JPS61124573A - ダイヤモンド被覆基材及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド被覆基材及びその製造方法Info
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- JPS61124573A JPS61124573A JP59244540A JP24454084A JPS61124573A JP S61124573 A JPS61124573 A JP S61124573A JP 59244540 A JP59244540 A JP 59244540A JP 24454084 A JP24454084 A JP 24454084A JP S61124573 A JPS61124573 A JP S61124573A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、金属９合金、金属化合物、焼結合金、セラミ
ックス、複合材料又は工具鋼を含めた鉄系材料でなる基
材の表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カー
ボンからなる硬質被膜を被覆したダイヤモンド被覆基材
及びその製造方法に関する。
ックス、複合材料又は工具鋼を含めた鉄系材料でなる基
材の表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カー
ボンからなる硬質被膜を被覆したダイヤモンド被覆基材
及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
ダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボン′から
なる硬質被膜の合成方法としては、大別すると、特開昭
５３−１０３９４及び特開昭５６−２２８１６に開示さ
れているようなダイヤモンド又はカーボンを加熱蒸若し
て硬質被膜を形成する、所謂固相合成法と特開昭５８−
９１１００に開示されているような炭化水素と水素の混
合ガスを加熱して、炭化水素の熱分解によって硬質被膜
を形成する。所謂気相合成法がある。
なる硬質被膜の合成方法としては、大別すると、特開昭
５３−１０３９４及び特開昭５６−２２８１６に開示さ
れているようなダイヤモンド又はカーボンを加熱蒸若し
て硬質被膜を形成する、所謂固相合成法と特開昭５８−
９１１００に開示されているような炭化水素と水素の混
合ガスを加熱して、炭化水素の熱分解によって硬質被膜
を形成する。所謂気相合成法がある。
これらの固相合成法又は気相合成法を利用して金属２合
金、焼結合金又はセラミックスでなる基材表面にダイヤ
モンド及び／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質
被膜を形成した被覆材料の提案が行なわれているけれど
もダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボンから
なる硬質被膜の特性を充分に発揮できなく実用性に乏し
いのが現状である。
金、焼結合金又はセラミックスでなる基材表面にダイヤ
モンド及び／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質
被膜を形成した被覆材料の提案が行なわれているけれど
もダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボンから
なる硬質被膜の特性を充分に発揮できなく実用性に乏し
いのが現状である。
（発明が解決しょとする問題点）
従来、基材表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる硬質被膜を被覆した被覆材料は、硬
質被膜が５ｘｍ”１０６ｍの粒状のもの、又は２ＩＬｍ
〜５ＩＬｍの粗粒でなる膜状のもので形成されているた
めに緻密性に乏しく。
状カーボンからなる硬質被膜を被覆した被覆材料は、硬
