JPS6114193A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPS6114193A JPS6114193A JP13333484A JP13333484A JPS6114193A JP S6114193 A JPS6114193 A JP S6114193A JP 13333484 A JP13333484 A JP 13333484A JP 13333484 A JP13333484 A JP 13333484A JP S6114193 A JPS6114193 A JP S6114193A
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- oxide
- single crystal
- sealant
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
不発明線、化合物半導体単結晶を磁場印加液体封止チヨ
コラルスキー法によって製造する方法に係り、特に高品
質の単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造方法に
関する。
コラルスキー法によって製造する方法に係り、特に高品
質の単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造方法に
関する。
ＧａＰ、ＧａＡｓ 、ＩｎＰ等の化合物半導体単結晶は
オ −フトエレクトロニクスやマイクロエレクトロニク
ス用の重要な材料であり、これらの半導体単結晶の工業
的製造方法として社液体封止チヨコラルスキー法（以下
ＬＥＯ法と略省する）が知られている。
オ −フトエレクトロニクスやマイクロエレクトロニク
ス用の重要な材料であり、これらの半導体単結晶の工業
的製造方法として社液体封止チヨコラルスキー法（以下
ＬＥＯ法と略省する）が知られている。
このＬＥＯ法を用いて高品質な単結晶を製造する方法の
一つとし、て磁場をかけながらＬＥＯ法によって単結晶
を製造する方法（磁場印加液体封止チヨコラルスキー法
二以下ＭＬＢＯ法と略省する説明する。このＭＬＥＯ法
は基本的にはＬＢＯ法に磁場印加装置を付設したもので
ある。高圧チャンバ■内のルツボささえ軸■に例えば石
英らるいは熱分解窒化ポロン（以下ＰＢＮと略省する）
からなるルツボ■を装着し、その中に結晶作成用原料、
ＧａＡｓ単結晶製造の場合はＧａとＡｓを充填し、そこ
にさらに液体封止′剤、例えば酸化ボロン（Ｂ。
一つとし、て磁場をかけながらＬＥＯ法によって単結晶
を製造する方法（磁場印加液体封止チヨコラルスキー法
二以下ＭＬＢＯ法と略省する説明する。このＭＬＥＯ法
は基本的にはＬＢＯ法に磁場印加装置を付設したもので
ある。高圧チャンバ■内のルツボささえ軸■に例えば石
英らるいは熱分解窒化ポロン（以下ＰＢＮと略省する）
からなるルツボ■を装着し、その中に結晶作成用原料、
ＧａＡｓ単結晶製造の場合はＧａとＡｓを充填し、そこ
にさらに液体封止′剤、例えば酸化ボロン（Ｂ。
０３）を充填する。このルツボを同軸円筒状に取り囲ん
だヒータ■で加熱してＧ ａ Ａ ｓ融液■とその表面
を封止剤が覆う二層を形成する。この時チャンバ内は不
活性ガス、例えばアルゴンガスで加圧されている。この
ようにして原料の分解、飛散を防ぎ、この状態で結晶引
上げ軸■の先端につけた種結晶■を封止剤を通過させて
、ＧａＡβ融液゛融液接面させて、回転させながら引上
げて単結晶■を作成する。これは通常のＬ’ＩＯ法によ
る結晶作成方法でちるが、ＭＬＥＯ法では、この高圧チ
ャンバの周囲に磁場発生装置［相］を設置して結晶作成
炉内のルツボ内結晶原料融液に磁場を印加できるように
したもので、この磁場発生装置によって磁場をかけなが
ら単結晶を作成する。
だヒータ■で加熱してＧ ａ Ａ ｓ融液■とその表面
を封止剤が覆う二層を形成する。この時チャンバ内は不
活性ガス、例えばアルゴンガスで加圧されている。この
ようにして原料の分解、飛散を防ぎ、この状態で結晶引
上げ軸■の先端につけた種結晶■を封止剤を通過させて
、ＧａＡβ融液゛融液接面させて、回転させながら引上
げて単結晶■を作成する。これは通常のＬ’ＩＯ法によ
る結晶作成方法でちるが、ＭＬＥＯ法では、この高圧チ
ャンバの周囲に磁場発生装置［相］を設置して結晶作成
炉内のルツボ内結晶原料融液に磁場を印加できるように
