JPS61131582A - 半導体レ−ザ製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ製造方法Info
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- JPS61131582A JPS61131582A JP25470184A JP25470184A JPS61131582A JP S61131582 A JPS61131582 A JP S61131582A JP 25470184 A JP25470184 A JP 25470184A JP 25470184 A JP25470184 A JP 25470184A JP S61131582 A JPS61131582 A JP S61131582A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザの製造方法に関する。
半導体を材料に用いた半導体レーデは、超小形で商性能
であり、変量も容易であって低価格である等の利点を有
するため、光通信、光情報処理等多くの分野で利用され
ている。
であり、変量も容易であって低価格である等の利点を有
するため、光通信、光情報処理等多くの分野で利用され
ている。
第３図にダブルへテロ構造の半導体レーザの模式図を示
す。半導体レーザは基板１１上に、Ｎ形（又はＰ形）の
クラッド層１２．活性層１６、Ｐ形（又はＮ形）のクラ
ッド層１３を順次形成し、順方向に電流が流れるように
電極１４．１５を設けたものであり、電極１４，１５間
に順方向に電流を印加すると、両クラフト層１２．１３
にて挟まれた活性層１６において光の誘導放出が起り、
その光がへき開による鏡面１７．１８間で反射される間
に共振の条件にあった光だけが放射される。
す。半導体レーザは基板１１上に、Ｎ形（又はＰ形）の
クラッド層１２．活性層１６、Ｐ形（又はＮ形）のクラ
ッド層１３を順次形成し、順方向に電流が流れるように
電極１４．１５を設けたものであり、電極１４，１５間
に順方向に電流を印加すると、両クラフト層１２．１３
にて挟まれた活性層１６において光の誘導放出が起り、
その光がへき開による鏡面１７．１８間で反射される間
に共振の条件にあった光だけが放射される。
半導体レーザの製造方法（エピタキシャル成長方法）と
しては、液相成長法、気相成長法等、各種実用化されて
いるが、近時、高真空中で蒸発源セルから熱エネルギを
もった分子線を照射して結晶をエピタキシャル成長させ
るＭＢＥ法が、多層の４膜を成長させるに適しているた
め注目されている。
しては、液相成長法、気相成長法等、各種実用化されて
いるが、近時、高真空中で蒸発源セルから熱エネルギを
もった分子線を照射して結晶をエピタキシャル成長させ
るＭＢＥ法が、多層の４膜を成長させるに適しているた
め注目されている。
Ｍｅε法によりＮ形ＧａＡｓ基板上に結晶をエビタキシ
ャル成長させて半導体レーザを製作する場合について説
明すると（通常、半導体レーザは、受光素子との集積性
等を考慮してＮ形基扱が使用される）、Ｎ形のドーパン
ト（ドナー）としては、Ｓｎが用いられており、基板上
のＮ形りラッド層を形成するに際し、該クラッド層にＳ
ｎを熱拡散させている。これはＳｎのセル温度が７００
〜９００度であり、この温度においてキャリア密度は５
ＸＩＯ”〜５×Ｉｇ ＩＬＩｃ、−Ｊとなり、必要とす
るキャリ）′密度がｉηられるためである。
ャル成長させて半導体レーザを製作する場合について説
明すると（通常、半導体レーザは、受光素子との集積性
等を考慮してＮ形基扱が使用される）、Ｎ形のドーパン
ト（ドナー）としては、Ｓｎが用いられており、基板上
のＮ形りラッド層を形成するに際し、該クラッド層にＳ
ｎを熱拡散させている。これはＳｎのセル温度が７００
〜９００度であり、この温度においてキャリア密度は５
ＸＩＯ”〜５×Ｉｇ ＩＬＩｃ、−Ｊとなり、必要とす
るキャリ）′密度がｉηられるためである。
次にトナーＳｎのセル温度と発光出力９発光波長につい
