JPS61123128A - プラズマ反応装置 - Google Patents

プラズマ反応装置

Info

Publication number
JPS61123128A
JPS61123128A JP59234705A JP23470584A JPS61123128A JP S61123128 A JPS61123128 A JP S61123128A JP 59234705 A JP59234705 A JP 59234705A JP 23470584 A JP23470584 A JP 23470584A JP S61123128 A JPS61123128 A JP S61123128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
reaction
film
recessed portions
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59234705A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Koyama
小山　堅二
Kanetake Takasaki
高崎　金剛
Atsuhiro Tsukune
筑根　孜弘
Masahide Nishimura
西村　正秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59234705A priority Critical patent/JPS61123128A/ja
Publication of JPS61123128A publication Critical patent/JPS61123128A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2921—Materials being crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置等の製造に使用されるプラズマ反応
装置の異常反応防止のための構造に関する。
半導体装置の製造において、プラズマ反応は二酸化珪素
（Ｓｉｎｇ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎオ）、多結晶珪素（
ポリＳｉ）　、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）等の各種被膜の
化学気相成長（ＣＶ　Ｄ）による基板上への被着、ある
いは珪素（Ｓｔ）等の半導体や各種被膜のエツチングに
広く用いられている。
プラズマ反応装置は、従来は基板を１枚宛処理していた
ため基板ホルダの表面は平坦で、放電の集中はなく、従
って異常反応は起こらなかったが、最近処理の自動化に
より基板のハンドリングのため、基板ホルダにくぼみを
つくる必要が生してきた。
くぼみがあると、そのエツジで放電の集中を生じ、この
ために発生する異常反応による被着膜厚の増大や過剰エ
ツチング等を生じ、対策が望まれている。
〔従来の技術〕
第２図は従来例によるプラズマ反応装置を模式的に示す
断面図である。
図において、■は真空容器で、基板２を載せた基板ホル
ダ３は接地電極で、真空容器１とともに接地される。
４は対向電極で、高周波（ＲＦ）電ａ５に接続される。
反応ガスは人口５より導入され、対向電極４よリシャワ
状に基板２の上に注がれ、排気口６より排気される。
反応は両電極間にＲＦ電力を加えて、反応ガスのプラズ
マをつくり、このプラズマガスと基板との間で行われる
。
この場合、自動搬送装置のアームによる基板のハンドリ
ングを可能にするために基板ホルダ３に設けられた（ぼ
み８Ａ、８Ｂ、・・・の部位で基板２に異常反応が起こ
る。
被膜を被着した場合を例にとると、異常反応を生じた部
位においては、膜厚が２０〜５０％も増加する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
プラズマ反応装置において、工程の自動化のために基板
ホルダにくぼみをつくると、この部位で基板に異常反応
が起こる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、プラズマ反応により処理しようと
する基板を搭載する基板ホルダにくぼみを設け、該くぼ
みの表面を絶縁物で覆ってなる本発明によるプラズマ反
応装置により達成される。
〔作用〕
本発明は （１１平坦な基板ホルダの表面上の１部に絶縁物を置く
と、その部位は反応が遅くなる。
（２）平坦な基板ホルダのの表面上の１部にくぼみをつ
（ると、その部位は反応が速（なる。
以上の２つの相反する条件を最適化して、基板内で均一
な反応を起こさせるようにしたものである。
〔実施例〕
第１図（ａ）、　（ｂｌはそれぞれ本発明によるプラズ
マ反応装置の基板ホルダの平面図と断面図である。
図において、アルミニウム（Ａｌ）でつくられた基板ホ
ルダ３には工程自動化のためにくぼみ８＾、８Ｂ。
８Ｇ、８Ｄが設けられ、各くぼみにはそれぞれアルミナ
、石英等でつくられた絶縁物９＾、９Ｂ、９Ｇ、９Ｄが
埋め込まれている。
この装置により、プラズマ反応はつぎのように行われる
。
プラズマＣＶＤの場合は、例えば５ｉＪａを被着すると
きは、反応ガスとしてモノシラン（Ｓ　ｉ　Ｈ＊）とア
ンモニア＜ＮＨりを窒素（Ｎｔ）、またはアルゴン（Ａ
ｒ）で希釈して用い、Ｉ　Ｔｏｒｒに減圧して４００℃
で、周波数　４００ＫＨ２の電力を０．４〜０．６　Ｗ
ｃｍ−”印加して行う。
プラズマエツチングの場合は、例えばポリＳｉ　　５Ｓ
ｉＪ奢をエツチングするときは、反応ガスとして四弗化
炭素（ＣＦ、）に５％の酸素（０，）を混合して用い、
Ｑ、５　Ｔｏｒｒに減圧して周波数１３．５６ＭＦＩＺ
の電力を１．３　Ｗｃｍ−”印加して行う。
以上のようにして形成された被膜、あるいはエツチング
には異常反応は認められなかった。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、プラズマ反
応装置において、工程の自動化のために基板ホルダにく
ぼみを形成しても、この部位で基板に異常反応が起こら
ない。従って被着膜厚の増大や過剰エツチング等を生じ
ることはない。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、　（ｂ）はそれぞれ本発明によるプラズ
マ反応装置の基板ホルダの平面図と断面図、第２図は従
来例によるプラズマ反応装置を模式的に示す断面図であ
る。 図において、 １は真空容器、　　　　２は基板、 ３は基板ホルダ、　　　　４は対向電極、５はＲＦ電源
、　　　　６はガス入口、７は排気口、 ８Ａ、８Ｂ、８Ｇ、８Ｄは（ぼみ、 ９＾、９Ｂ、９Ｃ，９０は絶縁物 を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　プラズマ反応により処理しようとする基板を搭載する
    基板ホルダにくぼみを設け、該くぼみの表面を絶縁物で
    覆ってなることを特徴とするプラズマ反応装置。
JP59234705A 1984-11-07 1984-11-07 プラズマ反応装置 Pending JPS61123128A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59234705A JPS61123128A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 プラズマ反応装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59234705A JPS61123128A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 プラズマ反応装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61123128A true JPS61123128A (ja) 1986-06-11