したもので、この磁場発生装置によって磁場をかけなが
ら単結晶を作成する。
Ｔ、 １１８０法で化合物半導体を作成する場合、外部
より加熱されている結晶原料融液や封止剤中には大きな
熱対流が生じ、このために結晶が成長する固液界面での
温度がふらつく。このような温度変動は結晶成長速度の
変動や結晶再熔融凝固につながり、結晶性が低下し、た
９、おるいは不純物濃度が不均一になったりする。゛ ＭＬＥＯ法は半導体融液が電荷をもち、熱対流に従って
この電荷が流れていることに注目し、で、外部から磁場
を加えることによって′電荷が流れていることに注目し
て、外部から磁場を加えることによって電荷に対流と逆
方向の力をかけ、この力と対流による流れとを相殺し合
うことによって融液対流を止め、この効果によって結晶
成長時の固液界面の温度のふらつきを止め高品質な単結
晶を作成する方法でおる。 。
より加熱されている結晶原料融液や封止剤中には大きな
熱対流が生じ、このために結晶が成長する固液界面での
温度がふらつく。このような温度変動は結晶成長速度の
変動や結晶再熔融凝固につながり、結晶性が低下し、た
９、おるいは不純物濃度が不均一になったりする。゛ ＭＬＥＯ法は半導体融液が電荷をもち、熱対流に従って
この電荷が流れていることに注目し、で、外部から磁場
を加えることによって′電荷が流れていることに注目し
て、外部から磁場を加えることによって電荷に対流と逆
方向の力をかけ、この力と対流による流れとを相殺し合
うことによって融液対流を止め、この効果によって結晶
成長時の固液界面の温度のふらつきを止め高品質な単結
晶を作成する方法でおる。 。
しかしながらこのＭＬＥＯ法においても封止剤としては
電気伝導度の小さなり、０３が使われるために、磁場を
かけた場合においても電気伝導度の □大きな原料
融液中の対流は止まるが、Ｂ、Ｏ，中の対流は止めるこ
とはできない。Ｂ２０．中に対流が存在することは半導
体融液とＢ、０３融液との界面に温度のふらつきを生じ
させ、そのために結晶が成長する固液界面での温度がふ
らつく。この温度変動は磁場をかけない場合と同様に結
晶の成長速度の変動や結晶再熔融凝固につながフ、結晶
性が低下したシ、あるいは不純物濃度が不均一になった
り、また結晶面内での転位が不均一になってしまう。
電気伝導度の小さなり、０３が使われるために、磁場を
かけた場合においても電気伝導度の □大きな原料
融液中の対流は止まるが、Ｂ、Ｏ，中の対流は止めるこ
とはできない。Ｂ２０．中に対流が存在することは半導
体融液とＢ、０３融液との界面に温度のふらつきを生じ
させ、そのために結晶が成長する固液界面での温度がふ
らつく。この温度変動は磁場をかけない場合と同様に結
晶の成長速度の変動や結晶再熔融凝固につながフ、結晶
性が低下したシ、あるいは不純物濃度が不均一になった
り、また結晶面内での転位が不均一になってしまう。
本発明は上記欠点に鑑み、磁場印加液体封止チヨコラル
スキー法において、従来の原料の融液のみならず、封止
剤中の対流をも同時に止めることによって高品質の化合
物半導体単結晶を製造する方法を提供することＶｃうる
。
スキー法において、従来の原料の融液のみならず、封止
剤中の対流をも同時に止めることによって高品質の化合
物半導体単結晶を製造する方法を提供することＶｃうる
。
本発明の概要をＧ ａ Ａ ｓ単結晶の作成を例にと９
、図を参照しながら説明する。
、図を参照しながら説明する。
・第１図に従ってＭＬＥＩＯ法にょるＧａＡｓ単結晶の
作成法を説明する。
作成法を説明する。
高圧チャンバ■内のルツボささえ軸■に、ＧａとＡｓと
封止剤ＯＢ、０３を入れたルツボ■を装着し、そのルツ
ボを同軸円筒状に取少囲むヒータ■で加熱し、ＧａＡｓ
融液■とＧａＡｓ融液を覆う二酸化スズ（Ｓｎｏｗ）を
混合したＢ、０３融液［相］の二層状態にする。
封止剤ＯＢ、０３を入れたルツボ■を装着し、そのルツ
ボを同軸円筒状に取少囲むヒータ■で加熱し、ＧａＡｓ
融液■とＧａＡｓ融液を覆う二酸化スズ（Ｓｎｏｗ）を
混合したＢ、０３融液［相］の二層状態にする。
この時高圧チャンバ■内はアルゴンガスで加圧されてい
る。このＧａＡｓと８ｎ０２を混合し、たＢ２Ｏ３を融
液状態にしてから結晶引上げ軸■の先端に取少つけた種
結晶■を８ｎＯ，を混合した°Ｂ２Ｏ３融液を通過させ
て、ＧａＡｓ融液に接触させ、結晶引上げ軸■を回転さ
せながら引上げてＧ ａ Ａ ｓ単結晶■を得る。この
際高圧チャンバの外に設置した磁場印加装置によってと