質被膜が５ｘｍ”１０６ｍの粒状のもの、又は２ＩＬｍ
〜５ＩＬｍの粗粒でなる膜状のもので形成されているた
めに緻密性に乏しく。
更に基材と硬質被膜との密着性にも乏しいという間開が
ある。このために例えば、超硬合金又はセラミックスか
らなる基材表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる硬質被膜を被覆した被覆工具を使用
してＡ見合金の切削試験を行なった場合、硬質被膜を構
成するダイヤモンド粒子の脱落又は硬質被膜の剥離によ
り寿命になるという問題がある。また、金属又は合金か
らなる基材表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる硬質被膜を被覆した被覆材料を半導
体基板のヒートシンク用として応用した場合、緻密性に
乏しい硬質被膜であるために高熱伝導性及び高電気絶縁
性を保てなく実用化できなかったり、基材と硬質被膜と
の熱膨張の非整合性から実用化できないという問題があ
る。
ある。このために例えば、超硬合金又はセラミックスか
らなる基材表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる硬質被膜を被覆した被覆工具を使用
してＡ見合金の切削試験を行なった場合、硬質被膜を構
成するダイヤモンド粒子の脱落又は硬質被膜の剥離によ
り寿命になるという問題がある。また、金属又は合金か
らなる基材表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる硬質被膜を被覆した被覆材料を半導
体基板のヒートシンク用として応用した場合、緻密性に
乏しい硬質被膜であるために高熱伝導性及び高電気絶縁
性を保てなく実用化できなかったり、基材と硬質被膜と
の熱膨張の非整合性から実用化できないという問題があ
る。
本発明は、上記のような問題点を解決したもので、具体
的には緻密で密着性にすぐれたダイヤモンド及び／又は
ダイヤモンド状カーボンからなる硬質被膜を基材表面に
形成させたダイヤモンド被！Ｅ２基材及びその製造方法
である。
的には緻密で密着性にすぐれたダイヤモンド及び／又は
ダイヤモンド状カーボンからなる硬質被膜を基材表面に
形成させたダイヤモンド被！Ｅ２基材及びその製造方法
である。
（問題点を解決するための手段）
一般に、ダイヤモンドは他の物質との濡れ性が著しく悪
く、又熱膨張率が小さく、更にダイヤモンド中への他原
子の拡散が少ないなどのために基材にダイヤモンド及び
／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質被膜を形成
するのが非常に困難である。そこで、木発明者は、硬質
被膜を形成させるのに適する基材の材質及び基材の表面
状態について追究した所、特に基材の表面状態が硬質被
膜の緻密性及び密着性に著しい影響を及ぼすことを確認
することによって本発明を完成するに至ったものである
。
く、又熱膨張率が小さく、更にダイヤモンド中への他原
子の拡散が少ないなどのために基材にダイヤモンド及び
／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質被膜を形成
するのが非常に困難である。そこで、木発明者は、硬質
被膜を形成させるのに適する基材の材質及び基材の表面
状態について追究した所、特に基材の表面状態が硬質被
膜の緻密性及び密着性に著しい影響を及ぼすことを確認
することによって本発明を完成するに至ったものである
。
すなわち１本発明のダイヤモンド被ｗ１基材は、平均１
．０Ｂｍ以下の表面アラサでなる基材の表面にダイヤモ
ンド及び／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質被
膜を被覆した被覆基材である。この本発明のダイヤモン
ド被覆基材における基材の表面アラサは、ＪＩＳ・ＢＯ
６０１に記載の表面アラサであって、この基材の表面ア
ラサを平均１．０ｐｍ以下にすると基材表面には、研磨
による残留応力や転位が生じて硬質被膜であるダイヤモ
