JPS61148633A - ３スポツトトラツキング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再生装置
に適用して好適な３スポットトラッキング装置に関する
。

〔従来の技術〕

先ず、第７図を参照して、従来の３スポットトラッキン
グ装置にって説明する。ＯＨは光学式ヘッドを全体とし
て示す。（１）は半導体レーザ素子（レーザダイオード
）で、これのレーザービーム出射端面（ＩＡ）側より出
射した、断面が楕円の発散レーザービームＬはコリメー
タレンズ（不用の場合もある）（２）に入射せしめられ
て平行ビームとなされた後、回折格子（グレーティング
）（３）に入射せしめられる。回折格子（３）より出射
した０次ビームＬｏ及び土１次ビームＬｅｔ、　　Ｌ−
ｔ　（尚、＋２次以上、−２次以下のビームは無視する
）は無偏光ビームスプリッタ（ハーフミラ−）（偏向ビ
ームスプリフタの場合は、対物レンズ（５）との間に×
波長板を設ける）（４）を通過した後、対物レンズ（５
）に入射せしめられて集束せしめられ、その集束された
０次ビームＬｏ及び±１次ビームＬ◆１＋Ｌ−１はディ
クスとしての光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む）
（６）の記録面に所定間隔（例えば１０μｍ）を置いて
入射せしめられる。

光学式記録媒体（６）で反射した０次ビームＬＯ及び±
１次ビームＬ　＋ｓ　、　　Ｌ−１は対物レンズ（５）
を通過した後、ビームスプリッタ（４）に入射せしめら
れ、その一部はその反射面（４ａ）で反射して光検出器
（７）に入射せしめられる。この光検出器（７）は、０
次ビームＬｏ及び±１次ビームＬ　＋１　、　　Ｌ−１
が各別に入射せしめられる３個の光検出部にて構成され
る。

そして、±１次ビームが夫々入射せしめられる一対の光
検出部からの一対の光検出出力の差を採ることにより、
０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記録面上での
トラッキング状態に応じたトラッキングエラー信号が得
られる。又、０次ビームの入射せしめられた光検出部か
らは、再生信号、フォーカスエラー信号等が得られる。

次に、半導体レーザ素子（１）の−例について第８図を
参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通常
一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）上
に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を図
に於いてその上層から下層に向かって説明すると、（１
ａ）は電極層、（１ｂ）はｎ−ＧａＡｓ層（基体虐）、
（ＩＣ）はｎ−Ｇａｘ−ｙＡｌｙＡｓ層（クラッド層）
、（１ｄ）はＧａ１−　ｘＡ　ＩｘＡｓ層（活性層）、
（１ｅ）はｐ−Ｇａｘ−ｙＡｌｙＡｓ層（クラッドＮ）
、（１ｆ）はｐ−ＧａＡｓ層である。そして、活性層（
１ｄ）から上述のレーザビームＬが出射する。この半導
体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（臂開面）
　　（ＬＡ）を正面とすると、その幅が１００〜３００
μｍ、高さく厚さ）が８０〜１００μｍ、奥行が２００
〜３００μｍである。活性層（１ｄ）のヒートシンク（
８）の上面からの高さは数μｍである。

ところで、０次ビームＬｏの光学式記録媒体（６）の記
録面に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると
、トラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化
し、正確なトラッキングエラーを検出することができな
かった。

本発明者等はその原因を究明したところ、次のようなこ
とが分かった。光学式記録媒体（６）で反射した０次ビ
ームＬｏ’及び±１次ビームＬ　＋１．　　Ｌ　−１は
対物レンズ（５）を通過した後、ビームスプリンタ（４
）の反射面（４ａ）で反射するのみならず、ビームスプ
リッタ（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫
々に対応して格別の０次ビーム及び±１次ビームが発生
し、コリメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素
子（１）に向かう。この半導体レーザ素子（１）に向か
うビームのビーム量は、無偏光ビームスプリンタを用い
た場合には多く、偏光ビームスプリッタを用いた場合は
少ない。

