JPS6112866A - プラズマ集中型高速スパツタ装置 - Google Patents
プラズマ集中型高速スパツタ装置Info
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- JPS6112866A JPS6112866A JP59131360A JP13136084A JPS6112866A JP S6112866 A JPS6112866 A JP S6112866A JP 59131360 A JP59131360 A JP 59131360A JP 13136084 A JP13136084 A JP 13136084A JP S6112866 A JPS6112866 A JP S6112866A
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- Japan
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- plasma
- magnetic field
- target
- speed sputtering
- vacuum chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体プロセス技術８表面処理技術等の膜付け
を行なうプラズマ集中型高速スパッタ装置に関するもの
である。
を行なうプラズマ集中型高速スパッタ装置に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体等のプロセスの高速化にともない、より高
速に良質の薄膜が形成できる高速スパッタ装置が必要と
されてきた。
速に良質の薄膜が形成できる高速スパッタ装置が必要と
されてきた。
以下に従来の高速スパッタ装置について説明する。
第１図は従来の高速スパッタ装置の構成図であり、１は
真空槽、２は真空槽１内に設けられたターゲット、３は
ターゲット２と平行な磁界、４は磁界３を発生させる永
久磁石、５はターゲット２と対向配置された基板、６は
磁界３と直交する電界、７は電界６を発生させる電源、
８はプラズマを発生させるための導入ガス、９は基板５
に固定された試料、１０は永久磁石４の磁気回路を構成
する継鉄である。
真空槽、２は真空槽１内に設けられたターゲット、３は
ターゲット２と平行な磁界、４は磁界３を発生させる永
久磁石、５はターゲット２と対向配置された基板、６は
磁界３と直交する電界、７は電界６を発生させる電源、
８はプラズマを発生させるための導入ガス、９は基板５
に固定された試料、１０は永久磁石４の磁気回路を構成
する継鉄である。
以上のように構成された高速スパッタ装置について、以
下その動作を説明する。
下その動作を説明する。
ターゲット２表面近傍にターゲット２面と平行な磁界３
を永久磁石４により得る。ターゲット２と基板６の間に
電源７によって、磁界３と直交する電界６が得られる。
を永久磁石４により得る。ターゲット２と基板６の間に
電源７によって、磁界３と直交する電界６が得られる。
この直交する磁界３と電界らとによって、空間電荷で放
電領域にある電子を捕え込んで導入ガス８からマグネト
ロン放電をさせる。永久磁石４でターゲット２近傍での
プラズマ密度を増すことによって、スバ２夕効果を高め
高速で膜付けが行なえる。
電領域にある電子を捕え込んで導入ガス８からマグネト
ロン放電をさせる。永久磁石４でターゲット２近傍での
プラズマ密度を増すことによって、スバ２夕効果を高め
高速で膜付けが行なえる。
しかしながら上記の従来の構成では、磁石構成としても
れ磁界を使用する不自然な磁気ギヤ、プの利用をしてい
たので、磁界３は弱く不均一であった。そのため膜堆積
速度は満足すべきものではなく、ターゲット２の一部分
だけが極端妃消耗し膜堆積の均一性も充分ではなかった
。また、磁気回蕗の関係でターゲ・ト２として磁性体を
使用することができないという問題点を有していた。
れ磁界を使用する不自然な磁気ギヤ、プの利用をしてい
たので、磁界３は弱く不均一であった。そのため膜堆積
速度は満足すべきものではなく、ターゲット２の一部分
だけが極端妃消耗し膜堆積の均一性も充分ではなかった
。また、磁気回蕗の関係でターゲ・ト２として磁性体を
使用することができないという問題点を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、高速で均
一な膜堆積を得ることができ、ターゲットとして磁性体
も使用することのできるプラズマ集中型高速スパッタ装
置を提供することを目的とする。
一な膜堆積を得ることができ、ターゲットとして磁性体
も使用することのできるプラズマ集中型高速スパッタ装
置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の装置は、真空槽と、真空槽に設置されたプラズ
マ源と、真空槽内に配置されたターゲットと、プラズマ
源から放射されたプラズマをターゲット上に集中させる