て本願発明者が行った結果を第４図に示す。
て本願発明者が行った結果を第４図に示す。
第４図はＮ形ＧａＡｓ基板にクラッド層及び活性層を形
成して半導体レーザを製作するにあたり、Ｎ形りラッド
層の形成時に、不純物Ｓｎの拡散温度を夫々７５０℃、
８００℃、８５０℃とした場合における、製造された半
導体レーザの発光出力及び発光波長を表１・
したものである、この場合、他方のクラッド層で
あるＰ形りラッド層形成時における不純物（Ｂｅを使用
）の拡散は、そのキャリア密度が常にｌＸｌ０１８Ｃ１
ｌ−３となるようにした０図から明らかなように、不純
物Ｓｎの拡散温度が上昇する程、半導体レーザの発光出
力は減少すると共に、出力波長が長波長側に移行するこ
六がわかる。不純物Ｓｎの夫々の拡散温度におけるキャ
リア密度について調べてみると拡散温度が７５０℃にお
いてはｌ Ｘ ＩＱ１７ｃｎ−３，８００℃においては
３” １０１７ｃｌｌ−’、８５０℃では６ＸＩＯ１７
ｅｌｌ＝となっており、拡散温度が上昇する程キャリア
密度が大きくなる。つまり、キャリア密度が大きくなる
程半導体レーザの発光出力は低下し、出力波長は高波長
側に移行することになる。従って、Ｎ形のクラッド層に
おけるキャリア密度をＬＸＩＯ１７ａｍ−’以下にすれ
ば高出力、短波長の光が得られるのであるが、キャリア
密度が低下すると、半導体レーザとしてのシリーズ抵抗
が増加してしまう。
成して半導体レーザを製作するにあたり、Ｎ形りラッド
層の形成時に、不純物Ｓｎの拡散温度を夫々７５０℃、
８００℃、８５０℃とした場合における、製造された半
導体レーザの発光出力及び発光波長を表１・
したものである、この場合、他方のクラッド層で
あるＰ形りラッド層形成時における不純物（Ｂｅを使用
）の拡散は、そのキャリア密度が常にｌＸｌ０１８Ｃ１
ｌ−３となるようにした０図から明らかなように、不純
物Ｓｎの拡散温度が上昇する程、半導体レーザの発光出
力は減少すると共に、出力波長が長波長側に移行するこ
六がわかる。不純物Ｓｎの夫々の拡散温度におけるキャ
リア密度について調べてみると拡散温度が７５０℃にお
いてはｌ Ｘ ＩＱ１７ｃｎ−３，８００℃においては
３” １０１７ｃｌｌ−’、８５０℃では６ＸＩＯ１７
ｅｌｌ＝となっており、拡散温度が上昇する程キャリア
密度が大きくなる。つまり、キャリア密度が大きくなる
程半導体レーザの発光出力は低下し、出力波長は高波長
側に移行することになる。従って、Ｎ形のクラッド層に
おけるキャリア密度をＬＸＩＯ１７ａｍ−’以下にすれ
ば高出力、短波長の光が得られるのであるが、キャリア
密度が低下すると、半導体レーザとしてのシリーズ抵抗
が増加してしまう。
通常、シリーズ抵抗は１５Ω以下が望ましい。
第５図にＮ形りラ、ド層内における発光出力及びシリー
ズ抵抗について示す。第５図の横軸はＮ形りラッド層内
における活性層からの距離を示し、活性層からの距離が
０．ＩＩＩｍ以内においては、発光出力が著しく低下し
て、いるが、この間においてはシリーズ抵抗はほとんど
変化しない。つまり、Ｎ形りラッド層における活性層近
傍では、キャリアが活性層内に入り込むために発光出力
低下等の悪影響を与えていると考えられるのであるが、
シリーズ抵抗に関しては、活性層近傍におけるキャリア
の移動の影響がほとんどない。
ズ抵抗について示す。第５図の横軸はＮ形りラッド層内
における活性層からの距離を示し、活性層からの距離が
０．ＩＩＩｍ以内においては、発光出力が著しく低下し
て、いるが、この間においてはシリーズ抵抗はほとんど
変化しない。つまり、Ｎ形りラッド層における活性層近
傍では、キャリアが活性層内に入り込むために発光出力
低下等の悪影響を与えていると考えられるのであるが、
シリーズ抵抗に関しては、活性層近傍におけるキャリア
の移動の影響がほとんどない。
本発明は係る知見に基づいてなされたものであり、シリ
ーズ抵抗を小さくし得て高発光出力を可能とした半導体
レーザの製造方法の提供を目的としている。
ーズ抵抗を小さくし得て高発光出力を可能とした半導体
