JPS61148829A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPS61148829A
JPS61148829A JP59270756A JP27075684A JPS61148829A JP S61148829 A JPS61148829 A JP S61148829A JP 59270756 A JP59270756 A JP 59270756A JP 27075684 A JP27075684 A JP 27075684A JP S61148829 A JPS61148829 A JP S61148829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
semiconductor pellet
lead frame
bonded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59270756A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsu Nagai
長井 達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Mechatronics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Seiki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Seiki Co Ltd filed Critical Toshiba Seiki Co Ltd
Priority to JP59270756A priority Critical patent/JPS61148829A/ja
Publication of JPS61148829A publication Critical patent/JPS61148829A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 未発明は、ワイヤボンディング方法に関する。
[従来の技術] IC,LSI等の製造は、先ずリードフレームのアイラ
ンド部の所定位置に半導体ペレットを接合し、次いで自
動位置検出装置により半導体ペレットの接合位置を検出
する状態でワイヤボンディング装置により1位置検出の
行なわれた半導体ペレットの表面の電極パッドとリード
フレームのリード端子とをAu線等のワイヤによってボ
ンディングするようにしている。ワイヤボンディングの
行なわれたリードフレームは、該ボンディング部分に対
して樹脂封止が行なわれ、この状態でリードフレームを
各チップごとに切断して分離し、複数の端子を備えたI
C,LSI等を製造するようにしている。
上記ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディング
は、アイランド部に対する半導体ペレットの接合位置を
自動検出して行なわれ、該接合位置における半導体ペレ
ットの各電極パッドの座標位置を自動位置検出装置によ
り自動検出するとともに該位置とリードフレームにおけ
るリード端子をそれぞれ自動的にワイヤボンディングす
るようにしている。
このため、自動位置検出装置による半導体ペレット接合
位置の検出が実接合位置に対しずれる状態とされる場合
、所定の電極パッド以外の半導体ペレットの表面位置と
所定のリード端子がワイヤボンディングされる状態とな
ってしまい、このようにして製造されるIC,LSI等
は所定の動作状態が得られないため、不良品として扱わ
れることとなる。
このような不良品の発生を防止するため、ワイヤボンデ
ィングの行なわれた半導体ペレットが所定の電極パッド
にワイヤボンディングされているか否か目視検査を行な
うことが考えられる。また、不良品の出荷を防止するた
め、回路テスタを用いてワイヤボンディングの行なわれ
たIC1LSI等やリード端子の検査を行なうことも考
えられる。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、ワイヤボンディング作業とは別に半導体
ペレットのワイヤボンディング状態の目視検査を行なっ
たり、また、ワイヤボンディングの行なわれたIC,L
SI等のリード端子の検査を行なうことは煩雑であり、
電極パッド位置に対するワイヤボンディング位置合わせ
の良否を適確に判別する方法の開1発が望まれている。
本発明は、ワイヤボンディング中に適確かつ容易に電極
パッド位置に対するワイヤボンディング位置合わせの良
否を判別することを目的としている。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明は、リードフレーム
上に接合されている半導体ペレットの電極パッドと、リ
ードフレームのリード端子とをワイヤによってボンディ
ングするワイヤボンディング方法において、リードフレ
ームと電気的に導通ずる導通部を少なくとも一部に備え