のＧａＡｓ単結晶を作成している部分に従来と同様磁場
を印加している。
る。このＧａＡｓと８ｎ０２を混合し、たＢ２Ｏ３を融
液状態にしてから結晶引上げ軸■の先端に取少つけた種
結晶■を８ｎＯ，を混合した°Ｂ２Ｏ３融液を通過させ
て、ＧａＡｓ融液に接触させ、結晶引上げ軸■を回転さ
せながら引上げてＧ ａ Ａ ｓ単結晶■を得る。この
際高圧チャンバの外に設置した磁場印加装置によってと
のＧａＡｓ単結晶を作成している部分に従来と同様磁場
を印加している。
第２図ＶＣ第７図に示し、たものと同じ条件下で、結晶
引上げ軸■に、種結晶■を取９つける変りに熱電対■を
数少つけた図を示す。この熱電対をＧａＡｓ融液■、Ｂ
、Ｏ，融液■にっけて、磁場を印加した場合と印加し、
ない場合の温度変動を観測した。
引上げ軸■に、種結晶■を取９つける変りに熱電対■を
数少つけた図を示す。この熱電対をＧａＡｓ融液■、Ｂ
、Ｏ，融液■にっけて、磁場を印加した場合と印加し、
ない場合の温度変動を観測した。
その結果を第３図（（ａ）図が封止剤、（ｂ）図が Ｇ
ａ Ａ ｓ融液）に示す。
ａ Ａ ｓ融液）に示す。
第３図に示すように従来のＢ、０．を封止剤とじて用い
た場合、ＧａＡｓ融液■融液上中度変動が少なくなって
も、封止剤中ではほとんど変化が見られない。これはＢ
２０．融液の抵抗が高く、常温でＢ！Ｏａ融液は１０６
Ω・儂以上の高抵抗物質でラシ、融液状態にしてもＧａ
Ａｓと比較し、てｉるかに高い抵抗をもっているためで
ある。
た場合、ＧａＡｓ融液■融液上中度変動が少なくなって
も、封止剤中ではほとんど変化が見られない。これはＢ
２０．融液の抵抗が高く、常温でＢ！Ｏａ融液は１０６
Ω・儂以上の高抵抗物質でラシ、融液状態にしてもＧａ
Ａｓと比較し、てｉるかに高い抵抗をもっているためで
ある。
そこで本発明セは上述した如く二酸化スズ（Ｓｎ０１）
を混合したＢ！０３融液［相］を封止剤として使用した
場合、この封止剤の常温での抵抗率は１００Ω・備であ
る。これを第２図に示す方法と同様り方法で温度変動を
観測した。その結果を第４図（（ａ）図が封止剤、う）
がＧａ Ａ ｓ融液）に示す。−のように封止剤中の温
度変動もＧ ａ Ａ ｓ融液中の温度変動とほぼ同程度
まで減少することができるようになった。
を混合したＢ！０３融液［相］を封止剤として使用した
場合、この封止剤の常温での抵抗率は１００Ω・備であ
る。これを第２図に示す方法と同様り方法で温度変動を
観測した。その結果を第４図（（ａ）図が封止剤、う）
がＧａ Ａ ｓ融液）に示す。−のように封止剤中の温
度変動もＧ ａ Ａ ｓ融液中の温度変動とほぼ同程度
まで減少することができるようになった。
つづいて封止剤の温度変動と封止剤の抵抗率の関係を調
べるために、Ｂ２Ｏ３融液に８ｎＯ１、Ｎａｎｏ 。
べるために、Ｂ２Ｏ３融液に８ｎＯ１、Ｎａｎｏ 。
Ｉｎ１０３ 、 Ｇａ２Ｏ３、Ａ７１！１０３ 、 Ｋ
、Ｏ等の金属酸化物を混合し、常温での抵抗率と、封止
剤融液中での温度変動の関係を調べた。ここで封止剤の
温度変動は外部熱環境を一定にした場合の最高温度と最
低温度の差を示す。その結果を第５図に示す。この図か
ら明らかなように温度変動は１０００Ω備を境にして急
激に減少し、封止剤の抵抗率としてＦｉｌｏ００Ω・α
以下にすると、磁場印加することによって温度変動を小
さくできることがわかった。
、Ｏ等の金属酸化物を混合し、常温での抵抗率と、封止
剤融液中での温度変動の関係を調べた。ここで封止剤の
温度変動は外部熱環境を一定にした場合の最高温度と最
低温度の差を示す。その結果を第５図に示す。この図か
ら明らかなように温度変動は１０００Ω備を境にして急
激に減少し、封止剤の抵抗率としてＦｉｌｏ００Ω・α
以下にすると、磁場印加することによって温度変動を小
さくできることがわかった。
このように本発明はＭＬＥＯ法において封止剤としてＢ
２Ｏ２に適当な金属酸化物を混合することによって、抵
抗率を下げ、封止剤融液中の温度変動を小さくすること
を特徴とした半導体単結晶の製造方法である。
２Ｏ２に適当な金属酸化物を混合することによって、抵
抗率を下げ、封止剤融液中の温度変動を小さくすること
を特徴とした半導体単結晶の製造方法である。
本発明によってＭＬＥＯ法によって単結晶を作成する際
、封止剤の対流も同時に抑制されるために、熱環境が安
定し、これ罠よって低転位で不純物濃度が均一化した化
合物半導−単結晶を作成することかできる。
