JPS61134094A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61134094A JPS61134094A JP25666484A JP25666484A JPS61134094A JP S61134094 A JPS61134094 A JP S61134094A JP 25666484 A JP25666484 A JP 25666484A JP 25666484 A JP25666484 A JP 25666484A JP S61134094 A JPS61134094 A JP S61134094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- multilayer film
- active layer
- tio2
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の分野）
本発明は半導体レーザに関し、特に大出力半導体レーザ
Ｖｃ関するものである。
Ｖｃ関するものである。
（従来の技術）
ＡＪＧａＡｓ／ＧａＡｓ 等の結晶材料を用いた可視
光半導体レーザは、小型で低消費電力で高効率の室温連
続発掘を行をう事ができるので、光方式のディジタル・
オーディオ・ディスク（ＤＡＤ）用光源として最適であ
り、実用化されつつある。この可視光半導体レーザは、
光プリンタ等の光書きこみ用光源としての需要も高まり
、この要求をみ九丁念め大光出力発掘に耐えりる可視光
半導体レーザの研究開発が迫められている。
光半導体レーザは、小型で低消費電力で高効率の室温連
続発掘を行をう事ができるので、光方式のディジタル・
オーディオ・ディスク（ＤＡＤ）用光源として最適であ
り、実用化されつつある。この可視光半導体レーザは、
光プリンタ等の光書きこみ用光源としての需要も高まり
、この要求をみ九丁念め大光出力発掘に耐えりる可視光
半導体レーザの研究開発が迫められている。
現在、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 系半導体レーザの高出
方化を制限している最大の原因は、高出方時に反射端面
が、光学損傷を受けることにある。この光学損傷レベル
は、１ＭＷ／ｃｍ２程度であり、発振領域の大きさが２
μｍＸＱ、５μｍの通常のストライプレーザであれば、
ＣＷ臨界光出力は１０ｍＷという小さな値になる。
方化を制限している最大の原因は、高出方時に反射端面
が、光学損傷を受けることにある。この光学損傷レベル
は、１ＭＷ／ｃｍ２程度であり、発振領域の大きさが２
μｍＸＱ、５μｍの通常のストライプレーザであれば、
ＣＷ臨界光出力は１０ｍＷという小さな値になる。
この光学損傷を克服して高出力動作を行なう几めに、中
発光スポットサイズを大きくする。 （ｌｉ）反射端面
を発振光に対して透明としたウィンドウ構造とする等の
工夫が行なわれてきた。前者の発光スポットサイズの増
□大を図るｆＣ，うには、垂直方向の有効スポットサイ
ズが、活性層厚α、活性層の光閉じ込め係数ｒとした時
、α／γで与えられることから活性層を薄膜化すること
で試みられてきｔｏしかし、活性層の薄膜化を実施して
１００ｍＷ以上の高出力全得るｔめに鉱、活性層厚を０
．０５μｍ程度に制御しなければならず、現在結晶成長
法として広く利用されている液相法では、再現性の点で
多くの問題全残している。さらに、活性層を薄膜化し几
場合、活性層内への光の閉じ込め係数ｒが小さくなり、
発振に必要なしきい楓利得の増加し、発振しきい直キャ
リア密度の増加をも之ら丁。
発光スポットサイズを大きくする。 （ｌｉ）反射端面
を発振光に対して透明としたウィンドウ構造とする等の
工夫が行なわれてきた。前者の発光スポットサイズの増
□大を図るｆＣ，うには、垂直方向の有効スポットサイ
ズが、活性層厚α、活性層の光閉じ込め係数ｒとした時
