JPS6115145A

JPS6115145A - パタ−ン欠陥検査方法

Info

Publication number: JPS6115145A
Application number: JP59135254A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Tanimoto; 昭一谷元
Original assignee: Nikon Corp; Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1984-07-02
Filing date: 1984-07-02
Publication date: 1986-01-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、光、ｘｉ電子線、荷電粒子線などの露光手段
において使用でれるマスクあるいはレチクルなどに形成
されたパターンの欠陥を検査する方法にかかるものであ
り、特に集積回路の製造において使用芒れるマスク等に
形成きれた微細パターンに対するパターン欠陥検査方法
に関するものである。

〔発明の背景〕

従来フォトリソグラフィ工程において用いられるマスク
ろるＩ／′１ハレナクルなど（以下「マスク等」と総称
する）に形成されたパターン欠陥検査は、光学的な顕微
鏡を用いて行なわれている。

ところで、近年においては、集積回路も増々高密度化さ
れてさており、このため、マスク等のパターンも増々微
細化する傾向にめるっ例えばＸ線リソグラフィ用の転写
マスクにおいては、サブばクロンの線幅ルールとなり、
通常の光学的手段ではパターン像を明瞭に把握すること
ができない。

従って、十分な感度でマスクの欠陥の検出を行うことが
できないという不都合がろる。

筐た、ＳＥＭ等の荷電粒子ビームを小きく絞って走査す
ることにより得られる顕微鏡像を用いると、微細な部分
も明瞭に観察することができる。しかしながら、画像信
号のＳ／Ｎ比が悪く、このＳ／Ｎ比改善の為に計測に長
時間を要することとなつ１実用的に十分な検査を行うた
めには、必ずしも好適とはいえない〇このような点を改良するものとして、例えば本願発明者
が先に提案した特願昭５８−１１１５３４号に開示はれ
るものがめる。この方法によれば、上述した不都合が改
善されるのでろるが、ノ（ターン欠陥のうち不透過性の
欠陥しか良好に検査することができない。

〔発明の概要〕

本発明によれば、検査対象である第１のマスクのパター
ンに対してネガの関係Ｋｌるノ（ターンを有する第２の
マスクと、第１のマスクの）くターンを反転したパター
ンを有する第３のマスクと、第２のマスクのパターンを
反転した・くターンを有する第４のマスクとが各々用意
される。

次に、これら第１′ｆＸ、いし第４のマスクのうち、パ
ターンが共通するいずれか２つのマスクを使用感光体に
対し重ね合せ露光が行なわれる。

この露光きれた感光体上には、透過部内の不透明な欠陥
、あるいは不透過部内の透明な欠陥の・２ターンのみが
転写きれる。

〔実施例〕

以下、本発明にがかるノくターン欠陥検査方法を添附図
面を参照しながら詳細に説明する。

第１図には、本発明の第一実施例の工程が水式れている
。この図において、欠陥検査の対象となるマスクやレチ
クル（以下単に「被検査マスク」という）１００Ｈ１Ｘ
線、荷電粒子線めるいは電子線などを用いる露光装置１
０１を使って設計データに基づいて作成される。この被
検査マスク１００成されている。この第２図において、
ハツチングを施した部分は、非透過性の遮光部１０２で
あり、その他の部分は、透過性の透光部１０４でめる。

遮光部１０２ｔ−ｊ、例えば蒸着したクロム層で形成さ
れている。以下、この被検査マスク１００を基準とし、
これに形成でれているパターンをポジ形として扱うこと
とする。