、封止剤の対流も同時に抑制されるために、熱環境が安
定し、これ罠よって低転位で不純物濃度が均一化した化
合物半導−単結晶を作成することかできる。
本発明の一施例をＧａＡｓを例にとって説明する。
へまずＭＬＥＯ法にょるＧ ａ Ａ ｓ単結晶の作成
方法を第１図に従って説明する。
へまずＭＬＥＯ法にょるＧ ａ Ａ ｓ単結晶の作成
方法を第１図に従って説明する。
高圧チャンバ■にＡｒガスを充填し、ルツボささえ軸■
に装着されたＰＢＮ製内径９６φ酩のルツボ■へＧａ
５００．ｌｉｌ、Ａｓ ５５０ｇと、ＢｔＯ３１５０＃
と、８ｎ０２１０１− ｌｎ２Ｃ）１１０ｇを充填し、
ヒータ■で加熱してＧａ Ａ ｓ融液■と封止剤［相］
の二層状態にした。この封止剤の抵抗率は常温で４８０
・儂であった。この時ルツボに磁場印加装置［相］で１
３００エルステツドの磁場をかけ、この状態で結晶引上
げ軸■の先端につけた＜Ｚｏｏ＞方向の種結晶をつけて
、ＧａＡｓ融液■につけ直径５０ｍ長さ１００ｍのＧ
ａ Ａ ｓ単結晶■を得た。この結晶をスライスして（
１００）ウェハを作り、これを溶融ＫＯＨエツチング法
でエツチングして転位分布を求めた。
に装着されたＰＢＮ製内径９６φ酩のルツボ■へＧａ
５００．ｌｉｌ、Ａｓ ５５０ｇと、ＢｔＯ３１５０＃
と、８ｎ０２１０１− ｌｎ２Ｃ）１１０ｇを充填し、
ヒータ■で加熱してＧａ Ａ ｓ融液■と封止剤［相］
の二層状態にした。この封止剤の抵抗率は常温で４８０
・儂であった。この時ルツボに磁場印加装置［相］で１
３００エルステツドの磁場をかけ、この状態で結晶引上
げ軸■の先端につけた＜Ｚｏｏ＞方向の種結晶をつけて
、ＧａＡｓ融液■につけ直径５０ｍ長さ１００ｍのＧ
ａ Ａ ｓ単結晶■を得た。この結晶をスライスして（
１００）ウェハを作り、これを溶融ＫＯＨエツチング法
でエツチングして転位分布を求めた。
第６図に本発明によるＭＬ、ＢＯ法による単結晶の結果
と、従来のＭＬＥＯ法による結果を示す。
と、従来のＭＬＥＯ法による結果を示す。
＠が従来のＭＬＥＯ法による転位密度分布、０は本発明
を用いたＭＬＢＯ法による転位密度分布を示す。
を用いたＭＬＢＯ法による転位密度分布を示す。
このように本発明を用いることによシ、封止剤中の熱環
境が安定し、特に結晶の周辺部の転位密度が大幅に減少
することがわかった。
境が安定し、特に結晶の周辺部の転位密度が大幅に減少
することがわかった。
以上のように、Ｂ２Ｏ２の電気抵抗を下げることにより
、高品質な単結晶を作成できる。
、高品質な単結晶を作成できる。
第１図は本発明の概要のＭＬＥＯ法を説明するための概
略図、第２図は融液温度の測定法を示した図、第３図及
び第４図はＧ ａ Ａ ｓ融液と封止剤融液中の温度変
動図、第５図は封止剤の抵抗率と温度変動との相関図、
第６図は転位密度分布を示す図、第７図は従来のＭＬＥ
Ｏ法を説明するための概略図でおる。 ■：高圧チャ／バ、■ニルツボささえ軸、■ニルツボ、
■：ヒータ、■：結晶原料融液、■： Ｂ、０３融液、
■：結晶引上げ軸、０２種結晶、■：単結晶、［相］：
磁場印加装置、■：熱電対、＠：従来のＭＬＥＯ法によ
る転位密度分布線、＠：本発明によるＭＬＥＯ法の転位
密度分布線、［相］： ８ｎＯ，等を混合したＢ、Ｏｓ
融液。 代理人 弁理士 則 近 憲４佑（ほか１名）第 １
図 じ 第 ２ 図 第８図 （Ｑ） Ｃｂ】 第４図 （０Ｌ） 石へ馬な（嵐４あす 第５＠１ ．ｔａ心Ω、Ｃ匍 第６図
略図、第２図は融液温度の測定法を示した図、第３図及
び第４図はＧ ａ Ａ ｓ融液と封止剤融液中の温度変
動図、第５図は封止剤の抵抗率と温度変動との相関図、
第６図は転位密度分布を示す図、第７図は従来のＭＬＥ
Ｏ法を説明するための概略図でおる。 ■：高圧チャ／バ、■ニルツボささえ軸、■ニルツボ、
■：ヒータ、■：結晶原料融液、■： Ｂ、０３融液、
■：結晶引上げ軸、０２種結晶、■：単結晶、［相］：
磁場印加装置、■：熱電対、＠：従来のＭＬＥＯ法によ
る転位密度分布線、＠：本発明によるＭＬＥＯ法の転位
密度分布線、［相］： ８ｎＯ，等を混合したＢ、Ｏｓ
融液。 代理人 弁理士 則 近 憲４佑（ほか１名）第 １
図 じ 第 ２ 図 第８図 （Ｑ） Ｃｂ】 第４図 （０Ｌ） 石へ馬な（嵐４あす 第５＠１ ．ｔａ心Ω、Ｃ匍 第６図
Claims (3)
- （１）磁場印加液体封止チヨコラルスキー法によつて化
合物半導体単結晶を製造する方法において、前記液体封
