、即ちリツプル変動によつて、トラン
ジスタ２４がオフとならないためである。抵抗２
２は、ａ点とトランジスタ２４のベースとの相異
る電位点を接続するためのものである。リツプル
値が小さければ抵抗２２を省略することができ
る。通常動作時にはトランジスタ２４は飽和する
よう、抵抗１９，２０，２２の値を選ぶ。従つて
トランジスタ２４のコレクターエミツタ間のドロ
ツプは小さいので、トランジスタ２４のコレク
タ、即ち、輝度調節回路の低電位側の電圧はVd
とみなせる。
を基準として、トランジスタ２４のＶBE（約
0.7V）にVcとVdのリツプル値を加えた値より大
にしておく、即ちリツプル変動によつて、トラン
ジスタ２４がオフとならないためである。抵抗２
２は、ａ点とトランジスタ２４のベースとの相異
る電位点を接続するためのものである。リツプル
値が小さければ抵抗２２を省略することができ
る。通常動作時にはトランジスタ２４は飽和する
よう、抵抗１９，２０，２２の値を選ぶ。従つて
トランジスタ２４のコレクターエミツタ間のドロ
ツプは小さいので、トランジスタ２４のコレク
タ、即ち、輝度調節回路の低電位側の電圧はVd
とみなせる。
電源スイツチ遮断時にはコンデンサ１８、抵抗
１９の時定数を、コンデンサ６，低抗７の時定数
よりも大きくしておくと、トランジスタ２４のベ
ースは、Vcの変化が、コンデンサ１８により伝
えられるため、下降方向となり、エミツタは、
Vdの変化に従つて、上昇方向（アース方向）と
なり、両者の加算効果により、トランジスタ２４
は、急激にカツトオフとなる。ダイオード２１
は、抵抗２０をVdラインから切離し、コンデン
サ１８の放電路を減らし、放電抵抗を大とするた
めのものである。ダイオード２３はトランジスタ
２４のエミツタ耐圧の保護用である。トランジス
タ２４のベースエミツタ間のインピーダンスを下
げる効果も有する。Vcラインの変化は、コンデ
ンサ１８の電荷によつて、ほとんどそのままａ点
に伝えられ、定量的には、VcラインとVdライン
の変化の和が、定常時のａ点とトランジスタ２４
のベース間の電位差以上となると、トランジスタ
２４はカツトオフとなる。トランジスタ２４のコ
レクタ電圧はVcの電位となり、受像管１２のグ
リツドG1は更にコンデンサ２６の電圧だけ高く
なる。従つて、受像管１２は完全にＶG1＞ＶKと
なり、受像管のＩG1０に制限されるが、受像管
は最大電流状態にバイアスされて、偏向系の動作
が残つている短い時間内に大量の電荷放出が可能
となる。ダイオード１３はなくても基本動作には
影響しないが、抵抗１４を切り離す効果があり、
ＶG1の上昇はより良い条件となる。コンデンサ１
８の接続点はVc以外でも良い。一般に、電位が
高い方が変化の絶対値が大きいが、その他の点で
も、電源オフ時に下降特性を持つ個所であれば本
発明の効果は生ずる。例えば、フオーカス用電源
等でも良い。抵抗１９の接続点は、他の電位点、
例えばVcラインでも良い。Vdから離れている程
抵抗値を大きくできる。時定数的には有利であ
る。抵抗２５の接続点は、更に高い電位点でも良
いし、又、コンデンサ２６の電圧が大きければア
ースでも良い。
１９の時定数を、コンデンサ６，低抗７の時定数
よりも大きくしておくと、トランジスタ２４のベ
ースは、Vcの変化が、コンデンサ１８により伝
えられるため、下降方向となり、エミツタは、
Vdの変化に従つて、上昇方向（アース方向）と
なり、両者の加算効果により、トランジスタ２４
は、急激にカツトオフとなる。ダイオード２１
は、抵抗２０をVdラインから切離し、コンデン
サ１８の放電路を減らし、放電抵抗を大とするた
めのものである。ダイオード２３はトランジスタ
２４のエミツタ耐圧の保護用である。トランジス
タ２４のベースエミツタ間のインピーダンスを下
げる効果も有する。Vcラインの変化は、コンデ
ンサ１８の電荷によつて、ほとんどそのままａ点
に伝えられ、定量的には、VcラインとVdライン
の変化の和が、定常時のａ点とトランジスタ２４