ためにプラズマ流を９０度曲げるための磁界と、ターゲ
ットと対向配置された試料とを備えたプラズマ集中型高
速スパッタ装置であり、高密度のプラズマを夕〜ゲット
の真上に集中させることにより、高速で均一な膜堆積を
得ることができ、さらに永久磁石とターゲットを別にす
ることにより、ターゲットに磁性体も使用することので
きるものである。
マ源と、真空槽内に配置されたターゲットと、プラズマ
源から放射されたプラズマをターゲット上に集中させる
ためにプラズマ流を９０度曲げるための磁界と、ターゲ
ットと対向配置された試料とを備えたプラズマ集中型高
速スパッタ装置であり、高密度のプラズマを夕〜ゲット
の真上に集中させることにより、高速で均一な膜堆積を
得ることができ、さらに永久磁石とターゲットを別にす
ることにより、ターゲットに磁性体も使用することので
きるものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
〔実施例１〕
第２図は本発明の第１の実施例におけるプラズマ集中型
高速スパッタ装置の構成を示すものである。第２図にお
いて１１は真空槽、１２はガス導入口、１３は放電陰極
、１４は第１の中間電極、１５は第２の中間電極、１６
は第１の中間電極１４内に設けられた永久磁石、１γは
放電陰極１３と第１の中間電極１４と第２の中間電極１
６とで構成されたリング状のプラズマ源、１８はコイル
、１９はプラズマ源１７の陽極、２０はターゲット、２
１はターゲラ）２０の下に配置された棒状の永久磁石、
２２はターゲット２０に対向配置された試料である。
高速スパッタ装置の構成を示すものである。第２図にお
いて１１は真空槽、１２はガス導入口、１３は放電陰極
、１４は第１の中間電極、１５は第２の中間電極、１６
は第１の中間電極１４内に設けられた永久磁石、１γは
放電陰極１３と第１の中間電極１４と第２の中間電極１
６とで構成されたリング状のプラズマ源、１８はコイル
、１９はプラズマ源１７の陽極、２０はターゲット、２
１はターゲラ）２０の下に配置された棒状の永久磁石、
２２はターゲット２０に対向配置された試料である。
以上のように構成された第１の実施例のプラズマ集中を
高速スパッタ装置について以下その動作を説明する。
高速スパッタ装置について以下その動作を説明する。
まず、リング状のプラズマ源１７は被イオン化ガスとし
てたとえばアルゴンを複数のガス導入口１２からＸ方向
に導入すると、環状のスリットから大面積のプラズマが
生成される。二つの中間電極１４，１５によって、陰極
領域と陽極領域に圧力差がつけである。たとえばアルゴ
ンガス０．６Ｐａ ｍ”／Ｓｅｃで陰極領域は約４０Ｐ
ａ、陽極領域（ターゲット２ｏ近傍）は約ｏ、１Ｐａに
保たれた。直流電源２５によって、陰極１３と第１の中
間電極１４との電位差はたとえば４０Ｖ、第１の中間電
極１４と第２の中間電極１５とはたとえば３５Ｖ、第２
の中間電極１５と陽極２０とはたとえば２０Ｖの放電々
圧である。二つの中間電極１４．１５の中では放電を導
くのに充分な磁場の強さを確保するために、逆方向に等
価電流の流れる二つのリング状永久磁石１６によってつ
くられるカスプ磁界を利用した。
てたとえばアルゴンを複数のガス導入口１２からＸ方向
に導入すると、環状のスリットから大面積のプラズマが
生成される。二つの中間電極１４，１５によって、陰極
領域と陽極領域に圧力差がつけである。たとえばアルゴ
ンガス０．６Ｐａ ｍ”／Ｓｅｃで陰極領域は約４０Ｐ
ａ、陽極領域（ターゲット２ｏ近傍）は約ｏ、１Ｐａに
保たれた。直流電源２５によって、陰極１３と第１の中
間電極１４との電位差はたとえば４０Ｖ、第１の中間電
極１４と第２の中間電極１５とはたとえば３５Ｖ、第２
の中間電極１５と陽極２０とはたとえば２０Ｖの放電々
圧である。二つの中間電極１４．１５の中では放電を導
くのに充分な磁場の強さを確保するために、逆方向に等
価電流の流れる二つのリング状永久磁石１６によってつ
くられるカスプ磁界を利用した。
プラズマ源１７から水平方向に放射されたプラズマ２２
をターゲラ）２０近傍に集中させるには、放電プラズマ
流２７を９０度近く曲げる必要がある。ターゲット２０
は初期のプラズマ流に対して直角に配置されており、そ
の内部に強力な永久磁石２１（たとえば希土類マグネッ
トの５ｍＣｏ５）を持っている。ターゲラ）２０の表面
と永久磁石２１の表面は約２ｃｍ離されて充分水冷でき
る構造になっている。第５図にφ３０ｕＸ１５ｒｕＬの
円柱永久磁石２１の場合の磁束密度の距離依存性を示し
た。
をターゲラ）２０近傍に集中させるには、放電プラズマ
流２７を９０度近く曲げる必要がある。ターゲット２０
は初期のプラズマ流に対して直角に配置されており、そ
の内部に強力な永久磁石２１（たとえば希土類マグネッ
トの５ｍＣｏ５）を持っている。ターゲラ）２０の表面
と永久磁石２１の表面は約２ｃｍ離されて充分水冷でき
る構造になっている。第５図にφ３０ｕＸ１５ｒｕＬの