この場合、第９図に示す如く、半導体レーザ素子（１）
のレーザビーム発光端面（ＩＡ）と、回折格子（３）と
の相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子（１）に
向かう中心ビームＬａ及びその両側に位置する両側ビー
ムｌｂ、Ｉ、ｃの配置は夫々中心ビームｌ、ａがレーザ
ビーム出射端面（ＩＡ）上の活性層（１ｄ）に位置し、
両側ビームＬｂ、Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り、
活性層（１ｄ）と直交する直線上に於いて上下に位置す
る場合と、中心ビームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃが
共に活性層（１ｄ）上に位置する場合と、中心ビームＬ
ａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃを結ぶ直線が上記２つの場
合の中間の任意の角度位置に来る場合とがある。

そして、これら中心ビームｌ、ａ及び両側ビームＬｂ、
ｌ、ｃは、０次ビームＬｏと、±１次ビームＬ　＋１＋
　　Ｌ−１が回折格子（３）によって再回折され、且つ
混在して重畳されたものである。

ところで、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少な（とも一方がヒ
ートシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面
であるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題
はないが、両側ビームＬｂ、　　ＬＣの少なくとも一方
が半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（Ｉ
Ａ）に入射する場合は、この端面（ＩＡ）は反射率が良
好（例えば１０％）なので、この端面（ＩＡ）で反射し
、上述の光路を通過して光検出器（７）に入射するので
、＋１次又は−１次ビームと干渉を起こす。このため、
１次ビームＬＯの光学式記録媒体（６）の記録面に対す
るタンジエンシャルスキュー角に応じて、光検出器（７
）に入射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、
トラッキングエラー信号がそのスキュー角に応じて間期
的に変化する。第１０図は、両側と一４Ｌｂ、Ｌｃの一
方Ｌｂが半導体レーザ素子（１）のレーザビーム発光端
面（ＩＡ）に入射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に
入射した場合の、０次ビームＬＯの光学式記録媒体（６
）の記録面に対するタンジエンシャルスキュー角α°に
対するトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化の周期
性を示す。尚、実際には、１αＩが増大するにつれて、
トラッキングエラー信号Ｓｅのレベルは減衰する。尚、
両側ビームＬｂ、Ｌｃ共レーザビーム出射端面（ＩＡ）
に入射する場合は、第１０図に対応する波形の振幅カミ
第１０図とそれの２倍となり、位相は第１０図と異なる
。

次に、両側ビームＬｂ、Ｌｃのうちの一方Ｌｂが半導体
レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（ＩＡ）に入
射し、他方Ｌｃがヒートシンク（８）に入射する場合の
干渉について、第１０図（レンズ系の図示を省略しであ
る）を参照して説明する。第１１図に於いて、実線にて
示される（ＩＡ）はレーザビーム出射端面であるが、破
線にて示される正規の位置の出射端面（ＩＡ）に対し傾
いている一般的な場合を示し、又、実線にて示される（
６）は光学式記録媒体であるが、破線にて示される正規
の位置の光学式記録媒体（６）に対し傾いている場合を
示す。

０次ビームＬｏは正規の位置のレーザビーム出射端面（
ＩＡ）及び正規の位置の光学式記録媒体（６）の記録面
に対し鉛直である。θは＋１次ビームＬａ１の０次ビー
ムＬｏに対する角度である。１１はレーザビーム出射端
面（ＩＡ）及び回折格子（３）間の光路長、１２は回折
格子（３）及び光学式記録媒体（６）の記録面間の光路
長である。Δ１１．Δβ２は夫々光路長１１．１２に対
するＯ次ビームＬｏ及び＋１次ビームＬａ１間の光路差
である。ΔＮ３＋Δ１４は夫々光学式記録媒体（６）の
スキューによる光路差レーザビーム出射端面（ＩＡ）の
スキューによる光路差である。

又、ｇを回折格子（３）に於けるＯ次ビームＬｏ及び＋
１次ビームＬａｘ間の位相差とする。ｔｏ、１１を夫々
回折格子（３）に於ける０次ビーム、＋１次ビームの透
過率、ｔをハーフミラ−（４）の透過率、ｒ。