レーザの製造方法の提供を目的としている。
本発明は分子線を用いて基板上に結晶をエピタキシャル
成長させるＭＢＥ法により、クラッド層間に活性層が挟
まれた構造の半導体レーザを製造するに際し、活性層近
傍においてキャリア密度が小なるように不純物をクラッ
ド層中に拡散させることを特徴とする。
成長させるＭＢＥ法により、クラッド層間に活性層が挟
まれた構造の半導体レーザを製造するに際し、活性層近
傍においてキャリア密度が小なるように不純物をクラッ
ド層中に拡散させることを特徴とする。
第１図は本発明方法の実施に使用する装置の模式図であ
る。図において２０は分子線エピタキシ装置であり、図
示しない超高真空排気装置により内部は高真空状態とさ
れている０、該分子線エピタキシ装ｆｆ１２０の略中夫
には基板保持板２１が設けられており、該基板保持板２
１により基板１１が保持される。
る。図において２０は分子線エピタキシ装置であり、図
示しない超高真空排気装置により内部は高真空状態とさ
れている０、該分子線エピタキシ装ｆｆ１２０の略中夫
には基板保持板２１が設けられており、該基板保持板２
１により基板１１が保持される。
基板保持板２１に保持された基板ｌｌの下方にはシャッ
タ２２が配されており、さらにその下方には液体窒素冷
却系に覆われた複数の蒸発源セル２３．２３・・・が配
されている。各蒸発源セル２３はＧａ、＾ｓ＋ｓｎ等の
熱エネルギをもった分子線を夫々射出する。各蒸発源セ
ル２３とシャッタ２２との間には各蒸発源セル２３から
射出される分子線を夫々遮断するためのシャフタ２４が
配されている。
タ２２が配されており、さらにその下方には液体窒素冷
却系に覆われた複数の蒸発源セル２３．２３・・・が配
されている。各蒸発源セル２３はＧａ、＾ｓ＋ｓｎ等の
熱エネルギをもった分子線を夫々射出する。各蒸発源セ
ル２３とシャッタ２２との間には各蒸発源セル２３から
射出される分子線を夫々遮断するためのシャフタ２４が
配されている。
その他、イオンスパッタ銃２５、電子ａ２６、オージェ
電子分析系２７、四重極質量分析計２８等が配されてい
る。
電子分析系２７、四重極質量分析計２８等が配されてい
る。
３０は制御装置であり、四重極質量分析計２８の検出結
果が入力されており、また制御語２３０の出力は、シャ
ッタ２２，２４及び各蒸発源セル２３の温度を制御する
セル温度制御系３１に与えられている。
果が入力されており、また制御語２３０の出力は、シャ
ッタ２２，２４及び各蒸発源セル２３の温度を制御する
セル温度制御系３１に与えられている。
通常、セル２３における試料の量が変化すると蒸発面積
が変化し、それに伴って分子線出射量が変化する。そこ
で出射量を制御するために、四重極質量分析計２８によ
りそのイオン電流を監視してこの情報を制御装置３０に
入力し、制御値Ｖａ、３０はこの入力に基づいて各セル
２３の温度を制御すべ（、セル温度制御系３１に所定信
号を出力する。
が変化し、それに伴って分子線出射量が変化する。そこ
で出射量を制御するために、四重極質量分析計２８によ
りそのイオン電流を監視してこの情報を制御装置３０に
入力し、制御値Ｖａ、３０はこの入力に基づいて各セル
２３の温度を制御すべ（、セル温度制御系３１に所定信
号を出力する。
また、制御装置３０においては予め定められたタイムチ
ャートに基づいて各シャッタを制御して所定のクラッド
層、活性層を形成し、不純物における各セルの温度を制
御してその拡散温度を変更する構成となっている。
ャートに基づいて各シャッタを制御して所定のクラッド
層、活性層を形成し、不純物における各セルの温度を制
御してその拡散温度を変更する構成となっている。
今、Ｎ形ＧａＡｓ基板にＧａ、八Ｎ、Ａｓを照射してク
ラッド層及び活性層を形成し、またドーパントとしてＮ
形クラッド層にＳｎを、Ｐ形りラッド層に［ｌｅを拡散
照射することにより半導体レーザを製造する場合のタイ
ムチャートを第２図に示す。この場合、まず基板温度を
７００℃となるまで約２０時間昇温し、次いでＮ形クラ
ッド層を形成すべく Ａｎを１１００℃で、Ｇａを９５
