JPS61125076A - イメ−ジセンサおよびその製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61125076A JPS61125076A JP59246501A JP24650184A JPS61125076A JP S61125076 A JPS61125076 A JP S61125076A JP 59246501 A JP59246501 A JP 59246501A JP 24650184 A JP24650184 A JP 24650184A JP S61125076 A JPS61125076 A JP S61125076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conductors
- elements
- shaped conductors
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ファクシミリなどの画像読取シ装置に用い
られるイメージセンサおよびその製造方法に関する。
られるイメージセンサおよびその製造方法に関する。
近年、ファクシミリなどに用いられる画像読取り装置の
小形化を目的として、密着読取シ型イメージセンサの開
発が活発に進められている。
小形化を目的として、密着読取シ型イメージセンサの開
発が活発に進められている。
これは原稿幅の中に光電変換素子を並べ、ロクドレンズ
アレイ等の導光系を用いて原稿に近接して画像情報を読
み取るイメージセンサである。
アレイ等の導光系を用いて原稿に近接して画像情報を読
み取るイメージセンサである。
従ってこのようなイメージセンサでは、大面積の基板上
での高密度配線技術が要求される。例えばＡ４サイズ、
８画素／ＷＩの解像匿をもつ密着型イメージセンサでは
、２１６ｍｍ＠に１７２８個の光電変換素子を一列に並
べ、各々の素子を駆動するための駆動回路に接続する配
線を形成しなければならない。
での高密度配線技術が要求される。例えばＡ４サイズ、
８画素／ＷＩの解像匿をもつ密着型イメージセンサでは
、２１６ｍｍ＠に１７２８個の光電変換素子を一列に並
べ、各々の素子を駆動するための駆動回路に接続する配
線を形成しなければならない。
この様なイメージセンサを構成する上で、駆動回路数を
減らし、配線密度、実装密度を下げる方法としてマトリ
クス駆動方式が良く用いられる。
減らし、配線密度、実装密度を下げる方法としてマトリ
クス駆動方式が良く用いられる。
第１図に、マトリクス駆動方式による密着型イメージセ
ンサの回路構成例を示す。ここでは光電変換素子として
光導電素子を用いた例を示している。すなわちＲ１１”
Ｒｍｎは光導電素子であり、入射光−ｊｆＬＫ応じて
その抵抗値が変化する。
ンサの回路構成例を示す。ここでは光電変換素子として
光導電素子を用いた例を示している。すなわちＲ１１”
Ｒｍｎは光導電素子であり、入射光−ｊｆＬＫ応じて
その抵抗値が変化する。
従って、画像を光導電素子も！〜Ｒｍｎ上に結像させ、
その抵抗値の変化を検出することにより、画像情報を読
み取ることができる。光導電素子Ｒ１１〜Ｒｍｎはｎｉ
ｌずつからなるｍ個のブロック”１−Ｂｒｎに区分され
、ブロック毎に一端が共通電極０１〜ｃｍによつて共通
に接続される。
その抵抗値の変化を検出することにより、画像情報を読
み取ることができる。光導電素子Ｒ１１〜Ｒｍｎはｎｉ
ｌずつからなるｍ個のブロック”１−Ｂｒｎに区分され
、ブロック毎に一端が共通電極０１〜ｃｍによつて共通
に接続される。
一方、光導電素子Ｒ１１””Ｒｍｎの他端側は各ブロッ
ク間で相対応する位置にあるものどうしマトリクス配線
Ｍを介して共通接続された後、個別電極Ｄ１〜Ｄｎに接
