JPS61165774A - 半導体レ−ザの出力レベル制御方式 - Google Patents
半導体レ−ザの出力レベル制御方式Info
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- JPS61165774A JPS61165774A JP59276864A JP27686484A JPS61165774A JP S61165774 A JPS61165774 A JP S61165774A JP 59276864 A JP59276864 A JP 59276864A JP 27686484 A JP27686484 A JP 27686484A JP S61165774 A JPS61165774 A JP S61165774A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、モニタ機能を有する半導体レーザの出力レベ
ルを常に一定に維持するように制御すると共に、前記半
導体レーザの寿命を判定する半導体レーザの出力レベル
制御方式に関する。
ルを常に一定に維持するように制御すると共に、前記半
導体レーザの寿命を判定する半導体レーザの出力レベル
制御方式に関する。
半導体レーザを用いた装置としては、例えば電子写真式
印刷装置が挙げられる。この電子写真式印刷装置は第４
図に示すように、所定速度で回転する感光ドラム１と、
この感光ドラム１の表面を予め帯電する前帯電器２と、
帯電された感光ドラム１を露光して感光ドラム１表面に
静電潜像を形成する露光手段としての半導体レーザａと
、上記静電潜像をトナー現像する現像器４と、トナー現
像されたものを用紙５へ転写する転写帯電器（図示して
ない）と、次の工程に備えて感光ドラム１表面を除電し
、且つ残留トナーを除去するクリーナ６とから構成され
ている。
印刷装置が挙げられる。この電子写真式印刷装置は第４
図に示すように、所定速度で回転する感光ドラム１と、
この感光ドラム１の表面を予め帯電する前帯電器２と、
帯電された感光ドラム１を露光して感光ドラム１表面に
静電潜像を形成する露光手段としての半導体レーザａと
、上記静電潜像をトナー現像する現像器４と、トナー現
像されたものを用紙５へ転写する転写帯電器（図示して
ない）と、次の工程に備えて感光ドラム１表面を除電し
、且つ残留トナーを除去するクリーナ６とから構成され
ている。
尚、第４図における７は前帯電器２に印加される直流高
電圧供給源、８はレーザビームを感光ドラム１表面に導
く光学系装置である。
電圧供給源、８はレーザビームを感光ドラム１表面に導
く光学系装置である。
このような装置において、半導体レーザａは駆動回路１
０からの駆動電流Ｉｆによってオン・オフ動作をする。
０からの駆動電流Ｉｆによってオン・オフ動作をする。
この駆動電流Ｉｆは、印字情報信号Ｖｐにもとすく印字
情報信号電流Ｉｐとバイアス電流Ｉｂとの和で与えられ
ている。
情報信号電流Ｉｐとバイアス電流Ｉｂとの和で与えられ
ている。
このため、この駆動電流Ｉｆを安定させておけば、本来
、半導体レーザａのパワーは一定になるはずである。し
かし、半導体レーザａのパワー特性は第５図に示すよう
に、温度によって変化してしまうため、例えば第５図に
示すように周囲温度がＴ１からＴ２に上昇すると、同じ
駆動電流Ｉｆを与えたとしても同一のパワー出力Ｐｓは
得られない。
、半導体レーザａのパワーは一定になるはずである。し
かし、半導体レーザａのパワー特性は第５図に示すよう
に、温度によって変化してしまうため、例えば第５図に
示すように周囲温度がＴ１からＴ２に上昇すると、同じ
駆動電流Ｉｆを与えたとしても同一のパワー出力Ｐｓは
得られない。
従って、半導体レーザａのパワー出力Ｐｓを一定に保つ
ためには、駆動電流Ｉｆを制御する必要があり、かかる
駆動電流Ｉｆの制御を常により安定に制御可能とすると
共に、制御状況により半導体レーザａの寿命をも判定可
能な方式の実現が期待されている。
ためには、駆動電流Ｉｆを制御する必要があり、かかる
駆動電流Ｉｆの制御を常により安定に制御可能とすると
共に、制御状況により半導体レーザａの寿命をも判定可
能な方式の実現が期待されている。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕従来技
術として、電子写真式印刷装置における半導体レーザの
出力レベル制御方式を例に取り説明する。
術として、電子写真式印刷装置における半導体レーザの
出力レベル制御方式を例に取り説明する。
第６図は従来の半導体レーザの出力レベル制御方式の一
例を示す回路図、第７図は第６図の等価回路図、第８図
は第６図における各部の波形図をそれぞれ示す。
例を示す回路図、第７図は第６図の等価回路図、第８図
は第６図における各部の波形図をそれぞれ示す。
第６図に示すような従来の半導体レーザａの出力レベル
制御方式は、印字情報信号Ｖｐに基づく印字情報信号電
流Ｉｐを出力する電流ドライバ１１と、所定のバイアス
電流Ｉｂを出力する電流ドライバ１２と、この電流ドラ
イバ１２へ所定の制御信号を与える制御回路１３とから
構成されている。
制御方式は、印字情報信号Ｖｐに基づく印字情報信号電
流Ｉｐを出力する電流ドライバ１１と、所定のバイアス
電流Ｉｂを出力する電流ドライバ１２と、この電流ドラ
イバ１２へ所定の制御信号を与える制御回路１３とから
構成されている。
半導体レーザ回路３は、半導体レーザａのモニタ出力Ｐ
ｍ （半導体レーザａのパワー出力Ｐｓに等しい）を電
圧に変換するフォトダイオード等の光電素子１４を備え
ており、この光電素子１４はパワー電圧Ｖｍｃを形成す
る制御回路１３のパワー用積分器１５に接続されている
。
ｍ （半導体レーザａのパワー出力Ｐｓに等しい）を電
圧に変換するフォトダイオード等の光電素子１４を備え
ており、この光電素子１４はパワー電圧Ｖｍｃを形成す
る制御回路１３のパワー用積分器１５に接続されている
。
一方、印字情報信号Ｖｐは基準電圧Ｖｐｃを形成する基
準用積分器１６にも送出されており、このパワー用積分
器１５と基準用積分器１６とは制御電圧形成器１７に接
続されている。
準用積分器１６にも送出されており、このパワー用積分
器１５と基準用積分器１６とは制御電圧形成器１７に接
続されている。
この制御電圧形成器１７は前段に配置された差動アンプ
１８と後段に配置された平滑用積分器１９とから構成さ
れ、平滑用積分器１９の出力端は制御回路１３の出力端
になっており、電流ドライバ１２に接続されている。
１８と後段に配置された平滑用積分器１９とから構成さ
れ、平滑用積分器１９の出力端は制御回路１３の出力端
になっており、電流ドライバ１２に接続されている。
このように構成されている半導体レーザａの駆動回路に
送られて来た印字情報信号Ｖｐが第８図（ａ）の波形で
あるとし、半導体レーザａのパワー出力Ｐｓが所定基準
のものより低下していた場合、以下のような制御が行わ
れる。
送られて来た印字情報信号Ｖｐが第８図（ａ）の波形で
あるとし、半導体レーザａのパワー出力Ｐｓが所定基準
のものより低下していた場合、以下のような制御が行わ
れる。
即ち、まずモニタ出力Ｐｍが光電素子１４によって第８
図（Ｃ１に示すモニタ電圧Ｖｍに変換される。このモニ
タ電圧Ｖｍの振幅は印字情報信号Ｖｐのそれよりも小さ
くなっている。このモニタ電圧Ｖｍはパワー用積分器１
５で積分されると共に、モニタ電圧Ｖｍを平滑化した略
一定の直流パワー電圧Ｖｍｃ （第８１（ｄｌに示す
）が出力される。
図（Ｃ１に示すモニタ電圧Ｖｍに変換される。このモニ
タ電圧Ｖｍの振幅は印字情報信号Ｖｐのそれよりも小さ
くなっている。このモニタ電圧Ｖｍはパワー用積分器１
５で積分されると共に、モニタ電圧Ｖｍを平滑化した略
一定の直流パワー電圧Ｖｍｃ （第８１（ｄｌに示す
）が出力される。
一方、印字情報信号Ｖｐは基準用積分器１６で積分され
ると共に、印字情報信号Ｖｐを平滑化した略一定の直流
基準電圧Ｖｐｃ （第８図（ｂｌに示す）が出力され
、この直流基準電圧Ｖｐｃ及び直流パワー電圧Ｖｍｃは
制御電圧形成器１７の差動アンプ１８で差分される。
ると共に、印字情報信号Ｖｐを平滑化した略一定の直流
基準電圧Ｖｐｃ （第８図（ｂｌに示す）が出力され
、この直流基準電圧Ｖｐｃ及び直流パワー電圧Ｖｍｃは
制御電圧形成器１７の差動アンプ１８で差分される。
この時、直流基準電圧Ｖｐｃは直流パワー電圧ＶｍＣよ
り大きいので差動アンプ１８の出力電圧Ｖｓは第８図（
ｅ）に示すように、所定の正の値を持って表され、平滑
用積分器１９で更に平滑化された後平滑用積分器１９か
らは制御電圧Ｖｓｏが第８図（ｆｌに示すように基準電
圧より正側に出力される。
り大きいので差動アンプ１８の出力電圧Ｖｓは第８図（
ｅ）に示すように、所定の正の値を持って表され、平滑
用積分器１９で更に平滑化された後平滑用積分器１９か
らは制御電圧Ｖｓｏが第８図（ｆｌに示すように基準電
圧より正側に出力される。
この制御電圧Ｖｓｏは電流ドライバ１２に印加され、バ
イアス電流ｒｂを第８図（ｇ）に示す一点鎖線状態から
実線で示す状態に増加させ、半導体レーザａのパワー出
力Ｐｓを増加させるように制御する。
イアス電流ｒｂを第８図（ｇ）に示す一点鎖線状態から
実線で示す状態に増加させ、半導体レーザａのパワー出
力Ｐｓを増加させるように制御する。
又一方、半導体レーザａのモニタ出力Ｐｍが基準のもの
より上昇してしまった場合には、上記直流基準電圧νｐ
ｃは直流パワー電圧Ｖｍｃより小さくなるので、制御電
圧Ｖｓｏは基準電圧より負側に出力される。このため、
制御電圧Ｖｓｏはバイアス電流Ｉｂを減少させ、半導体
レーザａのパワー出力Ｐｓを減少させるように制御する
。
より上昇してしまった場合には、上記直流基準電圧νｐ
ｃは直流パワー電圧Ｖｍｃより小さくなるので、制御電
圧Ｖｓｏは基準電圧より負側に出力される。このため、
制御電圧Ｖｓｏはバイアス電流Ｉｂを減少させ、半導体
レーザａのパワー出力Ｐｓを減少させるように制御する
。
上述したような従来の半導体レーザａの駆動方式を等価
的に集約すると第７図に示すようになる。
的に集約すると第７図に示すようになる。
即ち、半導体レーザａの駆動電流Ｉｆは（１）式で求め
られる。
られる。
ｕ＝■ｂ＋Ｉｐ−Ｉｃ ・・・（１）
但し、Ｉｃは図示してない部分に流れる電流であり、Ｉ
ｐ、 Ｉｃは一定電流である。従って、印字情報信号Ｖ
ｐがオンの時は、バイアス電流Ｉｂを制御することによ
り半導体レーザａの駆動電流Ｉｆ （パワー出力Ｐｓ）
が制御可能となる。
ｐ、 Ｉｃは一定電流である。従って、印字情報信号Ｖ
ｐがオンの時は、バイアス電流Ｉｂを制御することによ
り半導体レーザａの駆動電流Ｉｆ （パワー出力Ｐｓ）
が制御可能となる。
しかし、第６図に示す従来の駆動回路では、印字情報信
号Ｖｐが入力されないと制御がかからないため、印字情
報信号Ｖｐが入力し半導体レーザａを駆動させてからパ
ワー出力Ｐｓを安定させるまでに時間がかかる等の問題
点があった。
号Ｖｐが入力されないと制御がかからないため、印字情
報信号Ｖｐが入力し半導体レーザａを駆動させてからパ
ワー出力Ｐｓを安定させるまでに時間がかかる等の問題
点があった。
本発明は、上記問題点を解消した新規な半導体レーザの
出力レベル制御方式を実現することを目的とするもので
あり、該問題点は、電気信号に応じてオン・オフされた
レーザ光を出力すると共に、レーザ光の出力レベルを示
すモニタ信号を出力する半導体レーザと、前記半導体レ
ーザを所定周期を持って所定期間駆動させる駆動信号発
生手段と、前記半導体レーザから出力されるモニタ信号
を第１の基準レベルと比較する第１の比較手段と、前記
駆動信号発生手段から出力される駆動信号により第１の
状態となり、前記第１の比較手段の出力により第２の状
態となるフリップフロ・ノブと、前記フリップフロップ
の状態によりコンデンサを充放電させる充放電手段と、
前記コンデンサの端子電圧に応じた前記半導体レーザの
駆動電流に変換する電圧・電流変換手段とを設け、所定
周期毎に前記半導体レーザを駆動して、発生するレーザ
光の出力レベルをモニタすると共に、所定周期毎の駆動
信号により前記フリップフロップを第１の状態にして前
記コンデンサを充電し、レーザ光の出力レベルが前記第
１の基準レベルを越えたことにより前記フリップフロ・
ノブを第２の状態にして前記コンデンサを放電して、前
記半導体レーザの駆動電流を増減させると共に、更に前
記電圧・電流変換手段から出力される前記半導体レーザ
の駆動電流を第２の基準レベルと比較する第２の比較手
段を設け、前記半導体レーザの駆動電流が前記第２の基
準レベルと等しくなった時には前記第２の比較手段の出
力により前記コンデンサを強制的に放電させると共に、
前記第２の比較手段の出力を前記半導体レーザの寿命を
表示する信号とする本発明による半導体レーザの出力レ
ベル制御方式により解決される。
出力レベル制御方式を実現することを目的とするもので
あり、該問題点は、電気信号に応じてオン・オフされた
レーザ光を出力すると共に、レーザ光の出力レベルを示
すモニタ信号を出力する半導体レーザと、前記半導体レ
ーザを所定周期を持って所定期間駆動させる駆動信号発
生手段と、前記半導体レーザから出力されるモニタ信号
を第１の基準レベルと比較する第１の比較手段と、前記
駆動信号発生手段から出力される駆動信号により第１の
状態となり、前記第１の比較手段の出力により第２の状
態となるフリップフロ・ノブと、前記フリップフロップ
の状態によりコンデンサを充放電させる充放電手段と、
前記コンデンサの端子電圧に応じた前記半導体レーザの
駆動電流に変換する電圧・電流変換手段とを設け、所定
周期毎に前記半導体レーザを駆動して、発生するレーザ
光の出力レベルをモニタすると共に、所定周期毎の駆動
信号により前記フリップフロップを第１の状態にして前
記コンデンサを充電し、レーザ光の出力レベルが前記第
１の基準レベルを越えたことにより前記フリップフロ・
ノブを第２の状態にして前記コンデンサを放電して、前
記半導体レーザの駆動電流を増減させると共に、更に前
記電圧・電流変換手段から出力される前記半導体レーザ
の駆動電流を第２の基準レベルと比較する第２の比較手
段を設け、前記半導体レーザの駆動電流が前記第２の基
準レベルと等しくなった時には前記第２の比較手段の出
力により前記コンデンサを強制的に放電させると共に、
前記第２の比較手段の出力を前記半導体レーザの寿命を
表示する信号とする本発明による半導体レーザの出力レ
ベル制御方式により解決される。
即ち、印字情報信号と共に半導体レーザ回路を所定周期
毎に所定期間駆動する駆動信号を発生し、前記半導体レ
ーザ回路の出力レベルが第１の所定基準電圧より高い場
合は、所定時定数を持って電圧を蓄積し、第１の所定基
準電圧より低い場合は、所定時定数を持って電圧を放電
させ、常に半導体レーザ回路を駆動し、常に半導体レー
ザ回路の出力レベルが一定に保たれるような制御電流を
流しパワー出力の安定化を図った状態にして置き、更に
前記制御電流の状況により半導体レーザの寿命を容易に
判定するようにした。
毎に所定期間駆動する駆動信号を発生し、前記半導体レ
ーザ回路の出力レベルが第１の所定基準電圧より高い場
合は、所定時定数を持って電圧を蓄積し、第１の所定基
準電圧より低い場合は、所定時定数を持って電圧を放電
させ、常に半導体レーザ回路を駆動し、常に半導体レー
ザ回路の出力レベルが一定に保たれるような制御電流を
流しパワー出力の安定化を図った状態にして置き、更に
前記制御電流の状況により半導体レーザの寿命を容易に
判定するようにした。
以下本発明の要旨を第１図〜第３図に示す実施例により
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザの駆動回路の一実施
例を示すブロックダイヤグラム図、第２図は第１図の等
価回路図、第３図は第１図における各点の信号波形図を
それぞれ示す。尚全図を通じて同一符号は同一対象物を
示す。
例を示すブロックダイヤグラム図、第２図は第１図の等
価回路図、第３図は第１図における各点の信号波形図を
それぞれ示す。尚全図を通じて同一符号は同一対象物を
示す。
次に、本実施例の動作を以下に説明する。
駆動信号発生回路２５の出力信号Ｓ１は周期Ｔを持って
期間もの間出力される。この出力信号Ｓ１が“ｌ”レベ
ルの時は論理和回路３６を通してトランジスタＱｄをオ
フにし、半導体レーザ素子２１を駆動して所定光パワー
を発生する。
期間もの間出力される。この出力信号Ｓ１が“ｌ”レベ
ルの時は論理和回路３６を通してトランジスタＱｄをオ
フにし、半導体レーザ素子２１を駆動して所定光パワー
を発生する。
この所定光パワーをレーザ光出力レベルモニタ回路２２
は電気信号Ｓ２ （但し、出力電圧はＶｍ）に変換し、
コンパレータ２３の１つの端子に送出する。
は電気信号Ｓ２ （但し、出力電圧はＶｍ）に変換し、
コンパレータ２３の１つの端子に送出する。
コンパレータ２３は基準電圧Ｖａ （この電圧は一定に
保つレーザ光出力レベルと同一電圧に設定しである）と
比較し、信号Ｓ２の電圧Ｖｍが基準電圧Ｖａより高い場
合は信号Ｓ３を論理積回路２４の一方の端子に送出する
。
保つレーザ光出力レベルと同一電圧に設定しである）と
比較し、信号Ｓ２の電圧Ｖｍが基準電圧Ｖａより高い場
合は信号Ｓ３を論理積回路２４の一方の端子に送出する
。
論理積回路２４は、信号Ｓ１と信号Ｓ３が同時にオンさ
れた時、信号Ｓ４を立下がり検知回路２６に送出する。
れた時、信号Ｓ４を立下がり検知回路２６に送出する。
立下がり検知回路２６は信号Ｓ４のパルスの立下がりを
検出して、信号Ｓ４’を出力する。又、一方駆動信号発
生回路２５の出力信号Ｓ１を受けた立上がり検知回路２
７は同様に信号Ｓ１の立上がり検出して、信号ＳＬ’を
出力する。
検出して、信号Ｓ４’を出力する。又、一方駆動信号発
生回路２５の出力信号Ｓ１を受けた立上がり検知回路２
７は同様に信号Ｓ１の立上がり検出して、信号ＳＬ’を
出力する。
信号Ｓ４’と信号Ｓｌ’はフリップフロップ（以下Ｆ、
Ｆと称する）２８のＪ、に端子にそれぞれ送出され、こ
れを受けたＦ、Ｆ２８は信号Ｓｌ’によりリセット（出
力“０”レベル）され、信号Ｓ４’によりセント（出力
“１”レベル）される。
Ｆと称する）２８のＪ、に端子にそれぞれ送出され、こ
れを受けたＦ、Ｆ２８は信号Ｓｌ’によりリセット（出
力“０”レベル）され、信号Ｓ４’によりセント（出力
“１”レベル）される。
尚、光検知回路３９は回転ミラー３７によってレーザ光
が走査開始位置に達する毎に、レーザ光のレベルを検知
するものであり、信号Ｓｌ’の周期Ｔは光検知回路３９
のレーザ光検知周期と等しくなるように設定されている
。これは、Ｆ、Ｆ２８が周期Ｔ毎にリセットされること
を意味する。
が走査開始位置に達する毎に、レーザ光のレベルを検知
するものであり、信号Ｓｌ’の周期Ｔは光検知回路３９
のレーザ光検知周期と等しくなるように設定されている
。これは、Ｆ、Ｆ２８が周期Ｔ毎にリセットされること
を意味する。
次に、Ｓ２ ＞ Ｖａの時信号Ｓ４’が出力され、Ｆ、
Ｆ２８のＱ出力端子は“１”となり、これにより論理和
回路２９．３０が“１″ （“Ｈ”レベル）となり、ト
ランジスタＱａはオフ、一方トランジスタＱｂはオンと
なる。
Ｆ２８のＱ出力端子は“１”となり、これにより論理和
回路２９．３０が“１″ （“Ｈ”レベル）となり、ト
ランジスタＱａはオフ、一方トランジスタＱｂはオンと
なる。
これにより、コンデンサＣは抵抗器Ｒｈを介して放電さ
れる。又、信号Ｓｌ’の出力時はＦ、Ｆ２８がリセット
され、Ｓ２＜Ｖａの時次の信号ＳＬ’が検出されるまで
の間（周期Ｔ）は、Ｆ、Ｆ２Ｂの出力が“０”となり、
これにより論理和回路２９．３０が“０” （“Ｌ″レ
ベル、トランジスタＱａがオン、トランジスタＱｂがオ
フとなり、コンデンサＣは抵抗器Ｒａを介して電圧Ｖｃ
ｃｌにて充電される。
れる。又、信号Ｓｌ’の出力時はＦ、Ｆ２８がリセット
され、Ｓ２＜Ｖａの時次の信号ＳＬ’が検出されるまで
の間（周期Ｔ）は、Ｆ、Ｆ２Ｂの出力が“０”となり、
これにより論理和回路２９．３０が“０” （“Ｌ″レ
ベル、トランジスタＱａがオン、トランジスタＱｂがオ
フとなり、コンデンサＣは抵抗器Ｒａを介して電圧Ｖｃ
ｃｌにて充電される。
即ち、コンデンサＣは周期Ｔの開信号Ｓ４’が検出され
ない限り充電状態にあり、信号Ｓ４’が検出されて始め
て次の信号３１′が検出されるまでの間放電状態になる
。尚、コンデンサＣは時定数Ｒａ・Ｃで充電、時定数Ｒ
ｂ −Ｃで放電を行う。第３図にこれらの動作状況を示
す。
ない限り充電状態にあり、信号Ｓ４’が検出されて始め
て次の信号３１′が検出されるまでの間放電状態になる
。尚、コンデンサＣは時定数Ｒａ・Ｃで充電、時定数Ｒ
ｂ −Ｃで放電を行う。第３図にこれらの動作状況を示
す。
このようにして制御されるコンデンサＣの端子電圧ｖ１
は、ハンインピーダンス回路３３．増幅器（ＡＭＰ）
３４を通してトランジスタＱｃのベースに印加され、ト
ランジスタＱｃのベース電圧を制御する。
は、ハンインピーダンス回路３３．増幅器（ＡＭＰ）
３４を通してトランジスタＱｃのベースに印加され、ト
ランジスタＱｃのベース電圧を制御する。
トランジスタＱｃは印加されたベース電圧に応じて電流
ｒｐｃを制御し、その時抵抗器Ｒｃに発生する電圧ｖ２
を所定の基準電圧ｖｂ ＜半導体レーザ素子２１の寿命
を判定する電圧とする）とコンパレータ３５で比較し、
電圧ｖ２が基準電圧ｖｂと等しくなれば、論理和回路２
９．３０にコンパレータ３５の出力信号をフィードバッ
クし、論理和回路２９．３０を“１” （“Ｈ”レベル
）にし、コンデンサＣを放電状態にすると共に、コンパ
レータ３５の出力信号を半導体レーザ素子２１が寿命に
近づいたことを表示するアラーム信号として上位装置（
図示してない）に送出する。
ｒｐｃを制御し、その時抵抗器Ｒｃに発生する電圧ｖ２
を所定の基準電圧ｖｂ ＜半導体レーザ素子２１の寿命
を判定する電圧とする）とコンパレータ３５で比較し、
電圧ｖ２が基準電圧ｖｂと等しくなれば、論理和回路２
９．３０にコンパレータ３５の出力信号をフィードバッ
クし、論理和回路２９．３０を“１” （“Ｈ”レベル
）にし、コンデンサＣを放電状態にすると共に、コンパ
レータ３５の出力信号を半導体レーザ素子２１が寿命に
近づいたことを表示するアラーム信号として上位装置（
図示してない）に送出する。
即ち、第２図の等価回路で示すように、半導体レーザ回
路３を印字情報信号Ｖｐが入力中はこの信号Ｖｐと駆動
信号回路２５で動作させ、信号Ｖｐがオフの時は駆動信
号回路２５の信号ＳＩのみにより電気的スイッチＳＷを
閉にして動作させる。このようにして、常に電流Ｉｐｃ
を流しておき、モニタ回路２２の出力電圧ｖｍと基準電
圧Ｖａが等しくなるような制御状態にして置く。
路３を印字情報信号Ｖｐが入力中はこの信号Ｖｐと駆動
信号回路２５で動作させ、信号Ｖｐがオフの時は駆動信
号回路２５の信号ＳＩのみにより電気的スイッチＳＷを
閉にして動作させる。このようにして、常に電流Ｉｐｃ
を流しておき、モニタ回路２２の出力電圧ｖｍと基準電
圧Ｖａが等しくなるような制御状態にして置く。
以上のような本発明によれば、常に安定なしかも一定の
半導体レーザの出力パワーが得られると共に、半導体レ
ーザの寿命を容易に判定することが出来ると言う効果が
ある。
半導体レーザの出力パワーが得られると共に、半導体レ
ーザの寿命を容易に判定することが出来ると言う効果が
ある。
第１図は本発明に係る半導体レーザの駆動回路の一実施
例を示すブロックダイヤグラム図、第２図は第１図の等
価回路図、 第３図は第１図における各点の信号波形図、第４図は電
子写真式印刷装置の概要図、第５図は半導体レーザのパ
ワー特性図、第６図は従来の半導体レーザの出力レベル
制御方式の一例を示す回路図、 第７図は第６図の等価回路図、 第８図は第６図における各部の波形図、をそれぞれ示す
。 図において。 １は感光ドラム、 ２は前帯電器、３は半導体レ
ーザ回路、４は現像器、 ５は用紙、 ６はクリーナ、７は直流高電
圧供給源、８は光学系装置、１０は駆動回路、
１１．１２は電流トライノλ、１３は制御回路、
１４は光電素子、１５はパワー用積分器、 １６は
基準用積分器、１７は制御電圧形成器、 １８は差動ア
ンプ、１９は平滑用積分器、 ２１は半導体素子、２
２はレーザ光出力レベルモニタ回路、２３．３５はコン
パレータ、２４は論理積回路、２５は駆動信号発生回路
、２６は立下がり検知回路、２７は立上がり検知回路、
２８はＦ、Ｆ、２９．３０．３６は論理和回路、 ３３はハイインピーダンス回路、 ３４は増幅器（Ａ肝）、 ３７は回転ミラー、３８は
感光体、 ３９は光検知回路、をそれぞれ示す
。 ）′１１ヨ 第２ 図 第３ 図 弗４ｍ 第５図 廃６ 図 第７ 図
例を示すブロックダイヤグラム図、第２図は第１図の等
価回路図、 第３図は第１図における各点の信号波形図、第４図は電
子写真式印刷装置の概要図、第５図は半導体レーザのパ
ワー特性図、第６図は従来の半導体レーザの出力レベル
制御方式の一例を示す回路図、 第７図は第６図の等価回路図、 第８図は第６図における各部の波形図、をそれぞれ示す
。 図において。 １は感光ドラム、 ２は前帯電器、３は半導体レ
ーザ回路、４は現像器、 ５は用紙、 ６はクリーナ、７は直流高電
圧供給源、８は光学系装置、１０は駆動回路、
１１．１２は電流トライノλ、１３は制御回路、
１４は光電素子、１５はパワー用積分器、 １６は
基準用積分器、１７は制御電圧形成器、 １８は差動ア
ンプ、１９は平滑用積分器、 ２１は半導体素子、２
２はレーザ光出力レベルモニタ回路、２３．３５はコン
パレータ、２４は論理積回路、２５は駆動信号発生回路
、２６は立下がり検知回路、２７は立上がり検知回路、
２８はＦ、Ｆ、２９．３０．３６は論理和回路、 ３３はハイインピーダンス回路、 ３４は増幅器（Ａ肝）、 ３７は回転ミラー、３８は
感光体、 ３９は光検知回路、をそれぞれ示す
。 ）′１１ヨ 第２ 図 第３ 図 弗４ｍ 第５図 廃６ 図 第７ 図
Claims (2)
- （１）電気信号に応じてオン・オフされたレーザ光を出
力すると共に、レーザ光の出力レベルを示すモニタ信号
を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザを所定周
期を持って所定期間駆動させる駆動信号発生手段と、前
記半導体レーザから出力されるモニタ信号を第１の基準
レベルと比較する第１の比較手段と、前記駆動信号発生
手段から出力される駆動信号により第１の状態となり、
前記第１の比較手段の出力により第２の状態となるフリ
ップフロップと、前記フリップフロップの状態によりコ
ンデンサを充放電させる充放電手段と、前記コンデンサ
の端子電圧に応じた前記半導体レーザの駆動電流に変換
する電圧・電流変換手段とを設け、所定周期毎に前記半
導体レーザを駆動して発するレーザ光の出力レベルをモ
ニタすると共に、所定周期毎の駆動信号により前記フリ
ップフロップを第１の状態にして前記コンデンサを充電
し、レーザ光の出力レベルが前記第１の基準レベルを越
えたことにより前記フリップフロップを第２の状態にし
て前記コンデンサを放電して、前記半導体レーザの駆動
電流を増減させることを特徴とする半導体レーザの出力
レベル制御方式。 - （２）前記電圧・電流変換手段から出力される前記半導
体レーザの駆動電流を第２の基準レベルと比較する第２
の比較手段を設け、前記半導体レーザの駆動電流が前記
第２の基準レベルと等しくなった時には前記第２の比較
手段の出力により前記コンデンサを強制的に放電させる
と共に、前記第２の比較手段の出力を前記半導体レーザ
の寿命警報信号として出力することを特徴とする半導体
レーザの出力レベル制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276864A JPS61165774A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体レ−ザの出力レベル制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276864A JPS61165774A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体レ−ザの出力レベル制御方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165774A true JPS61165774A (ja) | 1986-07-26 |
| JPH041343B2 JPH041343B2 (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=17575475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59276864A Granted JPS61165774A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体レ−ザの出力レベル制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61165774A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107264A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Canon Inc | Controller for quantity of light |
| JPS57131575A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-14 | Fujitsu Ltd | Automatic light level control system |
| JPS58143357A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真式プリンタ |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59276864A patent/JPS61165774A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107264A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Canon Inc | Controller for quantity of light |
| JPS57131575A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-14 | Fujitsu Ltd | Automatic light level control system |
| JPS58143357A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真式プリンタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041343B2 (ja) | 1992-01-10 |
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