０℃で、夫々照射するが、八ｊ１、Ｇａの照射と同時に
不純物としてＳｎを最初８５０”ｃにて拡散する。斯か
る状態にて所定時間（２５時間程度）照射し、Ｎ形クラ
ッド層の厚さが所定の厚さになるまでの所定時間、即ち
形成されるべきＮ形クラッド層に対して、形成されたＮ
形クラッド層が活性層近傍に達するまでの所定時間が経
過すると、不純物Ｓｎの拡散温度は７５０℃に低下され
、この状態でＳｎはＮ形クラッド層が形成されるまでの
所定時間にわたって拡散される。
ラッド層及び活性層を形成し、またドーパントとしてＮ
形クラッド層にＳｎを、Ｐ形りラッド層に［ｌｅを拡散
照射することにより半導体レーザを製造する場合のタイ
ムチャートを第２図に示す。この場合、まず基板温度を
７００℃となるまで約２０時間昇温し、次いでＮ形クラ
ッド層を形成すべく Ａｎを１１００℃で、Ｇａを９５
０℃で、夫々照射するが、八ｊ１、Ｇａの照射と同時に
不純物としてＳｎを最初８５０”ｃにて拡散する。斯か
る状態にて所定時間（２５時間程度）照射し、Ｎ形クラ
ッド層の厚さが所定の厚さになるまでの所定時間、即ち
形成されるべきＮ形クラッド層に対して、形成されたＮ
形クラッド層が活性層近傍に達するまでの所定時間が経
過すると、不純物Ｓｎの拡散温度は７５０℃に低下され
、この状態でＳｎはＮ形クラッド層が形成されるまでの
所定時間にわたって拡散される。
Ｎ形クラッド層が形成されるとＧａＡｓの活性層を形成
すべく、Ａｌに係るシャッタ及びＳｎに係るシャッタを
閉止してＡｌ、Ｓｎの照射を停止させる。
すべく、Ａｌに係るシャッタ及びＳｎに係るシャッタを
閉止してＡｌ、Ｓｎの照射を停止させる。
そしてこのような状態を所定時間（５時間）にわたって
継続して所定厚さの活性層を形成する。
継続して所定厚さの活性層を形成する。
活性層が形成されると、＾ｌに係るシャッタを開放して
Ｐ形りラッド層を形成するが、この場合新たにＢｅに係
るシャッタを開放してＢｅを不純物として８００℃程度
の温度にて拡散する。このような状態にて所定時間（約
２０時間）にわたって照射が行われ、所定の厚さのＰ形
りラッド層が形成されると、次にＡｊｌに係るシャッタ
を閉止して、キャップ層を形成する。この場合には、不
純物Ｂｅは拡散されつづけるが、その温度は８５０℃と
される。
Ｐ形りラッド層を形成するが、この場合新たにＢｅに係
るシャッタを開放してＢｅを不純物として８００℃程度
の温度にて拡散する。このような状態にて所定時間（約
２０時間）にわたって照射が行われ、所定の厚さのＰ形
りラッド層が形成されると、次にＡｊｌに係るシャッタ
を閉止して、キャップ層を形成する。この場合には、不
純物Ｂｅは拡散されつづけるが、その温度は８５０℃と
される。
キャップ層の形成は２０時間程度である。
Ａｓは作業開始（基板昇温開始）から作業終了まで照射
されつづける。
されつづける。
このような工程により高発光出力、短波長でしかもシリ
ーズ抵抗が低い半導体レーザが製造される。
ーズ抵抗が低い半導体レーザが製造される。
本発明によれば活性層近傍におけるシリーズ抵抗がほと
んど変化しない部分において、キャリア８度を小さくし
ているためにシリーズ抵抗を増加させることなく、高発
光出力、短波長の半導体レーザが製造できる。
んど変化しない部分において、キャリア８度を小さくし
ているためにシリーズ抵抗を増加させることなく、高発
光出力、短波長の半導体レーザが製造できる。
第１図は本発明方法の実施に使用する装置の模式図、第
２図はその装置の動作説明のためのタイムチャート、第
３図は半導体レーデの模式図、第４図は不純物の拡散温
度と発光出力及び波長との関係を示すグラフ、第５図は
クラフト層における活性層からの距離と発光出力及びシ
リーズ抵抗との関係を示すグラフである。 １１・・・基板 １２．１３・・・クラッド層 １４．
１５・・・電極１６・・・活性層 ２０・・・分子線エ
ビクキシ装置 ２１・・・基板保持板 ２２．２４・・