Family

ID=16975096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59234705A Pending JPS61123128A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 プラズマ反応装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61123128A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422772U (ja) * 1987-07-28 1989-02-06

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5353962A (en) * 1976-10-27 1978-05-16 Oki Electric Ind Co Ltd Production of semicnductor wafers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5353962A (en) * 1976-10-27 1978-05-16 Oki Electric Ind Co Ltd Production of semicnductor wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422772U (ja) * 1987-07-28 1989-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4073669A (en) Plasma etching
EP0661732B1 (en) A method of forming silicon oxy-nitride films by plasma-enhanced chemical vapor deposition
JP3657942B2 (ja) 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
JP2002317267A (ja) 薄膜製造方法
JP3112880B2 (ja) Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
JPH0570957A (ja) プラズマ気相成長装置
JPH04233734A (ja) 弗素化窒化珪素を付着する方法
JPH0793276B2 (ja) 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法
JPS6247130A (ja) 反応性イオンエツチング装置
CA1333786C (en) Process for producing patterns in dielectric layers formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd)
JPH04132220A (ja) プラズマテーパエッチング方法
JPH0520898B2 (ja)
JPS6316625A (ja) ドライエツチング用電極
JPS59172236A (ja) 反応性イオンエツチング装置
JPH0546094B2 (ja)
JP3108466B2 (ja) 縦型熱処理装置
JPH0241167B2 (ja)
JPH02111867A (ja) シリコン基体への金属の堆積方法
KR20240069416A (ko) 기판 처리 장치의 챔버 내부 표면의 보호막 형성 방법
JPH02148843A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01223733A (ja) 炭化チタン系膜及び窒化チタン系膜のエッチング方法
JPH04302425A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61214526A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03152921A (ja) Ｃｖｄ装置
JPH0625859A (ja) Ｃｖｄ膜形成装置およびプラズマクリーニング方法