ｆを夫々光学式記録媒体（６）の記録面上、レーザビー
ム出射端面（ＩＡ）上の反射率とする。

しかして、＋１次ビームＬａ４が入射する光学式記録媒
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。

（ｌｌａｔ：＋１次ビームＬｅ１が直接点Ａに入射した
場合。

（２１ａ２　：Ｏ次ビームＬｏが光学式記録媒体（６）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）で
反射し、再度回折格子（３）に入射することによって得
られた＋１次ビームが点Ａに入射した場合である。

（３）ａｌ　：Ｏ次ビームＬＯが光学式記録媒体（６）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた０次ビームが点Ａに入射した場合である。

（４１ａ４　：＋１次ビームＬａ１が光学式記録媒体（
６）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによ
って得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ
）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによっ
て得られた０次ビーム点Ａに入射する場合である。

次にａ１〜ａ４を式にて示す。

ａ１＝ｉ１ｔ−ｅｘｐ　（ｉ　Ｃ１１１＋ｇ＋１２＋Δ
１２＋Δ１３））・・・（１） ａ２＝ｉ：ｔｔｔ３ｒ？ｅｘｐ　（ｉ　　（３（ｊｅｔ
　＋１！２）　十ｇ＋Δ１２＋Δ１３）〕　　　　　　
　　　　　　・・・（２）ａｌ　＝ｉ、ｉｘｔ’ｒｆ’
ｅｘｐ　（ｔ　（３（Ａｔ　＋１２）　＋ｇ＋２Δ１１
＋Δβ２＋Δｊ２ｉ　＋２Δら）〕　　　　・・・（３
）ａ４　＝ｉ：１ｔｔ３ｒｆ−ｅｘｐ　（ｉ　（３（Ａ
ｔ　＋１２）　＋ｇ＋３（Δ１２＋Δｊ！３）＋２Δ１
１＋２Δら）〕・・・（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（１
１＋β２）以下とすると、点Ａに於ける光の強度ＩＡは
次式のように表される。

ＩＡ　＝　ｌ　ａｌ　１２＋　ｌ　ａ２＋ａ３　＋ａ４
１２＝ｉ’、ｔ’　（１＋ｉ：ｔ’ｒ’ｆ２（３＋２ｃ
ｏｓ　２　（Δ１１　＋Δ１４）＋２ｃｏｓ　２　（Δ
１１　＋Δ７！鴫　＋Δ１２　＋Δ１３）＋２ｃｏｓ　
２　（ΔＩ１２＋Δ１３））〕・・・（５）又、両側ビ
ームＬｂ、Ｌｃの両方がレーザビーム出射端面（ＩＡ）
に入射する場合に於いて、＋１次ビームＬ＋１が光学式
記録媒体（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビー
ムＬ−１が０次ビームＬＯに対し対称な点Ｂに入射する
場合は、点Ａの光の強度ＩＡは（５）式の通りであるが
、点Ｂの光強度Ｉａは次式のように表される。

ＩＢ　＝ｉ：ｔ’　（１＋ｉ’、ｔ”ｒ’ｆ’　（３＋
２ｃｏｓ　２　（Δβ１−ΔＮ４）　＋２ｃｏｓ　２　
（Δ１１−Δ１４＋Δ１２−Δｉ３）　＋２ｃｏｓ　２
　（Δ１２−ΔＩＢ　）　）　）　　　　　　　　　　
・・・（６）〔発明が解決しようとする問題点〕 この発明は、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒
体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化によって
は変化する虞のないトラッキングエラー信号を得ること
のできる３スポットトラッキング装置を提供するもので
ある。

Ｃ問題点を解決するための手段） この発明は、単一のレーザダ・イオード（１）の出力ビ
ームを回折格子（３）により３ビームに分けて第１と第
２のビームによってトラッキングエラーを検出するよう
にした３スポツトトラフキング装置に於いて、上記回折
格子（３）とディスク（６）間に上記第１のビームと上
記第２のビームを検出する第１と第２の補助検出器（１
０ｂ　）　、　　（１０ｃ　）を設け、ディスク（６）
から反射された上記第１のビームと上記第２のビームを
検出する第１と第２の検出器（７ｂ）　。

