JPS61144064A - 密着型イメ−ジ素子用遮光窓の製造方法 - Google Patents
密着型イメ−ジ素子用遮光窓の製造方法Info
- Publication number
- JPS61144064A JPS61144064A JP59266993A JP26699384A JPS61144064A JP S61144064 A JPS61144064 A JP S61144064A JP 59266993 A JP59266993 A JP 59266993A JP 26699384 A JP26699384 A JP 26699384A JP S61144064 A JPS61144064 A JP S61144064A
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- JP
- Japan
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- light
- shielding window
- fine
- opaque
- photosensitive
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は集光性レンズを用いない、いわゆる完全密着型
イメージ素子の改良に関するものであり、特に原稿への
入射光の指向性を向上させ、実質的解像度を上げるため
に形成される遮光窓の製造方法の改良に関するものであ
る。
イメージ素子の改良に関するものであり、特に原稿への
入射光の指向性を向上させ、実質的解像度を上げるため
に形成される遮光窓の製造方法の改良に関するものであ
る。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
従来の完全密着型イメージ素子は、原稿への入射光線の
指向性を向上させるために電極形成と同時に電極材料を
用いて遮光窓を設けるように構成されている。
指向性を向上させるために電極形成と同時に電極材料を
用いて遮光窓を設けるように構成されている。
第２図は、従来の密着型イメージ素子の構成例を示し、
１は光学的に透明な基板であり、この透明基板１上に光
学的に不透明な電極２が形成されており、この電極２に
は複数の光量取込用窓（遮光窓）４が開口されている。
１は光学的に透明な基板であり、この透明基板１上に光
学的に不透明な電極２が形成されており、この電極２に
は複数の光量取込用窓（遮光窓）４が開口されている。
また電極２上には光導電膜３が形成されており、その上
に光学的に透明な保護層５が形成されている。
に光学的に透明な保護層５が形成されている。
このように従来の素子の遮光窓構造にあっては、遮光窓
４は透明基板１に対して光導電膜３側にのみ形成されて
いるため、基板！の反対側から入射される指向性のない
光源に対しては迷光の影響が大きく、実質上解像度の向
上が期待できるようなスリットとしての遮光窓の役割を
充分に果たすことが出来ず、高解像度の完全密着型イメ
ージ素子を得ることが困難であった。
４は透明基板１に対して光導電膜３側にのみ形成されて
いるため、基板！の反対側から入射される指向性のない
光源に対しては迷光の影響が大きく、実質上解像度の向
上が期待できるようなスリットとしての遮光窓の役割を
充分に果たすことが出来ず、高解像度の完全密着型イメ
ージ素子を得ることが困難であった。
〈発明の目的〉
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、入
射光の指向性を極力向上させて特に集光性レンズを用い
なくても充分な解像度の期待できる密着型イメージ素子
用遮光窓の製造方法を提供することを目的としてしする
。
射光の指向性を極力向上させて特に集光性レンズを用い
なくても充分な解像度の期待できる密着型イメージ素子
用遮光窓の製造方法を提供することを目的としてしする
。
〈発明の構成〉
上記の目的を達成するため、本発明の密着型イメージ素
子用遮光窓の製造方法は感光性不透明基板上に予め微細
画素光導電膜の各画素に対応して一部に遮光窓を有する
電極を形成し、この電極の一部に形成された遮光窓をマ
スクとして電極側から入射光路に対応する角度で光を照
射して上記の感光性不透明基板を感光させ、その後、入
射光路に当る上記の感光部分をエツチング除去して遮光
窓を形成するように構成している。
子用遮光窓の製造方法は感光性不透明基板上に予め微細
画素光導電膜の各画素に対応して一部に遮光窓を有する
電極を形成し、この電極の一部に形成された遮光窓をマ
スクとして電極側から入射光路に対応する角度で光を照
射して上記の感光性不透明基板を感光させ、その後、入
射光路に当る上記の感光部分をエツチング除去して遮光
窓を形成するように構成している。
即ち、本発明によれば、光源に対してキャピラリースリ
ットの効果を持った微細透孔の遮光窓を電極の一部とこ
れに対応した基板の一部によって画素毎に作成されるこ
とになり、その結果入射光の指向性を向上させて充分な
解像度の期待できる密着型イメージ素子が得られること
になる。
ットの効果を持った微細透孔の遮光窓を電極の一部とこ
れに対応した基板の一部によって画素毎に作成されるこ
とになり、その結果入射光の指向性を向上させて充分な
解像度の期待できる密着型イメージ素子が得られること
になる。
〈発明の実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明にしたがって形成された遮光窓を備えた
密着型イメージ素子の構造を示す断面図である。
密着型イメージ素子の構造を示す断面図である。
第１図において、１１は感光性不透明ガラス基板、１２
は不透明電極、１Ｂは光導電膜、１４は遮光窓、１５は
保護層、１６は原稿、１７は感光性不透明ガラス基板１
１に形成されたキャピラリー型遮光窓（微細透孔）であ
る。
は不透明電極、１Ｂは光導電膜、１４は遮光窓、１５は
保護層、１６は原稿、１７は感光性不透明ガラス基板１
１に形成されたキャピラリー型遮光窓（微細透孔）であ
る。
次に上記した密着型イメージ素子の構造を、更にその一
作製方法と共に本発明の一実施例としての密着型イメー
ジ素子用遮光窓の製造方法を説明する。
作製方法と共に本発明の一実施例としての密着型イメー
ジ素子用遮光窓の製造方法を説明する。
まず、厚さ１．５ ｔｍの感光性不透明ガラス基板＋１
（例えば保谷硝子■のＰＥＧＩＩＯＣ）上に、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて予め微細画素光導電膜の各画素
