JPS61127876A

JPS61127876A - プラズマエツチング装置

Info

Publication number: JPS61127876A
Application number: JP25011684A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Kurisaki; 栗崎　哲雄; Masahiro Shibagaki; 柴垣　正弘
Original assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date: 1984-11-27
Filing date: 1984-11-27
Publication date: 1986-06-16
Also published as: JPS6210307B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明はプラズマエツチング装置に係り、特に被処理物
のアンダーカットやＩｒ２ｔ　ｆｉを防止することを可
能としたプラズマエツチング装置に関する。

（発明の技術的背景とその問題点）第５図は従来のプラズマエツチング装置の一種である反
応性イオンエツヂング（ＲＩＥ）装置を示したもので、
真空容器１の内部下方には、上面にＡＮ等からなる被覆
部材２が載置された下部電極３が取り伺けられ又おり、
この下部電極３の内部には、冷却水循環用の冷却水管４
が導通され、上記下部電極３には、マツチング回路５を
介して高周波電源６が接続されている。また、上記真空
容器１の上面は、上部電極７として機能するものであり
、この下部電極７のほぼ中央部分Ｆ面側には、下面に複
数のガス噴出口８が穿設さ礼内部に空間を有するガス噴
出電４ｉ９が一体に設りられている。また、上記上部型
ｉ７の上面には、上記ガス噴出電極９の内部空間にエツ
チングガスを導入するガス供給管１０が接続されており
、このガス供給管１０の中途部には、閉止弁１１が介設
されている。ざらに、上記ガス供給管１０には、ハロゲ
ンガス供給管１２．１２および添加ガス供給管１３．１
３がそれぞれ途中流値調節弁１／１．．１／１・・・を
介して並列に接続されている。また、上記真空容器１の
両側部には、下方に延び、かつ、図示しない真空ポンプ
に接続されるＩＪＩ気管１５．１５が形成されている。

上記装置の場合、被覆部材２の上面に被処理物Ａを載置
し、ｌＪｔ気管１５を介して真空容器１を真空排気する
。その後、ハロゲンガス供給管１２および添加ガス供給
管１３から、ガス供給管１０を介してＢＣＮ　　および
Ｃ」２を真空容器１内に導人し、高周波電源６により高
周波電力を供給してプラズマを発生さＵることにより、
被処理物Ａの１ツチングを行なうようになされる。

上記被処理物へは、第６図（ａ＞に示すように、シリコ
ン基板１６上に熱酸化膜１７を形成し、この熱酸化膜１
７上にスパッタ等により約０．１μｍ厚のＡｇ層１８を
形成する。そして、このＡＮＮｉ２Ｏ上面に所望のパタ
ーンを形成するフォトレジスト１９が形成され、この被
処理物Ａをエツチングすることにより、第６図（ｂ）に
示すように、フォトレジスト１９により被覆されていな
い部分のへ９層１８が削られるものである。

このようにエツチングが終了した後、高周波電源６をＯ
ＦＦにしてプラズマの生成を停止する。

しかし、プラズマの生成を停止しても、真空容器１内に
エツチングガスが送られてしまい、閉止弁１１を閉じた
場合でも残留ガスにより被処理物Ａのエツチングが進行
してしまうため、第６図（Ｃ）に示すように、アンダー
カット２０や残渣２１が生じてしまうという欠点を有し
ており、このことは、Ａ１層の腐蝕を沼き断線を生じざ
ぜやすいという欠点を有している。

（発明の目的）本発明は、上記した点に鑑みてなされたちので、被処理
物のアンダーカットや腐蝕の発生を防止することのでき
るプラズマエツチング装置を提供することを目的とする
ものである。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するため、本発明に係るプラズマエツチ
ング装置は、真空容器の内部に２つの電極を対向するよ
うに配置し、上記電極の一方に被処理物を固定するとと
もに、上記電極の他方にエツチングガスを上記真空容器
内に供給するガス噴出口を設けてなるプラズマエツチン
グ装置において、上記ガス噴出口を開閉する遮蔽板を設
けで構成され、エツチング中は上記ガス噴出口を開くと
ともに、エツチング終了時に上記遮蔽板により上記ガス
噴出口を閉じるようになされている。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図乃至第４図を参照して説
明し、第５図および第６図と同一部分には同一符号を付
してその説明を省略する。