続される。ＶＢは駆動電源、ｐ、””Ｐｍは共通電極Ｃ
ｌ−Ｃｍを電源ＶＢに選択的に接続するためのブロック
選択用スイッチ、Ｑ！〜Ｑｎは個別電極Ｄ１〜Ｄｎを出
力の電流−電圧変換回路Ｓに選択的に接続するための個
別選択用スイッチである。
ク間で相対応する位置にあるものどうしマトリクス配線
Ｍを介して共通接続された後、個別電極Ｄ１〜Ｄｎに接
続される。ＶＢは駆動電源、ｐ、””Ｐｍは共通電極Ｃ
ｌ−Ｃｍを電源ＶＢに選択的に接続するためのブロック
選択用スイッチ、Ｑ！〜Ｑｎは個別電極Ｄ１〜Ｄｎを出
力の電流−電圧変換回路Ｓに選択的に接続するための個
別選択用スイッチである。
このような構成で、まずスイッチｐｔ を介して共通電
極Ｃ１を電源ｖＢＫ接続し、その状態でスイッチＱ！〜
Ｑｎ ｔ’介して個別電極ＤＩ〜Ｄｎを順次電流−電圧
変換回路Ｓに接続する。
極Ｃ１を電源ｖＢＫ接続し、その状態でスイッチＱ！〜
Ｑｎ ｔ’介して個別電極ＤＩ〜Ｄｎを順次電流−電圧
変換回路Ｓに接続する。
以下共通電極０２〜ｃｍを順次電極ＶＢＶＣ接続し同様
の走査を繰り返すことにより、光導電素子１’ｔｉｔ〜
Ｒｍｎの抵抗値をシリアルに検出することができる。す
なわち、光導電素子Ｒ１１〜Ｆ’ｍｎの入射光量に応じ
た電圧が画像読取り出力Ｖ。ｕｔとして取出される。こ
の時、光導電素子はスイッチＰ１〜Ｐｍ、ＱＩ−Ｑｎに
よシ選択されて電源ｖＲ１亀流−電圧変換回路Ｓに接続
されているもの以外は全てアース側に接続される。この
様にすることＫよ〕電流の回シ込み、すなわち出力のク
ロストークを防ぐことができる。
の走査を繰り返すことにより、光導電素子１’ｔｉｔ〜
Ｒｍｎの抵抗値をシリアルに検出することができる。す
なわち、光導電素子Ｒ１１〜Ｆ’ｍｎの入射光量に応じ
た電圧が画像読取り出力Ｖ。ｕｔとして取出される。こ
の時、光導電素子はスイッチＰ１〜Ｐｍ、ＱＩ−Ｑｎに
よシ選択されて電源ｖＲ１亀流−電圧変換回路Ｓに接続
されているもの以外は全てアース側に接続される。この
様にすることＫよ〕電流の回シ込み、すなわち出力のク
ロストークを防ぐことができる。
この様に第１図の回路構成によれば、ｍＸｎ個の光導電
素子Ｒ１１〜Ｒｍｎｆ、駆動するのに（ｍ＋ｎ）個の駆
動回路（スイッチ）があれば良く、駆動回路数の減少と
配線密度および実装密度の低下が可能で、低価格なイメ
ージセンサを得ることが可能である。しかしながら、マ
トリクス配線Ｍ部の接続点数が光導［素子Ｒ１１〜Ｒｒ
ｎｎの数ｍＸｎと同数存在するため、接続の信頼性、歩
留り向上の点で難点がある。
素子Ｒ１１〜Ｒｍｎｆ、駆動するのに（ｍ＋ｎ）個の駆
動回路（スイッチ）があれば良く、駆動回路数の減少と
配線密度および実装密度の低下が可能で、低価格なイメ
ージセンサを得ることが可能である。しかしながら、マ
トリクス配線Ｍ部の接続点数が光導［素子Ｒ１１〜Ｒｒ
ｎｎの数ｍＸｎと同数存在するため、接続の信頼性、歩
留り向上の点で難点がある。
また、第１図に示す構成では、製造後の評価でブロック
Ｂ、％Ｂｍの両端部に位置する光導電素子Ｒ１＋ ＋
Ｒ１ｎ＋ Ｒｚｔ ｒ Ｒ２Ｈ−Ｒｍｔ ＊ Ｒｍｎの
破壊がしばしば発見される。波層の内容は明電流の低下
あるいは暗電流の増加のいずれかで現われる。このよう
な破壊の原因は製造工程中に発生する静電気によるもの
と推察されるが、このような現象を防ぐための簡単かつ
有効な対策は考えられていないのが実情である。
Ｂ、％Ｂｍの両端部に位置する光導電素子Ｒ１＋ ＋
Ｒ１ｎ＋ Ｒｚｔ ｒ Ｒ２Ｈ−Ｒｍｔ ＊ Ｒｍｎの
破壊がしばしば発見される。波層の内容は明電流の低下
あるいは暗電流の増加のいずれかで現われる。このよう
な破壊の原因は製造工程中に発生する静電気によるもの
と推察されるが、このような現象を防ぐための簡単かつ
有効な対策は考えられていないのが実情である。