のベース間の電位差以上となると、トランジスタ
２４はカツトオフとなる。トランジスタ２４のコ
レクタ電圧はVcの電位となり、受像管１２のグ
リツドG1は更にコンデンサ２６の電圧だけ高く
なる。従つて、受像管１２は完全にＶG1＞ＶKと
なり、受像管のＩG1０に制限されるが、受像管
は最大電流状態にバイアスされて、偏向系の動作
が残つている短い時間内に大量の電荷放出が可能
となる。ダイオード１３はなくても基本動作には
影響しないが、抵抗１４を切り離す効果があり、
ＶG1の上昇はより良い条件となる。コンデンサ１
８の接続点はVc以外でも良い。一般に、電位が
高い方が変化の絶対値が大きいが、その他の点で
も、電源オフ時に下降特性を持つ個所であれば本
発明の効果は生ずる。例えば、フオーカス用電源
等でも良い。抵抗１９の接続点は、他の電位点、
例えばVcラインでも良い。Vdから離れている程
抵抗値を大きくできる。時定数的には有利であ
る。抵抗２５の接続点は、更に高い電位点でも良
いし、又、コンデンサ２６の電圧が大きければア
ースでも良い。
第３図は、本発明の他の実施例である。第２図
の構成との相異点は抵抗２０、ダイオード２１が
除かれていること、抵抗２４のコレクタにはコン
デンサ２６のみが接続されていること、輝度用可
変抵抗器１６と、受像管のグリツドG1との間に
ダイオード２８と、抵抗２９が接続されているこ
〓〓〓〓
とである。トランジスタ２４のベースエミツタ間
ドロツプは約0.7Vであり、それを基準として、
抵抗１９，２２で分圧する。ａ点の電位は、第２
図と同じ値にする。
の構成との相異点は抵抗２０、ダイオード２１が
除かれていること、抵抗２４のコレクタにはコン
デンサ２６のみが接続されていること、輝度用可
変抵抗器１６と、受像管のグリツドG1との間に
ダイオード２８と、抵抗２９が接続されているこ
〓〓〓〓
とである。トランジスタ２４のベースエミツタ間
ドロツプは約0.7Vであり、それを基準として、
抵抗１９，２２で分圧する。ａ点の電位は、第２
図と同じ値にする。
この場合も、リツプルが小さい場合は、抵抗２
２は不要である。出力側はコンデンサ２６のみを
持ち上げる。ダイオード２８は輝度用可変抵抗器
回路をコンデンサ２６の放電路から切離すための
もので、時定数を大きくする効果がある。抵抗１
４，１５，１６とコンデンサ２６で必要な時定数
が確保できる場合は不要である。抵抗２９はリー
ク抵抗である。この場合は、ダイオード１３はほ
とんど効果はない。本構成はベース側回路の簡略
化と、通常動作時に故障でトランジスタがオープ
ンした場合に、受像管のＶG1が上昇することがな
いことの特徴を有す。
２は不要である。出力側はコンデンサ２６のみを
持ち上げる。ダイオード２８は輝度用可変抵抗器
回路をコンデンサ２６の放電路から切離すための
もので、時定数を大きくする効果がある。抵抗１
４，１５，１６とコンデンサ２６で必要な時定数
が確保できる場合は不要である。抵抗２９はリー
ク抵抗である。この場合は、ダイオード１３はほ
とんど効果はない。本構成はベース側回路の簡略
化と、通常動作時に故障でトランジスタがオープ
ンした場合に、受像管のＶG1が上昇することがな
いことの特徴を有す。
第４図に本発明のさらに他の実施例を示す。エ
ミツタ耐圧保護ダイオード３０をトランジスタ２
４のエミツタに直列に接続したもので、ベース回
路は高インピーダンス化される。
ミツタ耐圧保護ダイオード３０をトランジスタ２
４のエミツタに直列に接続したもので、ベース回
路は高インピーダンス化される。
第５図に、本発明の他の実施例を示す。コンデ
ンサ２６を用いず、導電経路のみで、トランジス
タ２４のコレクタと、受像管のグリツドG1を接
続する。トランジスタ２４のコレクタ抵抗２５
（あるいは、抵抗１４）をVc又は、高い電位点へ
接続して、電源オフ時に、ＶG1K≧０とすること
ができる。尚コレクタ抵抗２５は、トランジスタ
２４のコレクタ抵抗として輝度可変抵抗器の電力
が許せば、廃止しても良い。第６図に抵抗２５を