、α／γで与えられることから活性層を薄膜化すること
で試みられてきｔｏしかし、活性層の薄膜化を実施して
１００ｍＷ以上の高出力全得るｔめに鉱、活性層厚を０
．０５μｍ程度に制御しなければならず、現在結晶成長
法として広く利用されている液相法では、再現性の点で
多くの問題全残している。さらに、活性層を薄膜化し几
場合、活性層内への光の閉じ込め係数ｒが小さくなり、
発振に必要なしきい楓利得の増加し、発振しきい直キャ
リア密度の増加をも之ら丁。
その結果、１子及びホールのへテロバリヤからのリーク
が発生し、温度特性の悪化等の間泗全もｔらしている。
が発生し、温度特性の悪化等の間泗全もｔらしている。
一方、後者のウィンドウ構造全採用した場合、原理的に
は光学損傷１ｃよる制限を除去することが可能であるが
、反射端面近傍に特殊な工夫を必要としｆｃ複雑な構造
となるため、生産性の点で問題を残している。
は光学損傷１ｃよる制限を除去することが可能であるが
、反射端面近傍に特殊な工夫を必要としｆｃ複雑な構造
となるため、生産性の点で問題を残している。
（発明の目的）
本発明の目的は、これらの欠点を除去し、安定な基本債
モード発振にＬる大光出発振が可能であり、等心円的な
光源となり、ＬＰＥＰＥ結晶波長技術較的容易に製作で
き、再現性及び信頼性の上ですぐれた半導体レーザ金提
供することにある。
モード発振にＬる大光出発振が可能であり、等心円的な
光源となり、ＬＰＥＰＥ結晶波長技術較的容易に製作で
き、再現性及び信頼性の上ですぐれた半導体レーザ金提
供することにある。
（発明の構成）
本発明半導体レーザの構成は、層厚が比較的厚い活性層
をこの活性層エリもバンドギャップの大きいｎ形及びｐ
形クラッド層で挾み込んだダブルヘテロ構造金、前記活
性層厚と同程度の幅を有するメサ状にエツチングして前
記クラッド層と同じバンドギャップ金有する半導体層で
埋め込んだ埋込構造と；この埋込構造の両端をへき開し
た両端面に屈折率の異なる２種の誘電体層を媒質波長の
数倍程度の厚さで交互に積層し、基本横モードに対する
反射率を高くした誘電体多層膜とを有することを特徴と
する。
をこの活性層エリもバンドギャップの大きいｎ形及びｐ
形クラッド層で挾み込んだダブルヘテロ構造金、前記活
性層厚と同程度の幅を有するメサ状にエツチングして前
記クラッド層と同じバンドギャップ金有する半導体層で
埋め込んだ埋込構造と；この埋込構造の両端をへき開し
た両端面に屈折率の異なる２種の誘電体層を媒質波長の
数倍程度の厚さで交互に積層し、基本横モードに対する
反射率を高くした誘電体多層膜とを有することを特徴と
する。
（実施例）
以下図面音用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
側面図、第３図は第１図の断面図である。
側面図、第３図は第１図の断面図である。
この実施例の製造方法Ｈ，（１００）面を平面とするｎ
型ＧａＡｓ基板１上に液相成長法を用いて、ｎ形ＡＪ
Ｇａ Ｏ，３６０，６４Ａｓ クラッド層３ ｔ−１，０μｍ
。
型ＧａＡｓ基板１上に液相成長法を用いて、ｎ形ＡＪ
Ｇａ Ｏ，３６０，６４Ａｓ クラッド層３ ｔ−１，０μｍ
。
ｐ形ＡｌＯ，１５Ｇａ Ｏ，８５Ａｓ活性層４ ｔ’
１．５７μｍ。
１．５７μｍ。
２形”０．３６ ＧａＯ，６４Ａｓクラッド層５ ｔ−
１，０層ｍ。
１，０層ｍ。
ｐ形ＧａＡｓキャップ層６を０．５μｍ 順に成長を行
なう。この成長層の上に８ｉ０２膜をつけ、フォトレジ
スト法にエリ、幅２μｍ程度の幅を残して８ｉ０２膜を
除去し、これをマスクとして活性層厚と同程度の幅でメ
サ状にエツチングする。さらに電流を狭窄する之め、ｎ
形Ａｌ □、３６ Ｇａ Ｏ，６４Ａｓ埋め込み層２で
埋め込み成長を行なう。次に、メサ上部をおおうように
亜鉛を拡散し、拡散フロントが、ｐ形クラッド層５にと
どくように拡散を行い、拡散領域１２ｔ−形成する。こ
の成長基板上に５ｉＯｚ膜を形成し友後、フォトレジス
