JPS61125143A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61125143A JPS61125143A JP59247353A JP24735384A JPS61125143A JP S61125143 A JPS61125143 A JP S61125143A JP 59247353 A JP59247353 A JP 59247353A JP 24735384 A JP24735384 A JP 24735384A JP S61125143 A JPS61125143 A JP S61125143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- explosion
- cathode
- semiconductor substrate
- proof ring
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
従来、平型圧接構造の電力素子として第２図に示す構造
の半導体装置が使用されている。図中１は、所定の素子
が形成された半導体基板である。半導体基板１の表面に
は、銅製の略円柱体からなる陰極２が圧接されている。
の半導体装置が使用されている。図中１は、所定の素子
が形成された半導体基板である。半導体基板１の表面に
は、銅製の略円柱体からなる陰極２が圧接されている。
半導体基板１の裏面には、支持板３を介して鋼製の略円
柱体からなる陽極４が圧接されている。陽極４の周面に
は、防爆リング５が嵌入して装着されている。陰極２に
は、その周面に形成された固定溝６内に略円筒状の
折曲端部を嵌合すると共に１開口端部を前記
陽極４側に取付けられた防爆リング５に装着して、半導
体基板１と陽極４及び陰極２の一部分を気密に封止する
防爆リング７が設けられている。防爆リング５．７は、
素子の劣化時のアーク電流を外部に放出しないようにシ
リコンラバー等の絶縁物で形成されている。なお、同図
中８は、半導体基板１を囲繞した防爆リング５，７を、
陽極４と陰極２の端部が外部に導出するようにして収容
した外囲器である。
柱体からなる陽極４が圧接されている。陽極４の周面に
は、防爆リング５が嵌入して装着されている。陰極２に
は、その周面に形成された固定溝６内に略円筒状の
折曲端部を嵌合すると共に１開口端部を前記
陽極４側に取付けられた防爆リング５に装着して、半導
体基板１と陽極４及び陰極２の一部分を気密に封止する
防爆リング７が設けられている。防爆リング５．７は、
素子の劣化時のアーク電流を外部に放出しないようにシ
リコンラバー等の絶縁物で形成されている。なお、同図
中８は、半導体基板１を囲繞した防爆リング５，７を、
陽極４と陰極２の端部が外部に導出するようにして収容
した外囲器である。
このように構成された従来の半導体装置１０では、防爆
リング７の固定は、陰極２側では防爆リング７の折曲端
部を溝６内に嵌入することによシ行われている。つまり
、陰極２側では、防爆リング７の端部は、陰極２と半導
体基板１との接触面よシも内側に位置付けられて固定さ
れている。このため、接触面の全域で均一な力で陰極２
を半導体基板１に圧接できず、接触面の周縁部の領域で
は陰極２の圧接力が小さくなる。その結果、素子の熱抵
抗及び順電圧降下が大きくなると共に、サージ電流耐量
が低下する問題があった。
リング７の固定は、陰極２側では防爆リング７の折曲端
部を溝６内に嵌入することによシ行われている。つまり
、陰極２側では、防爆リング７の端部は、陰極２と半導
体基板１との接触面よシも内側に位置付けられて固定さ
れている。このため、接触面の全域で均一な力で陰極２
を半導体基板１に圧接できず、接触面の周縁部の領域で
は陰極２の圧接力が小さくなる。その結果、素子の熱抵
抗及び順電圧降下が大きくなると共に、サージ電流耐量
が低下する問題があった。
本発明は、半導体基板をこれに接触する電極の接触面の
全域で均一にかつ十分な力で圧接することにより、素子
の熱抵抗及び順電圧の降下を小さくすると共に、サージ
電流耐量の増大を図った半導体装置を提供することをそ
の目的とするものである。
全域で均一にかつ十分な力で圧接することにより、素子
の熱抵抗及び順電圧の降下を小さくすると共に、サージ
電流耐量の増大を図った半導体装置を提供することをそ
の目的とするものである。
本発明は、電極の周面に防爆環体の固定部を突設したこ
とにより、半導体基板に接触する電極の接触面の全域に
亘って半導体基板を均−Ｋかつ十分な力で圧接するよう
Ｋして、素子の熱抵抗及び順電圧の降下を小さくすると
共に１サージ電流耐量の増大を図った半導体装置である
。
とにより、半導体基板に接触する電極の接触面の全域に
亘って半導体基板を均−Ｋかつ十分な力で圧接するよう
Ｋして、素子の熱抵抗及び順電圧の降下を小さくすると
共に１サージ電流耐量の増大を図った半導体装置である
。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中２０は、所定の電力素子が形成された半導
体基板である。半導体基板２０の裏面には、支持板２Ｉ
を介して陽極２２が圧接されている。陽極２２の局面に
は、防爆リング２３が嵌入して装着されている。
。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中２０は、所定の電力素子が形成された半導
体基板である。半導体基板２０の裏面には、支持板２Ｉ
を介して陽極２２が圧接されている。陽極２２の局面に
は、防爆リング２３が嵌入して装着されている。
半導体基板２０の表面には、陰極２４が圧接されている
。陰極２４及び陽極２２は、略円柱状をなし例えば銅で
形成されている。陰極２４の局面には、後述する防爆リ
ング２５を固定する固定部２６が形成されている。固定
部２６は、陰極２４の周面上に釘形に突出した二筋の縁
部からなシ、この縁部間に形成された溝内に防爆リング
２５の折曲端部を嵌合して固定するようになっている。
。陰極２４及び陽極２２は、略円柱状をなし例えば銅で
形成されている。陰極２４の局面には、後述する防爆リ
ング２５を固定する固定部２６が形成されている。固定
部２６は、陰極２４の周面上に釘形に突出した二筋の縁
部からなシ、この縁部間に形成された溝内に防爆リング
２５の折曲端部を嵌合して固定するようになっている。
つまシ、固定部２６は、陰極２４と半導体基板２０との
接触面の径よりも外側の陰極２４の周面上に形成された
ものであればよく、溝以外の形状で防爆リング２５を固
定するものであっても良い。この固定部２６によシ折曲
端部を挾持固定された防爆リング２５は、略円筒状をな
し、その開口端部を陽極２２に挿着された防爆リング２
３に固着して、半導体基板２０とこれに圧接した陰極２
４と陽極２２の一部分を気密に封止するようになってい
る。これらの防爆リング２３．２５は、素子の劣化時の
アーク電流を外部に放出しないようにシリコンラバー等
の絶縁物で形成されており、両者が一体になって防爆作
用を発揮する防爆環体２７を構成している。防爆環体２
７は、陰極２４及び陽極２２の端部を外部に導出するよ
うＫして外囲器２８内に密着固定されている。
