JPS61141192A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS61141192A JPS61141192A JP26302284A JP26302284A JPS61141192A JP S61141192 A JPS61141192 A JP S61141192A JP 26302284 A JP26302284 A JP 26302284A JP 26302284 A JP26302284 A JP 26302284A JP S61141192 A JPS61141192 A JP S61141192A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置に関し、特にそのモード
制御に関するものである。
制御に関するものである。
従来の半導体レーザ装置として第３図に示す２連集積形
の断面構造のものがあった。図において、１は活性領域
（発光領域）、２はｎ−Ａｎ！ＧａＡｓの上クラッド層
、３はｐ−Ａｊ！ＧａＡｓの活性層、４はｐ−ＡＪＧａ
Ａｌの下クラフト層、５はｎ −ＧａＡｓのブロック層
、６はｐ−ＧａＡｓの基板、７はブロック層５をエツチ
ングすることによって形成されたストライプである。
の断面構造のものがあった。図において、１は活性領域
（発光領域）、２はｎ−Ａｎ！ＧａＡｓの上クラッド層
、３はｐ−Ａｊ！ＧａＡｓの活性層、４はｐ−ＡＪＧａ
Ａｌの下クラフト層、５はｎ −ＧａＡｓのブロック層
、６はｐ−ＧａＡｓの基板、７はブロック層５をエツチ
ングすることによって形成されたストライプである。
次に動作について説明する。レーザチップに電圧を印加
すると、電流はブロック層５で阻止され、従ってストラ
イプ部７だけを集中して流れる。そのため、この部分の
活性層３だけが活性領域１となり、該活性領域１で生じ
た光は、上クラッド層２と下クラッド層４とによって上
下方向に閉じ込められ発振する。
すると、電流はブロック層５で阻止され、従ってストラ
イプ部７だけを集中して流れる。そのため、この部分の
活性層３だけが活性領域１となり、該活性領域１で生じ
た光は、上クラッド層２と下クラッド層４とによって上
下方向に閉じ込められ発振する。
しかるに、このような半導体レーザ装置では、ブロック
層５を構成しているＧａＡｓは光を吸収しやすいため、
第４図に示すようにブロック層５のストライプ７間部で
電界強度が０となる奇数次モード１０が立ちやすかった
。その結果、この場合の遠視野像は双峰形となり、ファ
イバーとの結合がしにくい等の問題点があった。
層５を構成しているＧａＡｓは光を吸収しやすいため、
第４図に示すようにブロック層５のストライプ７間部で
電界強度が０となる奇数次モード１０が立ちやすかった
。その結果、この場合の遠視野像は双峰形となり、ファ
イバーとの結合がしにくい等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、横モードを０次にして遠視野・像を単峰形に
できる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
たもので、横モードを０次にして遠視野・像を単峰形に
できる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、その活性層下方の
層が、光吸収率に分布を持つようその厚みに分布を有す
るものである。
層が、光吸収率に分布を持つようその厚みに分布を有す
るものである。
この発明においては、複数の発光領域からの光を、光吸
収率に分布を有する眉で吸収し、各ストライプ間の利得
損失を調整し、横モードを０次モードにする。
収率に分布を有する眉で吸収し、各ストライプ間の利得
損失を調整し、横モードを０次モードにする。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による２連集積形の半導体レ
ーザ装置を示す。第１図において、第３図と同一符号は
同−又は相当部分を示し、８はストライプ７間の損失を
下げるために該ストライプ間のブロック層５ａの中央部
分上側をエツチングした溝であり、本実施例におけるブ
ロック層（光吸収層）５はその厚みに分布を有している
。
ーザ装置を示す。第１図において、第３図と同一符号は
同−又は相当部分を示し、８はストライプ７間の損失を
下げるために該ストライプ間のブロック層５ａの中央部
分上側をエツチングした溝であり、本実施例におけるブ
ロック層（光吸収層）５はその厚みに分布を有している
。
次に作用効果について説明する。活性領域１で発振する
過程は従来の場合と同じである。しかし、本実施例では
ストライプ７間のブロック層５ａをエツチングして該ブ
ロック層５ａに溝を設けているので、この部分での損失
を充分低くでき、ストライプ７間の利得損失の点では、
０次と１次のモードは同程度に立ち易くすることができ
る。さらに２連ストライプ７の外側では、依然、活性層
３とブロック層５との距離が近く、光が吸収され損失が
大きい、そのため、この部分で電界強度の大きい１次モ
ードは全体としての損失が大きく立ちにくくなる。その
結果、本実施例装置では、第４図に点線で示す０次モー
ド９だけを立たせることができ、遠視野像が単峰形で、
ファイバーとの結合性の良い、良質なレーザ光が得られ
る。 □また、上記実施例では電流狭窄機
構が活性層の下にある場合を示したが、電流狭窄機構が
活性層の上にある場合を第２図に示す。図において、第
１図と同一符号は同−又は相当部分を示し、１５はｎ−
ＧａＡｓの基板、１３は活性層３の下に設けられたｎ−
ＡβＧａＡｓ０下クラッド層、１４は該下クラッド層１
３の下に設けられたｎ −ＧａＡｓの吸収層であり、こ
れは２連ストライプ７間において溝１８を有している。
過程は従来の場合と同じである。しかし、本実施例では
ストライプ７間のブロック層５ａをエツチングして該ブ
ロック層５ａに溝を設けているので、この部分での損失
を充分低くでき、ストライプ７間の利得損失の点では、
０次と１次のモードは同程度に立ち易くすることができ
る。さらに２連ストライプ７の外側では、依然、活性層
３とブロック層５との距離が近く、光が吸収され損失が
大きい、そのため、この部分で電界強度の大きい１次モ
ードは全体としての損失が大きく立ちにくくなる。その
結果、本実施例装置では、第４図に点線で示す０次モー