ト法でメサの上部に一致するように５ｉＯｚ膜７に幅２
μｍ程度の窓をあける。その侵底長表面側に、ｐ形オー
ミックコンタクト８を、基板側にｎ形オーミックコンタ
クト９ｔ−それぞれ蒸着法にエフ形成する。
なう。この成長層の上に８ｉ０２膜をつけ、フォトレジ
スト法にエリ、幅２μｍ程度の幅を残して８ｉ０２膜を
除去し、これをマスクとして活性層厚と同程度の幅でメ
サ状にエツチングする。さらに電流を狭窄する之め、ｎ
形Ａｌ □、３６ Ｇａ Ｏ，６４Ａｓ埋め込み層２で
埋め込み成長を行なう。次に、メサ上部をおおうように
亜鉛を拡散し、拡散フロントが、ｐ形クラッド層５にと
どくように拡散を行い、拡散領域１２ｔ−形成する。こ
の成長基板上に５ｉＯｚ膜を形成し友後、フォトレジス
ト法でメサの上部に一致するように５ｉＯｚ膜７に幅２
μｍ程度の窓をあける。その侵底長表面側に、ｐ形オー
ミックコンタクト８を、基板側にｎ形オーミックコンタ
クト９ｔ−それぞれ蒸着法にエフ形成する。
さらに、共振器長３００μｍ程度のバーに切り出し、両
端面に、誘電体多層膜１０，１１ｖｉ″形成する。この
多層膜１ｏは、層厚６５８ｏ＾の５ｉＯｚと層厚３８０
０ＡのＴｉ０ｚ とを交互に３層ずつ積層し念もので
あり、第１層が５ｉｏｚｖ ｉ終の第６層がＴｉＯ２と
している。これら５ｉ０２とＴｉＯ２との屈折率く、そ
れぞれ１．５とｚ６であるから、この多層膜は波長０．
７９μｍ の光が垂直入射し九時、光の位相が各層で５
／２π変化する工すに設定されている。一方、多層膜１
１は、層厚５ｏλのアモルファスＳｉと、層厚６ｏ＾の
Ｔｉ０ｚ ２交互に４層ずつ積層しｔものであｆ）、
第１層がアモルファスシリコン（Ｓｉ）、最終の第８層
がＴｉ０ｚとなっている。アモルファス Ｓｔの屈Ｆｌ
ｆ１３．５であるので、この多層膜に、波長０．７７μ
ｍの光が入射角１６ で入射した時、光の位相が各層で
π４変化するように設定されている。これら誘を木多層
膜１０，１１をスパッタ法、又は電子ビーム蒸着法ＶＣ
２ヶ、両端面に形成して本実施例の半導体レーザを得る
ことができる。
端面に、誘電体多層膜１０，１１ｖｉ″形成する。この
多層膜１ｏは、層厚６５８ｏ＾の５ｉＯｚと層厚３８０
０ＡのＴｉ０ｚ とを交互に３層ずつ積層し念もので
あり、第１層が５ｉｏｚｖ ｉ終の第６層がＴｉＯ２と
している。これら５ｉ０２とＴｉＯ２との屈折率く、そ
れぞれ１．５とｚ６であるから、この多層膜は波長０．
７９μｍ の光が垂直入射し九時、光の位相が各層で５
／２π変化する工すに設定されている。一方、多層膜１
１は、層厚５ｏλのアモルファスＳｉと、層厚６ｏ＾の
Ｔｉ０ｚ ２交互に４層ずつ積層しｔものであｆ）、
第１層がアモルファスシリコン（Ｓｉ）、最終の第８層
がＴｉ０ｚとなっている。アモルファス Ｓｔの屈Ｆｌ
ｆ１３．５であるので、この多層膜に、波長０．７７μ
ｍの光が入射角１６ で入射した時、光の位相が各層で
π４変化するように設定されている。これら誘を木多層
膜１０，１１をスパッタ法、又は電子ビーム蒸着法ＶＣ
２ヶ、両端面に形成して本実施例の半導体レーザを得る
ことができる。
（発明の作用、効果〕
本発明の構造に２いて、ストライプ領域から注入されｆ
ｃ［ｆｉＵ、ｐ形クラッド層５を経てｐ形活性層４に注
入される。この時ｐ形クラッド層５から、ｎ形埋め込み
層２へのリーク電流が考えられるが１′ゞンドギヤノプ
の広いＡＡ’ ｏ、３６ Ｇ ａ ｏ、ｓ ４Ａｓのホ
モ接合であるため、拡散電位が大きく、このリーク電Ｒ
は十分小さいと考えられる。従って効率的に活性層４に
キャリアが注入され、この注入キャリアが発振しきい値
キャリア密度に達するとレーザ発振を開始する。この時
活性層厚が１．５７μｍと比較的厚い几め、高次モード
がカットオフにならず、基本モードとともに、高次モー
ドも発振の可能性があることになる。本実施例の構造で
は、活性層４の屈折率が３．４８６．ｐ形及びｎ形クラ