この発明の目的は、マトリクス配線部の接続の信頼性に
すぐれ、歩留シの高いイメージセンサを提供することで
ある。
すぐれ、歩留シの高いイメージセンサを提供することで
ある。
この発明の他の目的は、マトリクス配線部の接続の信頼
性にすぐれるとともに、光電変換素子の特異的な破壊が
なく、歩留りの向上を図ることができるイメージセンサ
の製造方法を提供することである。
性にすぐれるとともに、光電変換素子の特異的な破壊が
なく、歩留りの向上を図ることができるイメージセンサ
の製造方法を提供することである。
この発明は、光電変換素子とその個別選択回路との間の
マ） ＩＪクス配線部を、光電変換素子の各他端と隣り
合うブロック間でブロックの間の境界線に対し線対体位
１１にある素子どうし接続する複数のＵ字溝体と、これ
らのＵ字溝体を光電変換素子の配列方向において相対応
するものどうし接続する線状導体とで形成することを特
徴とする。
マ） ＩＪクス配線部を、光電変換素子の各他端と隣り
合うブロック間でブロックの間の境界線に対し線対体位
１１にある素子どうし接続する複数のＵ字溝体と、これ
らのＵ字溝体を光電変換素子の配列方向において相対応
するものどうし接続する線状導体とで形成することを特
徴とする。
また、このようなマトリクス配線部の形成に当り、Ｕ字
溝体を形成するとともに、Ｕ字溝体の最も外側にある導
体を相互に短絡する短絡導体を形成した後、線状導体を
形成することを特徴としている。
溝体を形成するとともに、Ｕ字溝体の最も外側にある導
体を相互に短絡する短絡導体を形成した後、線状導体を
形成することを特徴としている。
この発明によれば、マトリクス配線部の接続点の数は、
光電変換素子のブロック数をｍｌ １ブロツク内の素子
数をｎとして、ｎ＝ｒ＋１／２となり、半減する６また
、接続点の面積も広くとることができる。従って、短絡
事故などが少なくなって接続の信頼性が増し、歩留シも
向上する。
光電変換素子のブロック数をｍｌ １ブロツク内の素子
数をｎとして、ｎ＝ｒ＋１／２となり、半減する６また
、接続点の面積も広くとることができる。従って、短絡
事故などが少なくなって接続の信頼性が増し、歩留シも
向上する。
さらに、この発明においては光電変換素子のブロック間
が短絡導体を介して電気的に短絡されるため、製造工程
中に静電気が発生しても、その静電気は速やかに放電さ
れる。従って静電気によるブロック端部の光電変換素子
の特異的な破壊現象はなくなシ、この点からも歩留υの
向上が図られる。
が短絡導体を介して電気的に短絡されるため、製造工程
中に静電気が発生しても、その静電気は速やかに放電さ
れる。従って静電気によるブロック端部の光電変換素子
の特異的な破壊現象はなくなシ、この点からも歩留υの
向上が図られる。
＠２図はこの発明の一実施例に係るイメージセ／すの回
路構成図である。図において、１は光電変４？！素子列
で、この例では光導電素子Ｒ１１ＲＩ２・・・Ｒｒｎｎ
ｔ−列に配列したものとなっている。
路構成図である。図において、１は光電変４？！素子列
で、この例では光導電素子Ｒ１１ＲＩ２・・・Ｒｒｎｎ
ｔ−列に配列したものとなっている。
なお、光導電素子の代りにフォトダイオードのような光
起電力効果を有する接合型の光電変換素子を用いてもよ
い。光導電素子Ｒ１１ｌ Ｒ１！・・・ａｍｎはＲ１１
〜ａ、ｎｌ Ｒｚｔ ′Ｆ’に２ｎ ”’ ”ｒｆｌｌ
”” ＲｍｎのようＫｎ個ずつからなるｍ個の！ロッ
クＢ１＋Ｂ２＋・・・Ｂｎｌに区分されておシ、その各
一端はブロック毎に共通電極ｃ１１ Ｃ２＋・・・Ｃｍ
によシ共通に接続されている。これらの共通電極Ｃ【、
Ｃ。
起電力効果を有する接合型の光電変換素子を用いてもよ
い。光導電素子Ｒ１１ｌ Ｒ１！・・・ａｍｎはＲ１１
〜ａ、ｎｌ Ｒｚｔ ′Ｆ’に２ｎ ”’ ”ｒｆｌｌ