円柱永久磁石２１の場合の磁束密度の距離依存性を示し
た。
第４図では、初期のプラズマ流２７に沿って（プラズマ
源１７の軸に沿って）Ｘ軸が取られ、ターゲット２００
表面に垂直に中心よりｙ軸が取られている。
源１７の軸に沿って）Ｘ軸が取られ、ターゲット２００
表面に垂直に中心よりｙ軸が取られている。
放電プラズマ２゛３の方向を変えるためには磁場が必要
である。放電プラズマ２３中の電子流はエネルギーが小
さく、運動が熱化（一方向的でない）していないために
、水平磁場Ｂｘと垂直磁場Ｂｙを用いて磁力線に沿って
曲げる方法を用いた。この方法はプラズマ流２７を磁力
線に沿って収束しながら曲げるので放電電力の集中に適
している。装置の構造から外部的にＢＩ ＋ Ｂ、！／
を強く発生させることは困難なので、水平に発射される
プラズマ中の電子流のエネルギーに上限が生ずる。プラ
ズマ流２７を折り曲げる点での磁場をＢｙ（ｇｆＬｕｓ
８） ＋プラズマ流２７が円柱状である場合の平均半
径をａ（Ｃｍ）、プラズマ中電子流のエネルギーをＷｅ
（ｅＶ）とすれば、 ３．４Ｊ九 ａ〉□・・・・・・・・・・・・・・（１）ｙ である。（１）式はプラズマ２３中電子のサイクロトロ
ン半径が、プラズマ流の半径より小さくなければならな
いことを意味している。
である。放電プラズマ２３中の電子流はエネルギーが小
さく、運動が熱化（一方向的でない）していないために
、水平磁場Ｂｘと垂直磁場Ｂｙを用いて磁力線に沿って
曲げる方法を用いた。この方法はプラズマ流２７を磁力
線に沿って収束しながら曲げるので放電電力の集中に適
している。装置の構造から外部的にＢＩ ＋ Ｂ、！／
を強く発生させることは困難なので、水平に発射される
プラズマ中の電子流のエネルギーに上限が生ずる。プラ
ズマ流２７を折り曲げる点での磁場をＢｙ（ｇｆＬｕｓ
８） ＋プラズマ流２７が円柱状である場合の平均半
径をａ（Ｃｍ）、プラズマ中電子流のエネルギーをＷｅ
（ｅＶ）とすれば、 ３．４Ｊ九 ａ〉□・・・・・・・・・・・・・・（１）ｙ である。（１）式はプラズマ２３中電子のサイクロトロ
ン半径が、プラズマ流の半径より小さくなければならな
いことを意味している。
１方向の磁場ＢＪｃは、逆方向に電流の流れる二つのコ
イル１８によってつくられるカスプ磁界によって得られ
る。第６図ａｉコイル１８によってつくられる磁界２７
を示した。第６図すはコイルに流れる電流の方向を示し
た模式図である。コイル１８によるｙ方向の中心磁場は
零であり、ｙ方向の磁場Ｂｙはターゲット２０内の永久
磁石２１によって殆んど独立に決定されている。
イル１８によってつくられるカスプ磁界によって得られ
る。第６図ａｉコイル１８によってつくられる磁界２７
を示した。第６図すはコイルに流れる電流の方向を示し
た模式図である。コイル１８によるｙ方向の中心磁場は
零であり、ｙ方向の磁場Ｂｙはターゲット２０内の永久
磁石２１によって殆んど独立に決定されている。
高速で均一なスパッタリング効果を得るためにはＢｘと
Ｂｙの関係と、プラズマ流２７の曲がり方及びターゲッ
ト２０表面への収束のされ方が影響してくる。たとえば
、ターゲットの表面で６００ｇａｕｓｓ 、 Ｘ軸とｙ
軸の交点では１ ｇａｕｇｓ 以下になるようにした
。
Ｂｙの関係と、プラズマ流２７の曲がり方及びターゲッ
ト２０表面への収束のされ方が影響してくる。たとえば
、ターゲットの表面で６００ｇａｕｓｓ 、 Ｘ軸とｙ
軸の交点では１ ｇａｕｇｓ 以下になるようにした
。
プラズマ源１７内部での磁場配位をリング状の永久磁石
１６とコイル１８によって第６図に示した磁場２８か第
７図に示した磁場２９にすることができる。第６図に示
した磁場配位では、第２の中間電極１５近傍のプラズマ
拡散領域の磁場２日を急激に低下させることができる。
１６とコイル１８によって第６図に示した磁場２８か第
７図に示した磁場２９にすることができる。第６図に示
した磁場配位では、第２の中間電極１５近傍のプラズマ
拡散領域の磁場２日を急激に低下させることができる。
このため幅の広いプラズマ流２７を得ることができる。
また第７図に示した磁場配位では、プラズマ拡散領域の
磁場２９が徐々に低下するので、収束したプラズマ流２
７を得ることができる。この時、ターゲラ）２０を陽極
１９に対して負の電位に保つことによって、スパッタリ
ングが起こる。
磁場２９が徐々に低下するので、収束したプラズマ流２
７を得ることができる。この時、ターゲラ）２０を陽極
１９に対して負の電位に保つことによって、スパッタリ
ングが起こる。
以上のように本実施例によれば、プラズマ流２７を曲げ
ターゲラ）２０の真上に集中させることにより、ターゲ
ット２０表面でのプラズマ密度が増し膜堆積速度を速め
ることができる。また、磁場町とＢｙの関係を適切にす
ることにより、ターゲット２０表面でのプラズマの均一
性をよくすることができ膜堆積の均一性をよくすること
ができる。
ターゲラ）２０の真上に集中させることにより、ターゲ
ット２０表面でのプラズマ密度が増し膜堆積速度を速め