ッド層３，５の屈折率が３．３４６であるので、活性層
厚が１．５７μｍの時は、３次モードまで許容される。
ｃ［ｆｉＵ、ｐ形クラッド層５を経てｐ形活性層４に注
入される。この時ｐ形クラッド層５から、ｎ形埋め込み
層２へのリーク電流が考えられるが１′ゞンドギヤノプ
の広いＡＡ’ ｏ、３６ Ｇ ａ ｏ、ｓ ４Ａｓのホ
モ接合であるため、拡散電位が大きく、このリーク電Ｒ
は十分小さいと考えられる。従って効率的に活性層４に
キャリアが注入され、この注入キャリアが発振しきい値
キャリア密度に達するとレーザ発振を開始する。この時
活性層厚が１．５７μｍと比較的厚い几め、高次モード
がカットオフにならず、基本モードとともに、高次モー
ドも発振の可能性があることになる。本実施例の構造で
は、活性層４の屈折率が３．４８６．ｐ形及びｎ形クラ
ッド層３，５の屈折率が３．３４６であるので、活性層
厚が１．５７μｍの時は、３次モードまで許容される。
光線理論の立場では、活性層内を伝播する各導波モード
は、角度の異なっ之ジグザグに進む光線と考えられる。
は、角度の異なっ之ジグザグに進む光線と考えられる。
従って、反射端面に光が入射する際、その入射角度が各
モードに工って異なることになる０本実施例のように、
反射端面に誘電体多層膜を採用すると、反射率が入射角
度に二って異なる定め、各導波モードの間で反射率に差
をも九せて基本モードを優先的に発振させることが可能
となる。実施例の構造では、反射端面への入射角度が基
本モード、１次モード、２次モード、３次モードに対し
てそれぞれ約４°、８’、１２’、１６＠となる。
モードに工って異なることになる０本実施例のように、
反射端面に誘電体多層膜を採用すると、反射率が入射角
度に二って異なる定め、各導波モードの間で反射率に差
をも九せて基本モードを優先的に発振させることが可能
となる。実施例の構造では、反射端面への入射角度が基
本モード、１次モード、２次モード、３次モードに対し
てそれぞれ約４°、８’、１２’、１６＠となる。
誘電体多層膜１０は、波長０．７７μｍの光が入射角４
° で入射しｔ時、各層内で光がＺ５７×π位相変化す
るＬうに設定されているので、活性層４での発振光０．
７７μｍの光に対して、０次モード、１次モード、２次
モード、３次モードの各反射率はそれぞれ８７．７チ、
４．５チ、２６．５チ、９＆２％となる。一方、誘電体
多層膜１１は、波長０．７７μｍの光が３次モードの入
射角１６°で入射しｔ時、各層でπ４位相が変化するよ
うに設定されているので、各モードの反射率は基本モー
ドから原に３７３％。
° で入射しｔ時、各層内で光がＺ５７×π位相変化す
るＬうに設定されているので、活性層４での発振光０．
７７μｍの光に対して、０次モード、１次モード、２次
モード、３次モードの各反射率はそれぞれ８７．７チ、
４．５チ、２６．５チ、９＆２％となる。一方、誘電体
多層膜１１は、波長０．７７μｍの光が３次モードの入
射角１６°で入射しｔ時、各層でπ４位相が変化するよ
うに設定されているので、各モードの反射率は基本モー
ドから原に３７３％。
３４．１％、２５．４チ、０．６％となる。すなわち、
この多層膜１１は３次モードの発振光に対して、から順
Ｔ／Ｃ５７，２Ｌ Ｉ Ｚ４チ、２５．９％、７．８％
となり、基本モードが優先的にかつ安定して発振するこ
とができる。
この多層膜１１は３次モードの発振光に対して、から順
Ｔ／Ｃ５７，２Ｌ Ｉ Ｚ４チ、２５．９％、７．８％
となり、基本モードが優先的にかつ安定して発振するこ
とができる。
この際、０．７７μｍの利得のピーク波長の近傍に反射
率の高いモードが存在すると、多少利得が低くても他の
波長の高次モードで発振する危険性がある。しかし、本
実施例の構造では、利得のピーク波長近傍のα７６〜０
．７８μｍの波長ａ囲では３次モードまで含めて、０．
７７μｍの基本モード反射率Ｌｖ高い導波モードは存在
しないので、波長０．７７μｍの安定し念基本棲モード
発振が得られる。