第１図および第２図は本発明の一実施例を示したもので
、ガス噴出電極９の内部下面には、遮蔽板２２が当接す
るように配設されており、この遮蔽板２２には、上記ガ
ス噴出電極９のガス噴出口８と同一位置にガス噴出口２
３が穿設されている。

また、上記遮蔽板２２には、上部電極７を貫通して外部
に延びるシ１７フト２４が固着されており、このシャフ
ト２４には、このシＶフト２４を回動さヒる回転駆動装
置２５が匿統されている。

本実施例においては、エツチング中は、遮蔽板２２のガ
ス噴出口２３とガス囁出電Ｊ！！９のガスＵＣ１出口８
とが一致するように遮蔽板２２を配置しており、高周波
電源をＯＦＦにしてプラズマの生成を停止し、エツチン
グが終了したと同時に、回転駆動装置２５によりシＶフ
ト２４をわずかに回動させ、遮蔽板２２のガス噴出口２
３とガス噴出電極９のガス噴出口８とが一致しないよう
に、すなわち、ガス噴出電極９のガス噴出口８を遮蔽板
２２により閉塞するようになされている。

したがって、エツチング終了と同時に真空容器１内への
ガスの導入を確実に停止することができ、その結果、第
３図に示すように被処理物Ａのアンダーカットを防止す
ることができる。

また、第４図は本発明の他の実施例を示したもので、遮
蔽板２２にはガス噴出口が設けられておらず、上記遮蔽
板２２のジャ７１−２４に（よこのシＶフト２４を昇降
させる昇降駆動装置２６が接続されている。

本実施例においては、エツチング中には遮蔽板２２を上
方に位置させておき、エツチング終了と同時に昇降駆動
装置２６により、遮蔽板２２を壬降させガス噴出用４ニ
９のガス噴出口８を開本するようになされている。

したがって、本実施例においても上記実施例と同様にエ
ツチング終了時のガスの供給を確実に防ぐことができ、
被処理物のアンダーカットを防止することができる。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明に係るプラズマエツチング装
置は、エツチングガスのガス導入口を遮蔽板により開閉
自在に構成したので、エツチング終了時にガスの導入を
確実に停止させることができ、したがって被処理物のア
ンダーカットが生ずることがない。その結果、Ａｇ層の
腐蝕を防ぐことができその腐蝕による断線も確実に防ぐ
ことができる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示したもので、
第１図は上部電極部分の縦断面図、第２図（ａ）および
（ｂ）は遮蔽板部分の断面図、第３図は被処理物の拡大
断面図、第４図は本発明の他の実施例を示ず縦断面図、
第５図は従来のＲＩＥ装置を示す縦断面図、第６図（ａ
）、（ｂ）。（Ｃ）はそれぞれ従来の被処理物のエツチング状態を示
す拡大断面図である。１・・・真空容器、２・・・被覆部材、３・・・下部電
極、４・・・冷却水管、５・・・マツチング回路、６・
・・高周波電源、７・・・上部電極、８，２３・・・ガ
ス噴出口、９・・・ガス噴出Ｔｉ極、１０・・・ガス供
給管、１１・・・閉止弁、１２・・・ハロゲンガス供給
管、１３・−・添加ガス供給管、１４・・・流量調節弁
、１５・・・排気管、１６・・・シリコン基板、１７・
・・熱酸化膜、１８・・・Ａ１層、１９・・・フォトレ
ジスト、２０・・・アンダーカット、２１・・・残渣、
２２・・・遮蔽板、２４・・・シャフト、２５・・・回
転駆動装置、２６・・・昇降駆動装置。出願人代理人　　猪　　股　　　　清第１図第２図ＣＧ）　　　　　　　　　　　　　（ｂ）第　３　図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

真空容器の内部に２つの電極を対向するように配置し、
上記電極の一方に被処理物を固定するとともに、上記電
極の他方にエッチングガスを上記真空容器内に供給する
ガス噴出口を設けてなるプラズマエッチング装置におい
て、上記ガス噴出口を開閉する遮蔽板を設けたことを特
徴とするプラズマエッチング装置。