（７ｃ）を備え、上記第１の検出器出力を上記第１の補
助検出器出力で、上記第２の検出器出力を上記第２の補
助検出器出力で補正するよに構成している。

〔作用〕

回折格子（３）とディスク（６）間に設けられた第１及
び第２の補助検出器（１０ｂ　）　、、　　（１０ｃ　
）により夫々率１及び第２のビームを検出し、その検出
出力により、第１及び第２のビームを夫々検出する第１
及び第２の検出器（７ｂ）　、　　（７ｃ）の検出出力
を補正するようにする。これによって光学式ヘッドの０
次ビームの光学式記録媒体としてのディスクに対するタ
ンジェンシャルスキュー角の変化にょって変化する虞れ
のないトラッキングエラー信号を得ることができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図〜第６図に基づいて
詳細に説明する。

第１図は本実施例の構成を示すもので、同図において、
第７図と対応する部分には同一符号を付し、その重複説
明は省略する 本実施例では、光検出器（７ンに対向してビームスプリ
ッタ（４）の反対側に別な光検出器αのを設ける。

この光検出器αのも０次ビームＬｏ及び±１次ビームＬ
　＋１．　　Ｌ−１が各別に入射せしめられる３個の光
検出部にて構成される。

第２図は光検出器（７）及びαＯ）の受光面を示すもの
で、光検出器（７）は第２図Ａに示すように、０次ビー
ムＬｏを受光する検出器（７ａ）と、±１次ビームＬ　
＋１　、　Ｌ−１を受光する検出器（７ｂ）及び（７ｃ
）とからなる。また、光検出器αＧ）は第２図Ｂに示す
ようにＯ次ビームＬｏを受光する検出器（１０ａ）と、
±１次ビームＬ　＋１　、　　Ｌ−１を受光するキ★出
器（１０ｂ）及び（１０ｃ）とから成る。

次に、上述の両側ビームＬｂ、Ｌｃのうちの一方Ｌｂが
半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（ＩＡ
）に入射し、他方１．ｃがヒートシンク（８）に入射す
る場合の干渉について、第３図（レンズ系の図示を省略
しである）を参照して説明する。

第３図に於いて、実線にて示される（ＩＡ）はレーザビ
ーム出射端面であるが、破線にて示される正規の位置の
出射端面（ＩＡ）に対し傾いている一般的な場合を示し
、又、実線にて示される（６）は光学式記録媒体である
が、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒体（６
）に対し傾いている場合を示す、θ次ビームＬＯは正規
の位置のレーザビーム出射端面（ＩＡ）及び正規の位置
の光学式記録媒体（６）の記録面に対し鉛直である。θ
は＋１次ビームＬａｘの０次ビームＬｏに対する角度で
ある。１１はレーザビーム出射端面（ＩＡ）及び回折格
子（３）間の光路長、１２は回折格子（３）及び光学式
記録媒体（６）の記録面間の光路長でなる。ΔＮ！＋、
Δ１２は夫々光路長Ｚ１＋７！２に対するＯ次ビームＬ
ｏ及び＋１次ビームＬ＋ｚ間の光路差である。ΔＡ３゜
Δ１４は夫々光学式記録媒体（６）のスキューによる光
路差レーザビーム出射端面（ＩＡ）のスキューによる光
路差である。ｉ５は点りより光検出器（７）の位置する
点Ａまでの光路長、２６は点りより光検出器ＱＯＩの位
置する点Ｂまでの光路長である。

又、ｇを回折格子（３）に於ける０次ビームＬｏ及び＋
１次ビームＬ＋１間の位相差とする。１０＋　　１１を
夫々回折格子（３）に於ける０次ビーム、＋１次ビーム
の透過率、ｔをビームスプリンタ（４）の透過率、ｒ、
　　ｆを夫々光学式記録媒体（６）の記録面上、レーザ
ビーム出射端面（ＩＡ）上の反射率とする。

しかして、＋１次ビームＬ÷１が光学式記録媒体（６）
で反射して光検出Ｂ（７）及びＱｌに入射する受光面上
の点Ａ及びＢに於ける光の複素振幅を次の４つの場合に
分けて考える。

（ｌｌａｌ：＋１次ビームＬａｘが光学式記録媒体（６
）で反射して直接点Ａ、Ｂに入射した場合 （２１ａ２：０次ビームＬＯが光学式記録媒体（６）で
反射し、再度回折格子（３）に入射することによって得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）で反
射し、再度回折格子（３）に入射することによって得ら
れた＋１次ビームが点Ａ、Ｂに入射した場合である。