より高い電位点へ接続した例を示す。ＶBは、ＶC
より高い電位点（例えばフオーカス用電源）であ
る。第７図は抵抗２５をＶBへ、輝度可変抵抗器
回路をVcへ接続した例を示す。その他の接続
は、第６図と同じである。この例では、ＶBのリ
ツプルが大きい場合に有効である。第６図の構成
では輝度可変抵抗器回路にリツプルが混入する
が、本構成ではトランジスタ２４の飽和時のＶcE
は、小さくて、一定であるので影響しない。トラ
ンジスタ２４を飽和させない場合もＶcplを一定値
に抑えれば良い。
ンサ２６を用いず、導電経路のみで、トランジス
タ２４のコレクタと、受像管のグリツドG1を接
続する。トランジスタ２４のコレクタ抵抗２５
（あるいは、抵抗１４）をVc又は、高い電位点へ
接続して、電源オフ時に、ＶG1K≧０とすること
ができる。尚コレクタ抵抗２５は、トランジスタ
２４のコレクタ抵抗として輝度可変抵抗器の電力
が許せば、廃止しても良い。第６図に抵抗２５を
より高い電位点へ接続した例を示す。ＶBは、ＶC
より高い電位点（例えばフオーカス用電源）であ
る。第７図は抵抗２５をＶBへ、輝度可変抵抗器
回路をVcへ接続した例を示す。その他の接続
は、第６図と同じである。この例では、ＶBのリ
ツプルが大きい場合に有効である。第６図の構成
では輝度可変抵抗器回路にリツプルが混入する
が、本構成ではトランジスタ２４の飽和時のＶcE
は、小さくて、一定であるので影響しない。トラ
ンジスタ２４を飽和させない場合もＶcplを一定値
に抑えれば良い。
以上、各実施例においては、トランジスタを１
個用いたものを示したが、増幅特性を有する素子
あるいは回路であれば、置き換えることができ
る。又電圧源としてフライバツクトランスからの
整流出力を用いたが、機器のＢ電圧が高い場合
は、（例えば電源直接整流方式の場合、70V〜
140V）Vcとしてそれを用いても良い、又第６
図、第７図のＶBとしては、Ｂ電圧より高い個
所、即ち、商用電源の整流出力に近い点の電圧を
用いても良い。尚、トランジスタ２４に相当する
増幅器は、オンオフ動作が回路構成上、最も簡単
であるが、増巾動作範囲内であつても本発明の効
果は生ずるものである。
個用いたものを示したが、増幅特性を有する素子
あるいは回路であれば、置き換えることができ
る。又電圧源としてフライバツクトランスからの
整流出力を用いたが、機器のＢ電圧が高い場合
は、（例えば電源直接整流方式の場合、70V〜
140V）Vcとしてそれを用いても良い、又第６
図、第７図のＶBとしては、Ｂ電圧より高い個
所、即ち、商用電源の整流出力に近い点の電圧を
用いても良い。尚、トランジスタ２４に相当する
増幅器は、オンオフ動作が回路構成上、最も簡単
であるが、増巾動作範囲内であつても本発明の効
果は生ずるものである。
以上のように本発明によればテレビジヨン受像
機の受像管のスポツトキラー回路に時定数の互い
に異なる２つの時定数回路を設け、いかなる場合
においても確実に動作するようにしたので、電源
遮断時に受像管にスポツトが生じて焼付が発生す
る恐れはないものである。
機の受像管のスポツトキラー回路に時定数の互い
に異なる２つの時定数回路を設け、いかなる場合
においても確実に動作するようにしたので、電源
遮断時に受像管にスポツトが生じて焼付が発生す
る恐れはないものである。
第１図は従来のスポツトキラー回路の回路図、
第２図は本発明の一実施例におけるスポツトキラ
ー回路の回路図、第３図，第４図，第５図，第６
図，第７図は同他の実施例におけるスポツトキラ
ー回路の回路図である。 １，４……フライバツクトランスの巻線、６，
１８……コンデンサ、７，１９，２０，２２，２
６……抵抗、１２……受像管、２１，２３……ダ
イオード、２４……トランジスタ。 〓〓〓〓
第２図は本発明の一実施例におけるスポツトキラ
ー回路の回路図、第３図，第４図，第５図，第６
図，第７図は同他の実施例におけるスポツトキラ
ー回路の回路図である。 １，４……フライバツクトランスの巻線、６，