ることができる。また、磁場町とＢｙの関係を適切にす
ることにより、ターゲット２０表面でのプラズマの均一
性をよくすることができ膜堆積の均一性をよくすること
ができる。
〔実施例２〕
以下、本発明の第２の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第８図は本発明の第２の実施例におけるプラズマ集中型
高速スパッタ装置のプラズマ源を示すものである。第８
図において、３ｏは真空槽、３１はガス導入口、３２は
放電陰極、３３は第１の中間電極、３４は第２の中間電
極、３５は第１の中間電極３３内に設けられた永久磁石
、３６は絶縁ガイシ、３７はコイルである。第２図のプ
ラズマ源１７と異なるのは永久磁石３５の位置がプラズ
マ源の中心からずれている点である。
高速スパッタ装置のプラズマ源を示すものである。第８
図において、３ｏは真空槽、３１はガス導入口、３２は
放電陰極、３３は第１の中間電極、３４は第２の中間電
極、３５は第１の中間電極３３内に設けられた永久磁石
、３６は絶縁ガイシ、３７はコイルである。第２図のプ
ラズマ源１７と異なるのは永久磁石３５の位置がプラズ
マ源の中心からずれている点である。
以上のように構成されたプラズマ集中型高速スパッタ装
置のプラズマ源について、以下その動作について説明す
る。
置のプラズマ源について、以下その動作について説明す
る。
二つの永久磁石３６の中心を第１の中間電極３３の中心
よりも上にもってくる。第１の中間電極３３の中心での
磁場をたとえば２０ｇａｕｓｓ Ｋしておくと、放電
陰極３２から出たプラズマ中電子のサイクロトロン半径
が磁場の影響でより小さくな９、プラズマ密度を増加さ
せる。また、第１の中間電極表面でのイオンの消滅も少
なくなる。
よりも上にもってくる。第１の中間電極３３の中心での
磁場をたとえば２０ｇａｕｓｓ Ｋしておくと、放電
陰極３２から出たプラズマ中電子のサイクロトロン半径
が磁場の影響でより小さくな９、プラズマ密度を増加さ
せる。また、第１の中間電極表面でのイオンの消滅も少
なくなる。
以上のように本実施例によれば、永久磁石３５の中心を
ずらせることにより、プラズマ密度を増すことができ、
膜堆積速度をより速めることができる。
ずらせることにより、プラズマ密度を増すことができ、
膜堆積速度をより速めることができる。
〔実施例３〕
以下、本発明の第３の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第９図は本発明の第３の実施例におけるプラズマ集中型
高速スパッタ装置の構成を示すものである。第９図にお
いて３８は真空槽、３９はガス導入口、４０は放電陰極
、４１は第１の中間電極、４２は第２の中間電極、４３
は第１の中間電極４１内に設けられた永久磁石、４４は
放電陰極４０と第１の中間電極４１と第２の中間電極４
２とで構成されたリング状のプラズマ源、４６はコイル
、４６はターゲット、４７はターゲット４６を囲むよう
に置かれたプラズマ源４４の円筒陽極、４８は円筒陽極
４７表面に配置された複数個の永久磁石、４９はターゲ
ット４６に対向配置された試料である。第２図のプラズ
マ集中型高速スパッタ装置と異なるのはターゲット４６
と永久磁石４８を別にした点である。
高速スパッタ装置の構成を示すものである。第９図にお
いて３８は真空槽、３９はガス導入口、４０は放電陰極
、４１は第１の中間電極、４２は第２の中間電極、４３
は第１の中間電極４１内に設けられた永久磁石、４４は
放電陰極４０と第１の中間電極４１と第２の中間電極４
２とで構成されたリング状のプラズマ源、４６はコイル
、４６はターゲット、４７はターゲット４６を囲むよう
に置かれたプラズマ源４４の円筒陽極、４８は円筒陽極
４７表面に配置された複数個の永久磁石、４９はターゲ
ット４６に対向配置された試料である。第２図のプラズ
マ集中型高速スパッタ装置と異なるのはターゲット４６
と永久磁石４８を別にした点である。
以上のように構成された第３の実施例のプラズマ集中型
高速スパッタ装置について以下その動作を説明する。
高速スパッタ装置について以下その動作を説明する。
１ず、プラズマ源４４から水平方向に放射されたプラズ
マ５０はコイル４６によってつくられるカスプ磁界によ
ってターゲット４６の方向へと曲げられる。カスプ磁界
は第１ｏ図に示したように、二つのコイル４５に流れる
電流を違える（たとえば上のコイルに５Ａ、下のコイル
に３Ａ）ことに′ よって、磁界５３が零になる位置
を下にずらすことができる。この磁界６３によ、つて、
プラズマ５ｏも下の方向へと曲げられる。
マ５０はコイル４６によってつくられるカスプ磁界によ
ってターゲット４６の方向へと曲げられる。カスプ磁界
は第１ｏ図に示したように、二つのコイル４５に流れる
電流を違える（たとえば上のコイルに５Ａ、下のコイル
に３Ａ）ことに′ よって、磁界５３が零になる位置
を下にずらすことができる。この磁界６３によ、つて、
プラズマ５ｏも下の方向へと曲げられる。