被検査マスク１０００表面には、直交する２次元の座標
軸ｘ、ｙが想定される。この座標軸ｘ、　ｙ上には、パ
ターン領域１０６以外の領域に、アライメントマークＭ
ＡＡなりしＭＡＤ及びＭＢＡないしＭＢＤが各々形成て
れている。アライメントマークＭＡＡないしＭＡＲは、
透過形であり、この部分を介してウニ・・上のパターン
を観察することができるようになっている。これらのア
ライメントマークＭＡＡないしＭＡＲは、被検査マスク
１００のノくターンのウェハへの転写を行う際に用いら
れる。他方アライメントマークＭＢＡないし、ＭＢＤは
、アライメントマークＭ、ＡＡないしＭＡＤが白黒反転
したものである。そして、マークＭＡＡとＭＢＡの一組
のうち、いずれか一方がアライメントに寄与するようＶ
Ｃなっている。以上のような被検査マスク１００には、
透過性の欠陥１０８がパターン領域１０６内に存在する
ものとする。捷だ、以上の神検査マスク１００を作成す
る工程は第１図中の矢印ＰＡ１で示し、工程ＰＡ１とす
る。

次に、上述した被検査マスク１００のパターンに対して
相補的な関係すなわちネガの関係にめるネガマスク１１
０が形成される。このネガマスク１１０は、例えば第３
図に示されているように、遮光部１１２と透光部１１４
の関係が被検査マスク１００と反対Ｖｃなっている。表
面に想定される座標軸ｘ、　　ｙ上には、アライメント
マークＭＣＡないしＭＣＤ。

ＭＤＡないしＭＤＤが各々パターン領域１１６外にそれ
ぞれ対をなして形成きれている。アライメントマークＭ
ＣＡないしＭＣＤは遮光性でろり、アライメントマーク
ＭＤＡないしＭＤＤＦｉ透過性でろる。

すなわち白黒反転の関係にある。このネガマスク１１０
は、本実施例では、欠陥検査のためにのみ用いられるも
のでめる。このネガマスク１１０のパターン領域１１６
にも透過性欠陥１１８がめるものとする。以上のネガマ
スク１１０を作成する工程を矢印ＰＡ２で示し、工程Ｐ
Ａ２とする。

次に、上述した被検査マスク１００を、密着、プロキシ
ミテイ、プロジェクション、縮小投影などの露光手段を
用いて複写（コピー）して反転マスク１２０が形成され
る。この反転マスク１２０Ｖ′ｉ、例えば第４図に示さ
れているように遮光部１２２と透光部１２４の関係が被
検査マスク１００と反対になっているのみならず、パタ
ーンが反転して、鏡像関係になって―る。この反転プロ
セスとじては、例えばネガレジストを用りて遮光部１２
２をエツチングする方法か、あるいはポジレジストを用
いてリフトオフで遮光部１２２を形成する方法がるる。

表面に想定される座標軸ｘ、ｙ上には、アライメントマ
ークＭＥＡないしＭＥＤ、ＭＦＡないしＭＦＤが各々パ
ターン領域１２６外にそれぞれ対をなして形成されてφ
る。アライメントマークＭＥＡｆｘいしＭＥＤ　は遮光
性であり、アライメントマークＭＦＡないしＭＦＤは透
過性である。被検査マスク１００の透過性欠陥１０８は
、遮光性ないし不透過性の欠陥１２８に対応する。以上
の反転マスク１２０を作成する工程を矢印ＰＡ３でし、
工程ＰＡ３　とする。

次に、反転マスク１２０と同様に、ネガマスク１１０に
対する反転ネガマスク１６０が形成される。この反転ネ
ガマスク１３０ｆｌ、例えば第５図に示されているよう
に、遮光部１６２とＡ元部１６４の関係がネガマスク１
１０と反対になっているのみならず、パターンが反転し
て鏡像関係になっている。表面に想定でれる座標軸Ｘ、
ｙ上には、アライメントマークＭＧＡないしＭＧＤ、Ｍ
ＨＡないしＭＨＤが各々パターン領域１６６外に形成さ
れている。また、ネガマスク１１０の透過性欠陥１１８
は、遮光性ないし不透過性の欠陥１５８に対応する。以
上の反転ネガマスク１６０を作成する工程を矢印ＰＡ４
で示し、工程ＰＡ４とする。

