JPS61170080A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
- Publication number
- JPS61170080A JPS61170080A JP60010107A JP1010785A JPS61170080A JP S61170080 A JPS61170080 A JP S61170080A JP 60010107 A JP60010107 A JP 60010107A JP 1010785 A JP1010785 A JP 1010785A JP S61170080 A JPS61170080 A JP S61170080A
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- JP
- Japan
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- layer
- substrate
- type
- growth
- growth layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置に関し、特に高効率でかつ量産
性に優れた安価な発光ダイオード累子に関する。
性に優れた安価な発光ダイオード累子に関する。
発光ダイオードは低消費電力、高信頼性を特徴とし、近
年その用途は急増している。特に赤、黄。
年その用途は急増している。特に赤、黄。
緑等の可視ＬＥＤは主として表示用に、赤外ＬＥＤにシ
リコン受光素子と組合せて用いることにより１ホトアイ
ソレータとして使用されている場合が多い。一方、ごく
最近になってＯＡ機器・ＦＡ機器の開発゛・普及に伴い
、光フアイバー機器の光源や、高速のホトアイソレータ
（ホトカプラ）のＬＥＤとして、従来以上に高出力、高
速応答の集子に対する市場の要求が日増しに強くなって
いる。
リコン受光素子と組合せて用いることにより１ホトアイ
ソレータとして使用されている場合が多い。一方、ごく
最近になってＯＡ機器・ＦＡ機器の開発゛・普及に伴い
、光フアイバー機器の光源や、高速のホトアイソレータ
（ホトカプラ）のＬＥＤとして、従来以上に高出力、高
速応答の集子に対する市場の要求が日増しに強くなって
いる。
この市場要求に対し、ＬＥＤの材料面からみると、従来
工りＧａＡｓｐ及び８ｉドープＧ ａ Ａ ｓ等がある
。前者は比較的高速応答が可能であるが、発光効率が著
しく低く、ｔｅ後者は逆に高発光効率であるが、応答速
度が遅く、また発光波長（λ２＝９５０ＯＡ ）の点か
ら言っても特に光フアイバー用光源等には適当とぎえな
い。これらの材料に変わって最近２〜３年デバイスの量
産化が進んだ材料としてＧ ａ １−、Ａ Ｊ ｘ Ａ
ｓがある。Ｇａ□−ｘＡＪｘＡｓは通常ＣａＡｓ
基板上に液相エピタキシャル成長法にｘｎ形成されるが
、現在市場に供給され始めている素子をエピタキシャル
層構造で分類すると、シンプルへテロ（ＳＨ）構造とダ
ブルへテロ（ＤＨ）構造とにわけられる。８Ｈ構造（第
３図］は通常Ｐ型ＧａＡｓ基板６上に２０〜３０ｔｔ厚
のＰ型Ｇ ａ ｘ ＋＋ ｘＡＪｘＡｓエピタキシャル
層７を、続いてやＩｒＸＤ２０〜３０μ厚のｎ型Ｇａニ
ーｙ Ａ Ｊ ｙ Ａｓエピタキシャル鳩８を前記の液
相成長法に１０形成する。このときのＡｌＡｓ混晶比Ｈ
ｐｆｆｌにおいては発光中心波長λ、に応じて％ ｐ−
”接合界面においてｘ＝０．３０〜０．３５程度とする
。一方ｎ層においては少なくともｐＨＩより大きな１１
１を選ぶことが必要であり、通常ｐ−ｎ界面でｙ＝α６
０〜Ｏ，ＳＯ，表面でｙ＝Ｑ、５９〜０．８０１！度の
値を選択する。このＬりな値を選択することに１９％１
層からｐ層への電子注入効率が大巾に同上すると共に、
ｐ層内で発光した光がほとんどｎ層内で吸収を受けるこ
となく外部へと９出される。
工りＧａＡｓｐ及び８ｉドープＧ ａ Ａ ｓ等がある