下方向に曲げられたプラズマ５ｏをターゲット４６真上
に集中させるには、プラズマ５０をターゲット４６の近
傍で閉じ込める必要がある。第１１図に示したように、
複数個の永久磁石４８を非磁性体の円筒陽極４７の外側
に接したＮ極またはＳ極が隣同志相異なるように等間隔
に並べる。ターゲット４６の表面近傍にカスプ磁界５４
を発生させて電子を円筒陽極４７の壁で反射させプラズ
マ６０を閉じ込める。このとき陽極円筒４７に対してタ
ーゲット４６を負の電位に保つことによって、スパッタ
リングが起こる。
に集中させるには、プラズマ５０をターゲット４６の近
傍で閉じ込める必要がある。第１１図に示したように、
複数個の永久磁石４８を非磁性体の円筒陽極４７の外側
に接したＮ極またはＳ極が隣同志相異なるように等間隔
に並べる。ターゲット４６の表面近傍にカスプ磁界５４
を発生させて電子を円筒陽極４７の壁で反射させプラズ
マ６０を閉じ込める。このとき陽極円筒４７に対してタ
ーゲット４６を負の電位に保つことによって、スパッタ
リングが起こる。
以上のように本実施例によれば、コイル４５によるカス
プ磁界５３と永久磁石４８によるカスプ磁界５４によっ
て、プラズマ５０をターゲット４６の真上に集中させる
ことができ、ターゲット４６と永久磁石４８を別にする
ことにより、ターゲット４６に磁性体を使用することが
できる。
プ磁界５３と永久磁石４８によるカスプ磁界５４によっ
て、プラズマ５０をターゲット４６の真上に集中させる
ことができ、ターゲット４６と永久磁石４８を別にする
ことにより、ターゲット４６に磁性体を使用することが
できる。
なお、すべての実施例ではアーク放電によるプラズマ２
３，５０を利用したが、真空槽にガスを導入することに
よりグロー放電によるプラズマ２３、Ｅ５０を利用して
もよい。
３，５０を利用したが、真空槽にガスを導入することに
よりグロー放電によるプラズマ２３、Ｅ５０を利用して
もよい。
発明の効果
本発明は高密度のプラズマをターゲットの真上ｒ集中さ
せることによシ、高速で均一な膜堆積を得ることができ
、さらに永久磁石とターゲットを別にしたことによりタ
ーゲットに磁性体を使用できるという効果を得ることが
できる優れたプラズマ集中型高速スパッタ装置を実現で
きるものである。
せることによシ、高速で均一な膜堆積を得ることができ
、さらに永久磁石とターゲットを別にしたことによりタ
ーゲットに磁性体を使用できるという効果を得ることが
できる優れたプラズマ集中型高速スパッタ装置を実現で
きるものである。
第１図は従来の高速スパッタ装置の構成図、第２図は本
発明の第１の実施例におけるプラズマ集中型高速スバ・
り装置の構成図、第３図は同斜視図、第４図はプラズマ
流の流れを示す模式図、第５図はその永久磁石の特性曲
線図、第６図ａ、ｂ及び第７図ａ、ｂは磁界を示す模式
図、第８図は本発明の第２の実施例におけるプラズマ集
中型高速スパッタ装置のプラズマ源の断面図、第９図は
本発明の第３の実施例におけるプラズマ集中型高速スパ
ッタ装置の構成図、第１０図ａ、ｂは同磁界を示す模式
図、第１１図は同ターゲット部の正面図である。 １７・・・・・・プラズマ源、１８・・・・・・コイル
、２０・・・・・ターゲット、２１・・・・・・永久磁
石、２２・・・・・・試料、２４・・・・・・スバ、り
物、２６・旧・・排気口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 ＠３図 ？？ 第４図 手続補正書 昭和６θ年 ２月／ヂ日 昭和〃年特許願第１ｉ／５ｒｌｅ号 ２発明の名称 プラス゛７条中型六物僕スｌＸ′ツタ素１−３補正をす
る者 事件との関係 特 許 出 願 大
佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 駆軸１４輯話ｉ１水゛め帽削ｑ楯 ”−。 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の項を別紙の通り補正し
ます。 ２）同第５ページ第７行目の「真空槽に設置され」を「
真空槽へプラズマが放射されるように９０度曲げるだめ
の磁界」を１プラズマ流を曲けるだめの磁界」に補正し
ます。 （４）同第６ページ第１６行目の「永久磁石」を「磁石
」に補正します。 （６）同第６ページ第７行目の「永久磁石」を「磁石」
に補正します。 ７）同第７ページ第１２行目の「永久磁石１６」全「磁
石１６」に補正します０ ．８）同第７ページ第１４行目〜第１６行目の「プラズ
マ２２」を「プラズマ２３」に補正します。 （９）同第７ページ第１８行目〜第１９行目の［永久磁
石２１ゴを「磁石２１Ｊに補正します。 （１ｏ）同第７ページ第２０行目の「永久磁石２１」を
「磁石２１」に補正します。 （１１）同第１０ページ第２行目の「永久磁石１６」を
「磁石１６」に補正します。 （１２）同第１１ページ第９行目の「永久磁石」を「磁
石」Ｋ補正します。 （１３）同第１１ページ第１１行目の「永久磁石３５コ