ンドの核発生に寄与してくるものである。
．０Ｂｍ以下の表面アラサでなる基材の表面にダイヤモ
ンド及び／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質被
膜を被覆した被覆基材である。この本発明のダイヤモン
ド被覆基材における基材の表面アラサは、ＪＩＳ・ＢＯ
６０１に記載の表面アラサであって、この基材の表面ア
ラサを平均１．０ｐｍ以下にすると基材表面には、研磨
による残留応力や転位が生じて硬質被膜であるダイヤモ
ンドの核発生に寄与してくるものである。
このようにダイヤモンドの核生成密度の高い基材表面に
形成したダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボ
ンからなる硬質被膜は、微細で緻密であるために高硬度
ですぐれた耐摩耗性、高い熱伝導性及び高い電気絶縁性
などの特性を有し、この硬質被膜の特性を充分に発揮す
るためには０ 、０１ ｐｍ以上の厚さが好ましく、逆
に、耐摩耗用工具又は切削用工具のような工具部品に応
用するとぎには、硬質被膜を厚くしすぎると剥離するた
めに２０Ｂｍ以下の厚さが好ましい、特に。
形成したダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボ
ンからなる硬質被膜は、微細で緻密であるために高硬度
ですぐれた耐摩耗性、高い熱伝導性及び高い電気絶縁性
などの特性を有し、この硬質被膜の特性を充分に発揮す
るためには０ 、０１ ｐｍ以上の厚さが好ましく、逆
に、耐摩耗用工具又は切削用工具のような工具部品に応
用するとぎには、硬質被膜を厚くしすぎると剥離するた
めに２０Ｂｍ以下の厚さが好ましい、特に。
切削用工具の中でもドリル、リーマ、エンドミルなどの
ように切刃のシャープな工具に応用するときには、硬質
被膜の厚さをＯ、ｌ ＩＬｍ〜５μｍにすることが好ま
しい、この硬質被膜を形成する粒子の大きさは、緻密な
膜状にするために平均粒度１、Ｏｐｍ以下の大ささでな
るものが好ま１い。
ように切刃のシャープな工具に応用するときには、硬質
被膜の厚さをＯ、ｌ ＩＬｍ〜５μｍにすることが好ま
しい、この硬質被膜を形成する粒子の大きさは、緻密な
膜状にするために平均粒度１、Ｏｐｍ以下の大ささでな
るものが好ま１い。
本発明のダイヤモンド被覆基材における硬質被膜を形成
するための基材は、金属１合金、セラミックス、工具鋼
、複合材料及び焼結合金などが使用でき、特に工具用に
応用するときにはセラミックス、工具鋼又は焼結合金が
適し、ヒートシンク用に応用するときには金属１合金又
はセラミックスが適している。また、基材と硬質被膜と
の密着性からは、基材の材質がＳｉ 、Ｓｉ含有合金。
するための基材は、金属１合金、セラミックス、工具鋼
、複合材料及び焼結合金などが使用でき、特に工具用に
応用するときにはセラミックス、工具鋼又は焼結合金が
適し、ヒートシンク用に応用するときには金属１合金又
はセラミックスが適している。また、基材と硬質被膜と
の密着性からは、基材の材質がＳｉ 、Ｓｉ含有合金。
ＳｉＣ系セラミックス、５ｉｚｅ４系セラミツクスが望
ましい。
ましい。
本発明のダイヤモンド被ＷＪ基材の製造方法は。
基材表面を従来から使用されている砥石又は砥粒１例え
ばダイヤモンド系、ＷＢＮ又はＣＢＨの高密度窒化ホウ
素系、炭化ケイ素系、アルミナ系、ジルコニア系などに
よって平均１．０ｐｍ以下の表面アラサにする。特に、
基材表面アラサの処Ｎば、立方晶窒化ホウ素及び／又は
ダイヤモンドを含有する硬質な砥石又は砥粒を使用する
のが望ましい０次いで、平均１．０ｅｍ以下の表面アラ
サに仕立だ基材表面に従来から行われている方法によっ
てダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボンから
なる硬質被膜を被覆することがでさる。
ばダイヤモンド系、ＷＢＮ又はＣＢＨの高密度窒化ホウ
素系、炭化ケイ素系、アルミナ系、ジルコニア系などに
よって平均１．０ｐｍ以下の表面アラサにする。特に、
基材表面アラサの処Ｎば、立方晶窒化ホウ素及び／又は