（３）ａｌ　２０次ビームＬｏが光学式記録媒体（６）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた＋１次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた０次ビームが点Ａ、Ｂに入射した場合である。

（４）ａ４：＋１次ビームＬａｘが光学式記録媒体（６
）で反射し、再度回折格子（３）に入射することによっ
て得られた０次ビームがレーザビーム出射端面（ＩＡ）
で反射し、再度回折格子（３）に入射することによって
得られた０次ビームが点Ａ、Ｂに入射する場合である。

次にａｌ〜ａ４を式に示す、先ず点Ａでは次のように表
わされる。

ａｌ　＝ｉｔｔ　（１−む）　ｒ　’ｅＸ９　（ｊ　Ｃ
１ｘ　＋ｇ＋１！２＋Δ１２＋Δｊ！３＋ｊ！ｓ））　
　　　　　　　　　・・・（７）ａ２＝ｌｔ１ｔ３（１
−ｔ）　ｒ’ｆ　−ｅｘｐ　（ｉ　　（３（ｊ！１＋１
２　）＋ｇ＋Δβ２＋Δｊり＋ｊ！５））　　　　　・
・・（８）ａ３＝ｉ：ｉ１ｔ’　（１ｔ）　ｒ’ｆ　−
ｅｘｐ　（ｉ　（３（ｊ２１＋Ａ２　）十ｇ＋２Δ１１
＋ΔＩ！２＋ΔＡｔ３＋２ΔＪ４＋Ａ！ｓ））・・・（
９） ａ４＝ｉ：１ｔｔ３（１−ｔ）　ｒ”ｆ　−ｅｘｐ　Ｃ
ｉ　（３（Ｉｌｉ＋Ｉ１２　）　＋ｇ＋３（Δ１２＋Δ
Ａ３）＋２Δ１１＋２Δｉ、　＋Ｉｔ５　）　）・・・
αω 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２　＜
ｅ□＋Ｎ２）以下とすると、点Ａに於ける光の強度ＩＡ
は次式のように表される。

ＩＡ　　”ｆａｔ　　１２　＋ｌａ２　　＋ａ３　＋ａ
＋　　ｌ２＝ｉ：ｔ’　（１−ｔ　）２ｒ’　（１＋ｉ
３ｔ’ｒ’ｆ２（３＋２ｃｏｓ　２　（ΔＮ１＋Δ１ｔ
４）　＋２ｃｏｓ　２　（Δｌ工＋ΔＩ！４＋ΔＩＩ　
３　）　＋２ｃｏｓ　２＋（Δ１２＋Δ１３　）　）　
）　　　　　　　　・・・（１１）また、点Ｂでは次の
ように表わされる。

ａｘ　＝ｈｔ　（１−ｔ）　・ｅｘｐ　（ｉ　Ｃｉｈ　
＋ｇ＋ｊ２ｇ））　・・・（１２）ａ２＝ｌｉｔｔ２（
１−ｔ）　ｒｆ−ｅｘｐ　（ｉ　　（３１１＋２ｆ２＋
ｇ＋ΔＡｓ））　　　　　　　　　　　　　　　　　・
・・　（１３）ａｌ　＝目１ｔｔ２（１−ｔ）　ｒ？ｅ
ｘｐ　（ｉ　　Ｃ３ｊ！ｔ　＋２１２　＋ｇ＋２Δ！１
＋２Δ１４＋６）〕　　　　　　　・・・　（１４）ａ
４−を訂ｔｔ２（１−ｔ）　ｒｆ−ｅｘｐ　（ｉ　（３
１ｈ　＋２１２　＋ｇ＋２　（Δ１２＋Δ１３）＋２（
ΔＩ１１＋Δｊ！＋）＋１ｇ））・・・　（１５） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２　（
１１＋１２）以下とすると、点Ｂに於ける光の強度Ｉａ
は次式のように表わされる。