”” ＲｍｎのようＫｎ個ずつからなるｍ個の！ロッ
クＢ１＋Ｂ２＋・・・Ｂｎｌに区分されておシ、その各
一端はブロック毎に共通電極ｃ１１ Ｃ２＋・・・Ｃｍ
によシ共通に接続されている。これらの共通電極Ｃ【、
Ｃ。
・・・Ｃｍはブロック選択回路２を構成するスイッチｐ
ｍ ＋ Ｐｍ ＋・・・Ｐｍ をそれぞれ介して駆動電
源ＶＢに選択的に接続されるようになっている。
ｍ ＋ Ｐｍ ＋・・・Ｐｍ をそれぞれ介して駆動電
源ＶＢに選択的に接続されるようになっている。
一方、光導電素子Ｒ１１ｒ Ｒｔｚ ｌ・・・Ｒｍｌｍ
の各他端は、隣り合うブロック間、つまシＢＩ Ｂ２
間、Ｂ３−８４間、Ｂｍ−、−Ｂｍ間でそのブロック間
の・境界線に対して線対称位置にあるものどうし、Ｕ字
溝体ＬＩＨｔ２ ＋・・・ｔｎによって接続されている
。すなわち、ブロックＢｌ−Ｂ２間を例にとれば、光導
電素子の各他端けＲ１１−Ｒ２１１、Ｒ１２Ｒ２ｎ−１
＋ ”・Ｒ１１−Ｒ２１の組合せでＵ字溝体ｔ１゜ｔ２
．・・・ｔｎによって接続されている。これらのＵ字溝
体Ｌ１． ｔ２ ｒ ＝・Ｌ ｎ は光導電素子Ｒ１１
゜Ｒ１２ｅ・”ａｍｎの配列方向（図で横方向）におい
て相対応するものどうし、つまＦ）Ｌｓは１．どうし、
Ｌ２はｔｓどうし、ｔｎはＬｎどうしというように線状
導体Ｌｌ ｌ Ｌｌ、 ｌ・・・Ｌｎによって接続され
る。
の各他端は、隣り合うブロック間、つまシＢＩ Ｂ２
間、Ｂ３−８４間、Ｂｍ−、−Ｂｍ間でそのブロック間
の・境界線に対して線対称位置にあるものどうし、Ｕ字
溝体ＬＩＨｔ２ ＋・・・ｔｎによって接続されている
。すなわち、ブロックＢｌ−Ｂ２間を例にとれば、光導
電素子の各他端けＲ１１−Ｒ２１１、Ｒ１２Ｒ２ｎ−１
＋ ”・Ｒ１１−Ｒ２１の組合せでＵ字溝体ｔ１゜ｔ２
．・・・ｔｎによって接続されている。これらのＵ字溝
体Ｌ１． ｔ２ ｒ ＝・Ｌ ｎ は光導電素子Ｒ１１
゜Ｒ１２ｅ・”ａｍｎの配列方向（図で横方向）におい
て相対応するものどうし、つまＦ）Ｌｓは１．どうし、
Ｌ２はｔｓどうし、ｔｎはＬｎどうしというように線状
導体Ｌｌ ｌ Ｌｌ、 ｌ・・・Ｌｎによって接続され
る。
そして、これらの線状導体Ｌｌ ＊ Ｌ２１・・・Ｌｎ
は個別選択回路３ｔ−構成するスイッチＱＢ ＋ Ｑ２
＋・−”Ｑｎｔそれぞれ介して電流−電圧変換回路Ｓに
選択的に接続される。
は個別選択回路３ｔ−構成するスイッチＱＢ ＋ Ｑ２
＋・−”Ｑｎｔそれぞれ介して電流−電圧変換回路Ｓに
選択的に接続される。
このような構成で画像を読取る際には、光導電素子Ｒ１
１＊ Ｒ１□、・・・Ｒｆｌｌｎ上に読取るべき原稿面
上の画像を結像させ、スイッチＰ１ ＋ Ｐｍ ｅ・・
・Ｐｎを順次選択的に電源ＶＢ側に倒し、ブロックＢ１
． Ｂ、 、・・・Ｂｍを順次選択する。そして各ブロ
ックを選択する都度、スイッチＱｔ ＋ Ｑｘ ＋・・
・Ｑｎを順次電流−電圧変換回路Ｓ側に倒し、各ブロッ
ク内の光導電素子を順次個別に選択する。但し、スイッ
チＱｔ Ｔ Ｑｚ ｔ・・・Ｑｎは奇数番目のブロック
Ｂ１． Ｂ３．・・・Ｂｎが選択されたときはＱｌ−＋
Ｑ２→・・・Ｑ ｎ−１→Ｑｎの順で動作し、昔だ偶数
番目のブロックｎ２ ＋ Ｂ４ 、・・・が選択され
たときはＱ ｎ−＋Ｑ ｎ−１→・・・Ｑ２→Ｑ＋ の
順で動作するものとする。
１＊ Ｒ１□、・・・Ｒｆｌｌｎ上に読取るべき原稿面
上の画像を結像させ、スイッチＰ１ ＋ Ｐｍ ｅ・・
・Ｐｎを順次選択的に電源ＶＢ側に倒し、ブロックＢ１
． Ｂ、 、・・・Ｂｍを順次選択する。そして各ブロ
ックを選択する都度、スイッチＱｔ ＋ Ｑｘ ＋・・
・Ｑｎを順次電流−電圧変換回路Ｓ側に倒し、各ブロッ
ク内の光導電素子を順次個別に選択する。但し、スイッ
チＱｔ Ｔ Ｑｚ ｔ・・・Ｑｎは奇数番目のブロック