ダイヤモンドを含有する硬質な砥石又は砥粒を使用する
のが望ましい０次いで、平均１．０ｅｍ以下の表面アラ
サに仕立だ基材表面に従来から行われている方法によっ
てダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボンから
なる硬質被膜を被覆することがでさる。
（作用）
本発明のダイヤモンド被覆基材は、基材表面アラサを平
均１ｐｍ以下に処理することでダイヤモンド及び／又は
ダイヤモンド状カーボンからなる硬質被膜の析出初期段
階でダイヤモンドの核生成密度が著しるしく高くなり、
そのために非常に緻密な硬質被膜ができている。また、
この緻密な硬質被膜が非常に微細な粒子の膜状からなり
、しかも、基材と硬質被膜との密着性に優れているため
に耐剥離性にすぐれたものになっている。
均１ｐｍ以下に処理することでダイヤモンド及び／又は
ダイヤモンド状カーボンからなる硬質被膜の析出初期段
階でダイヤモンドの核生成密度が著しるしく高くなり、
そのために非常に緻密な硬質被膜ができている。また、
この緻密な硬質被膜が非常に微細な粒子の膜状からなり
、しかも、基材と硬質被膜との密着性に優れているため
に耐剥離性にすぐれたものになっている。
（実施例）
実施例Ｉ
Ｔｉ金属板を基材にとして、基材表面を２４ｍのダイヤ
モンド粉末で研厚して平均０．７４ｍの表面７ラサに仕
上た。この基材を有機溶剤及び蒸留水で洗浄後乾燥し１
次いで基材表面に２．４５ＧＨｚのマイクロ波によるプ
ラズマｃ ｖ ｎ、により、出力３５０Ｗ、圧力３０
Ｔｏｒｎ）Ｈ２−ｏ、ｓ％ＣＨ４雰囲気中でダイヤモン
ド被覆を行ない本発明品１ｔ−得た。
モンド粉末で研厚して平均０．７４ｍの表面７ラサに仕
上た。この基材を有機溶剤及び蒸留水で洗浄後乾燥し１
次いで基材表面に２．４５ＧＨｚのマイクロ波によるプ
ラズマｃ ｖ ｎ、により、出力３５０Ｗ、圧力３０
Ｔｏｒｎ）Ｈ２−ｏ、ｓ％ＣＨ４雰囲気中でダイヤモン
ド被覆を行ない本発明品１ｔ−得た。
比較用として１本発明品１と回・Ｔｉ金属板をダイヤモ
ンド砥石で平均２．１７４ｍの表面アラサに仕上だ、こ
の基材表面に本発明品ｌと同様にしてダイヤモンド被覆
を行ない比較量ｌを得た。
ンド砥石で平均２．１７４ｍの表面アラサに仕上だ、こ
の基材表面に本発明品ｌと同様にしてダイヤモンド被覆
を行ない比較量ｌを得た。
また、鍛造したＴｉ金属板を表面加工せずにプラズマＣ
ＶＤ装置内にセットし、１００ｋｖでＡｒイオンボンバ
ードしてから本発明品ｌと同様にして基材表面にダイヤ
モンド被覆を行ない比較量２を得た。
ＶＤ装置内にセットし、１００ｋｖでＡｒイオンボンバ
ードしてから本発明品ｌと同様にして基材表面にダイヤ
モンド被覆を行ない比較量２を得た。
この本発明品ｌと比較量ｌ及び２のダイヤモンド硬質被
膜をそれぞれ走査型電子ｍ微鏡でｉｔｔ察した結果１本
発明品１は第１図の様な微細な膜状であり、比較量１は
第２図の様な粗粒の膜状であり、比較量２は第３図の様
な粗粒の粒状であった。
膜をそれぞれ走査型電子ｍ微鏡でｉｔｔ察した結果１本
発明品１は第１図の様な微細な膜状であり、比較量１は
第２図の様な粗粒の膜状であり、比較量２は第３図の様
な粗粒の粒状であった。
実施例２
Ｓｉ３Ｍａ −４％ＭｇＯ−４％Ｙ２Ｏ１（玉量％）セ
ラミックスからなるＣＩＳ規格５ＮＰ４３２形状に仕上
るための焼肌面基材を＃２００ダイヤモンド砥石で研摩
ｖｋｃＢＮ粉末によりラッピング仕上して基材表面アラ
サを平均０．８５ｐｍに作成した。この基材を洗浄、乾
燥後熱フィラメントＣＶＤにより、反応ガスとしてＨ２
−０，ゴ％Ｃ２Ｈ，、系内圧力２０↑ｅｒｒ 、基材温
度８５０℃、Ｗフィラメント温度２２００℃の条件で２
μｍ厚さの硬質被膜を基材表面に形成してなる本発明品
２を作製した。
ラミックスからなるＣＩＳ規格５ＮＰ４３２形状に仕上
るための焼肌面基材を＃２００ダイヤモンド砥石で研摩
ｖｋｃＢＮ粉末によりラッピング仕上して基材表面アラ
サを平均０．８５ｐｍに作成した。この基材を洗浄、乾
燥後熱フィラメントＣＶＤにより、反応ガスとしてＨ２
