JPS61160818A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61160818A JPS61160818A JP280385A JP280385A JPS61160818A JP S61160818 A JPS61160818 A JP S61160818A JP 280385 A JP280385 A JP 280385A JP 280385 A JP280385 A JP 280385A JP S61160818 A JPS61160818 A JP S61160818A
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- magnetic
- yoke
- head
- magnetic field
- film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用した磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を用いて磁気記録媒体
に記録された信号の検出を行なう薄膜磁気ヘッドに関す
る。
効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を用いて磁気記録媒体
に記録された信号の検出を行なう薄膜磁気ヘッドに関す
る。
〈従来技術〉
強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気ヘッドは
、一般に多用されている巻線型磁気ヘッドと比較して多
くの利点を有することが知られている。部ち薄膜磁気ヘ
ッドは磁気記録媒体に記録された磁化パターンから発生
する信号磁界を受け、これをＭＲ素子の抵抗変化に基く
電圧変化として取り出すものであるため、磁気記録媒体
の移送速度に依存せずに信号を再生することができ、移
送速度が低い場合に巻線型の磁気ヘッドよりも高出力の
再生信号が得られるという利点を備えている。
、一般に多用されている巻線型磁気ヘッドと比較して多
くの利点を有することが知られている。部ち薄膜磁気ヘ
ッドは磁気記録媒体に記録された磁化パターンから発生
する信号磁界を受け、これをＭＲ素子の抵抗変化に基く
電圧変化として取り出すものであるため、磁気記録媒体
の移送速度に依存せずに信号を再生することができ、移
送速度が低い場合に巻線型の磁気ヘッドよりも高出力の
再生信号が得られるという利点を備えている。
実際の使用に際してはＭＲ素子単体で薄膜磁気ヘッドを
構成するよりもＭＲ素子部をヘッド先端から離し、磁気
記録媒体にて発生した磁束をＭＲ素子部まで導く磁束導
入路（ヨーク）を配置した第２図の如き構造の通常ヨー
クタイプＭＲヘッド似下ＹＭＲヘッドと称す）と呼ばれ
る薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上やＭＲ素子
の耐久性の向上に有効であり、近年このタイプのヘッド
が固定ヘッド・ディジタルオーディオ用再生ヘッドとし
て注目されている（第８回日本応用磁気学会学術講演概
要集（１９８４）１４ＰＢ−１１１’−ヨークタイプＭ
Ｒヘッドの再生特性」参照）。
構成するよりもＭＲ素子部をヘッド先端から離し、磁気
記録媒体にて発生した磁束をＭＲ素子部まで導く磁束導
入路（ヨーク）を配置した第２図の如き構造の通常ヨー
クタイプＭＲヘッド似下ＹＭＲヘッドと称す）と呼ばれ
る薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上やＭＲ素子
の耐久性の向上に有効であり、近年このタイプのヘッド
が固定ヘッド・ディジタルオーディオ用再生ヘッドとし
て注目されている（第８回日本応用磁気学会学術講演概
要集（１９８４）１４ＰＢ−１１１’−ヨークタイプＭ
Ｒヘッドの再生特性」参照）。
第２図は従来のＹＭＲヘッドのトラック幅方向に垂直な
方向の断面図である。上側ヨーク９は通常０．５〜１．
０μｍ程度の膜厚のパーマロイ膜で作製されており磁気
記録媒体１０で発生した磁界１１をＭＲ素子！２に導く
ための磁路となる。ＭＲ素子１２はパーマロイ蒸着膜で
作製され、膜厚は３００Ａ乃至５００Ａ 、長さはトラ
ック幅の約５０μｍに設定されている。またＭＲ素子１
２にバイアス磁界を印加するためにＡ４−Ｃｕから成る
導体１３が配設されている。ヘッドギャップ１４は実際
に使用される記録波長が最小０．５μｍ程度であるので
０．２乃至０．３μｍ程度に設定される。下側ヨーク１
５は高透磁率磁性体から成り、本発明で問題となるもの
である。一般には多結晶ＮｉＺｎフェライト基板や単結
晶又は多結晶ＭｎＺｎ７エライト基板が用いられる。ト
ラック幅は通常ＹＭＲヘッドが多トラツク構成となるた
め５０μｍ程度に設定される。
方向の断面図である。上側ヨーク９は通常０．５〜１．
０μｍ程度の膜厚のパーマロイ膜で作製されており磁気
記録媒体１０で発生した磁界１１をＭＲ素子！２に導く
ための磁路となる。ＭＲ素子１２はパーマロイ蒸着膜で
作製され、膜厚は３００Ａ乃至５００Ａ 、長さはトラ
ック幅の約５０μｍに設定されている。またＭＲ素子１
２にバイアス磁界を印加するためにＡ４−Ｃｕから成る
導体１３が配設されている。ヘッドギャップ１４は実際
に使用される記録波長が最小０．５μｍ程度であるので
０．２乃至０．３μｍ程度に設定される。下側ヨーク１
５は高透磁率磁性体から成り、本発明で問題となるもの
である。一般には多結晶ＮｉＺｎフェライト基板や単結
晶又は多結晶ＭｎＺｎ７エライト基板が用いられる。ト
ラック幅は通常ＹＭＲヘッドが多トラツク構成となるた
め５０μｍ程度に設定される。
上記の如＜ＭＲ素子を具備した薄膜磁気ヘッドにおいて
は、強磁性体特有のノイズや信号波形の歪が再生波形の
Ｓ／Ｎ比に与える影響が大きな問題となっている。その
ノイズや波形の歪は第３図に示すような測定装置で記録
媒体からの磁界の応答と同様なヘッドの出力応答特性と
して判別することができる。第３図において、Ｉ６は数
１０Ｈｚの正弦波発振器、１７は電流アンプ、１８はコ
イル、１９は測定するヘッド、２０は磁界方向でトラッ
ク幅方向に垂直、２１はＭＲ素子に通電するセンス電流
源、２２はセンス電流、２３は高入力インピーダンス反
転アンプ、２４はコイルに通電する電流モニター用抵抗
、２５はシンクロスコープのＸ入力、２６はシンクロス
コープのＹ入力、２７はシンクロスコープの管面を表わ
す。第３図に示す測定装置に入力磁界閃とヘッド出力（
至）を測定するとシンクロスコープ管面２７に第４図（
写真）のような磁界−出力特性曲線が得られる。ここで
センス電流は５ｍＡ 、アンプゲインは６０ｄＢ。
は、強磁性体特有のノイズや信号波形の歪が再生波形の
Ｓ／Ｎ比に与える影響が大きな問題となっている。その
ノイズや波形の歪は第３図に示すような測定装置で記録
媒体からの磁界の応答と同様なヘッドの出力応答特性と
して判別することができる。第３図において、Ｉ６は数
１０Ｈｚの正弦波発振器、１７は電流アンプ、１８はコ
イル、１９は測定するヘッド、２０は磁界方向でトラッ
ク幅方向に垂直、２１はＭＲ素子に通電するセンス電流
源、２２はセンス電流、２３は高入力インピーダンス反
転アンプ、２４はコイルに通電する電流モニター用抵抗
、２５はシンクロスコープのＸ入力、２６はシンクロス
コープのＹ入力、２７はシンクロスコープの管面を表わ
す。第３図に示す測定装置に入力磁界閃とヘッド出力（
至）を測定するとシンクロスコープ管面２７に第４図（
写真）のような磁界−出力特性曲線が得られる。ここで
センス電流は５ｍＡ 、アンプゲインは６０ｄＢ。
シンクロスコープＸは１ｄｉｖｌＯＯｅ ＳＹはＩｄｉ
ｖＯ，５Ｖである。
ｖＯ，５Ｖである。
下側ヨーク１５に多結晶ＮｉＺｎ７ｚライト基板を用い
ると、第４図に示す如く磁界に対して出力は概ね２乗特
性を呈するが曲線の途中で不連続な変化点が多数現われ
る。この変化点は通常バルクハウゼンジャンプ（以下Ｂ
−ジャンプと称す）と呼ばれ、ＹＭＲヘッドのノイズの
主要因となっている。このノイズの大小関係はある磁界
でのＢ−ジャンプの大きさのみでなく全体としてのＢ−
ジャンプの大きさと頻度からノイズの大小関係を判別す
る必要がある。また、第４図にも見られる如く部分的に
小さなヒステリシスの様なものも現われているが、以下
ではこれとＢ−ジャンプを総称してＢ−ジャンプノイズ
と称する。実際に記録媒体からの信号磁界を再生すると
きは第２図の導体１３に通電してバイアス磁界を発生さ
せ、バイアス磁界によってヘッドを線型応答に近づける
が、第４図に対応する再生出力の変化点としてＢ−ジャ
ンプノイズが現われる。このＢ−ジャンプの原因の一つ
はＭＲ素子内での磁化が磁区構造をとり、磁壁の不連続
的移動に起因すると考えられている。
ると、第４図に示す如く磁界に対して出力は概ね２乗特
性を呈するが曲線の途中で不連続な変化点が多数現われ
る。この変化点は通常バルクハウゼンジャンプ（以下Ｂ
−ジャンプと称す）と呼ばれ、ＹＭＲヘッドのノイズの
主要因となっている。このノイズの大小関係はある磁界
でのＢ−ジャンプの大きさのみでなく全体としてのＢ−
ジャンプの大きさと頻度からノイズの大小関係を判別す
る必要がある。また、第４図にも見られる如く部分的に
小さなヒステリシスの様なものも現われているが、以下
ではこれとＢ−ジャンプを総称してＢ−ジャンプノイズ
と称する。実際に記録媒体からの信号磁界を再生すると
きは第２図の導体１３に通電してバイアス磁界を発生さ
せ、バイアス磁界によってヘッドを線型応答に近づける
が、第４図に対応する再生出力の変化点としてＢ−ジャ
ンプノイズが現われる。このＢ−ジャンプの原因の一つ
はＭＲ素子内での磁化が磁区構造をとり、磁壁の不連続
的移動に起因すると考えられている。
Ｂ−ジャンプを見易くするために第３図の測定装置のＸ
入力２５をＡＣ結合として測定した結果を第５図（写真
）に示す。以下の説明では小さいＢ−ジャンプの大小関
係が問題となるので磁界−出力測定ではＸ入力２５はＡ
Ｃ結合とする。
入力２５をＡＣ結合として測定した結果を第５図（写真
）に示す。以下の説明では小さいＢ−ジャンプの大小関
係が問題となるので磁界−出力測定ではＸ入力２５はＡ
Ｃ結合とする。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点を解消するためにＭＲヘッドの下
側ヨークを磁壁が形成されない材料で作製することによ
って、入力磁界に対する磁壁の不連続運動に起因して発
生するＢ−ジャンプノイズを、小さくし、良好なＳ／Ｎ
比を有するＭＲヘッドを備えた薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
側ヨークを磁壁が形成されない材料で作製することによ
って、入力磁界に対する磁壁の不連続運動に起因して発
生するＢ−ジャンプノイズを、小さくし、良好なＳ／Ｎ
比を有するＭＲヘッドを備えた薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例を示すＹＭＲヘッドのトラッ
ク方向と垂直な方向の断面構造を示す構成図である。パ
ーマロイスパッタ膜で作製された上側ヨークｌは膜厚約
０．５μｍ乃至１．０μｍに設定され、磁気記録媒体（
磁気テープ等）２で発生した磁界３をＭＲ素子４に導く
ための磁路となる。ＭＲ素子４はパーマロイ蒸着膜で作
製され、膜厚は３００Ａ乃至５００Ａ、長さはトラック
幅の長さ程度（５０μｍ程度）に設定されている。また
ＭＲ素子４にバイアス磁界を印加するためにＡＩ！、−
Ｃｕから成る導体５がＭＲ素子４の下方に対向して配置
されている。上側ヨークｌの磁気記録媒体２に対向する
端面でのへラドギャップ６は０．２乃至０．３μｍ程度
に設定され、下側ヨーク７とへラドギャップ６を介して
対面している。下側ヨーク７は本発明の特徴を表わすも
のであり、磁壁を形成しない高透磁率磁性体で作製され
基板８上に堆積されている。下側ヨーク７の材質として
は本実施例では３〜６重量％のＡ２，８〜１２重量％の
Ｓｉ 、残部Ｆｅから成るセンダスト合金を電子ビー
ムまたはスパッタリングで成膜したものを使用し、膜厚
は数μｍとしている。尚、磁壁を形成しない即ち磁区構
造をもたな、い高透磁率の磁性体であれば、上記センダ
スト合金以外の材料であっても適用することができる。
ク方向と垂直な方向の断面構造を示す構成図である。パ
ーマロイスパッタ膜で作製された上側ヨークｌは膜厚約
０．５μｍ乃至１．０μｍに設定され、磁気記録媒体（
磁気テープ等）２で発生した磁界３をＭＲ素子４に導く
ための磁路となる。ＭＲ素子４はパーマロイ蒸着膜で作
製され、膜厚は３００Ａ乃至５００Ａ、長さはトラック
幅の長さ程度（５０μｍ程度）に設定されている。また
ＭＲ素子４にバイアス磁界を印加するためにＡＩ！、−
Ｃｕから成る導体５がＭＲ素子４の下方に対向して配置
されている。上側ヨークｌの磁気記録媒体２に対向する
端面でのへラドギャップ６は０．２乃至０．３μｍ程度
に設定され、下側ヨーク７とへラドギャップ６を介して
対面している。下側ヨーク７は本発明の特徴を表わすも
のであり、磁壁を形成しない高透磁率磁性体で作製され
基板８上に堆積されている。下側ヨーク７の材質として
は本実施例では３〜６重量％のＡ２，８〜１２重量％の
Ｓｉ 、残部Ｆｅから成るセンダスト合金を電子ビー
ムまたはスパッタリングで成膜したものを使用し、膜厚
は数μｍとしている。尚、磁壁を形成しない即ち磁区構
造をもたな、い高透磁率の磁性体であれば、上記センダ
スト合金以外の材料であっても適用することができる。
上記構成から・成るＹＭＲヘッドの磁界−出力特性を第
６図（写真）に示す。第５図と第６図を比較すれば明ら
かな如く、本実施例のＹＭＲヘッドの方がＢ−ジャンプ
ノイズが小さいことが認められる。
６図（写真）に示す。第５図と第６図を比較すれば明ら
かな如く、本実施例のＹＭＲヘッドの方がＢ−ジャンプ
ノイズが小さいことが認められる。
ＹＭＲヘッドのＢ−ジャンプノイズの発生湯所としては
上述したＭＲ素子内の磁壁の運動以外に次の２つが考え
られる。
上述したＭＲ素子内の磁壁の運動以外に次の２つが考え
られる。
＋ｌ） ＹＭＲヘッドの上側ヨークの磁区構造に付随
する磁化の外部磁界に対する非線型変化によってＭＲ素
子内の入力磁界も非線型応答することに伴なうＢ−ジャ
ンプノイズ （２） ＹＭＲヘッドの下側ヨークの磁区構造に付随
する磁化の外部磁界に対する非線型変化がギャップ周辺
の上側ヨークと下側ヨークの最短距離部分を介してＭＲ
素子に磁束の非線型変化として入力され、出力にＢ−ジ
ャンプノイズとなって現われる。
する磁化の外部磁界に対する非線型変化によってＭＲ素
子内の入力磁界も非線型応答することに伴なうＢ−ジャ
ンプノイズ （２） ＹＭＲヘッドの下側ヨークの磁区構造に付随
する磁化の外部磁界に対する非線型変化がギャップ周辺
の上側ヨークと下側ヨークの最短距離部分を介してＭＲ
素子に磁束の非線型変化として入力され、出力にＢ−ジ
ャンプノイズとなって現われる。
（１）と（２）の原因を分離するためにキュリ一温度（
ＴＣ）１４０℃を有する下側ヨークとして多結晶Ｎ１＝
Ｚｎフエライトを用いたＹＭＲヘッドを昇温しながら、
磁界−出力特性を測定した結果を第７図（写真）に示す
。第７図（４）はＴｃ＝２３℃、同ＣＢ）はＴｃ＝６３
°Ｃ１同（Ｃ）はＴｃ＝＋１５°Ｃ１同の）はＴｃ＝１
２６″Ｃ，％同の）はＴｃ＝Ｉ５９°Ｃの場合のシンク
ロスコープ管面に表われる特性曲線であり、Ｘ（横方向
）はＩｄｉｖ（１目盛）１２０ｅＳＹ（縦方向）は１ｄ
ｉｖＯ６５ｖである。
ＴＣ）１４０℃を有する下側ヨークとして多結晶Ｎ１＝
Ｚｎフエライトを用いたＹＭＲヘッドを昇温しながら、
磁界−出力特性を測定した結果を第７図（写真）に示す
。第７図（４）はＴｃ＝２３℃、同ＣＢ）はＴｃ＝６３
°Ｃ１同（Ｃ）はＴｃ＝＋１５°Ｃ１同の）はＴｃ＝１
２６″Ｃ，％同の）はＴｃ＝Ｉ５９°Ｃの場合のシンク
ロスコープ管面に表われる特性曲線であり、Ｘ（横方向
）はＩｄｉｖ（１目盛）１２０ｅＳＹ（縦方向）は１ｄ
ｉｖＯ６５ｖである。
第７図よりＴｃ以上ではＢ−ジャンプノイズは無視でき
るほど小さくなる。Ｔｃ以上では下側ヨークは単なる非
磁性基板（常磁性体）となるのでその際の特性は上側ヨ
ークの特性を反映した磁界−出力特性となり、上側ヨー
クはＢ−ジャンプノイズの発生湯所とならない。従って
上記（２）の原因に支配されることとなる。
るほど小さくなる。Ｔｃ以上では下側ヨークは単なる非
磁性基板（常磁性体）となるのでその際の特性は上側ヨ
ークの特性を反映した磁界−出力特性となり、上側ヨー
クはＢ−ジャンプノイズの発生湯所とならない。従って
上記（２）の原因に支配されることとなる。
ここで、従来のＮ ｉ Ｚ ｎフェライト多結晶基板を
下側ヨークとして用いたＹＭＲヘッドの方が上記実施例
のＹＭＲヘッドよりＢ−ジャンプノイズが大きくなる原
因について言及する。ＮｉＺｎフェライト多結晶基板の
平均結晶粒径は８μｍ程度であり、一方ＹＭＲヘッドの
トラック幅方向の上側ヨークの幅及びＭＲ素子の長さは
狭トラツクヘッドのため５０μｍ程度である。従って、
上側ヨークの下には６個程度のグレイン（結晶粒）があ
り、１個のグレインは当然単結晶であるが単磁区又は多
磁区状態になっている。ここで磁界が印加されると多磁
区状態になっているグレインでは磁壁移動が起り、磁化
の不連続的な動きが発生しそれに伴なう磁界（反磁界）
が下側ヨークから上側ヨークの微小な間隔０．３μｍ（
ヘッドギャップ）を通してＭＲ素子まで伝達され出力に
Ｂ−ジャンプが発生すると考えられる。このような状況
は下側ヨークが単結晶または多結晶のＭｎＺｎ７エライ
ト、パーマロイなどの磁壁を形成する材料を使用した場
合でも同様である。
下側ヨークとして用いたＹＭＲヘッドの方が上記実施例
のＹＭＲヘッドよりＢ−ジャンプノイズが大きくなる原
因について言及する。ＮｉＺｎフェライト多結晶基板の
平均結晶粒径は８μｍ程度であり、一方ＹＭＲヘッドの
トラック幅方向の上側ヨークの幅及びＭＲ素子の長さは
狭トラツクヘッドのため５０μｍ程度である。従って、
上側ヨークの下には６個程度のグレイン（結晶粒）があ
り、１個のグレインは当然単結晶であるが単磁区又は多
磁区状態になっている。ここで磁界が印加されると多磁
区状態になっているグレインでは磁壁移動が起り、磁化
の不連続的な動きが発生しそれに伴なう磁界（反磁界）
が下側ヨークから上側ヨークの微小な間隔０．３μｍ（
ヘッドギャップ）を通してＭＲ素子まで伝達され出力に
Ｂ−ジャンプが発生すると考えられる。このような状況
は下側ヨークが単結晶または多結晶のＭｎＺｎ７エライ
ト、パーマロイなどの磁壁を形成する材料を使用した場
合でも同様である。
前述した多結晶ＮｉＺｎ７エライト基板を使用したＹＭ
Ｒヘッドと構造は同じであり、材料も下側ヨークを除い
て同じであり、下側ヨークに単結晶ＭｎＺｎ７ エライ
ト基板を用いた場合の磁界−出力特性を第８図（写真）
に、下側ヨークに膜厚０．６μｍのパーマロイ膜を使用
した場合の磁界−出力特性を第９図に示す。下側ヨーク
の磁壁の影響と思われるＢ−ジャンプノイズが第８図、
第９図ともに下側ヨークをセンダスト膜とした場合の第
６図よりも大きい。また本実施例では第１図の様に下側
の磁性体に磁壁を有しない磁性体を使った構造となって
いるが、第１０図の様にＭＲ素子３１と磁気的に結合す
るヨーク２８を下側に設けた場合は上側ヨーク３４に磁
壁を持たない高透磁率磁性体３４を設けることによって
Ｂ−ジャンプノイズの低減化を図ることができる。尚、
第１θ図で２９は磁気記録媒体、３０は入力磁界、３１
はＭＲ素子、３２はバイアス用導体、３３はギャップ部
、３４は磁壁を有しない高透磁率磁性体から成る上側ヨ
ーク、３５は高透磁率磁性体用下側基板である。
Ｒヘッドと構造は同じであり、材料も下側ヨークを除い
て同じであり、下側ヨークに単結晶ＭｎＺｎ７ エライ
ト基板を用いた場合の磁界−出力特性を第８図（写真）
に、下側ヨークに膜厚０．６μｍのパーマロイ膜を使用
した場合の磁界−出力特性を第９図に示す。下側ヨーク
の磁壁の影響と思われるＢ−ジャンプノイズが第８図、
第９図ともに下側ヨークをセンダスト膜とした場合の第
６図よりも大きい。また本実施例では第１図の様に下側
の磁性体に磁壁を有しない磁性体を使った構造となって
いるが、第１０図の様にＭＲ素子３１と磁気的に結合す
るヨーク２８を下側に設けた場合は上側ヨーク３４に磁
壁を持たない高透磁率磁性体３４を設けることによって
Ｂ−ジャンプノイズの低減化を図ることができる。尚、
第１θ図で２９は磁気記録媒体、３０は入力磁界、３１
はＭＲ素子、３２はバイアス用導体、３３はギャップ部
、３４は磁壁を有しない高透磁率磁性体から成る上側ヨ
ーク、３５は高透磁率磁性体用下側基板である。
次に、Ｂ−ジャンプノイズの低減化とディジタル磁気記
録媒体の再生波形の高品質化について８／回変換方式の
６４ＫＢＰＩのアイパターン再生波形と３ＫＨｚの再生
波形を示すことにより説明する。
録媒体の再生波形の高品質化について８／回変換方式の
６４ＫＢＰＩのアイパターン再生波形と３ＫＨｚの再生
波形を示すことにより説明する。
第１＋図（写真）及び第１２図（写真）は本実施例のＹ
ＭＲヘッドによる３ＫＨｚの再生波形及びアイパターン
再生波形である。また第１３図及び第１４図は従来の多
結晶ＮｉＺｎ７エライト基板をヨークに使用したＹＭＲ
ヘッドによる３ＫＨｚの再生波形及びアイパターン再生
波形である。従来のＹＭＲヘッドでは第１３１１に見ら
れるＢ−ジャンプに対応して第１４図の如くアイパター
ンが劣化している。一方、本実施例のＹＭＲヘッドでは
第１Ｉ図に示す如くＢ−ジャンプはなく従って第１２図
に示す如くアイパターンも良好となる。
ＭＲヘッドによる３ＫＨｚの再生波形及びアイパターン
再生波形である。また第１３図及び第１４図は従来の多
結晶ＮｉＺｎ７エライト基板をヨークに使用したＹＭＲ
ヘッドによる３ＫＨｚの再生波形及びアイパターン再生
波形である。従来のＹＭＲヘッドでは第１３１１に見ら
れるＢ−ジャンプに対応して第１４図の如くアイパター
ンが劣化している。一方、本実施例のＹＭＲヘッドでは
第１Ｉ図に示す如くＢ−ジャンプはなく従って第１２図
に示す如くアイパターンも良好となる。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く本発明によればＢ−ジャンプノイズの
小さい狭トラック狭ギャップＹＭＲヘッドを得ることが
できる。
小さい狭トラック狭ギャップＹＭＲヘッドを得ることが
できる。
第１図は本発明のｌ実施例を示すＹＭＲヘッドの断面図
である。第２図は従来のＹＭＲヘッドの断面図である。 第３図はヘッドの磁界−出力特性測定装置のブロック図
である。第４図、第５図及び第６図はそれぞれ磁界−出
力特性をオシロスコープ管面波形の写真で示す説明図で
ある。第７図はキュリ一温度（Ｔｃ）と磁界−出力特性
の関係をオシロスコープ管面波形の写真で示す説明図で
ある。第８図及び第９図はそれぞれ下側ヨークに単結晶
ＭｎＺｎフェライト基板を用いた場合とパーマロイ膜を
用いた場合の磁界−出力特性をオシロスフープ管面波形
の写真で示す説明図である。第１θ図は本発明の他の実
施例を示すＹＭＲヘッドの断面図である。第１１図及び
第１２図は本発明の実施例による３ＫＨｚの再生波形及
びアイパターン再生波形をオシロスコープ管面波形の写
真で示す説明図である。第１３図及び第１４図は従来の
多結晶ＮｉＺｎ７エライト基板をヨークに使用したＹＭ
Ｒヘッドによる３ＫＨｚの再生波形及びアイパターン再
生波形をオシロスコープ管面波形の写真で示す説明図で
ある。 １・・・上側ヨーク ２・・・磁気記録媒体 ３・
・・磁界 ４・・・ＭＲ素子 ５・・・導体 ６
・・・ヘッドギャップ ７・・・下側ヨーク ８・
・・基板代理人 弁理士 福 士 愛 ｇ（他２名）第
３図 薯 ７ ）詔 ＪＥ ｔｏ図
である。第２図は従来のＹＭＲヘッドの断面図である。 第３図はヘッドの磁界−出力特性測定装置のブロック図
である。第４図、第５図及び第６図はそれぞれ磁界−出
力特性をオシロスコープ管面波形の写真で示す説明図で
ある。第７図はキュリ一温度（Ｔｃ）と磁界−出力特性
の関係をオシロスコープ管面波形の写真で示す説明図で
ある。第８図及び第９図はそれぞれ下側ヨークに単結晶
ＭｎＺｎフェライト基板を用いた場合とパーマロイ膜を
用いた場合の磁界−出力特性をオシロスフープ管面波形
の写真で示す説明図である。第１θ図は本発明の他の実
施例を示すＹＭＲヘッドの断面図である。第１１図及び
第１２図は本発明の実施例による３ＫＨｚの再生波形及
びアイパターン再生波形をオシロスコープ管面波形の写
真で示す説明図である。第１３図及び第１４図は従来の
多結晶ＮｉＺｎ７エライト基板をヨークに使用したＹＭ
Ｒヘッドによる３ＫＨｚの再生波形及びアイパターン再
生波形をオシロスコープ管面波形の写真で示す説明図で
ある。 １・・・上側ヨーク ２・・・磁気記録媒体 ３・
・・磁界 ４・・・ＭＲ素子 ５・・・導体 ６
・・・ヘッドギャップ ７・・・下側ヨーク ８・
・・基板代理人 弁理士 福 士 愛 ｇ（他２名）第
３図 薯 ７ ）詔 ＪＥ ｔｏ図
Claims (1)
- １、ヘッドギャップ部の上又は下に形成された磁気記録
媒体に接するヨークを磁路として磁気的に結合された磁
気抵抗効果素子を内設して成る薄膜磁気ヘッドにおいて
、前記ヘッドギャップ部を介して対向する少なくとも一
方のヨークが磁壁を有しない高透磁率磁性体で形成され
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP280385A JPS61160818A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP280385A JPS61160818A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160818A true JPS61160818A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11539534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP280385A Pending JPS61160818A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160818A (ja) |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP280385A patent/JPS61160818A/ja active Pending
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