次に、反転マスク１２０及び反転ネガマスク１３０のア
ライメントマークＭＥＡ　ないしＭＥＤ。

ＭＦＡ　ないしＭＦＤ、ＭＧＡないしＭＧＤ、ＭＨＡな
いしＭＨＤに対応する位置に打込みマークＭＡなりしＭ
Ｄを有するマーク用マスク１４０が形成でれる。このマ
ーク用マスク１４０は、例えば第３図に示されて−るよ
うに、表面に想定される座標軸ｘ、ｙ上に打込みマーク
ＭＡないしＭＤを有する。その他の部分は、遮光部１４
２となっておシ、また、パターン領域１４６には、パタ
ーンが形成されていない。このマーク用マスク１４０は
、被検査マスク１００のマーク配置の設計データに基づ
いて作成される。かかる工程を矢印ＰＡ５で示し、工程
ＰＡ５とする。

以上の反転マスク１２０１反転ネガマスク１３０及びマ
ーク用マスク１４０を用いて所定のレジストが表面に塗
布ζｆｔだガラス板あるいはウェハＷ上にパターンの転
写が行なわれる。これらの工程を、矢印ＰＡ６ないしＰ
ＡＦ３で示し、各々工程ＰＡ（５ないしＰＡ１３　とす
る。

かかるパターンの転写が行なわれたウェハＷけ、現像処
理後第１図の下方に示すレーザ光走査型表面検査装置１
５０にセットされ、欠陥の検査が行なわれる。この工程
を矢印ＰＡ９で示し、工程ＰＡ９とする。

ザ光は、−次元スキャナーでめるポリゴンミラ＝１５４
の表面に形成されたミラーに矢印Ｆ１の如く入射する。

ざらにレーザ光は、矢位Ｆ２．Ｆ３で示される範囲内で
矢印Ｆ４の如く一次元的に走査式れる。レーザ光はウェ
ハＷ上で散乱されて一部が散乱光受光素子１５６．ｊ５
Ｒに矢印Ｆ５．Ｆ６の如く入射するようになって−る。

散乱光受光素子１５６．１５８　　ｒｉ、各々欠陥検出
回路１６０に接続されており、この回路により散乱光受
光素子１５６．１５８の出力に基づいて欠陥の検出が行
なわれるようになっている。

尚、上記被検査マスク１０００４つのマークＭＡＡ　（
ＭＢＡ）〜ＭＡＤ　（ＭＢＤ）マークＭＡＡ（ＭＢＡ）
とマークＭＡＣ（ＭＢＣ）とはＸ軸に関して対称な位置
に設けられ、マークＭＡＢ　（ＭＢＢ）とマークＭＡＤ
　（ＭＢＤ）とはｙ軸罠関して対称な位置に設けられて
いる。その他のマスク１１ｏ。

１２０．１３０についても全く同様である。これは各マ
スクのパターンをウェハＷ上に重ね焼きする際に、マー
クの合せ状態を検出する位置合せ用顕微鏡の配置を考慮
して決められる。例えば被検査マスク１００のマークＭ
ＡＡ　（ＭＢＡ）を観察してマークＭＡＡのＸ方向の位
置ずれを検出するＸ顕微鏡（以下、Ｘ−ＭＩＣとする）
と、マークＭＡＢ（ＭＢＢ）を観察してマークＭＡＲの
Ｘ方向の位置ずれを検出するｙ顕微鏡（以下、）’−Ｍ
ＩＣとする）との２本の顕微鏡を有する露光装置を使っ
て重ね焼きする場合を考えてみる。この場合、もし被検
査マスク１００にマークＭＡＣ（ＭＢＣ）とＭＡＤ（Ｍ
　Ｂ　Ｄ）とがないと、反転マスク１２０を複写して作
ったとき、鏡像関係のために反転マスク１２０内の元の
マークＭＡＲ（ＭＢＢ）に対応したマークはマークＭＥ
Ｄ　（ＭＦＤ）になる。従って反転マス↓ り１２０内には第４図中のマークＭＥＧ（ＭＦＢ：１が
形成されないことになり、ｙ−ＭＩＣによる位置合せが
不可能になる。このため本実施例では、各マークをＸ軸
、ｙ軸に関して線対称の位１ｉｔＫなるように設ける。