Ｉａ　＝ｉＦ　（１−ｔ　）’　（１＋ｔ：ｔ４ｒ”ｆ
２（３＋２ｃｏｓ　２（Δ１１＋Δｉ４＞　＋２ｃｏｓ
　２　（Δ１１＋Δｊ！、十Δ１２＋Δ７！３）　＋２
ｃｏｓ　２　（Δ１２＋Δｌｌ３））　）・・・　（１
６） 上記（１１）及び（１６）式より次式が成立する。

ＩＡａ＝ｔ２ｒ２ＩＢ・・・（１７） こ＼で、点Ａにおける検出器（７ｂ）　、　　（７ｃ）
へのビームは、点Ｂにおける検出器（１０ｂ　）　、　
　（１０ｃ　）の変動をオフセットとしてもっているた
め、上記（１７）式を満足するように検出器（１０ｂ　
）　、　　（１０ｃ　）の利得を調整しく実質的に減少
する方向）、この調整した出力を検出器（７ｂ）　、　
　（７ｃ）の検出出力から差引くことによりトラッキン
グエラー信号のＤＣオフセットを取除くことができる。

第４図はその具体的な回路構成の一例を示すもので同図
において、（１１）　、　　（１２）は夫々検出器（７
ｂ）　、　　（７ｃ）に対応する受光素子であって、こ
れ等受光素子（１１）　、　　（１２）のアノード側は
正の電源端子子Ｂに接続され、そのカソード側はアンプ
（１３）　、　　（１４）を介して減算器（１５）　、
　　（１６）の一方の入力端に接続される。

また、（１７）　、　　（１８）は夫々検出器（１０ｂ
）。

（１０ｃ）に対応する受光素子であって、これ等受光素
子（１７）　、　　（１８）のアノード側は正の電源端
子子Ｂに接続され、そのカソード側は夫々アンプ（１９
ン、　　Ｃ２０＞を介して減算器（１５）　、　　（１
６）の他方の入力端に接続される。そして、減算器（１
５）（工６）の各出力端が、減算器（２１）の各入力端
に接続される。

いま、タンジェンシャルスキュー角の変化にょって、例
えば検出器（７ｂ）の受光面での強度に対応する信号Ｅ
Ａが第５図Ｂに示すように変化するとすれば、行きの光
路でのサイドビームすなわち検出器（１０ｂ）の受光面
での強度に対応する信号ＥＢは第５図Ａのように変化す
る。すなわち、両者には周期及び位相が等しく ＥＡ＝ｒ２ｔ２・ＥＢ・・・（１８） の関係がある。

そこで、Ｅ’　＝ＥＡ　−ｒ’ｔ’　・ＥＢとなるよう
に電気的に演算を行うと、タンジエンシャルスキュー角
に対して変動をしない第５図Ｃに示すような信号（Ｅ’
＝Ｏ）を得ることができる。なお、検出器（７ｃ）と（
１０ｃ）についても同様にして考えることができる。

この信号処理を第４図の回路では次のように行う。いま
、受光素子（１１）で受光されて電気信号に変換された
信号ＥＡはアンプ（１３）を介して減算器（１５）の一
方の一入力端に供給される。また、受光素子（１７）で
受光されて、電気信号に変換された信号ＥＢはアンプ（
１９）に供給される。こ＼で受光素子（１１）及び（１
７）で得られた信号ＥＡ及びＥｓは上記（１８）式の関
係にあり、信号ＥＢの方が信号ＥＡよりｒ２ｔ２分だけ
振幅（利得）が大きい。そこで、アンプ（１９）でこの
ｒ２１２分だけ信号Ｅｌの振幅を小さくした後減算器（
１５）の他方の入力端に供給するようにする。

この結果減算器（１５）の各入力端には振幅の等価な信
号が供給され、その出力側に直流的に一定の差信号（Ｅ
’　＝ＥＡ−ｒ’ｔ２ＥＢ＝Ｏ）が得られる。

また、同様にして受光素子（１２）で受光されて電気信
号に変換された信号ＦＡはアンプ（１４）を介して減算
器（１６）の一方の入力端に供給される。

また、受光素子（１８）で受光されて電気信号に変換さ
れた信号ＦＢはアンプ（２０）に供給される。

こ＼で受光素子（１２）及び（１日）で得られた信号Ｆ
Ａ及びＦＢは、上述の関係より、信号ＦＢの方がｒ２１
２分だけ振幅（利得）が大きい。そこでアンプ（２０）
でこのｒ２１２分だけ信号ＦＢの振幅を小さくした後減
算器（１６）の他方の入力端に供給するようにする。