る検査用パッドを、半導体ペレットの所定位置に設け、
リードフレームをボンディング作業位置に位置決めし、
該半導体ペレットをリードフレームの所定、位置に接合
する状態下で、ワイヤを該半導体ペレットの検査用パッ
ドにボンディングし、検査用パッドにボンディングされ
たワイヤとリードフレームとの電気的導通の有無を検出
することにより、電極パッド位置に対するワイヤのボン
ディング位置合わせの良否を判別することとしている。
[作 用] 本発明によれば、ワイヤボンディング中に、リードフレ
ーム上に接合されている半導体ペレットの実接合位置が
、自動位置検出装置により検出された接合位置に対して
なすずれの程度を検出することが可能となり、半導体ペ
レットの所定位置に配列されている電極パッドがリード
フレームに対してなすずれの判別を行なうことが可能と
なる。これにより、ワイヤボンディング中に適確かつ容
易に電極パッド位置に対するワイヤボンディング位置合
わせの良否を判別することが可能となる。
[実施例] 以下1本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係るワイヤボンディング方法に適用さ
れる半導体ペレットを示す一部破断の斜視図、第2図は
リードフレーム上に接合される半導体ペレットの電極パ
ッドとリードフレームあり一ド端子をワイヤによりボン
ディングする状態を示す斜視図、第3図は第2図の■−
■線に沿う断面図、第4図は自動位置検出装置により検
出された接合位置に対してずれた状態で接合される半導
体ペレットを示す平面図、第5図は検査用パッドにワイ
ヤボンディングする状態を示す断面図、第6図は自動位
置検出装置により検出された接合位置に対してずれた状
態で接合される半導体ペレットの検査用パッドにワイヤ
ボンディングを行なう状態を示す平面図、第7図は自動
位置検出装置により検出された接合位置に接合される半
導体ペレットの検査用パッドにワイヤボンディングを行
なう状態を示す平面図、第8図は半導体ペレットが自動
位置検出装置により検出された接合位置から角度0度ず
れた状態を示す模式図である。
半導体ペレットlOは、正方形状のウェハとされ、全体
をシリコン等の半導体材料で形成するとともに、その表
面層に回路パターンを焼付けて形成される。半導体ペレ
ット10の周部表面層には、回路パターンと接続される
複数の電極パッド12が所定間隔で形成される。さらに
、半導体ペレットlOの4つの隅部のうちの一箇所およ
びその対角線位置には、第2図に示すように検査用パッ
ド13が形成されてなる。検査用パッド13は、第1図
に示すように中心に絶縁材料で形成される非導通部14
を、その周部に導電性材料で形成される導通部15を備
えてなる。
このような構成からなる半導体ペレットlOは、XY方
向に所定の斉整状態で位置決めされるリードフレーム1
6に対し接合される。リードフレーム16は、第2図に
示すように中心に略正方形状のアイランド部17を、そ
の周囲に複数のリード端子18を備えてなり、全体を導
電性材料で形成してなる。リードフレーム16に対する
半導体ペレット10の接合は、リードフレーム16のア
イランド部17に対して行なわれ、アイランド部17の
上面に導電性を有する接合用ペーストを塗布し、該位置
に半導体ペレッ)10を位置決めして行なわれる。この
結果、第3図に示すように半導体ペレットlOの下面と
アイランド部17の上面が接合されることとなり、これ
により、検査用パッド13における導通部15がリード
フレーム16と電気的に導通されることとなる。アイラ
ンド部17に対し半導体ペレットlOの位置決めおよび
接合が行なわれると、不図示の自動位置検出装置により
XY方向における半導体ペレット10の接合位置が検出
される。すなわち、この接合位置の検出は、リードフレ
ーム16のリード端子18に対する各電極パッド12の
座標位置を検出して行なわれる。
半導体ペレッ)10のアイランド部17における接合位
置が検出されると第5図に示すようにワイヤボンディン
グ装置19の作業位置において、半導体ペレッ)10の
電極パッド12と、リードフレーム16のリード端子1
8とワイヤボンディングを行なうようにする。ワイヤボ
ンディング装置19の作業テーブル20上に載置される
リードフレーム16は、上方にワイヤボンディングを行
なうキャピラリ21が備えられる。すなわち、キャピラ
リ21は、スプール22に巻回されるAu線からなるワ
イヤ23を供給可能とし、第2図に示すように所定の電
極パッド12と所定のリード端子18との間を移動する
こととし、該移動は、自動位置検出装置により検出され
た電極パッド12のXY座標に基づいて行なわれる。こ
れにより、該電極パッド12と該リード端子18のワイ
ヤ23によるボンディングを可能としている。
スプール22に巻回されるワイヤ23と作業テーブル2
0の間には電流検出回路24が設けられ、該電流検出回
路24には、電源25および検流計26が備えられる0
作業テーブル20上に載置されるリードフレーム16は