次に、上記実施例の全体的作用について説明する。

まず、工程ＰＡ１によって第２図に示す被検査マスク１
００が作成でれる。この被検査マスク１００には、透過
性欠陥１０８がろるものとする。

次に、工程ＰＡ２によって第３図に示すネガマスク１１
０が作成される。このネガマスク１１０には、透過性欠
陥１１８かめるものとする。

次に、工程ＰＡ３によって第４図に示す反転マスク１２
０が密着露光法により作成される。すなわち被検査マス
ク１００の複製（コピー）が作られる。この反転マスク
１２０には、被検査マスク１００の透過性欠陥１０８が
反転した不透過性欠陥１２８かめる。

次に、工程ＰＡ４　Ｋよって第５図に示す反転ネガマス
ク１３０が密着露光法により作成される。

すなわちネガマスク１１０のコピーが作られる。

この反転ネガマスク１６０には、ネガマスク１１０の透
過性欠陥１１８が反転した不透過性欠陥１６８がｂる。

次に、工程ＰＡ５によって、第３図に示すマーク用ウェ
ハ１４０が作成される。以上の工程ＰＡｊないしＰＡ５
１−Ｊ、必ずしも上述した順序で行う必要はない。要す
る罠マスク１００，１１０，１２０゜１３０．１４０が
形成されれば、その前後を問うものではない。しかし、
反転マスク１２０は被検査マスク１００をベースとし、
反転ネガマスク１６０はネガマスク１１０をベースとし
て作成する。

次に、レジストが表面に塗布されたウェハＷを用意し、
このウェハ〜Ｖに対し、例えば密着方式、プロキシｉテ
ィ方式あるいけ投影方式等によりマーク用マスク１４０
のパターンを工程ＰＡ６により転写する。このウェハＷ
を現像後、エツチング等の処理を行ってウェハＷの表面
に凹凸状のマークＭＡないしＭＤを形成する。

次に、マークＭＡないしＭＤを形成したウェハＷの表面
上に再びレジストを塗布する。そして、マークＭＡない
しＭＤと、反転マスク１２０のアライメントマークＭＥ
ＡないしＭＥＤ、ＭＦＡないしＭＦＤとの位置合せを行
う。この状態で工程ＰＡ７により反転マスク１２０　の
露光を行うＣ１次に、反転ネガマスク１６０のアライメ
ントマークＭＧＡな−ＬＭＧＤ、ＭＨＡ　ないしＭＨＤ
　を最初に形成したマークＭＡないしＭＤＫ対して位置
合せし、反転ネガマスク１３０の露光を工１ｐＡ８によ
り行う。

ここで、反転マスク１２０と、反転ネガマスク１３０と
、第４図及び第５図を参照して比較すると、反転マスク
１２０と反転ネガマスク１６０とはポジとネガの関係に
ある。従って、不透過性欠陥１２８．１３８が仮に存在
しないとすれば、双方のマスクによる露光は、結果的に
ウェハＷの表面全体の露光に該当することとなる。この
ため、ウェハＷ上のレジストの全体にわたって光、電子
ビーム等が入射することとなり、現像を行っても何ら偉
が残ることはない。すなわち、レジストとしてポジ形を
使用した場合（（は、現像によってすべてのレジストが
除去でれ、レジストとしてネガ形を使用した場合には、
すべてのレジストがその１ま残ることとなる。

次に、不透過性欠陥１２８．１３８が存在する場合ＫＶ
′ｉ、該欠陥部分において光、電子ビーム等がレジスト
に入射しない。このため、現像を行うと、不透過性欠陥
１２８，１３８の像１６８．１７８が転写されることと
なる。すなわち、レジストとしてポジ形を使用した場合
には、不透過性欠陥１２８゜１６８に対応する部分が残
り、レジストとしてネガ形を使用した場合には、不透過
性欠陥１２８゜１６８に対応する部分が除去されること
となる。

この状態は、第７図に水石れている。

次罠、工程ＰＡ９によって、走査型表面検査装置１５０
によりウェハＷ上のレジスト残りが検査される。すなわ
ち、第７図に示すウエノ・Ｗは、走査型表面検査装置１
５０にセットされ、レーザ光により表面が走査される。