−０，ゴ％Ｃ２Ｈ，、系内圧力２０↑ｅｒｒ 、基材温
度８５０℃、Ｗフィラメント温度２２００℃の条件で２
μｍ厚さの硬質被膜を基材表面に形成してなる本発明品
２を作製した。
比較用として１本発明品２の工程の内、ＣＢＮ粉末によ
るラッピング仕上工程を省き基材表面７ラサが平均３．
５０７ｚｍのものに本発明品２と同様にして硬質被膜を
基材表面に形成してなる比較量３を作製した。
るラッピング仕上工程を省き基材表面７ラサが平均３．
５０７ｚｍのものに本発明品２と同様にして硬質被膜を
基材表面に形成してなる比較量３を作製した。
この本発明品２と比較量２を用いて、被削材Ａ１−１８
％Ｓｔ、切削速度５００■／ｗｉｎ 、切込み０・５■
・送り０ 、２ｍ■／ｒｅマの条件で旋削試験を行なっ
た。その結果、本発明品２は、７６分間切削後に寿命と
な二だのに対し比較量３は１分４０’秒間切削後に硬質
被膜が剥離してすぐに寿命になった。
％Ｓｔ、切削速度５００■／ｗｉｎ 、切込み０・５■
・送り０ 、２ｍ■／ｒｅマの条件で旋削試験を行なっ
た。その結果、本発明品２は、７６分間切削後に寿命と
な二だのに対し比較量３は１分４０’秒間切削後に硬質
被膜が剥離してすぐに寿命になった。
実施例３
（１０Ｇ）Ｓｉを基材として、この基材表面アラサを平
均０．２５．ｗｍに鏡面研宕仕上し、これを洗浄、乾燥
後熱フイラメントＣＶＤ法によりＨ，−０，３％ＣＨ，
雰囲気中雰囲気中力系内圧力１５Ｔａｒｒ度８５０℃、
Ｗフィラメント温度２０００℃の条件で厚さ５μｍのダ
イヤモンド硬質被膜を基材表面に形成してなる本発明品
３を作製した。
均０．２５．ｗｍに鏡面研宕仕上し、これを洗浄、乾燥
後熱フイラメントＣＶＤ法によりＨ，−０，３％ＣＨ，
雰囲気中雰囲気中力系内圧力１５Ｔａｒｒ度８５０℃、
Ｗフィラメント温度２０００℃の条件で厚さ５μｍのダ
イヤモンド硬質被膜を基材表面に形成してなる本発明品
３を作製した。
比較用として、同じ＜（１００）Ｓｉ基材を用いて、こ
の基材表面を平均１．５ｐｍに仕上て、本発明品３と同
条件によってダイヤモンド硬質被膜を基材表面に形成し
、比較品４を作製した。
の基材表面を平均１．５ｐｍに仕上て、本発明品３と同
条件によってダイヤモンド硬質被膜を基材表面に形成し
、比較品４を作製した。
本発明品３と比較品４をラマン分光測定及び走査型電子
ｇＩ４微鏡観察をした所、本発明品３は、緻密なダイヤ
モンド膜が生成しており、その膜の比抵抗値は天然ダイ
ヤモンドのそれに近い１Ｑ１４Ωｃｍ以上の値を示した
のに対し、比較品４は、多数のピンホールの存在するダ
イヤモンド膜であり、その膜の比抵抗値は基材のＳｉ単
結晶のそれに近いものであった６本発明品３は、ヒート
シンク用の基板材料として充分に使用可ｆｉであった。
ｇＩ４微鏡観察をした所、本発明品３は、緻密なダイヤ
モンド膜が生成しており、その膜の比抵抗値は天然ダイ
ヤモンドのそれに近い１Ｑ１４Ωｃｍ以上の値を示した
のに対し、比較品４は、多数のピンホールの存在するダ
イヤモンド膜であり、その膜の比抵抗値は基材のＳｉ単
結晶のそれに近いものであった６本発明品３は、ヒート
シンク用の基板材料として充分に使用可ｆｉであった。
（効果）
以上の結果１本発明のダイヤモンド被覆基材は、微細な
硬質被膜で、その硬質被膜が緻密で、しかも、基材と硬
質被膜との密着性にすぐれていることから耐剥離性にす
ぐれている。このために切削用工具のような、例えば旋
削工具は勿論のことプライス工具、エンドミル、ドリル
、半導体基板用ミクロンドリルなどの穴あけ工具に応用
でき 又印字ピンのビン先端もしくは紙、テープ等の切
断用スリッターを含めた耐摩耗用ＩＡにも応用できる。
硬質被膜で、その硬質被膜が緻密で、しかも、基材と硬
質被膜との密着性にすぐれていることから耐剥離性にす
ぐれている。このために切削用工具のような、例えば旋
削工具は勿論のことプライス工具、エンドミル、ドリル
、半導体基板用ミクロンドリルなどの穴あけ工具に応用
でき 又印字ピンのビン先端もしくは紙、テープ等の切
断用スリッターを含めた耐摩耗用ＩＡにも応用できる。