止剤の常温での抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以下であるこ
とを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - （２）液体封止剤が三酸化二ホウ素と三酸化二ホウ素以
外の金属酸化物の１種あるいは２種以上の混合物である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物半
導体単結晶の製造方法。 - （３）金属酸化物が、二酸化スズ、酸化インジウム、酸
化アルミニウム、酸化ガリウム、五酸化リン、酸化ナト
リウム、酸化カリウム、酸化カルシウムの少なくとも１
つの酸化物であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の化合物半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13333484A JPS6114193A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13333484A JPS6114193A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6114193A true JPS6114193A (ja) | 1986-01-22 |
Family
ID=15102287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13333484A Pending JPS6114193A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6114193A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230697A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-09 | Agency Of Ind Science & Technol | ＧａＡｓ単結晶の製造法 |
| JPH0280358A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セメント混和材 |
| JPH02120297A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Nippon Mining Co Ltd | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
| US5196085A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Active magnetic flow control in Czochralski systems |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP13333484A patent/JPS6114193A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230697A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-09 | Agency Of Ind Science & Technol | ＧａＡｓ単結晶の製造法 |
| JPH0280358A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セメント混和材 |
| JPH02120297A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Nippon Mining Co Ltd | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
| US5196085A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Active magnetic flow control in Czochralski systems |
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