該レーザ光が不透過性欠陥１２８．１３８に対応する像
１６８，１７８に達すると、レーザ光が散乱され、その
一部が散乱光受光素子１５６．１５８に入射することと
なり、更に所定の信号が欠陥検出回路１６０　に人力さ
れる。

この欠陥検出回路１６０で欠陥の検出が行なわれ、図示
しなり表示出力手段に対して欠陥検出のデータが出力さ
れることとなる。なお、レジストの凹凸を観察するよう
にしてもよい。

すなわち、被検査マスク１００６るいはネガマスク１１
０に存在する透過性欠陥１［ｊＲ，１１８は、反転マス
ク］２０めるいは反転ネガマスク！＋０’ａ−形成する
過程において不透過性欠陥１２８゜１６８ＶＣ反転きれ
、これがｊ１光によりレジストに転写され、更には欠陥
の検出が行なわれることとなる。

なお、仮に１被検査マスク１００及びネガマスク１１０
を用いて露光を行うと、透過性欠陥１０８゜１１８の部
分を含めて、ウェハＷ上のレジストの全領域に光等が入
射することとなり、レジスト上に透過性欠陥１０８，１
１８の像を転写することはできなめ（第２図、第３図参
照）。また、上述した実施例は、Ｘ線マスク等に対して
特に有効でろる。

また、本実施では、各マスクのパターン領域に付随した
マークは、白黒反転したものを対にして設けた。このた
め、２つのマスク１２０，１３０を重ね合せ露光すると
き、マークＮＥとＭＧ　（ＭＦとＭＨ）もポジとネガの
関係にめることがら、マスク１２０，１６０の各マーク
のパターンがウェハＷ上のレジスト像として残存するこ
とがない。さマーク用マスク１４０のうち、マークＭＡ
とＭＢのみをウェハＷ上に転写しておくだけでよい。

次に、本発明の第２実施例について説明する。

第８図には、第２実施例の工程が示されている。

なお、前述した第１実施例と同様の構成部分については
同一の符号を用いることとする。

この実施例では、マスクとして特にレチクルが使用てれ
、露光装置としては縮小投影型（以下単に「ステッパー
」という）のものが使用はれる。

その他は、第１図に示した実施例と同様でろる。

まず、被検査レチクル２００及びこれのネガレチクル２
１０が作成される。いずれも、第１図に示す荷電粒子線
露光装置１０１により所定の設計データに基づいて作成
される。１だ、同様にしてマーク用レチクル２４０が作
成される。

次罠、被検査レチクル２００をペースとして密着ろるい
はプロキシミテイ方式によりパターンの反転した反転レ
チクル２２０が作成きれる。これが工程ＰＢ３である。

また、ネガレチクル２１０をベースとして同様にパター
ンの反転した反転ネガレチクル２３０が作成される。こ
れが工程ＰＢ４でろる。

次に、ステッパー２５０により、まずマーク用レチクル
２４０を用いてウェハＷ上に露光を行い、マークの転写
を行う。この工程は、ＰＢ６でるる。

このマークのウェハＷに対する転写後反転レチクル２２
０のマークとの位置合せが例えばＴＴＬ方式におけるダ
イバイダイで行なわれ、更には、反転レチクル２２０の
パターンの転写が行なわれる。

この工程はＰＢ７である。同様に、反転ネガレチクル２
６０のマークと、ウェハＷのマークとの位置合せかＴＴ
Ｌ方式におけるダイバイダイで行なわれるとともに、パ
ターンの転写が行なわれる。

この工程はＰＢ８でるる。

以上の操作により、第７図に示すような不透過性欠陥の
パターンがその表面に形成されたウェハＷが作成される
。このウェハＷが第１図に示す走査型表面検査装置１５
０にセットされ、欠陥の有無が上記実施例と同様に検出
でれる。