さらに、ダイヤモンドの高い電気絶縁性及び高い熱伝導
性を利用してヒートシンクにも応用できる産業上有用な
材料である。
性を利用してヒートシンクにも応用できる産業上有用な
材料である。
第１図は、本発明のダイヤモンド被覆基材の硬質被膜状
態を示す走査型電子ｍ＊鏡写真。 第２図及び第３図は、比較のダイヤモンド被覆基材の硬
質被膜状態を示す走査型電子顕微鏡写真。 特許出願人 東芝タンガロイ株式会社 八−１９３、 ｒ４′；２ に゛（１ （ｘｓｏｏｏ） （スｓｏｏｏ） 手 続 補 正 書 昭和６０年 ３月２２日
態を示す走査型電子ｍ＊鏡写真。 第２図及び第３図は、比較のダイヤモンド被覆基材の硬
質被膜状態を示す走査型電子顕微鏡写真。 特許出願人 東芝タンガロイ株式会社 八−１９３、 ｒ４′；２ に゛（１ （ｘｓｏｏｏ） （スｓｏｏｏ） 手 続 補 正 書 昭和６０年 ３月２２日
Claims (5)
- （１）基材の表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモン
ド状カーボンからなる硬質被膜を被覆してなる被覆基材
において、前記基材が平均１．０μｍ以下の表面アラサ
を有していることを特徴とするダイヤモンド被覆基材。 - （２）上記硬質被膜が０．０１μｍ〜２０μｍの膜厚で
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のダイ
ヤモンド被覆基材。 - （３）上記硬質被膜が平均粒度１．０μｍ以下の大きさ
でなることを特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２
項記載のダイヤモンド被覆基材。 - （４）上記基材が焼結合金、セラミックス、工具鋼又は
複合材料でなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
、第２項及び第３項記載のダイヤモンド被覆基材。 - （５）立方晶窒化ホウ素及び／又はダイヤモンドを含有
する砥石又は砥粒によって基材表面を平均１．０μｍ以
下の表面アラサにする工程、次いで該基材表面にダイヤ
モンド及び／又はダイヤモンド状カーボンからなる硬質
被膜を被覆する工程からなることを特徴とするダイヤモ
ンド被覆基材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59244540A JPS61124573A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | ダイヤモンド被覆基材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59244540A JPS61124573A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | ダイヤモンド被覆基材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124573A true JPS61124573A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17120210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59244540A Pending JPS61124573A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | ダイヤモンド被覆基材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124573A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1984
- 1984-11-21 JP JP59244540A patent/JPS61124573A/ja active Pending
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