、該作業テーブル20との電気的導通が図られ、これに
より、検査用パッド13における導通部15と作業テー
ブル20との間も電気的導通が図られることとなる。
すなわち、検査用パッド13の導通部15は電流検出回
路24と接続されることとなる。このようにして、作業
テーブル20上に載置されたリードフレーム16の所定
のリード端子18と半導体ベレ・ント10の所定の電極
パッド12とをキャピラリ21によりワイヤボンディン
グを行なうようにする。
ワイヤボンディングを行なうように際しては、予め、検
査用パッド13に対して第5図に示すようにワイヤ23
の先端部をキャピラリ21によりボンディングするよう
にする。ボンディングは、自動位置検出装置により検出
された半導体ペレット10の検出された接合位置Aおけ
る検査用パッド13の中心の非導通部14の座標位置に
対して行なうようにする。また、ボンディングは、2つ
の検査用パッド13のそれぞれの非導通部14の座標位
置に対して行なうようにする。この結果、例えば第4図
に示すように半導体ペレット10が検出された接合位置
Aに対しずれた状態で接合されている場合には、第6図
に示すように検査用パッド13における非導通部14か
らずれた位置Bにワイヤ23の先端部がボンディングさ
れる状態となる。すなわち、半導体ペレットlOの実接
合位置が検出された接合位置Aからずれた状態とされる
と、ボンディングが非導通部14の周囲の導通部15に
対して行なわれることとなる。これにより、スプール2
2に巻回されるワイヤ23の先端部と導通部15が電気
的に接続され、電流検出回路24が閉状態となる。この
状態は、検流計26の電流検出により確認され、該検流
計26により電流が検出されると半導体ペレッ)10の
実接合位置が検出された接合位NAから許容範囲を越え
た位置ずれ状態でアイランド部17に接合されるものと
判断できるものである。したがって、このままの位置ず
れ状態で例えばリード端子18と半導体ペレッ)10の
電極パッド12のワイヤボンディング作業を開始した場
合、第6図に示すようにボンディングの位置Cが電極パ
ッド12から外れた半導体ペレッ)10の表面位置に対
してなされることとなり、ボンディングの不良状態が発
生することとなる。そこで検流計26により電流検出が
行なわれたら、その段階で直ちにボンディング作業を中
止し、半導体ペレット10の接合状態の・補正を行なう
こととする。なお、検査用パッド13の表面に占める非
導電部14の大きさは、電極パッド12の許容ボンディ
ング領域と同じかまたはそれより幾分小さくすることが
9ましく、また導電部15の大きさは、自動位置検出装
置により検出された接合位置に対して予想される実接合
位置の位置ずれ誤差の最大範囲と同じかまたはそれより
幾分大きくすることが望ましい、さらに、検流計26に
よる位置ずれ状態の確認は、2つの検査用パッド13の
それぞれについて行なうこととする。すなわ゛ち、第8
図に示すように例えば一つの検査用パッド13の非導通
部14は検出された接合位置に相応する状態で位置すれ
かなく、これに対し、他方の検査パッド13の非導通部
14に角度0度の位置ずれが生じている場合が考えられ
るためである。このような場合、いずれか一方の検査用
パー、ド13についての検流計26の確認では不十分な
ためである。
半導体ペレッ)10がアイランド部17の検出された接
合位置Aに接合される場合、第7図に示すように検査用
パッド13における非導通部位置りにワイヤ23の先端
部がボンディングされることとなる。この状態では、リ
ードフレーム16とワイヤ23の電気的導通が行なわれ
ず電流検出回路24は開状態となる。したがって検流計
26においての電流検出が、2つの検査用パッド13に
対するボンディングでそれぞれなされない場合、該半導
体ペレッ)10はアイランド部17の検出された接合位
置Aまたはその許容範囲に接合されていることとなる。
この状態でリード端子18と半導体ペレットlOの電極
パッド12のワイヤボンディング作業を開始した場合、
wIJ7図のボンディング位置Eの示すように、電極パ
ッド12に対する正確なワイヤボンディングが可能とな
る。
次に、上記実施例の作用を説明する。
上記実施例に係るワイヤボンディング方法によれば、ワ
イヤ23のボンディング中にアイランド部17上に接合
されている半導体ペレット10の実接合位置が、その自
動位置検出装置により検出された接合位!!Aに対して
なすずれの程度を検流計26の電流検出の有無により判
断可能となり、半導体ペレットlOに配設される電極パ
ッド12がリードフレーム16に対してなす位置ずれ状
態の判別を行なうことが可能となる。この結果、ワイヤ
23のボンディング中に適確かつ容易に電極パッド12
に対するワイヤボンディング位置合わせの良否を判別す
ることが可能となる。
なお、上記実施例に係る半導体ペレッ)10の検査用パ
ッド13は、中心に非導通部14を周囲に導通部15を
配設するようにしているが、逆に中心に導通部15を周