・シャッタ ２３・・・蒸発源セル３０・・・制御装置 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 ３ 図 距 舷 第 ５１２］ 濃灸ｅｍ＞ 第 ４ 図 手続？ｄｉ止昇（自発） １． 事件の表示 昭和５９年特許願第２５４７０１号 ２、発明の名称 ”Ｉｉ導導体レーザ製方力 法、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （
１８８）三洋電機株式会社代表者 井 植 瓜 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４
番２２号 日進ビル２０７号明細書の「特許請求の範囲
」、「発明の詳細６、 補正の内容 ６−１「特許請求の範囲」の欄 別紙のとおり ６−２「発明の詳細な説明」の掴 ｆｉｌ 明細書の第２頁１４行目に「高真空中」とあ
るを、「超高真空中」と訂正する。 （２）明ｍ書の第２頁１７行目に「薄膜」とあるを、「
薄膜」と訂正する。 （３） 明りＩｌ書の第３頁６行目に「熱拡散させて
」とあるを、「ドープして」と訂正する。 （４） 明細書の第３頁１５行目に「拡散温度」とあ
るを、「セル温度」と訂正する。 （５）明５ｕｒ−の第３頁２０行目に「拡散は、」とあ
るを、「セル温度は、」と訂正する。 （６） 明ｍ書の第４頁２行目、４行目乃至５行目、
６行目、８行目に夫々「拡散温度」とあるを、「セル温
度」と訂正する。 （７） 明細書の第５頁１７行目に「拡散させる」と
あるを、「ドープする」と訂正する。 （８）明細書の第６頁３行目にｒ高真空状態」とあるを
、「超高真空状態」と訂正する。 （９） 明ｍｓの第７頁ＩＯ行目乃至１１１行目「活
性層を形成し、・・−拡散温度を変更す」とあるを、「
活性層を形成すると共に、各不純物セルの温度を制御す
」と訂正する。 Ｏｌ 明細書の第７頁１６行目に「拡散照射する」と
あるを、「ドープする」と訂正する。 （１１）明細書の第７頁１８行目に「約２０時間昇温し
、」とあるを、「約２０分間昇温し、」と訂正する。 （１２）明ｍ書の第８頁１行目乃至２行目、９行目、１
８８行目夫々「拡散」とあるを「ドープ」と訂正する。 （１３）明ｍ書の第８頁２行目に「（２５時間程度）」
とあるを、「（２５分間程度）」と訂正する。 （１４）明１［？Ｆの第８頁７行目に「拡散温度」とあ
るを、「セル温度」と訂正する。 （１５）明Ｉ［Ｉ書の第８頁１３行目に「（５時間）」
とあるを、「（５分間）」と訂正する。 （１６）明細書の第８頁１９行目に「（約２０時間）」
とあるを、「（約２０分間）°」と訂正する。 （１７）明細書の第９頁２行目乃至３行目に「拡散され
」とあるを「ドープされ」と訂正する。 （１８）明ｍ書の第９頁４行目に「２０時間程度」とあ
るを「２０分間程度」と訂正する。 ６−３「図面の簡単な説明」の欄 明細書の第９頁２０行目に「拡散温度」とあるを「セル
温度」と訂正する。 ６−４図 面 第２図を別紙のとおり訂正する。 ７、添付書類の目録 （１１補正後の特許請求の範囲の 全文を記載した書面 １通 （２）訂正図面 １通補正後の特
許請求の範囲の全文を記載した書面２、特許請求の範囲 １、分子線を用いて基板上に結晶をエピタキシャル成長
させるＭＢ２法により、クラッド層間に活性層が挾まれ
た構造の半導体レーザを製造するに際し、活性層近傍に
おいてキャリア密度が小なるように不純物をクラッド層
中に１二１１ゑことを特徴とする半導体レーザ製造方法
。 ２、 ｉｉｉ記基板基板型のＧａＡｓであり、また不
純物はＮ型のＳｎである特許請求の範囲第１項記載の半
導体レーザ製造方法。 へ 囁２図
２図はその装置の動作説明のためのタイムチャート、第
３図は半導体レーデの模式図、第４図は不純物の拡散温
度と発光出力及び波長との関係を示すグラフ、第５図は
クラフト層における活性層からの距離と発光出力及びシ
リーズ抵抗との関係を示すグラフである。 １１・・・基板 １２．１３・・・クラッド層 １４．
１５・・・電極１６・・・活性層 ２０・・・分子線エ
ビクキシ装置 ２１・・・基板保持板 ２２．２４・・