Ｂ１． Ｂ３．・・・Ｂｎが選択されたときはＱｌ−＋
Ｑ２→・・・Ｑ ｎ−１→Ｑｎの順で動作し、昔だ偶数
番目のブロックｎ２ ＋ Ｂ４ 、・・・が選択され
たときはＱ ｎ−＋Ｑ ｎ−１→・・・Ｑ２→Ｑ＋ の
順で動作するものとする。
このような動作によシ、光導電素子ＲＩｌｌＩ’ｌ□・
・・Ｒｍｎは図で左から１個ずつ選択されて電源Ｖｎよ
り通電される。このとき流れる？ｌ！流は、入射光量に
対応する。従って、これら光導電素子Ｒ１１ｉＲＩ□、
・・・Ｒｍｎに順次流れる電流を電流−電圧変換回路Ｓ
で電圧に変換することＫよシ、画像読取り出力Ｖ。ｕｔ
ｆ：得ることができる。
・・Ｒｍｎは図で左から１個ずつ選択されて電源Ｖｎよ
り通電される。このとき流れる？ｌ！流は、入射光量に
対応する。従って、これら光導電素子Ｒ１１ｉＲＩ□、
・・・Ｒｍｎに順次流れる電流を電流−電圧変換回路Ｓ
で電圧に変換することＫよシ、画像読取り出力Ｖ。ｕｔ
ｆ：得ることができる。
第３図はこのイメージセンサのマトリクス配線部の構造
を示す平面図で、第２図と相対応する部分に同一符号を
示しである。図において、１１は前記光導電素子Ｒ１１
ｌ ＲＩ２１・・・Ｒｍｎが配列形成された絶縁基板で
あり、前記共通電極ＣＩ ｔ Ｃ２＋ ”’ ＣＱＳ
Ｕ字導字溝−Ｉ ＋７２＋・−１ｎおよび短絡導体ｔ８
はこの基板１１上に形成される。そしてＵ字導体１１
＋ ｔｚ ＋・・・ｔｎに、絶縁体１２上に被着され
た線状導体Ｌ１ ｒ Ｌ２ ＊・・・Ｌｎが、絶縁
体１２に形成された開口部１３全通して接続される。こ
の場合、Ｕ字溝体ｔｌ。
を示す平面図で、第２図と相対応する部分に同一符号を
示しである。図において、１１は前記光導電素子Ｒ１１
ｌ ＲＩ２１・・・Ｒｍｎが配列形成された絶縁基板で
あり、前記共通電極ＣＩ ｔ Ｃ２＋ ”’ ＣＱＳ
Ｕ字導字溝−Ｉ ＋７２＋・−１ｎおよび短絡導体ｔ８
はこの基板１１上に形成される。そしてＵ字導体１１
＋ ｔｚ ＋・・・ｔｎに、絶縁体１２上に被着され
た線状導体Ｌ１ ｒ Ｌ２ ＊・・・Ｌｎが、絶縁
体１２に形成された開口部１３全通して接続される。こ
の場合、Ｕ字溝体ｔｌ。
ｔｚ、・・・ｔｎと線状導体Ｌｌ ＋ Ｌ２ ＋・・・
Ｌｎとの接続点数はｎ−＋ｖ’２と、第１図のものに比
べ約半分である。
Ｌｎとの接続点数はｎ−＋ｖ’２と、第１図のものに比
べ約半分である。
このイメー・ゾセンサの製造工程の一例を説明する。ま
ずガラス基板上に光導電材料として、ＣｄＳ＠を約１μ
ｍ蒸着にょシ形成する。このＣｄＳｅ膜を熱処理によシ
活性化し、フォトエツチングによってバター二／グして
光導電素子Ｒ１！ ｌ ＲＩ２・・・Ｒｒｒｌｎを形成
する。Ｃｄ’ｓのエツチング液としては例えば硝酸と燐
酸の混合液を用いればよい。
ずガラス基板上に光導電材料として、ＣｄＳ＠を約１μ
ｍ蒸着にょシ形成する。このＣｄＳｅ膜を熱処理によシ
活性化し、フォトエツチングによってバター二／グして
光導電素子Ｒ１！ ｌ ＲＩ２・・・Ｒｒｒｌｎを形成
する。Ｃｄ’ｓのエツチング液としては例えば硝酸と燐
酸の混合液を用いればよい。
次に基板全［ＩＣＴ１２０００Ｘ、Ａｕ ３０００Ｘｔ
ｌｌｌＪ次蒸着し、フォトエツチングによシ共通電極Ｃ
Ｉ ＊ ０２ ｒ ””Ｃｎ及びＵ字溝体Ｚ ｌ
ｒ ｔｚ ｒ・・・ｔｎを形成し、同時に最も外側
のＵ字導体１゜どうしを短絡する短絡導体ｔ、を形成す
る。さらに、マトリクス接続部ＩＣＡｕメッキ３〜５μ
ｍを行い、その後フレキシブルリードテープに形成され
た線状導体Ｌ１ ｒ Ｌ２ Ｔ・・・Ｌｌを所定の
位置にボンディングする。線状導体Ｌｌ ＋ Ｌ２
＋・・・Ｌｎは銅線に錫メッキが施されたものとし、
ダンディングは金−錫共晶で形成する。
ｌｌｌＪ次蒸着し、フォトエツチングによシ共通電極Ｃ
Ｉ ＊ ０２ ｒ ””Ｃｎ及びＵ字溝体Ｚ ｌ