囲に非導通部14を配設し、2つの検査用パッド13に
対するワイヤボンディングでそれぞれ検流計26により
電流検出が確認される場合に該半導体ペレット10が自
動位置検出装置により検出された接合位置Aまたはその
許容範囲に接合されているものと判別させるようにして
もよい。
また、上記実施例に係る半導体ペレッ)10は2つの検
査用パッド13を有するものとしているが、例えば電極
パッドの面積が比較的大きく、検査用パッドの面積を比
較的小さく設定したり、検査精度を比較的粗とすること
が可能である場合等においては、半導体ペレットに設け
る検査用パッドを単一としても良い。
[発明の効果] 以上のように、本発明は、リードフレーム上に接合され
ている半導体ペレットの電極パッドと、リードフレーム
のリード端子とをワイヤによってボンディングするワイ
ヤボンディング方法において、リードフレームと電気的
に導通ずる導通部を少なくとも一部に備える検査用パッ
ドを、半導体ペレットの所定位置に設け、リードフレー
ムをボンディング作業位置に位置決めし、該半導体ペレ
ットをリードフレームの所定位置に接合する状態下で、
ワイヤを該半導体ペレットの検査用パッドにボンディン
グし、検査用パッドにボンディングされたワイヤとリー
ドフレームとの電気的導通の有無を検出することにより
、電極パッド位置に対するワイヤのボンディング位置合
わせの良否を判別することとしたため、ワイヤボンディ
ング中に適確かつ容易に電極パッド位置に対するワイヤ
ボンディング位置合わせの良否を判別することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るワイヤボンディング方法に適用さ
れる半導体ペレットを示す一部破断の斜視図、第2図は
リードフレーム上に接合される半導体ペレットの電極パ
ッドとリードフレームのリード端子をワイヤによりボン
ディングする状態を示す斜視図、第3図は第2図のm−
■線に沿う断面図、第4図は自動位置検出装置により検
出された接合位置に対してずれた状態で接合される半導
体ペレットを示す平面図、第5図は検査用パッドにワイ
ヤボンディングする状態を示す断面図、第6図は自動位
置検出装置により検出された接合位置に対してずれた状
態で接合される半導体ペレットノ検査用パッドにワイヤ
ボンディングを行なう状態を示す平面図、第7図は自動
位置検出装置により検出された接合位置に接合される半
導体ペレ、ントの検査用パッドにワイヤボンディングを
行なう状態を示す平面図、第8図は半導体ペレットが自
動位置検出装置により検出された接合位置から角度0度
ずれた状態を示す模式図である。 10・・・半導体ペレット、12・・・電極パッド、1
3・・・検査用パッド、14・・・非導通部、15・・
・導通部、16・・・リードフレーム、18・・・リー
ド端子、23・・・ワイヤ。 代理人  弁理士 塩 川 修 治 第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレーム上に接合されている半導体ペレッ
    トの電極パッドと、リードフレームのリード端子とをワ
    イヤによってボンディングするワイヤボンディング方法
    において、リードフレームと電気的に導通する導通部を
    少なくとも一部に備える検査用パッドを、半導体ペレッ
    トの所定位置に設け、リードフレームをボンディング作
    業位置に位置決めし、該半導体ペレットをリードフレー
    ムの所定位置に接合する状態下で、ワイヤを該半導体ペ
    レットの検査用パッドにボンディングし、検査用パッド
    にボンディングされたワイヤとリードフレームとの電気
    的導通の有無を検出することにより、電極パッド位置に
    対するワイヤのボンディング位置合わせの良否を判別す
    ることを特徴とするワイヤボンディング方法。
  2. (2)上記検査用パッドが、その周辺部を導通部とし、
    その中央部を非導通部とする特許請求の範囲第1項に記
    載のワイヤボンディング方法。
JP59270756A 1984-12-24 1984-12-24 ワイヤボンデイング方法 Pending JPS61148829A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59270756A JPS61148829A (ja) 1984-12-24 1984-12-24 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59270756A JPS61148829A (ja) 1984-12-24 1984-12-24 ワイヤボンデイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61148829A true JPS61148829A (ja) 1986-07-07

Family