に対応して一部に遮光窓１４を有する不透明電極を形成
する。なお、第１図に示す素子は対向電極型素子構造を
想定しており、遮光窓１４は共通電極側に形成する。
（例えば保谷硝子■のＰＥＧＩＩＯＣ）上に、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて予め微細画素光導電膜の各画素
に対応して一部に遮光窓１４を有する不透明電極を形成
する。なお、第１図に示す素子は対向電極型素子構造を
想定しており、遮光窓１４は共通電極側に形成する。
次にＣｄＳｅあるいはａ−５ｉ等の光導電膜１３を電極
１２上に作製する。
１２上に作製する。
その後、遮光窓１４に相当する位置に遮光窓１４をマス
ーグとして電極側から紫外線等を入射光路に対応する角
度で露光し、感光性不透明ガラス基板１１を感光させ、
その後入射光路に当る感光部分をエツチング除去して遮
光窓（微細透孔）１７を基板１１に形成する。この時感
光性不透明ガラス基板１１に入射する紫外線強度、及び
厚さ方向のエツチング速度を利用してキャピラリー型遮
光窓（微細透孔）１７を基板１１に形成することになる
０ なお、この微細透孔１７に鉛ガラス等を埋込んで光源か
らの光が、原稿面１６に焦点を結ぶように成して、より
好適である。
ーグとして電極側から紫外線等を入射光路に対応する角
度で露光し、感光性不透明ガラス基板１１を感光させ、
その後入射光路に当る感光部分をエツチング除去して遮
光窓（微細透孔）１７を基板１１に形成する。この時感
光性不透明ガラス基板１１に入射する紫外線強度、及び
厚さ方向のエツチング速度を利用してキャピラリー型遮
光窓（微細透孔）１７を基板１１に形成することになる
０ なお、この微細透孔１７に鉛ガラス等を埋込んで光源か
らの光が、原稿面１６に焦点を結ぶように成して、より
好適である。
次に共通電極及び個別電極の形成された光導電膜１３上
に透明保護膜１５を形成する。
に透明保護膜１５を形成する。
本発明の一実施例としての密着型イメージ素子用遮光窓
の製造方法は以上のように光源に対してキャピラリース
リットの効果を持った遮光窓を電極の一部とこれに対応
した基板の一部によって画素毎に作成するものであるた
め、形成された遮光窓による入射光の指向性が向上し、
特に集光性レンズを用いることなく、充分な解像度を得
ることが出来る。
の製造方法は以上のように光源に対してキャピラリース
リットの効果を持った遮光窓を電極の一部とこれに対応
した基板の一部によって画素毎に作成するものであるた
め、形成された遮光窓による入射光の指向性が向上し、
特に集光性レンズを用いることなく、充分な解像度を得
ることが出来る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、不透明電極の一部に形成
される遮光窓と対をなして不透明基板を貫通して微細透
孔（遮光窓）を形成するように成しているため、これを
通過して原稿に入射する入射光の指向性を向上させるこ
とが出来、また画素毎に光源を分割する効果が得られ、
入射光量の損失を最少限に抑制して、実質上の解像度を
上げる第１図は本発明の密着型イメージ素子用遮光窓の
製造方法により形成された遮光窓を備えた密着型イメー
ジ素子の構成を示す断面図、第２図は従来素子の構成を
示す断面図である。
される遮光窓と対をなして不透明基板を貫通して微細透
孔（遮光窓）を形成するように成しているため、これを
通過して原稿に入射する入射光の指向性を向上させるこ
とが出来、また画素毎に光源を分割する効果が得られ、
入射光量の損失を最少限に抑制して、実質上の解像度を
上げる第１図は本発明の密着型イメージ素子用遮光窓の
製造方法により形成された遮光窓を備えた密着型イメー
ジ素子の構成を示す断面図、第２図は従来素子の構成を
示す断面図である。
１１・・・不透明感光性ガラス基板、１２・・・不透明
電極、１３・・・光導電膜、１４・・・遮光窓、１５・
・・保護層、１６・・・原稿、１７・・・微細透孔。
電極、１３・・・光導電膜、１４・・・遮光窓、１５・
・・保護層、１６・・・原稿、１７・・・微細透孔。
代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図
第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感光性不透明基板上に予め微細画素光導電膜の各画
素に対応して一部に遮光窓を有する電極を形成し、 該電極の一部に形成された遮光窓をマスクとして電極側
から入射光路に対応する角度で光を照射して上記感光性
不透明基板を感光させ、その後、入射光路に当る上記感
光部分をエッチング除去して遮光窓を形成するように成
したことを特徴とする密着型イメージ素子用遮光窓の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266993A JPS61144064A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 密着型イメ−ジ素子用遮光窓の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266993A JPS61144064A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 密着型イメ−ジ素子用遮光窓の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144064A true JPS61144064A (ja) | 1986-07-01 |
Family
ID=17438567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266993A Pending JPS61144064A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 密着型イメ−ジ素子用遮光窓の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144064A (ja) |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59266993A patent/JPS61144064A/ja active Pending
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