率の高いモードが存在すると、多少利得が低くても他の
波長の高次モードで発振する危険性がある。しかし、本
実施例の構造では、利得のピーク波長近傍のα７６〜０
．７８μｍの波長ａ囲では３次モードまで含めて、０．
７７μｍの基本モード反射率Ｌｖ高い導波モードは存在
しないので、波長０．７７μｍの安定し念基本棲モード
発振が得られる。
さらに水平方向の棲モードに関しても、水平垂直方向の
高次モードが端面の多層膜で制御されｔのと全く同様の
原理で水平方向においても安定な基本横モード発振が得
られる。
高次モードが端面の多層膜で制御されｔのと全く同様の
原理で水平方向においても安定な基本横モード発振が得
られる。
本実施例の構造では、水平垂直方向のスポットサイズが
ともに１．５７μｍと大きいために、発光面積が大きく
なり、高出力動作を得ることが可能となる。
ともに１．５７μｍと大きいために、発光面積が大きく
なり、高出力動作を得ることが可能となる。
まｔ１本発明の構造では、水平、垂直方向のスポットサ
イズがともに同じである友め、ビーム広がり角が水平垂
直ともに全く同一になり、等心円的な光ビームを得るこ
とができる。これに光ディスク等の応用に際して外部の
光学系とのカップリング効率を著しく上昇させることが
できる。
イズがともに同じである友め、ビーム広がり角が水平垂
直ともに全く同一になり、等心円的な光ビームを得るこ
とができる。これに光ディスク等の応用に際して外部の
光学系とのカップリング効率を著しく上昇させることが
できる。
また、本発明のように活性層を厚くすると、しきい値電
流が大幅に上昇すると考えられるが、本実施例の場合に
は、活性層への光閉じ込め係数γが約ＬＯである九め、
共振器長ｔ−３００μｍとした場合、発振しきい値電流
が約４０ｍＡと予想され、実用上問題ないと考えられる
。さらに、本発明の工すに光閉じ込め係数γが大きい場
合には、発振に必要なしきい値利得の低下をもｔらす。
流が大幅に上昇すると考えられるが、本実施例の場合に
は、活性層への光閉じ込め係数γが約ＬＯである九め、
共振器長ｔ−３００μｍとした場合、発振しきい値電流
が約４０ｍＡと予想され、実用上問題ないと考えられる
。さらに、本発明の工すに光閉じ込め係数γが大きい場
合には、発振に必要なしきい値利得の低下をもｔらす。
活性層厚が０．０５μｍ程度では係数ｒが約０．１とな
るため、本発明の構造では通常の薄膜活性層レーザと比
べて、しきい値利得ｆｒ：ＩＯ分の１に低減させること
ができる。この結果、活性層への注入キャリア濃度が減
少し、ペテロ障壁を越えて流れるリーク電流の低下をも
たらし、素子効率の向上、温度特性の改善を図ることが
出来る。さらに、生産性の面でも、比較的厚い活性層を
形成丁れば工く、従来の液相成長技術で十分に再現性、
信頼性のすぐれｔレーザ素子を製作することが可能とな
る。
るため、本発明の構造では通常の薄膜活性層レーザと比
べて、しきい値利得ｆｒ：ＩＯ分の１に低減させること
ができる。この結果、活性層への注入キャリア濃度が減
少し、ペテロ障壁を越えて流れるリーク電流の低下をも
たらし、素子効率の向上、温度特性の改善を図ることが
出来る。さらに、生産性の面でも、比較的厚い活性層を
形成丁れば工く、従来の液相成長技術で十分に再現性、
信頼性のすぐれｔレーザ素子を製作することが可能とな
る。
（本発明の効果）
以上説明し危機に、本発明の構造は、従来のＬうに活性
層を薄膜化することなく、大出力レーザ発振を得ること
が出来、かつ、誘電体多層膜の反射率の入射角度依存性
を用いて、水平、装置ともに、安定し九基本横モード発
振金得ることが出来る。さらに、水平、垂直方向のスポ
ットサイズも全く同一であることから、等心円的な光ビ
ーム金得ることができ、また温度特性にもすぐれｔレー
ザ素子を作ることができる。さらに、生産性の面でも、
従来の液相成長技術金剛いて、再現性、信頼性のすぐれ
たレーザ素子を得ることが可能である。