。前者は比較的高速応答が可能であるが、発光効率が著
しく低く、ｔｅ後者は逆に高発光効率であるが、応答速
度が遅く、また発光波長（λ２＝９５０ＯＡ ）の点か
ら言っても特に光フアイバー用光源等には適当とぎえな
い。これらの材料に変わって最近２〜３年デバイスの量
産化が進んだ材料としてＧ ａ １−、Ａ Ｊ ｘ Ａ
ｓがある。Ｇａ□−ｘＡＪｘＡｓは通常ＣａＡｓ
基板上に液相エピタキシャル成長法にｘｎ形成されるが
、現在市場に供給され始めている素子をエピタキシャル
層構造で分類すると、シンプルへテロ（ＳＨ）構造とダ
ブルへテロ（ＤＨ）構造とにわけられる。８Ｈ構造（第
３図］は通常Ｐ型ＧａＡｓ基板６上に２０〜３０ｔｔ厚
のＰ型Ｇ ａ ｘ ＋＋ ｘＡＪｘＡｓエピタキシャル
層７を、続いてやＩｒＸＤ２０〜３０μ厚のｎ型Ｇａニ
ーｙ Ａ Ｊ ｙ Ａｓエピタキシャル鳩８を前記の液
相成長法に１０形成する。このときのＡｌＡｓ混晶比Ｈ
ｐｆｆｌにおいては発光中心波長λ、に応じて％ ｐ−
”接合界面においてｘ＝０．３０〜０．３５程度とする
。一方ｎ層においては少なくともｐＨＩより大きな１１
１を選ぶことが必要であり、通常ｐ−ｎ界面でｙ＝α６
０〜Ｏ，ＳＯ，表面でｙ＝Ｑ、５９〜０．８０１！度の
値を選択する。このＬりな値を選択することに１９％１
層からｐ層への電子注入効率が大巾に同上すると共に、
ｐ層内で発光した光がほとんどｎ層内で吸収を受けるこ
となく外部へと９出される。
これに対し、ＤＨ構造（第４図）は工り高効率かつ高速
応答性を計ったもので、Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板ｌｌ上
に液相成長法ｉ／ｃ、にり：；２００μ程度の厚膜Ｇａ
ｓイＡＡ’、Ａｓ１２（Ｖ、≧α４）ｔ−成長させ、そ
の上へＰ型Ｇａ１−ｗ＝ん−Ａ ｓ 、クラッド層１３
（Ｗ２Ｏ，７）、アンドープＧａ□−ｘＡＪｘＡｓ活性
層１４（λ、＝６６０ｎｍの場合Ｘ′：、α３５〕、ｎ
型Ｇａ、−、ＡＪ、Ａｓクラッド層１５（ｙ≧α７）、
ｎ型Ｇａ１−、ＡｌｚＡｓキャｙプ層１６ （ｏ、４ｓ
＜ｓ≦０．７）’に形成後、ＧａＡｓ基板１１をエツチ
ングに工９全面的に除去する。このニブな構造にすると
前述し几従来のＳＨ槽構造比較し几場合、注入電子が活
性層内にとじこめられるため高速応答が可能となり、ま
た活性層内のＡ４１！Ａｓ混晶比傾斜が小さいことと、
長面Ｇ ａ Ａ ｓ基板を全面的に除去し、反射光を利
用できること等にエフ、高効率化が計られる。このＤＨ
構造は基本的には厚膜成長技術と多層成長技術に支えら
れたものであり、これまでの民生用ＬＥＤの構造（厚膜
としてｐｔ”２層）エフもむしろレーザ等の素子構造、
考え方を適用したものである。
応答性を計ったもので、Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板ｌｌ上
に液相成長法ｉ／ｃ、にり：；２００μ程度の厚膜Ｇａ
ｓイＡＡ’、Ａｓ１２（Ｖ、≧α４）ｔ−成長させ、そ
の上へＰ型Ｇａ１−ｗ＝ん−Ａ ｓ 、クラッド層１３
（Ｗ２Ｏ，７）、アンドープＧａ□−ｘＡＪｘＡｓ活性
層１４（λ、＝６６０ｎｍの場合Ｘ′：、α３５〕、ｎ
型Ｇａ、−、ＡＪ、Ａｓクラッド層１５（ｙ≧α７）、
ｎ型Ｇａ１−、ＡｌｚＡｓキャｙプ層１６ （ｏ、４ｓ
＜ｓ≦０．７）’に形成後、ＧａＡｓ基板１１をエツチ
ングに工９全面的に除去する。このニブな構造にすると
前述し几従来のＳＨ槽構造比較し几場合、注入電子が活
性層内にとじこめられるため高速応答が可能となり、ま
た活性層内のＡ４１！Ａｓ混晶比傾斜が小さいことと、
長面Ｇ ａ Ａ ｓ基板を全面的に除去し、反射光を利
用できること等にエフ、高効率化が計られる。このＤＨ
構造は基本的には厚膜成長技術と多層成長技術に支えら
れたものであり、これまでの民生用ＬＥＤの構造（厚膜
としてｐｔ”２層）エフもむしろレーザ等の素子構造、