この結果減算器（１６）の各入力端に振幅の等価な信号
が供給され、その出力側に直流的に一定な差信号（Ｆ’
　＝ＦＡ−ｒ２ｔ２Ｆａ　＝０）が得られる。

減算器（１５）及び（１６）からの差信号は減算器（２
１）に供給され、トラッキングエラー信号（Ｅ’＝Ｆ’
−０のとき基準信号）として取り出される。

そして、従来は受光素子（１１）からの信号ＥＡと受光
素子（１２）からの信号ＦＡを用いて両者の差信号（Ｅ
Ａ　−ＦＡ　）をトラッキングエラー信号としていたが
、本実施例では上述の如く信号ＥＡ、ＦＡのほかに受光
素子（１７）からの信号ＥＢ、信号ＦＢをも用いて、（
ＥＡ　−ｒ’ｔ’Ｅａ　）　−（ＦＡ−ｒ２ｔ’Ｆａ）
をトラッキングエラー信号としているので、トラッキン
グエラー信号のＤＣ変動を取除くことができる。

第６図はこの発明の他の実施例を示すもので、本実施例
では０次ビームが入射される光検出器α０の検出器（１
０ａ）の検出出力を利用して半導体レーザ素子（１）の
光量を一定にしようとするもので、いわゆるオートパワ
ーコントロール（ＡＰＣ）の例である。

すなわち、検出器（１０ａ）に対応する受光素子（２２
）の出力をバッファ（２３）　、フィルタアンプ（２４
）及びバッファ（１５）を介して半導体レーザ素子（１
）に帰還するように成し、受光素子（２２）で検出され
る量が増大すると、半導体レーザ素子（１）の発光量を
減少させ、逆に受光素子（２２）で検出される量が減少
すると、半導体レーザ素子（１）の発光量を増大させ、
常に半導体レーザ素子（１）より一定の光量が得られる
ようにする。これによりいわゆるレーザ自己結合効果（
ｓｃｏｏｐ　）を除去することができる。

〔発明の効果〕

上述の如くこの発明によれば、サイドビーム（±１次ビ
ーム等）を検出する本来の検出器の他に補助の検出器を
設け、この補助の検出器の検出出力により本来の検出器
の検出出力を補正するようにしたので、光学式ヘッドの
０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェンシャル
スキュー角の変化によっては変化する虞のないトラッキ
ングエラー信号を得ることができ、レーザダイオードの
光帰還の多い光学系への３スポットトラッキング法通用
において、安定した特性を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す路線的配置図、第２
図はこの発明の要部を示す平面図、第３図はこの発明に
おける干渉の説明に供する線図、第４図はこの発明の具
体的回路構成を示すブロック図、第５図はこの発明の説
明に供する波形図、第６図はこの発明の他の実施例を示
すブロック図、第７図は従来装置を示す路線的配置図、
第８図及び第９図は従来装置に於ける半導体レーザ素子
の一例を示す正面図、第１０図は波形図、第１１図は従
来装置における干渉の説明に供する線図である。 ＯＨは光学ヘッド、（１）は半導体レーザ素子、（ＩＡ
）はそのレーザビーム出力端面、（１ｄ）はその活性層
、（２）はコリメータレ、ンズ、（３）は回折格子、（
４）はビームスプリフタ、（５）は対物レンズ、（６）
は光学式記録媒体、（７１，ＱＯＩは光検出器である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 単一のレーザダイオードの出力ビームを回折格子により
   ３ビームに分けて第１と第２のビームによってトラッキ
   ングエラーを検出するようにした３スポットトラッキン
   グ装置に於いて、上記回折格子とディスク間に上記第１
   のビームと上記第２のビームを検出する第１と第２の補
   助検出器を設け、ディスクから反射された上記第１のビ
   ームと上記第２のビームを検出する第１と第２の検出器
   を備え、上記第１の検出器出力を上記第１の補助検出器
   出力で、上記第２の検出器出力を上記第２の補助検出器
   出力で補正するようにしたことを特徴とする３スポット
   トラッキング装置。