・シャッタ ２３・・・蒸発源セル３０・・・制御装置 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 ３ 図 距 舷 第 ５１２］ 濃灸ｅｍ＞ 第 ４ 図 手続？ｄｉ止昇（自発） １． 事件の表示 昭和５９年特許願第２５４７０１号 ２、発明の名称 ”Ｉｉ導導体レーザ製方力 法、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （
１８８）三洋電機株式会社代表者 井 植 瓜 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４
番２２号 日進ビル２０７号明細書の「特許請求の範囲
」、「発明の詳細６、 補正の内容 ６−１「特許請求の範囲」の欄 別紙のとおり ６−２「発明の詳細な説明」の掴 ｆｉｌ 明細書の第２頁１４行目に「高真空中」とあ
るを、「超高真空中」と訂正する。 （２）明ｍ書の第２頁１７行目に「薄膜」とあるを、「
薄膜」と訂正する。 （３） 明りＩｌ書の第３頁６行目に「熱拡散させて
」とあるを、「ドープして」と訂正する。 （４） 明細書の第３頁１５行目に「拡散温度」とあ
るを、「セル温度」と訂正する。 （５）明５ｕｒ−の第３頁２０行目に「拡散は、」とあ
るを、「セル温度は、」と訂正する。 （６） 明ｍ書の第４頁２行目、４行目乃至５行目、
６行目、８行目に夫々「拡散温度」とあるを、「セル温
度」と訂正する。 （７） 明細書の第５頁１７行目に「拡散させる」と
あるを、「ドープする」と訂正する。 （８）明細書の第６頁３行目にｒ高真空状態」とあるを
、「超高真空状態」と訂正する。 （９） 明ｍｓの第７頁ＩＯ行目乃至１１１行目「活
性層を形成し、・・−拡散温度を変更す」とあるを、「
活性層を形成すると共に、各不純物セルの温度を制御す
」と訂正する。 Ｏｌ 明細書の第７頁１６行目に「拡散照射する」と
あるを、「ドープする」と訂正する。 （１１）明細書の第７頁１８行目に「約２０時間昇温し
、」とあるを、「約２０分間昇温し、」と訂正する。 （１２）明ｍ書の第８頁１行目乃至２行目、９行目、１
８８行目夫々「拡散」とあるを「ドープ」と訂正する。 （１３）明ｍ書の第８頁２行目に「（２５時間程度）」
とあるを、「（２５分間程度）」と訂正する。 （１４）明１［？Ｆの第８頁７行目に「拡散温度」とあ
るを、「セル温度」と訂正する。 （１５）明Ｉ［Ｉ書の第８頁１３行目に「（５時間）」
とあるを、「（５分間）」と訂正する。 （１６）明細書の第８頁１９行目に「（約２０時間）」
とあるを、「（約２０分間）°」と訂正する。 （１７）明細書の第９頁２行目乃至３行目に「拡散され
」とあるを「ドープされ」と訂正する。 （１８）明ｍ書の第９頁４行目に「２０時間程度」とあ
るを「２０分間程度」と訂正する。 ６−３「図面の簡単な説明」の欄 明細書の第９頁２０行目に「拡散温度」とあるを「セル
温度」と訂正する。 ６−４図 面 第２図を別紙のとおり訂正する。 ７、添付書類の目録 （１１補正後の特許請求の範囲の 全文を記載した書面 １通 （２）訂正図面 １通補正後の特
許請求の範囲の全文を記載した書面２、特許請求の範囲 １、分子線を用いて基板上に結晶をエピタキシャル成長
させるＭＢ２法により、クラッド層間に活性層が挾まれ
た構造の半導体レーザを製造するに際し、活性層近傍に
おいてキャリア密度が小なるように不純物をクラッド層
中に１二１１ゑことを特徴とする半導体レーザ製造方法
。 ２、 ｉｉｉ記基板基板型のＧａＡｓであり、また不
純物はＮ型のＳｎである特許請求の範囲第１項記載の半
導体レーザ製造方法。 へ 囁２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子線を用いて基板上に結晶をエピタキシャル成長
させるＭＢＥ法により、クラッド層間に活性層が挟まれ
た構造の半導体レーザを製造するに際し、活性層近傍に
おいてキャリア密度が小なるように不純物をクラッド層
中に拡散させることを特徴とする半導体レーザ製造方法
。 ２、前記基板はＮ形のＧａＡｓであり、また不純物はＮ
形のＳｎである特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59254701A JPH088390B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59254701A JPH088390B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131582A true JPS61131582A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH088390B2 JPH088390B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17268653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59254701A Expired - Lifetime JPH088390B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088390B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814534A (en) * | 1994-08-05 | 1998-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of doping with beryllium and method of fabricating semiconductor optical element doped with beryllium |
| JP2002134787A (ja) * | 1996-04-26 | 2002-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| US7624660B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-12-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Automatic transmission |
| JP2010050467A (ja) * | 2009-10-01 | 2010-03-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体薄膜素子の製造方法 |
| USRE42074E1 (en) | 1996-04-26 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5586182A (en) * | 1978-12-23 | 1980-06-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS56107588A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting element |
| JPS58118178A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP59254701A patent/JPH088390B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2010050467A (ja) * | 2009-10-01 | 2010-03-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体薄膜素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088390B2 (ja) | 1996-01-29 |
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