なお、以上の実施例において、反転レチクル２２０、反
転ネガレチクル２３０及びマーク用レチクル２４０の露
光は、同一のステッパー２５０を用いる方が好ましい。

装置間には、例えば投影レンズの微小な倍率誤差がるり
、同一の装置−１を用いればかかる誤差を無視すること
ができる。

次に、本発明の第３実施例について第９図を参照して説
明する。なお、上述した実施例と同様の構成部分につい
ては、同一の符号を用−ることとする。

この実施例では、透過性の欠陥のみならず、不透過性の
欠陥につりでも良好Ｖこ検出することができる０まず、上述した方法により、被検査マスク６００及びネ
ガマスク３１０を作成する。被検査マスク６００には、
透過性欠陥１０８の他に、不透過性の欠陥６０Ｂが存在
するものとする。また、ネガマスク６１０には、透過性
の欠陥１１８の他ＶＣ１不透過性の欠陥６１８が存在す
るものとする。

次に、ウェハＷＡ＆て対し、第１図に示す工程ＰＡ６に
よりマークを形成した後、工程ＰＣ１が実行でれる。す
なわち、被検前マスク３０００位置合せ及び露光が行な
われる。次に、工程ｐｃ２により、ネガマスク６１０の
位置合せ及び露光が行なわれる。

ここで、被検査マスク３００とネガマスク６１０のパタ
ーンを比較する七、不透過性欠陥６０８゜６１８の部分
は、光等がウェハＷＡ上のレジストに照射されない。従
って、現像を行うと、不透過性欠陥３０８．５１８に対
応する像（凹凸パターン）３６８．５７８が転写される
こととなる。従って、不透過性欠陥３０８，３１８の存
在を検出することができる。

次に、被検査マスク３（）Ｏをベースとして工程ＰＣ５
により反転マスク５２０　を作成する。この反転マスク
６２０において、透過性欠陥１０８は、不透過性欠陥１
２８となり、不透過性欠陥６０８は、透過性欠陥３２８
となる。

他方、ネガマスク６１０をベースとして工程ＰＣ４によ
り反転ネガマスク５３０を作成する。

この反転ネガマスク６３０において、透過性欠陥１１８
は、不透過性欠陥１６８となり、不透過性欠陥３１８は
、透過性欠陥３３８となる。

次に、ウェハＷＢに対して、第１図の工程ＰＡ６と同様
の操作によりマークを形成する。このマークが形成でれ
たウェハＷＢに対して、反転マスク３２０の位置合せ及
び露光が工程ＰＣ７により行なわれ、更に、反転ネガマ
スク３３０の位置合せ及び露光が工程ＰＣ８により行な
われる。

ここで、反転マスク３２（）と反転ネガマスク６３０の
パターンを比較すると、不透過性欠陥ｉ２８．１３Ｂの
部分は、上述したように、その像１／）８，１７８がウ
ェハＷＢ上に転写されることとなる。従って、不透過性
欠陥１２８，１３８の存在を検出できる。他方、この不
透過性欠陥のうち、１２Ｂは、被検査マスク３００の透
過性欠陥１０８に対応し、１６８は、ネガマスク３１０
の透過性欠陥１１８に対応している。従って、不透過性
欠陥１２８，１３８の検出は、透過性欠陥１０８１８の
検出に対応することとなる。

なお、上記実施例において、マスクのパターンの露光を
行う際に、ウェハ側にもアライメント用すなわち位置合
せ用のマークを必要とし、また、走査型表面検査装置に
おける検査の際にもかかるマークを必要とする。従って
、このアライメント用のマークは、露光時の露光、める
いＶ′１ＴＴＬ方式のアライメント時のアライメント光
（照明光）の照射によるレジストの感光によって消える
ことがないように配慮することが好ましい。

しかしながら、重ね合せて露光を行うパターンは、ポジ
とネガの関係にあるため、かがるアライメント用マーク
が単にレジスト上に形成きれただけの場合には、露光後
の現像によりアライメント用マークが消えてしまうこと
になる。従って、ウェハ上のアライメント用マークは、
Ｓｉｎ、、　Ｓｉ。