ID=17490543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59270756A Pending JPS61148829A (ja) 1984-12-24 1984-12-24 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61148829A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498997B1 (en) 1997-08-20 2002-12-24 Fuji Xerox Co., Ltd. Method and apparatus for producing a solid actuator and medium storing a program for controlling the same
JP2003084042A (ja) * 2001-09-12 2003-03-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその検査装置
JP2010281625A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Yamaha Corp 半導体チップの検査方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498997B1 (en) 1997-08-20 2002-12-24 Fuji Xerox Co., Ltd. Method and apparatus for producing a solid actuator and medium storing a program for controlling the same
JP2003084042A (ja) * 2001-09-12 2003-03-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその検査装置
JP2010281625A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Yamaha Corp 半導体チップの検査方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5378981A (en) Method for testing a semiconductor device on a universal test circuit substrate
US6329637B1 (en) Method and process of contract to a heat softened solder ball array
US6448783B1 (en) Method of inspecting semiconductor chip with projecting electrodes for defects
JPH02186279A (ja) 試験用tabフレームとその試験方法
US5675179A (en) Universal test die and method for fine pad pitch designs
JP2005322921A (ja) バンプテストのためのフリップチップ半導体パッケージ及びその製造方法
US5616931A (en) Semiconductor device
JPH0223627A (ja) 集積回路モジュール
JPS61148829A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH09246426A (ja) 表面実装型電子部品、配線基板、実装基板及び実装方法
JP3214420B2 (ja) フィルムキャリア型半導体装置及び検査用プローブヘッド並びに位置合わせ方法
US5455518A (en) Test apparatus for integrated circuit die
JP3208095B2 (ja) 半導体装置の検査装置
US12429497B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same
JPH08330368A (ja) 半導体回路装置群及びそのプローブ試験方法
US6184569B1 (en) Semiconductor chip inspection structures
JPH04215450A (ja) 半導体集積回路装置
JP2652705B2 (ja) 配線用突部の高さ検査方法
JP3261723B2 (ja) 半導体ウェーハのペレット検査方法
JP3163903B2 (ja) マルチチップモジュール用基板の検査用部品
KR100460047B1 (ko) 반도체패키지의 본딩검사방법
JPS6222448A (ja) Icの形成されたウエ−ハ
JP2004039915A (ja) 半導体装置
JPH0815361A (ja) プリント配線板の検査方法
JP2900572B2 (ja) フィルムキャリア型半導体装置及びその選別法