を「磁石３５」に補正します。 （１４）同第１１ページ第１６行目のＵ永久磁石３５」
を「磁石３５」に補正します。 （１５）同第１２ページ第３行目の「永久磁石３５」を
「磁石３５」に補正します。 （１６）同第１２ページ第１５行目の「永久磁石」を「
磁石」に補正します。 （１７）同第１５ページ第２０行目の［２１・・・・・
永久磁石Ｊを「２１・・・・・磁石」に補正し１す。 ２、特許請求の範囲 （１）真空槽と、真空槽へプラズマが放射されるように
設置されたプラズマ源と、真空槽内に配置されたターゲ
ットと、プラズマ源から放射されたプラズマをターゲッ
ト上に集中させるためにプラズマ流を曲げるだめの磁界
と、ターゲットと対向配置された試料とを備えたプラズ
マ集中型高速スパッタ装置。 （２） プラズマ源はリング状の陰極と２つの中間電
極とを備え、ターゲットの近傍に陽極を備えたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ集中型高
速スパッタ装置。 （３）磁界は、プラズマと水平方向には逆方向に電流の
流れる二つのコイルによってつくられるカスプ磁界によ
って得られ、垂直方向にはターゲットの下に配置された
磁石によって得られることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。 （４〕、中間電極は、内部に配置されたリング状の二つ
の磁石によって、カスプ磁界を得ることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載のプラズマ集中型高速スパッタ
装置。 （６） カスプ磁界は、磁場零の領域を中間電極の中
心からずらすことを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。 （６）真空槽と、真空槽へプラズマが放射されるように
設置されたプラズマ源と、真空槽内に配置されたターゲ
ットと、プラズマ源から放射されたプラズマを曲げるた
めの磁界と、ターゲット表面近傍に上記プラズマを閉じ
込めるだめの複数の磁石からなるカスプ磁界と、ターゲ
ットと対向配置された試料とを備えたことを特徴とする
プラズマ集中型高速スパッタ装置。 （′７）磁界は、逆方向圧電流の流れる二つのコイルの
電流値を違えることによってつくられる非対称カスプ磁
界によって得られることを特徴とする特許請求の範囲第
６項記載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。
発明の第１の実施例におけるプラズマ集中型高速スバ・
り装置の構成図、第３図は同斜視図、第４図はプラズマ
流の流れを示す模式図、第５図はその永久磁石の特性曲
線図、第６図ａ、ｂ及び第７図ａ、ｂは磁界を示す模式
図、第８図は本発明の第２の実施例におけるプラズマ集
中型高速スパッタ装置のプラズマ源の断面図、第９図は
本発明の第３の実施例におけるプラズマ集中型高速スパ
ッタ装置の構成図、第１０図ａ、ｂは同磁界を示す模式
図、第１１図は同ターゲット部の正面図である。 １７・・・・・・プラズマ源、１８・・・・・・コイル
、２０・・・・・ターゲット、２１・・・・・・永久磁
石、２２・・・・・・試料、２４・・・・・・スバ、り
物、２６・旧・・排気口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 ＠３図 ？？ 第４図 手続補正書 昭和６θ年 ２月／ヂ日 昭和〃年特許願第１ｉ／５ｒｌｅ号 ２発明の名称 プラス゛７条中型六物僕スｌＸ′ツタ素１−３補正をす
る者 事件との関係 特 許 出 願 大
佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 駆軸１４輯話ｉ１水゛め帽削ｑ楯 ”−。 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の項を別紙の通り補正し
ます。 ２）同第５ページ第７行目の「真空槽に設置され」を「
真空槽へプラズマが放射されるように９０度曲げるだめ
の磁界」を１プラズマ流を曲けるだめの磁界」に補正し
ます。 （４）同第６ページ第１６行目の「永久磁石」を「磁石
」に補正します。 （６）同第６ページ第７行目の「永久磁石」を「磁石」
に補正します。 ７）同第７ページ第１２行目の「永久磁石１６」全「磁
石１６」に補正します０ ．８）同第７ページ第１４行目〜第１６行目の「プラズ
マ２２」を「プラズマ２３」に補正します。 （９）同第７ページ第１８行目〜第１９行目の［永久磁
石２１ゴを「磁石２１Ｊに補正します。 （１ｏ）同第７ページ第２０行目の「永久磁石２１」を
「磁石２１」に補正します。 （１１）同第１０ページ第２行目の「永久磁石１６」を
「磁石１６」に補正します。 （１２）同第１１ページ第９行目の「永久磁石」を「磁
石」Ｋ補正します。 （１３）同第１１ページ第１１行目の「永久磁石３５コ
を「磁石３５」に補正します。 （１４）同第１１ページ第１６行目のＵ永久磁石３５」