ド９だけを立たせることができ、遠視野像が単峰形で、
ファイバーとの結合性の良い、良質なレーザ光が得られ
る。 □また、上記実施例では電流狭窄機
構が活性層の下にある場合を示したが、電流狭窄機構が
活性層の上にある場合を第２図に示す。図において、第
１図と同一符号は同−又は相当部分を示し、１５はｎ−
ＧａＡｓの基板、１３は活性層３の下に設けられたｎ−
ＡβＧａＡｓ０下クラッド層、１４は該下クラッド層１
３の下に設けられたｎ −ＧａＡｓの吸収層であり、こ
れは２連ストライプ７間において溝１８を有している。
１２は活性層３の上に設けられたｐ−ＡｌＧａＡｓの上
クラフト層、１１はブロック層５の上に設けられたｐ−
ＡｌＧａＡｓの埋込み層である。
クラフト層、１１はブロック層５の上に設けられたｐ−
ＡｌＧａＡｓの埋込み層である。
この装置では、光吸収層１４の厚みに分布を設けて光吸
収率を調整しているので、１次モードをカットオフでき
、上記実施例と同様の効果を奏する。
収率を調整しているので、１次モードをカットオフでき
、上記実施例と同様の効果を奏する。
なお上記２つの実施例では、２連集積形半導体レーザ装
置の場合について説明したが、３連以上の場合にも本発
明を同様に適用でき、上記実施例と同じ効果が期待でき
る。
置の場合について説明したが、３連以上の場合にも本発
明を同様に適用でき、上記実施例と同じ効果が期待でき
る。
さらに、本発明は上記実施例のように、ＧａＡｓ系の半
導体レーザだけでな（、ＧａＡｓ０代わりにＩ ｎＧａ
ＡｓＰ 、 Ａ Ｉ ＧａＡｓの代わりにＩｎＰを用
いるＩｎＰ系半導体レーザにも同様に適用できる。
導体レーザだけでな（、ＧａＡｓ０代わりにＩ ｎＧａ
ＡｓＰ 、 Ａ Ｉ ＧａＡｓの代わりにＩｎＰを用
いるＩｎＰ系半導体レーザにも同様に適用できる。
以上のように、この発明によれば、活性層下方の光吸収
層の厚みに分布を持たせ、その光吸収率に分布を有する
ようにしたので、０次のモードだけを立ち易くすること
ができ、ファイバーとの結合性の良い良質のレーザ光を
出力する半導体レーザ装置を得ることができる効果があ
る。
層の厚みに分布を持たせ、その光吸収率に分布を有する
ようにしたので、０次のモードだけを立ち易くすること
ができ、ファイバーとの結合性の良い良質のレーザ光を
出力する半導体レーザ装置を得ることができる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す半導
体レーザ装置の断面図、第３図は従来の半導体レーザ装
置を示す断面図、第４図は２連半導体レーザ装置の０次
モードと１次モードを示す図である。 図において、１は活性領域（発光領域）、３はｐ−Ａｊ
！ＧａＡｓ活性層（ｐｎ接合面）、５はｎ −ＧａＡｓ
のブロックＮ（光吸収層）、８はブロック層の “エツ
チング溝、１０は１次モード、１４はｎ −ＧａＡｓの
吸収層、１８は吸収層の溝である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 等々力 達 −、ｕｌ
示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す半導
体レーザ装置の断面図、第３図は従来の半導体レーザ装
置を示す断面図、第４図は２連半導体レーザ装置の０次
モードと１次モードを示す図である。 図において、１は活性領域（発光領域）、３はｐ−Ａｊ
！ＧａＡｓ活性層（ｐｎ接合面）、５はｎ −ＧａＡｓ
のブロックＮ（光吸収層）、８はブロック層の “エツ
チング溝、１０は１次モード、１４はｎ −ＧａＡｓの
吸収層、１８は吸収層の溝である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 等々力 達 −、ｕｌ
Claims (2)
- （１）多連集積形半導体レーザ装置において、複数の発
光領域を有するｐｎ接合面下方の光吸収層は、上記ｐｎ
接合面の方向においてその光吸収率に分布を持つようそ
の厚みに分布を有するものであることを特徴とする半導
体レーザ装置。 - （２）半導体レーザ装置は２連集積形のものであり、上
記光吸収層は１次モードをカットオフするようその厚み
に分布を有するものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26302284A JPS61141192A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26302284A JPS61141192A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141192A true JPS61141192A (ja) | 1986-06-28 |
| JPH026239B2 JPH026239B2 (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=17383791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26302284A Granted JPS61141192A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141192A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561086A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Xerox Corp | Monolithic laser device |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP26302284A patent/JPS61141192A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561086A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Xerox Corp | Monolithic laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH026239B2 (ja) | 1990-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |