JPS61167285A - 光導電型撮像管の疑似信号消去回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電型撮像管の疑似信号消去回路に関する。

〔従来の技術〕

光導電膜のターゲットの一方の面に被写体の光学像を結
像させ、この光学像に対応してターゲットの他方の面に
生じた正の電荷の像を電子ビームによって走査して映像
信号を得るようにした光導電型撮像管は周知である。

まず、第３図〜第５図を参照しながら、従来のこの種撮
像管とその周辺回路について説明する。

第３図において、θ０）は撮像管（例えば電磁集束。

静電偏向型撮像管）を全体として示し、この撮像管００
）の電子銃Ｇば、カソード（１１）　、第１グリツド（
１２）及び第２グリツド（１３）から構成される。

（１４）は例えば３硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）から
成る光導電膜（ターゲット）であって、透明導電膜（１
５）を介してフェースプレート上に形成される。電子銃
Ｇから射出され、フォーカスコイルＦによって集束され
た電子ビームＢは、図示を省略した適宜の偏向手段によ
って偏向されて、光導電膜（１４）を走査する。

（２０）はブランキング回路であって、ＰＮＰ型トラン
ジスタ（２１）及びＮＰＮ型トランジスタ（２２）を有
する。両トランジスタ（２１）及び（２２）の各コレク
タは直接に接続され、その接続中点Ｋが撮像管ａωのカ
ソード（ＩＩ）に接続される。両トランジスタ（２１）
及び（２２）のベースは、抵抗器及びコンデンサを介し
て、それぞれ入力端子（２３）及び（２４）に接続され
る。両トランジスタ（２１）及び（２２）の各エミッタ
間にはターゲット用電源（３０）の一部分（３１）がブ
ランキング電源として接続される。このターゲット用電
源（３０）は負荷抵抗器（３３）を介して透明導電膜（
信号電極）（１５）に接続される。

第３図に示した回路の動作は次のとおりである。

時点ｔ１から時点ｔ４までの垂直ブランキング期間中に
、第４図Ａに示すような入力信号が再入力端子（２３）
及び（２４）に共通に供給されると、時点ｔ２から時点
ｔ３までの２Ｈの電流ブランキング期間を除いて、ＰＮ
Ｐ）ランジスタ（２１）はオフ状態、ＮＰＮ　トランジ
スタ（２２）はオン状態となり、電源（３１）の陰極が
撮像管０ωのカソード（１１）に接続される。ターゲッ
ト（１４）の表面（１４ａ　）の電位は電子ビームＢの
走査によってカソード（１１）と同電位に平衡するが、
信号電極（Ｉ５）には電源（３０）から例えば７０Ｖの
正電圧が供給されているので、光導電膜（１４）には電
界が掛っている。

被写体からの入射光りによって、その光学像が光導電膜
（１４）上に結像されると、光導電膜（１４）の各微小
部分はそれぞれの入射光量に応じて導電度が大となって
、各微小部分の表面電位は入射光量に応じて上昇し、正
電荷像が形成される。

光導電膜（１４）の表面（１４ａ　）の電荷像は電子ビ
ームＢの走査によって中和され、表面電位はカソード（
１１）の電位に戻る。このときのビームランディング電
流が負荷抵抗器（３３）を流れて、映像信号電圧として
取出される。

なお、２Ｈの電流ブランキング期間（ｔ２〜ｔ３）には
、ＰＮＰ　Ｉ−ランジスタ（２１）がオン状態、ＮＰＮ
）ランジスタ（２２）がオフ状態となって、第４図Ｂに
示すように、撮像管（１０）のカソード（１１）には、
例えば３０〜４０Ｖの電流ブランキング電圧ＥＢＬＭが
供給されて、電子ビームＢが遮断される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、第５図に示すように、円形のターゲット（１
４）の表面（１４ａ）のすべてが電子ビームＢで走査さ
れるのではなくて、横長の方形の領域（１４ｅ）だけが
ビームＢで走査されて有効画面となっている。従って、
有効画面領域（１４ｅ）外の領域には、入射光による正
電荷が電子ビームＢに中和されることなく残存し、その
電位はカソード（１１）に対してかなり高くなっている
。このため、第３図においてｂｌ及びｂ２で示ずように
、電子ビームＢがターゲット（１４）の有効画面（１４
ｅ　）内に衝突して、一部の電子が一度反射されて第２
グリツド（１３）に衝突し、再び反射されてターゲラ）
　　（１４）の有効画面（１４ｅ）外に到達すると容易
にランディングしてしまうことになる。

このような多重反射ビームｂ２０ランディング位置はタ
ーゲラ）　（１４）の中心から正規の電子ビームＢの偏
向距離の略３倍の距離にあるので、多重反射ビームｂ２
に基づいて発生する疑似信号による疑似画像は、受像画
面の中央部に略１／３に縮小されて現れる。この疑似画
像は正規の画像と無関係であるため、疑似信号のレベル
が正規の信号に対して、例えば−６０ｄＢのように低く
ても明確に認識されて、画像の品位を劣化させるという
問題があった。

この疑似信号を消去するため、従来は電流ブランキング
期間の前後の映像信号ブランキング期間（ｔｉ〜ｔ２）
、　　（ｔ３〜ｔ４）にも電子ビームＢにターゲット（
１４）を走査させて、有効画面領　　域（１４ｅ）外の
表面電位をカソード（１１）の電位と等しくするように
してした。しかし、この域外走査を行なっても、反射ビ
ームの反射角やエネルギーの分布が広範囲であること等
のために、ターゲラＩ−（１４）の表面（１４ａ）がカ
ソード（１１）と等電位であっても、疑似信号を完全に
消去してしまうことはできなかった。

また、第２グリツド（１３）の寸法を小さくして、多重
反射ビームｂ２の到達領域をターゲラｌ−（１４）の有
効画面領域（１４ｅ）内にする対策もとられていたが、
この場合、電子銃Ｇの組立が困難になるという問題があ
った。

か−る点に鑑み、本発明の目的は、簡単な構成で確実に
疑似信号を消去することのできる光導電型撮像管の疑似
信号消去回路を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、第１及び第２のスイッチング素子（２１）及
び（２２）と、ブランキング用直流電源（３１）とを有
し、この直流電源（３１）の高電位端と低電位端との間
に第１及び第２のスイッチング素子（２１）及び（２２
）を直列に接続すると共に、これら第１及び第２のスイ
ッチング素子（２１）及び（２２）の接続中点Ｋを光導
電型撮像管αＯ）のカソード（１１）に接続し、ブラン
キング期間ｔ１〜も４の中の所定の一部期間ｔ２〜ｔ３
に第１のスイッチング素子（２１）を閉じると共に、第
２のスイッチング素子（２２）を開いて、接続中点Ｉ（
に電源（３１）の高電位を導出し、ブランギング期間ｔ
１〜ｔ４中の所定の一部期間ｔ２〜ｔ３を除いた期間ｔ
　１〜ｔ２．ｔ３〜ｔ４に第１のスイッチング素子（２
１）を開くと非に、第２のスイッチング素子（２２）を
閉じて、接続中点Ｋに電源（３１）の上１゜ 記低電位を導出する孝うにした光導電型撮像管の疑似信
号消去回路に赫いて、接続中点Ｋにその一端が接続され
た第３のスイッチング素子（４１）と、この第３のスイ
ッチング素子（４１）の他端にその低電位端が接続され
ると共に、その高電位端が電源（３１）の低電位端に接
続された偏倚電源（４３）とを設け、ブランキング期間
中ｔ１〜ｔ４の所定の一部期間ｔ２〜ｔ３に第３のスイ
ッチング素子（４１）を開き、ブランキング期間中も１
〜ｔ４の所定の一部期間ｔ２〜ｔ３を除いた期間　ｔ１
〜ｔ２＋　　ｔ３〜ｔ４に第２のスイッチング素子（２
２）を開くと共に、第３のスイッチング素子（４１）を
閉じて、接続中点Ｋに偏倚電源（４３）の低電位を導出
するようにした光導電型撮像管の疑似信号消去回路であ
る。

〔作用〕

か＼る本発明によれば、ブランキング期間中の電流ブラ
ンキング期間を除いて、接続中点Ｋに負の偏倚電位が得
られるので、この電位をカソードに供給された光導電型
撮像管のターゲットの有効画面領域外の表面電位が負に
なり、反射ビームのランディングが防止される。

〔実施例〕

以下、第１図及び第２図を参照しながら、本発明の一実
施例について説明する。

第１図に本発明の一実施例の構成を示す。この第１図に
おいて、第３図に対応する部分には同一の符号を付して
重複説明を省略する。また、撮像管も第３図について説
明したのと同タイプのものを使用している。

第１図において、ＮＰＮ）ランジスタ（４１）のコレク
タがトランジスタ（２１）及び（２２）のコレクタの接
続中点Ｋに接続され、トランジスタ（４１）のベースは
抵抗器及びコンデンサを介して入力端子（４２）に接続
される。（４３）は偏倚用電源でありで、その陽極は電
源（３０）の陰極に接続され、電源（４３）の陰極はト
ランジスタ（４１）のエミッタに接続される。

本実施例の動作は次のとおりである。本実施例において
も、従来と同様に、垂直ブランキング期間にターゲラ）
　（１４）の有効画面領域（１４ｅ）外の走査が行なわ
れる。

第２図Ａ、Ｂ及びＣにそれぞれ示されるような信号■、
■及びＯが入力端子（２３）　、　　（２４）及び（４
２）にそれぞれ供給される。

時点ｔ１の前では、トランジスタ（２２）だけがオン状
態となるため、第２図りに示すように、撮像管α０）の
カソード（１１）の電位は０■である。時点ｔ１から時
点ｔ２までは、トランジスｊ　（４１）だけがオン状態
となり、カソード（１１）の電位は電源（４３）の電圧
、例えば５Ｖだけ低下する。時点ｔ２から時点ｔ３まで
は、トランジスタ（２１）だけがオン状態となって、カ
ソード（１１）には電源（３１）の電流ブランキング電
圧ＥＢＬｕが印加される。時点ｔ３から時点ｔ４までと
時点ｔ４の後の各トランジスタ（２１）　、　　（２２
）　、　　（４１）の状態はそれぞれ時点ｔ１から時点
ｔ２までと時点ｔ１の前の状態と同じになる。従って、
カソード（１１）の電位は、電流ブランキング期間（ｔ
２〜ｔ３）の前後の映像ブランキング期間（１，〜ｔ２
゜ｔ３〜１４）において、通常の０■の電位から例えば
−５■に偏倚され、この負に偏倚されたカッ一ド（１１
）の電位が、電子ビームＢの域外走査によって、ターゲ
ラ）（１４）の表面（１４ａ　）の有効画面領域（１４
θ）外に与えられる。このため、有効画面領域（１４ｅ
）外の表面電位は、有効画面領域（１４ｅ）内の走査時
のＯｖの表面電位よりも低くなり、反射ビームのランデ
ィングができなくなり、疑似信号が確実に消去される。

実験によれば一５Ｖの偏倚電圧によって疑似信号のレベ
ルを約１０ｄＢ低減させることができた。

なお、上述のような偏倚電圧は、カソード（１１）のみ
ならず、第１グリツド（１２）にも同様に印加すべきも
のであるが、本実施例のように数ｖ程度であれば、第１
グリツド（１２）には印加しなくてもよい。また、域外
走査のタイミングに合わせて、偏向量を大きくし、域外
走査領域を拡大すれば、一層よい結果が得られる。

〔発明の効果〕

以上詳述のように、本発明によれば、映像ブランキング
期間に光導電ゆ撮像管のカソードに負の偏倚電圧を付与
するようにしたので、ターゲットの有効画面領域外の表
面電位を有効画面領域走査時のその表面電位より低くし
て、反射ビームのランディングを防止し、簡単な構成で
確実に疑似信号を消去することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光導電型撮像管の疑似信号消去回
路の一実施例を示す結線図、第２図はその動作の説明に
供する波形図、第３図は従来の光導電型撮像管の疑似信
号消去回路の構成例を示す結線図、第４図及び第５図は
その動作の説明に供する波形図及び線図である。 ０ωは光導電型撮像管、（２１）　、　　（２２）　、
　　（４１）はトランジスタ、（３１）はブランキング
用電源、（４３）は偏倚電源である。 特開昭Ｇｌ−ＩＧ７２８５（５） ０口 へ 味

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１及び第２のスイッチング素子と、ブランキング用直
   流電源とを有し、該直流電源の高電位端と低電位端との
   間に上記第１及び第２のスイッチング素子を直列に接続
   すると共に、上記第１及び第２のスイッチング素子の接
   続中点を上記光導電型撮像管のカソードに接続し、ブラ
   ンキング期間中の所定の一部期間に上記第１のスイッチ
   ング素子を閉じると共に、上記第２のスイッチング素子
   を開いて、上記接続中点に上記電源の上記高電位を導出
   し、上記ブランキング期間中の上記所定の一部期間を除
   いた期間に上記第１のスイッチング素子を開くと共に、
   上記第２のスイッチング素子を閉じて、上記接続中点に
   上記電源の上記低電位を導出するようにした光導電型撮
   像管の疑似信号消去回路において、上記接続中点にその
   一端が接続された第３のスイッチング素子と、該第３の
   スイッチング素子の他端にその低電位端が接続されると
   共に、その高電位端が上記電源の低電位端に接続された
   偏倚電源とを設け、上記ブランキング期間中の上記所定
   の一部期間に上記第３のスイッチング素子を開き、上記
   ブランキング期間中の上記所定の一部期間を除いた期間
   に上記第２のスイッチング素子を開くと共に、上記第３
   のスイッチング素子を閉じて、上記接続中点に上記偏倚
   電源の低電位を導出するようにしたことを特徴とする光
   導電型撮像管の疑似信号消去回路。