考え方を適用したものである。
しかしながら、以上前述した素子構造においては、以下
に述べる１５に極めて大きな問題点を含む、即ち、まず
従来の８Ｈ構造ＧａＡ１１ＡＢ 素子に関しては５ｐ−
ｎ接合及びｐ層内において発光した光のうち、基板側へ
向うものがＧａＡｓＫより１００９６吸収されて言りま
でもなく外部効率の点で不利である。また、ＧａＡｓ
トＧａ １−、ＡｊｘＡｓ ＄１高温（例えば８００℃
］における格子定数の一致は良いが、熱膨張係数が異な
るために、室温付近くおいては内部応力が大きくなり、
結果としてＧ ａ Ｚ ＋＋、ＡｄｘＡｓ面１ｇＩを凸
として大きなそりを持つ、特に前述し几従来の８Ｈ構造
においては、２つの界面（基板とＰ型Ｇａ１−ｘＡｊｘ
Ａｓ及びＰ型Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓとｎｍ Ｇａ、ｙ
ｈｌ、ｈｓ）において、同じ方向へそる力が働くことに
なり、後工程におけるウェハース処理においてわれ、ク
ラック等の要因として見逃すことにできない。
に述べる１５に極めて大きな問題点を含む、即ち、まず
従来の８Ｈ構造ＧａＡ１１ＡＢ 素子に関しては５ｐ−
ｎ接合及びｐ層内において発光した光のうち、基板側へ
向うものがＧａＡｓＫより１００９６吸収されて言りま
でもなく外部効率の点で不利である。また、ＧａＡｓ
トＧａ １−、ＡｊｘＡｓ ＄１高温（例えば８００℃
］における格子定数の一致は良いが、熱膨張係数が異な
るために、室温付近くおいては内部応力が大きくなり、
結果としてＧ ａ Ｚ ＋＋、ＡｄｘＡｓ面１ｇＩを凸
として大きなそりを持つ、特に前述し几従来の８Ｈ構造
においては、２つの界面（基板とＰ型Ｇａ１−ｘＡｊｘ
Ａｓ及びＰ型Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓとｎｍ Ｇａ、ｙ
ｈｌ、ｈｓ）において、同じ方向へそる力が働くことに
なり、後工程におけるウェハース処理においてわれ、ク
ラック等の要因として見逃すことにできない。
一方、ＤＨ構造ＧａＡｊＡ３素子に関しては、外部効率
及び高速応答性において従来のＳＨ槽構造比し、大巾に
優れているが、前述したようにこれを液相成長法にＬＤ
影形成る場合、成長層の数だけ独立のＧａ溶液が必要と
なり、素子のコストとして数倍から士数倍が見積られ、
冒頭に述べた工うな特に民生機器の分野における展開に
極めて困難となる。さらに、同様の理由にエフｌ成長バ
ッチで生産可能な素子数も極めて制限される。また、成
長方式を従来の液相成長法によらず、近年レーザ素子等
の分野において開発が進んでいるＭＯＣＶＩ）法等を導
入した場合においても、やはＤ大型ウェハースの多数枚
成長については面内バラツキの問題もちＤ％ＤＨ構造素
子の量産化は容易ではない。
及び高速応答性において従来のＳＨ槽構造比し、大巾に
優れているが、前述したようにこれを液相成長法にＬＤ
影形成る場合、成長層の数だけ独立のＧａ溶液が必要と
なり、素子のコストとして数倍から士数倍が見積られ、
冒頭に述べた工うな特に民生機器の分野における展開に
極めて困難となる。さらに、同様の理由にエフｌ成長バ
ッチで生産可能な素子数も極めて制限される。また、成
長方式を従来の液相成長法によらず、近年レーザ素子等
の分野において開発が進んでいるＭＯＣＶＩ）法等を導
入した場合においても、やはＤ大型ウェハースの多数枚
成長については面内バラツキの問題もちＤ％ＤＨ構造素
子の量産化は容易ではない。
本発明は前述した従来方法の欠点に鑑みなされたもので
発光効率の点で特に優れ、高品質で、かつ量産性に富む
素子構造を提供することを目的とする。
発光効率の点で特に優れ、高品質で、かつ量産性に富む
素子構造を提供することを目的とする。
即ち、本発明に所定の尋電型の半導体基板上に、禁制帯
幅が基板より大きく、かつ５０μ以上の厚さを有する、
基板と同一導電型の第１層が形成され、この第１層上に
、禁制帯幅が＠１層ＬＤ大きく、基板及び第１層と逆の
導電型の第２層が形成された構成において、基板の少な
くとも一部を除去することにＬＤ第１層ｔ−繕出させ、
高輝度化を実現するものである。
幅が基板より大きく、かつ５０μ以上の厚さを有する、
基板と同一導電型の第１層が形成され、この第１層上に
、禁制帯幅が＠１層ＬＤ大きく、基板及び第１層と逆の
導電型の第２層が形成された構成において、基板の少な
くとも一部を除去することにＬＤ第１層ｔ−繕出させ、
高輝度化を実現するものである。
この構成から明らかなように、本発明によれば素子の製
造コストヲ従来の８Ｈ構造素子と同等としたまま高輝度
化を社ることができる。また応答速度については本発明
による素子構造においては活性ＮＩ（通常第１層）の不
純物濃友又ｔ！ＡＪＡｓ混晶比の選択範囲が発光効率が
改善された分だけ広がるため、この点についても有利と
なる。
造コストヲ従来の８Ｈ構造素子と同等としたまま高輝度
化を社ることができる。また応答速度については本発明
による素子構造においては活性ＮＩ（通常第１層）の不
純物濃友又ｔ！ＡＪＡｓ混晶比の選択範囲が発光効率が
改善された分だけ広がるため、この点についても有利と
なる。
本発明による素子構造並びにその効果を実施例を用いて
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
第１図は本実施例において製作されたＧ ａ Ａ Ｉ
Ａ ａ赤色発光ダイオードのウエノ１−断面図である。
Ａ ａ赤色発光ダイオードのウエノ１−断面図である。
Ｐ型（１００）ＧａＡｓ基板１上に通常の徐冷液相エピ
タキシャル成長法を用いてＰ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｎ
層２ ’ｅ １００μ形成する。このときの仕込量はＧ
ａ１ｇ当り ＡＡｉ ３．４ｍｇ、 ＧａＡｓ多結晶６
６ｍｇであり、９００’０から８００℃ まで成長を行
なった。Ｐ型ＧａＡＪＡｓ層２を形成後、成長溶液を変
えてｎ型ＧａＡＡ’Ａｓ層３ｔ−３０μ形成する。この
ときの仕込量はＧａ１ｇ当ＤＡＪ３．７ｍｇ、ＧａＡｓ
多結晶１６ｍｇであり、８００”０から７５０℃まで成
長した。各層のＡ ＩＡ ｓ 混晶比分布を第２図に
示す。尚、ｐ層及びｎ層の添加不純物にＺｎ及びＴｅで
あり、不純物濃度は各々４〜６ Ｘ １０１７ｃｍ−３
及び１〜５Ｘ１０１７ｃｍ−３である。結晶成長終了後
、アンそニア・過酸化水素系のエッチャントでＰＩＪＩ
ＧａＡｓ基板ｌｔ−全面的に除去し九後、ｎ側電極４及
びｐａｔ極５ｔ−形成する。
タキシャル成長法を用いてＰ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｎ
層２ ’ｅ １００μ形成する。このときの仕込量はＧ
ａ１ｇ当り ＡＡｉ ３．４ｍｇ、 ＧａＡｓ多結晶６
６ｍｇであり、９００’０から８００℃ まで成長を行
なった。Ｐ型ＧａＡＪＡｓ層２を形成後、成長溶液を変
えてｎ型ＧａＡＡ’Ａｓ層３ｔ−３０μ形成する。この
ときの仕込量はＧａ１ｇ当ＤＡＪ３．７ｍｇ、ＧａＡｓ
多結晶１６ｍｇであり、８００”０から７５０℃まで成
長した。各層のＡ ＩＡ ｓ 混晶比分布を第２図に
示す。尚、ｐ層及びｎ層の添加不純物にＺｎ及びＴｅで
あり、不純物濃度は各々４〜６ Ｘ １０１７ｃｍ−３
及び１〜５Ｘ１０１７ｃｍ−３である。結晶成長終了後
、アンそニア・過酸化水素系のエッチャントでＰＩＪＩ
ＧａＡｓ基板ｌｔ−全面的に除去し九後、ｎ側電極４及
びｐａｔ極５ｔ−形成する。
このとき、Ｐ側電極５は本発明の素子構造を有効にする
ために、ドツト状の部分電極とする。このようにすれば
％ｐ−ｎ接合界面及びｐ層内で発し、下方へ進んだ光の
うち、電極以外に当たったものは大部分反射に１９上面
又は側面Ｌり取り出すことが可能となる。メサエッチ工
程、ペレット化を行なった後所定ステムに組立てる。こ
のときのソルダーは通常の銀ペーストを使用したが、ソ
ルダーを同発光波長での反射率が高い材料を選択するこ
とにより、さらに発光効率を同上させることができる。
ために、ドツト状の部分電極とする。このようにすれば
％ｐ−ｎ接合界面及びｐ層内で発し、下方へ進んだ光の
うち、電極以外に当たったものは大部分反射に１９上面
又は側面Ｌり取り出すことが可能となる。メサエッチ工
程、ペレット化を行なった後所定ステムに組立てる。こ
のときのソルダーは通常の銀ペーストを使用したが、ソ
ルダーを同発光波長での反射率が高い材料を選択するこ
とにより、さらに発光効率を同上させることができる。
この素子は発光中心波長（λｐ）が６６０ｎｍであり、
Ｉｙ＝＝２０ｍＡ における全発光出力（エボキンモ
ールド有〕は３．２ｍＷ であった。この１直は本発
明に工らない従来のＳＨ構造において得られる最大の発
光出力が２．ＯｍＷであることを考えれば６０％の出力
改善が実現されたことになる。
Ｉｙ＝＝２０ｍＡ における全発光出力（エボキンモ
ールド有〕は３．２ｍＷ であった。この１直は本発
明に工らない従来のＳＨ構造において得られる最大の発
光出力が２．ＯｍＷであることを考えれば６０％の出力
改善が実現されたことになる。
応答速度についてに立より時間（ｔｒ）が５Ｑｎｓ。
立下り時間（１ｆ）が７Ｑｎｓであった。この値はＰ
−Ｇ ａ Ａ ＩＡ ｎ層２（１）ＡＩＡｓ混晶比混晶
比率純物濃度により決定されるため、従来のｉ９Ｈ構造
素子と原理的に同等であるが、出力が改善された分だけ
応答速度を決定するパラメータの選択範囲が拡大される
。たとえば発光中心波長’ｔ６６０ｎｍとした場合、本
実施例において不純物濃度をＩＸ １０” ％ｍ−３と
することにより ｔｒ＝４０ｎＳが実現されるが、この
時の発光出力ｕ Ｉ Ｆ ＝２０ ｍＡにおいてＺＯｍ
Ｗであった。即ち、この結果全従来のＳＨ構造素子と比
較することに１９発光出力が同等で、応答速度のみを速
くすることができたことになる。
−Ｇ ａ Ａ ＩＡ ｎ層２（１）ＡＩＡｓ混晶比混晶
比率純物濃度により決定されるため、従来のｉ９Ｈ構造
素子と原理的に同等であるが、出力が改善された分だけ
応答速度を決定するパラメータの選択範囲が拡大される
。たとえば発光中心波長’ｔ６６０ｎｍとした場合、本
実施例において不純物濃度をＩＸ １０” ％ｍ−３と
することにより ｔｒ＝４０ｎＳが実現されるが、この
時の発光出力ｕ Ｉ Ｆ ＝２０ ｍＡにおいてＺＯｍ
Ｗであった。即ち、この結果全従来のＳＨ構造素子と比
較することに１９発光出力が同等で、応答速度のみを速
くすることができたことになる。
以上実施例を用いて具体的に説明した工うに、本発明に
よる素子構造、即ち光吸収体である基板ｔ−除去した広
禁制帯幅材料によるｐ−ｎ接合素子構造とすることによ
り、従来素子に比し、素子の製造コストを上げることな
く高効率化を計ることができ、このことに同時に応答速
度の点でも有利な方向°でパラメータの設定をすること
が可能となる。また、第１Ｗ、長層の厚さは作業性、ダ
イポンディング性の点で少なくとも５０μ以上あれば本
質的な問題はない。反対にＧ ａ Ａ ｓ基板を除去す
ることにより前述した如くウェハースのそりが軽減され
、谷工程でのウェハースわれによるロスが大巾に減少さ
せることができる。
よる素子構造、即ち光吸収体である基板ｔ−除去した広
禁制帯幅材料によるｐ−ｎ接合素子構造とすることによ
り、従来素子に比し、素子の製造コストを上げることな
く高効率化を計ることができ、このことに同時に応答速
度の点でも有利な方向°でパラメータの設定をすること
が可能となる。また、第１Ｗ、長層の厚さは作業性、ダ
イポンディング性の点で少なくとも５０μ以上あれば本
質的な問題はない。反対にＧ ａ Ａ ｓ基板を除去す
ることにより前述した如くウェハースのそりが軽減され
、谷工程でのウェハースわれによるロスが大巾に減少さ
せることができる。
尚、本実施例並びに説明は主としてＧａＡＪＡｓ発光ダ
イオードの場合を対象としたが、本発明にこの材料に限
定されないことｒｃ言うまでもない。
イオードの場合を対象としたが、本発明にこの材料に限
定されないことｒｃ言うまでもない。
第１図は本発明の実施例で用いられたＧ ａ １ ＋
ｚＡＪｘＡｓ赤色ＬＥＤウェハースの断面図、ＩＩ２図
は＠１図の素子のＡｌＡｓ混晶比Ｘの深さ方向分布、Ｉ
！３図は従来のシングルヘテ０（Ｓａ）構造Ｇａ□−８
ＡＪｘＡｓ ＬＥＤウェハースの断面図、Ｗ／Ｅ４図は
ダブルへテロ（ＤＨ）構造Ｇａ１−ＸＡＪＸＡＩＬＥＤ
ウェハースの断面図である。
ｚＡＪｘＡｓ赤色ＬＥＤウェハースの断面図、ＩＩ２図
は＠１図の素子のＡｌＡｓ混晶比Ｘの深さ方向分布、Ｉ
！３図は従来のシングルヘテ０（Ｓａ）構造Ｇａ□−８
ＡＪｘＡｓ ＬＥＤウェハースの断面図、Ｗ／Ｅ４図は
ダブルへテロ（ＤＨ）構造Ｇａ１−ＸＡＪＸＡＩＬＥＤ
ウェハースの断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型の半導体基板上に形成された、禁制帯幅が該
半導体基板より大で、かつ５０μ以上の厚さを有する第
１導電型の第１の成長層と、前記第１の成長層上に形成
され、禁制帯幅が前記第１の成長層より大なる第２導電
型の第２の成長層を有する構成において、 前記半導体基板の少なくとも一部が除去されることによ
り、前記第１の成長層の一部又は全部が露出されている
ことを特徴とする化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010107A JPS61170080A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60010107A JPS61170080A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170080A true JPS61170080A (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=11741089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60010107A Pending JPS61170080A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170080A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436089A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Shinetsu Handotai Kk | Light-emitting semiconductor device |
| JPH02146779A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハ |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP60010107A patent/JPS61170080A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436089A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Shinetsu Handotai Kk | Light-emitting semiconductor device |
| JPH02146779A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハ |
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