ｒ ｔｚ ｒ・・・ｔｎを形成し、同時に最も外側
のＵ字導体１゜どうしを短絡する短絡導体ｔ、を形成す
る。さらに、マトリクス接続部ＩＣＡｕメッキ３〜５μ
ｍを行い、その後フレキシブルリードテープに形成され
た線状導体Ｌ１ ｒ Ｌ２ Ｔ・・・Ｌｌを所定の
位置にボンディングする。線状導体Ｌｌ ＋ Ｌ２
＋・・・Ｌｎは銅線に錫メッキが施されたものとし、
ダンディングは金−錫共晶で形成する。
上記工程において、短絡導体ｔｓはＵ字導体４１ ＋
１２ ＋・・・ｔｎに対応したｉ４ターンに短絡導体
ｔｓに対応したパターンを組合せた一つのマスクツ４タ
ーンを用意してエツチングを行なうことで容易に形成で
きる。この場合、Ｕ字溝体ｔ１はいずれ線状導体Ｌ１に
よシ短絡されるものであるからＵ字溝本ｔ、ｌ １２１
・・・Ｌｎを形成する段階で短絡導体ｔｓにより相互に
短絡されても一向にさしつかえない。
１２ ＋・・・ｔｎに対応したｉ４ターンに短絡導体
ｔｓに対応したパターンを組合せた一つのマスクツ４タ
ーンを用意してエツチングを行なうことで容易に形成で
きる。この場合、Ｕ字溝体ｔ１はいずれ線状導体Ｌ１に
よシ短絡されるものであるからＵ字溝本ｔ、ｌ １２１
・・・Ｌｎを形成する段階で短絡導体ｔｓにより相互に
短絡されても一向にさしつかえない。
この様な製造工程をとることによシ光導電素子Ｒ１□、
Ｒ１□、・・・ＲｍｎはＵ字導体の形成段階から全てが
相互に接続されている形状となる。従って静電気による
素子の破壊を防止することができる。なお、ここで示し
た静電気による破壊防止方法は第１図に示す通常のマト
リクス構成のものは適応できず、Ｕ字配導体によるマト
リクス配線を採用することにより初めて達成できるもの
である。
Ｒ１□、・・・ＲｍｎはＵ字導体の形成段階から全てが
相互に接続されている形状となる。従って静電気による
素子の破壊を防止することができる。なお、ここで示し
た静電気による破壊防止方法は第１図に示す通常のマト
リクス構成のものは適応できず、Ｕ字配導体によるマト
リクス配線を採用することにより初めて達成できるもの
である。
８１図は従来のマトリクス配線を用いたイメージセンサ
の回路構成図、第２図はこの発明の一実施例に係るイメ
ージセンサの回路構成図、Ｋ３図は同実施例のマトリク
ス配線部の平面図である。 １・・・光電変換素子列、Ｒ１１〜Ｒｍｎ・・・光導電
素子、８１〜８ｍ・・・ブロック、０１〜０ｍ・・・共
通電極、Ｐｌ−Ｐｆｆｌ・・・スイッチ、２・・・ブロ
ック選択回路、ＶＢ・・・駆動電源、ｔ１〜ｔｎ・・・
Ｕ字導体、ｔ８・・・短絡導体、Ｌ１〜Ｌｆｌ・・・線
状導体、３・・・個別選択回路、Ｓ・・・電流−電圧変
換回路、１１・・・絶縁基板、１２・・・絶縁体、１３
・・・開口部。
の回路構成図、第２図はこの発明の一実施例に係るイメ
ージセンサの回路構成図、Ｋ３図は同実施例のマトリク
ス配線部の平面図である。 １・・・光電変換素子列、Ｒ１１〜Ｒｍｎ・・・光導電
素子、８１〜８ｍ・・・ブロック、０１〜０ｍ・・・共
通電極、Ｐｌ−Ｐｆｆｌ・・・スイッチ、２・・・ブロ
ック選択回路、ＶＢ・・・駆動電源、ｔ１〜ｔｎ・・・
Ｕ字導体、ｔ８・・・短絡導体、Ｌ１〜Ｌｆｌ・・・線
状導体、３・・・個別選択回路、Ｓ・・・電流−電圧変
換回路、１１・・・絶縁基板、１２・・・絶縁体、１３
・・・開口部。
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に配列された複数の光電変換素子を同
数ずつの素子からなる複数のブロックに区分し、その各
ブロックを順次選択するとともに、各ブロック内の光電
変換素子を順次個別に選択して、光電変換素子上に結像
される画像を読取るイメージセンサにおいて、光電変換
素子の各一端をブロック毎に共通接続して光電変換素子