を「磁石３５」に補正します。 （１５）同第１２ページ第３行目の「永久磁石３５」を
「磁石３５」に補正します。 （１６）同第１２ページ第１５行目の「永久磁石」を「
磁石」に補正します。 （１７）同第１５ページ第２０行目の［２１・・・・・
永久磁石Ｊを「２１・・・・・磁石」に補正し１す。 ２、特許請求の範囲 （１）真空槽と、真空槽へプラズマが放射されるように
設置されたプラズマ源と、真空槽内に配置されたターゲ
ットと、プラズマ源から放射されたプラズマをターゲッ
ト上に集中させるためにプラズマ流を曲げるだめの磁界
と、ターゲットと対向配置された試料とを備えたプラズ
マ集中型高速スパッタ装置。 （２） プラズマ源はリング状の陰極と２つの中間電
極とを備え、ターゲットの近傍に陽極を備えたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ集中型高
速スパッタ装置。 （３）磁界は、プラズマと水平方向には逆方向に電流の
流れる二つのコイルによってつくられるカスプ磁界によ
って得られ、垂直方向にはターゲットの下に配置された
磁石によって得られることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。 （４〕、中間電極は、内部に配置されたリング状の二つ
の磁石によって、カスプ磁界を得ることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載のプラズマ集中型高速スパッタ
装置。 （６） カスプ磁界は、磁場零の領域を中間電極の中
心からずらすことを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。 （６）真空槽と、真空槽へプラズマが放射されるように
設置されたプラズマ源と、真空槽内に配置されたターゲ
ットと、プラズマ源から放射されたプラズマを曲げるた
めの磁界と、ターゲット表面近傍に上記プラズマを閉じ
込めるだめの複数の磁石からなるカスプ磁界と、ターゲ
ットと対向配置された試料とを備えたことを特徴とする
プラズマ集中型高速スパッタ装置。 （′７）磁界は、逆方向圧電流の流れる二つのコイルの
電流値を違えることによってつくられる非対称カスプ磁
界によって得られることを特徴とする特許請求の範囲第
６項記載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。
Claims (7)
- （１）真空槽と、真空槽に設置されたプラズマ源と、真
空槽内に配置されたターゲットと、プラズマ源から放射
されたプラズマをターゲット上に集中させるためにプラ
ズマ流を９０度曲げるための磁界と、ターゲットと対向
配置された試料とを備えたプラズマ集中型高速スパッタ
装置。 - （２）プラズマ源はリング状の陰極と２つの中間電極と
を備え、ターゲットの近傍に陽極を備えたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のプラズマ集中型高速ス
パッタ装置。 - （３）磁界は、プラズマと水平方向には逆方向に電流の
流れる二つのコイルによってつくられるカスプ磁界によ
って得られ、垂直方向にはターゲットの下に配置された
永久磁石によって得られることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。 - （４）中間電極は、内部に配置されたリング状の二つの
永久磁石によって、カスプ磁界を得ることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載のプラズマ集中型高速スパッ
タ装置。 - （５）カスプ磁界は、磁場零の領域を中間電極の中心か
らずらすことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
プラズマ集中型高速スパッタ装置。 - （６）真空槽と、真空槽に設置されたプラズマ源と、真
空槽内に配置されたターゲットと、プラズマ源から放射
されたプラズマを曲げるための磁界と、ターゲット表面
近傍に上記プラズマを閉じ込めるための複数の永久磁石
からなるカスプ磁界と、ターゲットと対向配置された試
料とを備えたことを特徴とするプラズマ集中型高速スパ
ッタ装置。 - （７）磁界は、逆方向に電流の流れる二つのコイルの電
流値を違えることによってつくられる非対称カスプ磁界
によって得られることを特徴とする特許請求の範囲第６
項記載のプラズマ集中型高速スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13136084A JPH0660393B2 (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | プラズマ集中型高速スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13136084A JPH0660393B2 (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | プラズマ集中型高速スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112866A true JPS6112866A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0660393B2 JPH0660393B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=15056102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13136084A Expired - Fee Related JPH0660393B2 (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | プラズマ集中型高速スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660393B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223173A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Hitachi Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| JPS63247364A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-14 | Hitachi Ltd | スパツタ成膜方法と装置 |
| JPH01298156A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JPH03170665A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-24 | Anelva Corp | スパッタリング方法および装置 |
| JPH03193869A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-23 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| JP2017091898A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ発生部およびプラズマスパッタ装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020029115A (ja) | 2018-08-21 | 2020-02-27 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 制御装置及び制御方法 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP13136084A patent/JPH0660393B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223173A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Hitachi Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| JPS63247364A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-14 | Hitachi Ltd | スパツタ成膜方法と装置 |
| JPH01298156A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JPH03170665A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-24 | Anelva Corp | スパッタリング方法および装置 |
| JPH03193869A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-23 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| JP2017091898A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ発生部およびプラズマスパッタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660393B2 (ja) | 1994-08-10 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |