JPS61163659A - Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61163659A JPS61163659A JP60003601A JP360185A JPS61163659A JP S61163659 A JPS61163659 A JP S61163659A JP 60003601 A JP60003601 A JP 60003601A JP 360185 A JP360185 A JP 360185A JP S61163659 A JPS61163659 A JP S61163659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diode
- electrode
- conjugated polymer
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/20—Organic diodes
- H10K10/23—Schottky diodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、有機系材料を用いた新規なＭＩＳダイオー
ドの製造方法に関する。
ドの製造方法に関する。
第Ｓ図は一般的なＭＩＳダイオードの断面図であり、図
において、ｌｉｔ 、 ＋６１はリード線、（２１は電
極となる金属層、（３）は絶縁層、（４）は半導体層、
＋５１電極となる導電層であり、金員−絶縁物−半導体
（Ｍ工８）の順く構成されたもので、従来より第６図に
示す８１−８１０−金属構造のもの、即ちＭＯ８ダイオ
ードが実用化されている。
において、ｌｉｔ 、 ＋６１はリード線、（２１は電
極となる金属層、（３）は絶縁層、（４）は半導体層、
＋５１電極となる導電層であり、金員−絶縁物−半導体
（Ｍ工８）の順く構成されたもので、従来より第６図に
示す８１−８１０−金属構造のもの、即ちＭＯ８ダイオ
ードが実用化されている。
図において、ｆ７１ｒ１８１ ＯＮｉ％ １８１はＳｉ
層である。
層である。
以前より８１０．−８１構造に帰因する劣化が起ると言
われていたが、現在ではこの問題の解明が進み、理想に
近いＭＯＢＱ造が作られるようＫなり、実用性も高まっ
てきている。これ等の製法としては、８１の気相成長の
方法に酸素、又ｔ−ｔｅ素を含むＣＯ４，ＨＩＯなどの
ガスを導入しＢｉ 上に８１０．を成長させる方法、お
よびＢ１Ｂａと０．を反応させてｓｔｏｗ、を製膜する
方法などがあるー有機ＮＩＢダイオードも最近作られる
ようになったが、これ等は有機半導体の上に絶縁性の有
機高分子を来着法、およびプラズマ重合法などにより２
Ｏ−１０ｏｆ程度の層を堆積し、その上に金属電極をつ
けたものである。また、無機半導体の上に上記の方法で
有機高分子を堆積させ７’ｔＭＩＳダイオードも知られ
ている。
われていたが、現在ではこの問題の解明が進み、理想に
近いＭＯＢＱ造が作られるようＫなり、実用性も高まっ
てきている。これ等の製法としては、８１の気相成長の
方法に酸素、又ｔ−ｔｅ素を含むＣＯ４，ＨＩＯなどの
ガスを導入しＢｉ 上に８１０．を成長させる方法、お
よびＢ１Ｂａと０．を反応させてｓｔｏｗ、を製膜する
方法などがあるー有機ＮＩＢダイオードも最近作られる
ようになったが、これ等は有機半導体の上に絶縁性の有
機高分子を来着法、およびプラズマ重合法などにより２
Ｏ−１０ｏｆ程度の層を堆積し、その上に金属電極をつ
けたものである。また、無機半導体の上に上記の方法で
有機高分子を堆積させ７’ｔＭＩＳダイオードも知られ
ている。
しかし、従来の蒸着法、プラズマ重合法による絶縁性有
機高分子層の超薄膜の堆積は、ピンホールが出来易い、
層の構造に再現性が無い。
機高分子層の超薄膜の堆積は、ピンホールが出来易い、
層の構造に再現性が無い。
層厚のコントロールが困難である、装置が高価格である
、操作が惟しくコストが高いなどの欠点を持ち、Ｍ工Ｓ
ダイオードの絶縁性有機高分子層を堆積さ−せるには不
適当な方法であった。
、操作が惟しくコストが高いなどの欠点を持ち、Ｍ工Ｓ
ダイオードの絶縁性有機高分子層を堆積さ−せるには不
適当な方法であった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、容易に、高性能でかつ性能の安定し７？−Ｍ
ＩＳダイオードの製造方法を得ることを目的とする。
たもので、容易に、高性能でかつ性能の安定し７？−Ｍ
ＩＳダイオードの製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係るＭＩＳダイオードの製造方法は、電極と
なる導電層、電解重合法により形成されたπ−共役系高
分子からなる半導体層、電子受容性基および電子供与性
基の少なくとも一方を有する絶縁性有機化合物層、並び
に電極となる金属層を積層するものである。
なる導電層、電解重合法により形成されたπ−共役系高
分子からなる半導体層、電子受容性基および電子供与性
基の少なくとも一方を有する絶縁性有機化合物層、並び
に電極となる金属層を積層するものである。
この発明は、後述するように、Ｓ層のπ−共役系高分子
中のドーパントがＩｉ％の電子受容性基あるいは電子供
与性基と接掴することにより相互作用して仏教すること
を利用したものである。これにより、Ｓ層と１層の界面
に多数存在してい次キャリアのトラップレベルが均一化
され、ブた１屑中にドーパントが侵入することにより、
一種の電荷移動型錯体を部分的に形成し、見かけのトン
ネル長さが実際の絶縁層の厚さよりも短いものとなる傾
向が出現する・従って例えばこの発明の方法で製造され
たＭＩＳダイオードでは、１層の厚さが前記した従来の
方法で製造され＋Ｍ工Ｓダイオードの２Ｏ−１００７Ｆ
よりも厚りもの、例えばｔｏｏ〜８０００Ａ’となり、
ピンホールレスの膜を容易に作ることができる。
中のドーパントがＩｉ％の電子受容性基あるいは電子供
与性基と接掴することにより相互作用して仏教すること
を利用したものである。これにより、Ｓ層と１層の界面
に多数存在してい次キャリアのトラップレベルが均一化
され、ブた１屑中にドーパントが侵入することにより、
一種の電荷移動型錯体を部分的に形成し、見かけのトン
ネル長さが実際の絶縁層の厚さよりも短いものとなる傾
向が出現する・従って例えばこの発明の方法で製造され
たＭＩＳダイオードでは、１層の厚さが前記した従来の
方法で製造され＋Ｍ工Ｓダイオードの２Ｏ−１００７Ｆ
よりも厚りもの、例えばｔｏｏ〜８０００Ａ’となり、
ピンホールレスの膜を容易に作ることができる。
この発明に係わ４る電極となる導電層に用いる導電材料
としては、一般的に電極に用いる、例えば金および白金
等の金属およびカーボン等があり、単独および各種基板
と共に用いる＠この発明に係６る半導体層に用いる１［
解重合法により形成されるπ−共役系高分子としては例
えばピロールとＮ−ｆｉ置換ピロール共重合体、ビロー
ルのホモポリマー、Ｎ−置換ピロールのホモポリマー、
ポリチェニレン、ポリアニリン、ポリ７ラン、ポリアズ
レン、ポリビニルヒリジン、およびポリチオフェン、な
どの内少なくとも一種が好ましく用いられる。
としては、一般的に電極に用いる、例えば金および白金
等の金属およびカーボン等があり、単独および各種基板
と共に用いる＠この発明に係６る半導体層に用いる１［
解重合法により形成されるπ−共役系高分子としては例
えばピロールとＮ−ｆｉ置換ピロール共重合体、ビロー
ルのホモポリマー、Ｎ−置換ピロールのホモポリマー、
ポリチェニレン、ポリアニリン、ポリ７ラン、ポリアズ
レン、ポリビニルヒリジン、およびポリチオフェン、な
どの内少なくとも一種が好ましく用いられる。
例えば上記π−共役系高分子の半導体層を電極となる導
電層に設けるには、上記π−共役系などの対極との間に
電流を通じて電解重合法により作用電極上に所望のπ−
共役系高分子層を析出させ、析出したπ−共役系高分子
層をよく洗滌した後、窒素雰囲気中で乾燥するという方
法を用いる・この場合、析出したπ−共役系高分子層は
反応時に支持電解質のアニオンがドーピングされｐ型半
導体となる。一方、このｐ型半導体を脱Ｖ−プし、さら
にカチオンをドープすることにより、ｎ型半導体とする
ことができる。ここで、有機溶媒としては、支持電解質
および上記モノマーを溶解させるものならよく、例、ｔ
ハフセトニトリル、ニトロメンセ゛ン、ニトロメタン
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＰ ）、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭ８０）、ジクロロメタン、５テト
ラヒドロフラン、エチルアルコールおよびメチルアルコ
ール等の極性溶媒が単独又は８種以上の混合溶液として
用いられる。支持電解質としては酸化電位および還元電
位が高く、電解重合にそれ１青が酸化又は還元反応を受
けず、かつ溶媒中に溶解させることによって溶液に電導
性を付与することのできる物質であり、例えば、過塩素
酸テトラアルキルアンモニクム塩、テトラアルキルアン
モニウム、テトラフルオロポレート塩、テトラアルキル
アンモニウム、ヘキサフルオロホスフェート塩、テ）ラ
アルキルアンモニクム、パラトルエンスルホネート塩お
よび水酸化ナトリウム等が用いられるが、勿論２種以上
を併用しても構わない。
電層に設けるには、上記π−共役系などの対極との間に
電流を通じて電解重合法により作用電極上に所望のπ−
共役系高分子層を析出させ、析出したπ−共役系高分子
層をよく洗滌した後、窒素雰囲気中で乾燥するという方
法を用いる・この場合、析出したπ−共役系高分子層は
反応時に支持電解質のアニオンがドーピングされｐ型半
導体となる。一方、このｐ型半導体を脱Ｖ−プし、さら
にカチオンをドープすることにより、ｎ型半導体とする
ことができる。ここで、有機溶媒としては、支持電解質
および上記モノマーを溶解させるものならよく、例、ｔ
ハフセトニトリル、ニトロメンセ゛ン、ニトロメタン
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＰ ）、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭ８０）、ジクロロメタン、５テト
ラヒドロフラン、エチルアルコールおよびメチルアルコ
ール等の極性溶媒が単独又は８種以上の混合溶液として
用いられる。支持電解質としては酸化電位および還元電
位が高く、電解重合にそれ１青が酸化又は還元反応を受
けず、かつ溶媒中に溶解させることによって溶液に電導
性を付与することのできる物質であり、例えば、過塩素
酸テトラアルキルアンモニクム塩、テトラアルキルアン
モニウム、テトラフルオロポレート塩、テトラアルキル
アンモニウム、ヘキサフルオロホスフェート塩、テ）ラ
アルキルアンモニクム、パラトルエンスルホネート塩お
よび水酸化ナトリウム等が用いられるが、勿論２種以上
を併用しても構わない。
この発明に係わる電子受容性基および電子供与性基の少
なくとも一方を有する絶縁性有機化合物は、単体では絶
縁性であるが電荷移動錯体を形成すると半導性になるも
のである。
なくとも一方を有する絶縁性有機化合物は、単体では絶
縁性であるが電荷移動錯体を形成すると半導性になるも
のである。
かかる電子受容性基を有する化合物としては、；のＪえ
ばテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ、）、テトラシ
アノエタンｒＴＯＮ］！り、ｐ−クロラニｌし、ｐ−ブ
ロマニル、ｐ−１オダニル、ｐ−７０ラニル、ジシアノ
ジクロロキノン、ジシアノシフ。
ばテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ、）、テトラシ
アノエタンｒＴＯＮ］！り、ｐ−クロラニｌし、ｐ−ブ
ロマニル、ｐ−１オダニル、ｐ−７０ラニル、ジシアノ
ジクロロキノン、ジシアノシフ。
ロモキノン、トリニトロベンセ゛ン、ピレン、アントラ
セン、ペンアントラセン、ベンズアクリジンなどの化合
物や、これらの誘導体、あるいは分子末端にこれらの基
を有する化合物が挙げられる。
セン、ペンアントラセン、ベンズアクリジンなどの化合
物や、これらの誘導体、あるいは分子末端にこれらの基
を有する化合物が挙げられる。
また電子供与性基を有する化合物として汀、アニリン、
ジメチルアニリン、ジアミノベンセ°ン、Ｎ 、 Ｎ’
−置換ジアミノベンゼンなどやこれらの誘導体の芳香族
アミン類、モノ、ジ、トリ、テトラ置換アンモニクム塩
類、訃よびこれらの化合物にＯ１８，８１３ｙｉ、子を
含有した化合物、あるいは分子末端にこれらの基を有す
る化合物が挙げられる。なお、こねら化合物の詳細につ
ｈては、例えば’ Ｏｒｇａｎｉｃ ８ｅｍｉｃｏｎ
−４ｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒｓ“Ｊ、 Ｉ！ｉ、
Ｋａｌ；Ｏｎ著などに示されている。
ジメチルアニリン、ジアミノベンセ°ン、Ｎ 、 Ｎ’
−置換ジアミノベンゼンなどやこれらの誘導体の芳香族
アミン類、モノ、ジ、トリ、テトラ置換アンモニクム塩
類、訃よびこれらの化合物にＯ１８，８１３ｙｉ、子を
含有した化合物、あるいは分子末端にこれらの基を有す
る化合物が挙げられる。なお、こねら化合物の詳細につ
ｈては、例えば’ Ｏｒｇａｎｉｃ ８ｅｍｉｃｏｎ
−４ｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒｓ“Ｊ、 Ｉ！ｉ、
Ｋａｌ；Ｏｎ著などに示されている。
また、−分子内に電子受容性基と電子供与性基の両方を
有する化合物、例えば分子内電荷移動型と呼ばれるよう
な化合物や両者を混合したものも場合に゛よっては好ま
しく用いられる。
有する化合物、例えば分子内電荷移動型と呼ばれるよう
な化合物や両者を混合したものも場合に゛よっては好ま
しく用いられる。
なお、前記π−共役系高分子にアクセプターがＦ−プさ
れているＣｐ型半導体）場合には、絶縁性有機化合物が
電子供与・性基を何し、ドナーがドープされている。（
ｎ型半導体）場合には、電子受容性基を有していること
が必要である。また、これら絶縁性有機化合物層げ、溶
媒キャスト法等の通常の塗布法、真空蒸着法、プラズマ
重合法あるいは電解重合法などにより形成される。
れているＣｐ型半導体）場合には、絶縁性有機化合物が
電子供与・性基を何し、ドナーがドープされている。（
ｎ型半導体）場合には、電子受容性基を有していること
が必要である。また、これら絶縁性有機化合物層げ、溶
媒キャスト法等の通常の塗布法、真空蒸着法、プラズマ
重合法あるいは電解重合法などにより形成される。
この発明に保わる電極となる金属層の金属としては、半
導体層がｐ型の場合は、例えばインジクム（Ｉｎ）、ガ
リウム（Ｇ ａ ）、インジクムーガリクム合金、アル
ミニクム（ムｔ ） 、ｆｌ （Ａｇ）、スズ（８ｎ）
およびゲルマニウム（Ｇｅ ）などの仕事関数の小さい
金属が、ｎ型の場合には、例えば金（Ａｕ）、白金（ｐ
ｔ）および鋼（Ｃｕ）などの仕事関数の大きい金属が用
いられ、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ成長およびメッ
キなどの方法で被着させる。
導体層がｐ型の場合は、例えばインジクム（Ｉｎ）、ガ
リウム（Ｇ ａ ）、インジクムーガリクム合金、アル
ミニクム（ムｔ ） 、ｆｌ （Ａｇ）、スズ（８ｎ）
およびゲルマニウム（Ｇｅ ）などの仕事関数の小さい
金属が、ｎ型の場合には、例えば金（Ａｕ）、白金（ｐ
ｔ）および鋼（Ｃｕ）などの仕事関数の大きい金属が用
いられ、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ成長およびメッ
キなどの方法で被着させる。
以下、仁の発明の実施例について具体的に説明するが、
この発明は、これらに限定されるものではない。
この発明は、これらに限定されるものではない。
実施例１
３、 ｌ ｃＩＩＸ ？ ５１１１のガラス基板上に真
′４！蒸着法によって厚さ１ｏ００ｊｆ’のクロム層を
設け、更にこの上に金（Ａｕ）層をｇｏｏｏｆの厚さに
真空蒸着法によって設けたもの全作用電極とした（有効
作用電極面積は９ ｃｍ ｘ ８．５ ａｍ ）。
′４！蒸着法によって厚さ１ｏ００ｊｆ’のクロム層を
設け、更にこの上に金（Ａｕ）層をｇｏｏｏｆの厚さに
真空蒸着法によって設けたもの全作用電極とした（有効
作用電極面積は９ ｃｍ ｘ ８．５ ａｍ ）。
ｔｏｏｍｚのアセトニトリル中にＮ−メチルピロール（
０−８ｇ ） 、テトラエチルアンモニクムパークロレ
イトＣｏ、’Ｉｇ）ｔ−溶解させた液を反応溶液とした
。
０−８ｇ ） 、テトラエチルアンモニクムパークロレ
イトＣｏ、’Ｉｇ）ｔ−溶解させた液を反応溶液とした
。
対極として白金（ｐｔ）電極を、参照電極としてａｃｚ
ｃ飽和カロメル電極）を使用し、反応溶液中に作用電極
と共に浸し、窒素ガス雰囲気下で作用電極ｉｌ！＃Ｊ極
として対極との間に一定電流（０，１５ｍＡ）？：９０
分間流し、作用゛電極上にπ−共役系高分子層約＋ｏｏ
ｏｆの厚さに析出させ、アセトニトリルで洗浄後、窒素
ガス雰囲気下で乾燥し、π−共役系高分子試料（Ｉ）を
得た。
ｃ飽和カロメル電極）を使用し、反応溶液中に作用電極
と共に浸し、窒素ガス雰囲気下で作用電極ｉｌ！＃Ｊ極
として対極との間に一定電流（０，１５ｍＡ）？：９０
分間流し、作用゛電極上にπ−共役系高分子層約＋ｏｏ
ｏｆの厚さに析出させ、アセトニトリルで洗浄後、窒素
ガス雰囲気下で乾燥し、π−共役系高分子試料（Ｉ）を
得た。
次に、π−共役系高分子試料（Ｉ）の上に、絶縁性有機
化合物としてポリビニルカルバゾールを＊Ｏｔｌの厚さ
に真空加熱蒸着法により設けた。
化合物としてポリビニルカルバゾールを＊Ｏｔｌの厚さ
に真空加熱蒸着法により設けた。
この際の蒸着条件は、圧力１． ＯＸ １０ Ｔｏｒ
ｒ％加熱温度６ｓｏ℃、ポリｐ−７エ＝ｔｚｙｌ 、
３ 、４−オキサジアゾニルの仕込み量０．１ｇ、π−
共役系扁分子試料（Ｉ）と加熱源との距離１ｏｃｇ
である。このようにしてπ−共役系高分子試料（１１）
を得る。
ｒ％加熱温度６ｓｏ℃、ポリｐ−７エ＝ｔｚｙｌ 、
３ 、４−オキサジアゾニルの仕込み量０．１ｇ、π−
共役系扁分子試料（Ｉ）と加熱源との距離１ｏｃｇ
である。このようにしてπ−共役系高分子試料（１１）
を得る。
さらに、π−共役系高分子試料（ＩＩ）の上に真空蒸着
法によりインジウム（Ｉｎ）層を約ａｏｏｏ ７Ｐの厚
さで設けること罠より得られたＭＩＤダイオードＩＭ工
Ｓダイオ−Ｆ試料（Ｉ）とする。
法によりインジウム（Ｉｎ）層を約ａｏｏｏ ７Ｐの厚
さで設けること罠より得られたＭＩＤダイオードＩＭ工
Ｓダイオ−Ｆ試料（Ｉ）とする。
実施例Ｂ
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料（Ｉ）を用い
て、この上に、加熱温度２８０℃とした以外は実施例１
と同様の方法で、メロシアニン系色素ＮＫ−１１０４５
（日本感光色素社製） ｔ’ １０００ｊの厚さに設け
、さらに実施例１こ同様にＩｎ層を設けることによって
ＭＩ８ダイオード試料（［［）を得た。
て、この上に、加熱温度２８０℃とした以外は実施例１
と同様の方法で、メロシアニン系色素ＮＫ−１１０４５
（日本感光色素社製） ｔ’ １０００ｊの厚さに設け
、さらに実施例１こ同様にＩｎ層を設けることによって
ＭＩ８ダイオード試料（［［）を得た。
実施例８
実施例１と同様の方法でπ−共役系高分子層を約４００
ｏｊＰの厚さに析出させた後、作用ｔｔ！ｉｉと対極
を短絡し１ｇｏ分間ホールドした後、洗浄、乾燥し、８
０℃で８時間空気中で加熱処理を行つ次。しかる後にこ
の試料をトリエチルアミン蒸気中に３０分間さらし、π
−共役系高分子試料（ｎ）を得た。
ｏｊＰの厚さに析出させた後、作用ｔｔ！ｉｉと対極
を短絡し１ｇｏ分間ホールドした後、洗浄、乾燥し、８
０℃で８時間空気中で加熱処理を行つ次。しかる後にこ
の試料をトリエチルアミン蒸気中に３０分間さらし、π
−共役系高分子試料（ｎ）を得た。
次に、π−共役系高分子試料（ｎ）の上に、絶縁性有機
化合物として、テトラシアノキノジメタン（ＴＯＮＱ）
溶液を厚さ１００Ｇ７’になるようにスピナーで塗
布し、実施例１と同様にＩｎ層を設けることによってＭ
工８ダイオード試料（２））を得た。
化合物として、テトラシアノキノジメタン（ＴＯＮＱ）
溶液を厚さ１００Ｇ７’になるようにスピナーで塗
布し、実施例１と同様にＩｎ層を設けることによってＭ
工８ダイオード試料（２））を得た。
比較例１
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料（夏）ノ上に
工ｎ／ｍヲ約ａｏｏｏ７Ｐの厚さで設けることによって
得られた有機ショットキーダイオードを比較試料（Ｉ）
とする。
工ｎ／ｍヲ約ａｏｏｏ７Ｐの厚さで設けることによって
得られた有機ショットキーダイオードを比較試料（Ｉ）
とする。
比較例２
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料（１）の上に
ポリエチレン（ｐＩｌり層を真空加熱蒸着法を用いて１
ＧＯＡ’の厚さになる様に設けた。この際の蒸着条件は
、圧力１． ＯＸ １０ ＴＯｒｒ、加熱温度２５０
℃、Ｐｉｌ＋の仕込み量０．０５ｇ、π−共役系高分子
試料（Ｉｌと加熱源との距離７ａである。この様罠して
得られた試料をπ−共役系高分子試料（マ）とする。
ポリエチレン（ｐＩｌり層を真空加熱蒸着法を用いて１
ＧＯＡ’の厚さになる様に設けた。この際の蒸着条件は
、圧力１． ＯＸ １０ ＴＯｒｒ、加熱温度２５０
℃、Ｐｉｌ＋の仕込み量０．０５ｇ、π−共役系高分子
試料（Ｉｌと加熱源との距離７ａである。この様罠して
得られた試料をπ−共役系高分子試料（マ）とする。
さらに、π−共役系高分子試料（マ）の上ＫＩｎ層を約
５ｏｏｏ７′の厚さで設けることによって得られたＭＩ
Ｂダイオードを比較試料（ＩＮ）とする。
５ｏｏｏ７′の厚さで設けることによって得られたＭＩ
Ｂダイオードを比較試料（ＩＮ）とする。
第１図にＭ工Ｓダイオード試料（１）な−し試料（叫の
、第３図に比較試料（夏）の、第３図に比較試料（ｒｌ
）の断面図を示す。
、第３図に比較試料（夏）の、第３図に比較試料（ｒｌ
）の断面図を示す。
図において（９）、（ＩＩＦｉリード線、（１０１＃：
を工ｎ電極、（１１）は絶縁性有機化合物層、 （１２
１はボｌｌＮ−メチルビロール膜、（Ｉ４はＡｕ電極、
（ＩＦＡはガラス基板、鐸けｐＦＸ蒸着膜である。
を工ｎ電極、（１１）は絶縁性有機化合物層、 （１２
１はボｌｌＮ−メチルビロール膜、（Ｉ４はＡｕ電極、
（ＩＦＡはガラス基板、鐸けｐＦＸ蒸着膜である。
変化を示すＩ−マ特性図である妙
図中、（財）、四は比較試料（１）および比較試料（Ｉ
ｍ）の特性、彌〜（至）は各々ＭＩＥＩダイオード試料
（夏）〜試料（Ｉｌｌ）の特性である。なお、正電圧側
か順方向、負電圧側が逆方向である。これによると、こ
の発明の実施例により得られたＶ工Ｓダイオードは、良
好な整流特性が観測され、しかもＰ！、線層の層厚が厚
いにもかかわらず順方向で大きな電流が得られ、製造時
の層厚制御により所望の特性のＭ工Ｓダイオードを得る
ことができることが解る。
ｍ）の特性、彌〜（至）は各々ＭＩＥＩダイオード試料
（夏）〜試料（Ｉｌｌ）の特性である。なお、正電圧側
か順方向、負電圧側が逆方向である。これによると、こ
の発明の実施例により得られたＶ工Ｓダイオードは、良
好な整流特性が観測され、しかもＰ！、線層の層厚が厚
いにもかかわらず順方向で大きな電流が得られ、製造時
の層厚制御により所望の特性のＭ工Ｓダイオードを得る
ことができることが解る。
以上のように、この発明によれば、電極となる導電層、
電解本合法により形成されたπ−共役系高分子からなる
半導体層、電子受容性基および電子供与性基の少なくと
も一方を有する絶縁性有機化合物層、並びに電極となる
金属層を積層するので、容易に、高性能でかつ性能の安
定したＭＩＳダイオードの製造方法を得ることができる
。
電解本合法により形成されたπ−共役系高分子からなる
半導体層、電子受容性基および電子供与性基の少なくと
も一方を有する絶縁性有機化合物層、並びに電極となる
金属層を積層するので、容易に、高性能でかつ性能の安
定したＭＩＳダイオードの製造方法を得ることができる
。
、なお、絶縁性有機化合物層ｔ−蒸発法でｔｂ成すれば
、層厚制御も容易であり、例えば光センサや光電変換素
子など種々の部品の製造に有用である。
、層厚制御も容易であり、例えば光センサや光電変換素
子など種々の部品の製造に有用である。
第１図はこの発明の一実施例による方法で製造されたＭ
工Ｓダイオードを示す断面図、第８図は一般的な有機シ
ョットキーダイオードを示す断面図、第８図は従来の一
般的な有機Ｍ工Ｓダイオードを示す断面図、第４図はこ
の発明の一実施例によるＭＩＳダイオード、一般的な有
機ショットキーグイオーＦ、および従来の一般的な有機
Ｍ工Ｓダイオードを比較するための電流（Ｉ）−電圧（
マ）特性図、第５図は一般的なＭ工８ダイオードを示す
断面図、第６図は従来のＭＯＳダイオードを示す断面図
である。 図において、（１）、（６）、（９：、Ｑ３１はリード
線、（２１は電極となる金属層、（３；は絶縁層、（４
１は半導体層、＋５１ Ｆｉ電極となる導電ｉ’Ｒｓ
（７１［８１０１層、（８）はＳ１層、ｆｌｏｌ ｒｉ
Ｉｎ層、（ＩＩ） ［絶縁性有機化合物層、＋１２）は
ポリＮ−メチルピロール膜、０４はＡｕ電極、−はガラ
ス基板、（２１はＰＥ蒸着膜、（財）、（至）は−それ
ぞれ比較試料（Ｉ）および（■）の特性、四〜ｆ２１は
それぞれこの発明の一実施例により得られたＷＥＢダイ
オード試料（Ｉ）〜−）の特性である。 なお、各図中同一符号は１ｉ５１−また＃−を相当部分
？示すものとする。
工Ｓダイオードを示す断面図、第８図は一般的な有機シ
ョットキーダイオードを示す断面図、第８図は従来の一
般的な有機Ｍ工Ｓダイオードを示す断面図、第４図はこ
の発明の一実施例によるＭＩＳダイオード、一般的な有
機ショットキーグイオーＦ、および従来の一般的な有機
Ｍ工Ｓダイオードを比較するための電流（Ｉ）−電圧（
マ）特性図、第５図は一般的なＭ工８ダイオードを示す
断面図、第６図は従来のＭＯＳダイオードを示す断面図
である。 図において、（１）、（６）、（９：、Ｑ３１はリード
線、（２１は電極となる金属層、（３；は絶縁層、（４
１は半導体層、＋５１ Ｆｉ電極となる導電ｉ’Ｒｓ
（７１［８１０１層、（８）はＳ１層、ｆｌｏｌ ｒｉ
Ｉｎ層、（ＩＩ） ［絶縁性有機化合物層、＋１２）は
ポリＮ−メチルピロール膜、０４はＡｕ電極、−はガラ
ス基板、（２１はＰＥ蒸着膜、（財）、（至）は−それ
ぞれ比較試料（Ｉ）および（■）の特性、四〜ｆ２１は
それぞれこの発明の一実施例により得られたＷＥＢダイ
オード試料（Ｉ）〜−）の特性である。 なお、各図中同一符号は１ｉ５１−また＃−を相当部分
？示すものとする。
Claims (2)
- （１）電極となる導電層、半導体層、絶縁性有機化合物
層、および電極となる金属層を積層するＭＩＳダイオー
ドの製造方法において、上記半導体層が電解重合法によ
り形成されたπ−共役系高分子からなり、上記絶縁性有
機化合物が電子受容性基および電子供与性基の少なくと
も一方を有することを特徴とするＭＩＳダイオードの製
造方法。 - （２）π−共役系高分子が、ポリピロール、ポリ−Ｎ−
置換ピロール、ピロールとＮ−置換ピロールの共重合体
、ポリチエニレン、ポリアニリン、ポリフラン、ポリア
ズレン、ポリビニルピリジンおよびポリチオフェンの内
の少くとも一種である特許請求の範囲第１項記載のＭＩ
Ｓダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003601A JPS61163659A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003601A JPS61163659A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163659A true JPS61163659A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11562004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003601A Pending JPS61163659A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163659A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01294856A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機機能膜の作製方法および有機機能膜 |
| EP0449226A1 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Seiko Epson Corporation | Non-linear resistor switching element, active matrix liquid crystal panel using the same, and method for manufacturing the non-linear resistor switching element |
| US5140398A (en) * | 1986-12-24 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device |
| US5175114A (en) * | 1989-01-13 | 1992-12-29 | Seiko Epson Corporation | Method for production of a bidirectional nonlinear resistor, active matrix liquid crystal panel using bidirectional nonlinear resistor |
| US5294560A (en) * | 1989-01-13 | 1994-03-15 | Seiko Epson Corporation | Bidirectional nonlinear resistor, active matrix liquid crystal panel using bidirectional nonlinear resistor, and method for production thereof |
| US5485294A (en) * | 1987-12-18 | 1996-01-16 | Seiko Epson Corporation | Process for producing MIM elements by electrolytic polymerization |
| FR2821575A1 (fr) * | 2001-03-02 | 2002-09-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de greffage organique localise sans masque sur des protions conductrices ou semiconductrices de surfaces composites |
-
1985
- 1985-01-12 JP JP60003601A patent/JPS61163659A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5140398A (en) * | 1986-12-24 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device |
| US5485294A (en) * | 1987-12-18 | 1996-01-16 | Seiko Epson Corporation | Process for producing MIM elements by electrolytic polymerization |
| JPH01294856A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機機能膜の作製方法および有機機能膜 |
| US5175114A (en) * | 1989-01-13 | 1992-12-29 | Seiko Epson Corporation | Method for production of a bidirectional nonlinear resistor, active matrix liquid crystal panel using bidirectional nonlinear resistor |
| US5294560A (en) * | 1989-01-13 | 1994-03-15 | Seiko Epson Corporation | Bidirectional nonlinear resistor, active matrix liquid crystal panel using bidirectional nonlinear resistor, and method for production thereof |
| EP0449226A1 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Seiko Epson Corporation | Non-linear resistor switching element, active matrix liquid crystal panel using the same, and method for manufacturing the non-linear resistor switching element |
| FR2821575A1 (fr) * | 2001-03-02 | 2002-09-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de greffage organique localise sans masque sur des protions conductrices ou semiconductrices de surfaces composites |
| WO2002070148A1 (fr) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de greffage organique localise sans masque sur des portions conductrices ou semiconductrices de surfaces composites |
| JP2004524149A (ja) * | 2001-03-02 | 2004-08-12 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 複合表面の導電性部分または半導電性部分上へとマスクフリーで局所的に有機物をグラフト形成するための方法 |
| AU2002241072B2 (en) * | 2001-03-02 | 2007-02-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for mask-free localised organic grafting on conductive or semiconductive portions of composite surfaces |
| KR101017493B1 (ko) | 2001-03-02 | 2011-02-25 | 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스 | 복합체 표면의 전도체 또는 반도체 부위에 무-마스크 국지유기 그래프팅 방법 |
| US8394460B2 (en) | 2001-03-02 | 2013-03-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for mask-free localized organic grafting on conductive or semiconductive portions of composite surfaces |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cravino et al. | Triphenylamine− oligothiophene conjugated systems as organic semiconductors for opto-electronics | |
| Katz et al. | Naphthalenetetracarboxylic diimide-based n-channel transistor semiconductors: structural variation and thiol-enhanced gold contacts | |
| Li et al. | Covalently interlinked organic LED transport layers via spin‐coating/siloxane condensation | |
| Wei et al. | Synthesis and electronic properties of aldehyde end-capped thiophene oligomers and other α, ω-substituted sexithiophenes | |
| Laquindanum et al. | Morphological origin of high mobility in pentacene thin-film transistors | |
| Wang et al. | Charge separation and efficient light energy conversion in sensitized mesoscopic solar cells based on binary ionic liquids | |
| Shibata et al. | Quasi-solid dye sensitised solar cells filled with ionic liquid—increase in efficiencies by specific interaction between conductive polymers and gelators | |
| JP2984370B2 (ja) | 薄層電界効果トランジスター | |
| Chou et al. | Nonvolatile transistor memory devices using high dielectric constant polyimide electrets | |
| Sonar et al. | High-mobility organic thin film transistors based on benzothiadiazole-sandwiched dihexylquaterthiophenes | |
| JPH0555568A (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
| Hirata et al. | Interface engineering for solid-state dye-sensitised nanocrystalline solar cells: the use of an organic redox cascade | |
| Sun et al. | Phthalimide–thiophene-based conjugated organic small molecules with high electron mobility | |
| Xie et al. | Highly efficient dye‐sensitized solar cells using phenothiazine derivative organic dyes | |
| JP2024105629A (ja) | 光電変換素子及び発電デバイス | |
| Kumar et al. | Triarylamine‐Free Pyrenoimidazole‐Containing Organic Dyes with Different π‐Linkers for Dye‐Sensitized Solar Cells | |
| Igci et al. | Highly Planar Benzodipyrrole‐Based Hole Transporting Materials with Passivation Effect for Efficient Perovskite Solar Cells | |
| Dheepika et al. | Unsymmetrical starburst triarylamines: synthesis, properties, and characteristics of OFETs | |
| JPS61163659A (ja) | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 | |
| Chuang et al. | Polyarylamine-based polymeric electret with tunable pendant groups for photorecoverable organic transistor memory | |
| JPH0469971A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| Liu et al. | Improving the performance of arylamine-based hole transporting materials in perovskite solar cells: extending π-conjugation length or increasing the number of side groups? | |
| US20070262231A1 (en) | Imaging device and imaging method | |
| Griffith et al. | Intermolecular effects on the hole states of triisopropylsilylethynyl-substituted oligoacenes | |
| Pajak et al. | New thiophene imines acting as hole transporting materials in photovoltaic devices |