接触面の径よりも外側の陰極２４の周面上に形成された
ものであればよく、溝以外の形状で防爆リング２５を固
定するものであっても良い。この固定部２６によシ折曲
端部を挾持固定された防爆リング２５は、略円筒状をな
し、その開口端部を陽極２２に挿着された防爆リング２
３に固着して、半導体基板２０とこれに圧接した陰極２
４と陽極２２の一部分を気密に封止するようになってい
る。これらの防爆リング２３．２５は、素子の劣化時の
アーク電流を外部に放出しないようにシリコンラバー等
の絶縁物で形成されており、両者が一体になって防爆作
用を発揮する防爆環体２７を構成している。防爆環体２
７は、陰極２４及び陽極２２の端部を外部に導出するよ
うＫして外囲器２８内に密着固定されている。
このように構成された半導体装置３Ｑによれば、陰極２
４側の防爆リング２５は、陰極２４の周面から突出した
固定部２６によって固定されている。つまシ、陰極２４
と半導体基板２σとの接触面よシ外側の領域で防爆リン
グ２５の端部が固定されているので、接触面の全域に亘
って均一で、かつ十分な圧力で陰極２４を半導体基板２
Ｑに圧接することができる。その結果、素子の熱抵抗及
び順電圧の降下を小さくすることができると共に、サー
ジ電流耐量を増大させることができる。因みに、素子の
熱抵抗及び順電圧の降下を従来の半導体装置に比べて約
５チ向上できることが実験的に確認されている。
４側の防爆リング２５は、陰極２４の周面から突出した
固定部２６によって固定されている。つまシ、陰極２４
と半導体基板２σとの接触面よシ外側の領域で防爆リン
グ２５の端部が固定されているので、接触面の全域に亘
って均一で、かつ十分な圧力で陰極２４を半導体基板２
Ｑに圧接することができる。その結果、素子の熱抵抗及
び順電圧の降下を小さくすることができると共に、サー
ジ電流耐量を増大させることができる。因みに、素子の
熱抵抗及び順電圧の降下を従来の半導体装置に比べて約
５チ向上できることが実験的に確認されている。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
半導体基板をこれに接触する電極の接触面の全域で均一
にかつ十分な力で圧接することによシ、素子の熱抵抗及
び順電圧の降下を小さくすると共に、サージ電流耐量を
増大させることができるものである。
半導体基板をこれに接触する電極の接触面の全域で均一
にかつ十分な力で圧接することによシ、素子の熱抵抗及
び順電圧の降下を小さくすると共に、サージ電流耐量を
増大させることができるものである。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、従来の半導体装置の概略構成を示す説明図で
ある。 ２０・・・半導体基板、２Ｉ・・・支持板、２２・・・
陽極、２３・・・防爆リング、２４・・・陰極、２５・
・・防爆リング、２６・・・固定部、２７・・・防爆環
体、２８・・・外囲器、３θ・・・半導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
第２図は、従来の半導体装置の概略構成を示す説明図で
ある。 ２０・・・半導体基板、２Ｉ・・・支持板、２２・・・
陽極、２３・・・防爆リング、２４・・・陰極、２５・
・・防爆リング、２６・・・固定部、２７・・・防爆環
体、２８・・・外囲器、３θ・・・半導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (1)
- 所定の素子を形成した半導体基板の表面に圧接された
陰極と、該半導体基板の裏面に圧接された陽極と、該半
導体基板と前記陽極及び前記陰極の一部分を気密に封止
すると共に、前記陽極及び前記陰極の端部を外部に導出
するようにして前記陽極及び前記陰極に嵌入して装着さ
れた略円筒状の防爆環体とを具備する半導体装置におい
て、前記陰極の周面に前記半導体基板との接触面の径よ
り大きい径で前記防爆環体の固定部を突設したことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59247353A JPS61125143A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59247353A JPS61125143A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125143A true JPS61125143A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17162148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59247353A Pending JPS61125143A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125143A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0984491A1 (de) * | 1998-08-29 | 2000-03-08 | Asea Brown Boveri AG | Explosionsschutz für Halbleitermodule |
| JP2011233704A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置 |
| US8456001B2 (en) | 2006-09-26 | 2013-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure-contact semiconductor device |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP59247353A patent/JPS61125143A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0984491A1 (de) * | 1998-08-29 | 2000-03-08 | Asea Brown Boveri AG | Explosionsschutz für Halbleitermodule |
| US6295205B1 (en) * | 1998-08-29 | 2001-09-25 | Asea Brown Boveri Ag | Explosion protection for semiconductor modules |
| US8456001B2 (en) | 2006-09-26 | 2013-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure-contact semiconductor device |
| JP2011233704A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置 |
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