層を薄膜化することなく、大出力レーザ発振を得ること
が出来、かつ、誘電体多層膜の反射率の入射角度依存性
を用いて、水平、装置ともに、安定し九基本横モード発
振金得ることが出来る。さらに、水平、垂直方向のスポ
ットサイズも全く同一であることから、等心円的な光ビ
ーム金得ることができ、また温度特性にもすぐれｔレー
ザ素子を作ることができる。さらに、生産性の面でも、
従来の液相成長技術金剛いて、再現性、信頼性のすぐれ
たレーザ素子を得ることが可能である。
なお、本実施例は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ダブル
ヘテロ接合結晶材料について説明しｔが、他の結晶材料
、例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＰ／Ａ
ＪＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎｋ、ＡＪＧａＡｓＳｂ
／ＧａＡｓＳｂ等数多くの結晶材例に適用する事ができ
る。又、誘電体についても、実施例でｆｌｓｒＯｚ、Ｔ
ｉ０ｚ。
ヘテロ接合結晶材料について説明しｔが、他の結晶材料
、例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＰ／Ａ
ＪＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎｋ、ＡＪＧａＡｓＳｂ
／ＧａＡｓＳｂ等数多くの結晶材例に適用する事ができ
る。又、誘電体についても、実施例でｆｌｓｒＯｚ、Ｔ
ｉ０ｚ。
ａ−８ｉｔ−用いているが、発根波長に応じて他の数多
くの材料全適用することが可能である。
くの材料全適用することが可能である。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
側面図、ｗ、３図は第１図の断面図である。 図において、 １・・・・・・ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ形”０．３６−Ｇａｏ、６４ＡＳ埋め込み層、３−
・−−−−ｎ形” ０．３６ＧａＯ，６４Ａｓクラッド
層、４ 、、、、、− Ｐ形ＡＡ’ｏ、１５Ｇａｏ、５
ｓＡ３活性層、５−−−−−ｐ形Ａ ｌｏ、ａ ｓ Ｇ
ａ ｏ、６４ Ａ Ｓ クラッド層、６・・・・・
・ｐ形Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、７・・・・・・Ｓｉ
ＯｚＭｌ、８−＝・ｐ 形オーミックコンタクト、９・
・・・・・ｎ形オーミックコンタクト、１０・・・・・
・誘電体多層膜（Ｓｉ０２／’Ｉ’１０ｚ）、１１・・
・・・・誘電体多層膜（アモルファス８１／Ｔ ｔ Ｏ
２）％ １２・・・・・・亜鉛拡散領域、である。
側面図、ｗ、３図は第１図の断面図である。 図において、 １・・・・・・ｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ形”０．３６−Ｇａｏ、６４ＡＳ埋め込み層、３−
・−−−−ｎ形” ０．３６ＧａＯ，６４Ａｓクラッド
層、４ 、、、、、− Ｐ形ＡＡ’ｏ、１５Ｇａｏ、５
ｓＡ３活性層、５−−−−−ｐ形Ａ ｌｏ、ａ ｓ Ｇ
ａ ｏ、６４ Ａ Ｓ クラッド層、６・・・・・
・ｐ形Ｇ ａ Ａ ｓキヤツプ層、７・・・・・・Ｓｉ
ＯｚＭｌ、８−＝・ｐ 形オーミックコンタクト、９・
・・・・・ｎ形オーミックコンタクト、１０・・・・・
・誘電体多層膜（Ｓｉ０２／’Ｉ’１０ｚ）、１１・・
・・・・誘電体多層膜（アモルファス８１／Ｔ ｔ Ｏ
２）％ １２・・・・・・亜鉛拡散領域、である。
Claims (1)
- 層厚が比較的厚い活性層をこの活性層よりもバンドギャ
ップの大きいｎ形及びｐ形クラッド層で挾み込んだダブ
ルヘテロ構造を、前記活性層厚と同程度の幅を有するメ
サ状にエッチングして前記クラッド層と同じバンドギャ