１８……コンデンサ、７，１９，２０，２２，２
６……抵抗、１２……受像管、２１，２３……ダ
イオード、２４……トランジスタ。 〓〓〓〓
Claims (1)
- １ 受像管のグリツドに抵抗あるいは、抵抗とコ
ンデンサを介してトランジスタのコレクターを接
続し、前記トランジスタのエミツタを、前記グリ
ツドに電圧を印加する低電圧源に接続し、通常動
作時は前記トランジスタをオン状態に保ち電源オ
フ時に前記トランジスタをカツトオフせしめて前
記受像管の電荷を放出させるように、前記低電圧
電源に並列に第１の時定数回路を接続し、かつ前
記トランジスタのベースと前記受像管のカソード
に電圧を印加する高電圧源との間に前記第１の時
定数回路の時定数よりも長い時定数を有する第２
の時定数回路を接続したことを特徴とするスポツ
トキラー回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5691978A JPS54148321A (en) | 1978-05-12 | 1978-05-12 | Spot killer circuit |
| US06/033,261 US4217525A (en) | 1978-05-12 | 1979-04-25 | Spot killer circuit |
| GB7915217A GB2021364B (en) | 1978-05-12 | 1979-05-02 | Television picture tube spot killer circuit |
| CA000327482A CA1117651A (en) | 1978-05-12 | 1979-05-11 | Spot killer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5691978A JPS54148321A (en) | 1978-05-12 | 1978-05-12 | Spot killer circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54148321A JPS54148321A (en) | 1979-11-20 |
| JPS6111506B2 true JPS6111506B2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=13040884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5691978A Granted JPS54148321A (en) | 1978-05-12 | 1978-05-12 | Spot killer circuit |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4217525A (ja) |
| JP (1) | JPS54148321A (ja) |
| CA (1) | CA1117651A (ja) |
| GB (1) | GB2021364B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4390817A (en) * | 1981-02-27 | 1983-06-28 | Zenith Radio Corporation | Integratable CRT spot cut-off network |
| US4763046A (en) * | 1987-07-08 | 1988-08-09 | Zenith Electronics Corporation | CRT protection circuit |
| KR100241400B1 (ko) * | 1994-12-29 | 2000-02-01 | 전주범 | 음극선관의 스폿 제거회로 |
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