Ｓｉ、Ｎ４などの凹凸のパターンとして形成しておくこ
とが好まじり。このようにすれば、レーザ光による検査
においてもかかるマークを使用することができる。それ
ばかりでなく、ウェハＷ上のレジストを除去して、新し
いレジストを塗布するだけで、アライメントマークＭＡ
−ＭＤ付の感光基板が得られる。すなわちウェハＷの再
利用が可能となるとともに、工程ＰＡ５．ＰＡ／）又は
工程ＰＨ１等を検査の毎に実施する必要がなくなるとい
った利点もめる。

また、上記実施例では、マスクあるいはレチクルのパタ
ーンとしてｒＮＫＪの文字を示したが・これは、パター
ンの反転など発明の内容の理解を容易にするだめのもの
で、実際のものとけ異なる。

また、ウェハＷにおけるパターンの様子も、理解を容易
にするために拡大して示したもので、実際のものと異な
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によるパターン欠陥検査方
法によれば、被検査マスクのパターンに対してネガの関
係にあるパターンを有するネガマスクと、被検査マスク
のパターンを反転はせたパ９４ムターンを有する反転イリヒー中”と、ネガマスクのパタ
ーンを反転させたパターンを有する反転ネガ−ｑり夫冨＃とを各々用意し、これらのうちいずれか２つのマ
スクを用いて重ね合せ露光を行うこととしたので、不透
過性欠陥のみならず透過性欠陥も良好に検出することが
できる。

また、重ね合せ露光を行うエネルギー線として実際のデ
バイス形成時などで使用するエネルギー線を使用するこ
とができるので、実際のリソグラフィ一工程で転写てれ
る欠陥をすべて良好にむだなく検出することができ、信
頼度も向上する。

更に、サブばクロンの微小な欠陥に対しても、最終的に
は孤立したパターンとして表わされることとなり、光の
散乱現象を利用して容易に感度よく検出することができ
るので、紫外線、Ｘ線によるリソグラフィーにおいて使
用されるマスクにも十分適用できるものでろる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかるパターン欠陥検査方法の第一実
施例を示す工程説明図、第２図は被検査マスクの一例を
示す平面図、第３図はネガマスクの一例を示す平面図、
第４図は反転マスクの一例を示す平面図、第５図は反転
ネガマスクの一例を示す平面図、第３図はマーク用マス
クの一例を示す平面図、第７図は検査に供される露光現
像後のウェハを示す平面図、筺８図は本発明の第２実施
例を示す工程説明図、第９図は本発明の第３実施例を示
す工程説明図である。１００．２００．６００・・・被検査マスク、１１０．
２１０゜３１０・・・ネガマスク、１２０，２２０．３
２［１・・・反転マスク、１３０，２３０．３６０・・
・反転ネガマスク、１０８．１１８，６２８，３３８・
・・透過性欠陥、１２８゜１６８、３１１８．３１８・
・・不透過性欠陥、１６８，１７８゜３６８、！＋７８
・・・欠陥の像、Ｗ、ＷＡ、ＷＢ・ウェハ。代理人　弁理士　木　村　三　朗第２図第４図第５図第３図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

露光用のエネルギー線に対して透過性を有する部分と不
透過性を有する部分とによつて第１のマスクに形成され
たパターンに含まれる欠陥を検出するパターン欠陥検査
方法において、前記第１のマスクのパターンをポジとし
たとき、このパターンとネガの関係にめるパターンを有
する第２のマスクを作成する工程と、前記第１のマスク
から、第１のマスクのパターンの透過部と不透過部とを
反転させたパターンを有する第３のマスク複製する工程
と、前記第２のマスクから、第２のマスクのパターンの
透過部と不透過部とを反転させたパターンを有する第４
のマスクを複製する工程と、前記第１と第２のマスクの
組と前記第３と第４のマスクの組のうちいずれか一組の
マスクを使用して感光体に重ね合せ露光を行う工程と、
前記重ね合せ露光が行なわれた感光体に対して現像を行
い、この像を検査する工程とを各々含むことを特徴とす
るパターン欠陥検査方法。