ップを有する半導体層で埋め込んだ埋込構造と、この埋
込構造の両端をへき開した両端面に屈折率の異なる二種
の誘電体層を交互に積層し、基本横モードに対する反射
率を高くした誘電体多層膜とを有することを特徴とする
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25666484A JPS61134094A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25666484A JPS61134094A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134094A true JPS61134094A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17295751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25666484A Pending JPS61134094A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134094A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01318270A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH0246789A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-02-16 | Philips Gloeilampenfab:Nv | ＤＦＢ／ＤＢＲレーザーダイオードのφコーティング |
| WO1998033249A1 (en) * | 1997-01-27 | 1998-07-30 | International Business Machines Corporation | Laser device |
| EP0949731A3 (en) * | 1998-04-06 | 2000-01-26 | Matsushita Electronics Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| JP2009111229A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25666484A patent/JPS61134094A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01318270A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH0246789A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-02-16 | Philips Gloeilampenfab:Nv | ＤＦＢ／ＤＢＲレーザーダイオードのφコーティング |
| WO1998033249A1 (en) * | 1997-01-27 | 1998-07-30 | International Business Machines Corporation | Laser device |
| EP0949731A3 (en) * | 1998-04-06 | 2000-01-26 | Matsushita Electronics Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| JP2009111229A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
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