のブロック選択回路に接続し、各他端を隣り合うブロッ
ク間でブロック間の境界線に対し線対称位置にある素子
どうし複数のＵ字導体で接続し、これらのＵ字導体の最
も外側にある導体を相互に短絡導体で接続し、さらに全
てのＵ字導体を光電変換素子の配列方向において相対応
するものどうし線状導体で接続して、これらの線状導体
を光電変換素子の個別選択回路に接続したことを特徴と
するイメージセンサ。 - （２）絶縁基板上に配列された複数の光電変換素子を同
数ずつの素子からなる複数のブロックに区分し、その各
ブロックを順次選択するとともに、各ブロック内の光電
変換素子を順次個別に選択して、光電変換素子上に結像
される画像を読取るイメージセンサの製造に際し、光電
変換素子の各一端をブロック毎に共通接続して光電変換
素子のブロック選択回路に接続する一方、各他端を隣り
合うブロック間でブロック間の境界線に対し線対称位置
にある素子どうし接続する複数のＵ字導体を形成すると
ともに、これらのＵ字導体の最も外側にある導体を相互
に短絡する短絡導体を形成した後、全てのＵ字導体を光
電変換素子の配列方向において相対応するものどうし接
続する線状導体を形成して、これらの線状導体を光電変
換素子の個別選択回路に接続することを特徴とするイメ
ージセンサの製造方法。 - （３）線状導体は絶縁体上に被着形成され、この絶縁体
に形成された開口部を通してＵ字導体と接続されること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載のイメージセン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246501A JPS61125076A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246501A JPS61125076A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125076A true JPS61125076A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0367349B2 JPH0367349B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=17149332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59246501A Granted JPS61125076A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125076A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63135222U (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | ||
| JPH10126571A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-05-15 | Xerox Corp | センサアレイデータライン読み出しにおけるクロストークを減少するセンサアレイ及びその操作方法 |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP59246501A patent/JPS61125076A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63135222U (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-05 | ||
| JPH10126571A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-05-15 | Xerox Corp | センサアレイデータライン読み出しにおけるクロストークを減少するセンサアレイ及びその操作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0367349B2 (ja) | 1991-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5371351A (en) | Imaging device with electrostatic discharge protection | |
| US5696391A (en) | Overload protection circuit | |
| JPS6351681A (ja) | 半導体装置 | |
| US4775895A (en) | Modular image sensor structure | |
| KR100502057B1 (ko) | 광전기 변환 집적회로장치 | |
| US3562418A (en) | Solid state image converter system | |
| US3562425A (en) | Image signal generating system | |
| JPS60210080A (ja) | 固体イメ−ジングセンサ− | |
| US5393997A (en) | CCD having transfer electrodes of 3 layers | |
| JPS639358A (ja) | 原稿読取装置 | |
| US4236831A (en) | Semiconductor apparatus | |
| US5710463A (en) | High-voltage breakover diode | |
| US4247874A (en) | Photoconductor device for imaging a linear object | |
| EP0444696A2 (en) | Solid state image sensor | |
| US5391904A (en) | Semiconductor delay circuit device | |
| US5191202A (en) | Photoelectric conversion device | |
| US5115293A (en) | Solid-state imaging device | |
| JP4977310B2 (ja) | ソリッドステート放射線イメージャの蓄積コンデンサアレイ | |
| JPH0367349B2 (ja) | ||
| US4963955A (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
| GB2103049A (en) | Image sensor | |
| US5572255A (en) | Image reading apparatus and method for driving appropriate photoelectric energy converting elements when first and second driving voltages are applied simultaneously | |
| JPS617767A (ja) | 原稿読取装置 | |
| US3609375A (en) | Solid state linear photosensor | |
| JPH022676A (ja) | イメージセンサ |