JPS61174643A - 配線基板の接続方法 - Google Patents
配線基板の接続方法Info
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- JPS61174643A JPS61174643A JP60014007A JP1400785A JPS61174643A JP S61174643 A JPS61174643 A JP S61174643A JP 60014007 A JP60014007 A JP 60014007A JP 1400785 A JP1400785 A JP 1400785A JP S61174643 A JPS61174643 A JP S61174643A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体集積回路チップをフィルムキャ
リアテープ等の配線基板に接続するのに使用して好適な
配線基板の接続方法に関する。
リアテープ等の配線基板に接続するのに使用して好適な
配線基板の接続方法に関する。
一般に半導体集積回路チップ（１）は第４図に示す如く
例えば−辺が５１の正方形と比較的小さく、この５ｍの
一辺に例えば３０個の１００μｍＸ１００μ簿のがンデ
イング／ＪＦツド（２）が設けられている。従来斯る半
導体集積回路チップ（１）の電極であるボンディングパ
ッド（２）と、例えばフィルムキャリアテープの外部リ
ード（４）との接続はワイヤーンデイング法により行わ
れていた。このワイヤーンデイング法はＡｕ線またａＡ
Ｉ線等の極めて細いワイヤによって半導体集積回路チッ
プ（１）のがンデイングＩ＃ツドと外部リードとの接続
を行う方法であるが、このがンデイング作業に熟練を要
し、作業性も悪くまたＩンデインダミスを起こしやす（
歩留りが悪い等の欠点があった。
例えば−辺が５１の正方形と比較的小さく、この５ｍの
一辺に例えば３０個の１００μｍＸ１００μ簿のがンデ
イング／ＪＦツド（２）が設けられている。従来斯る半
導体集積回路チップ（１）の電極であるボンディングパ
ッド（２）と、例えばフィルムキャリアテープの外部リ
ード（４）との接続はワイヤーンデイング法により行わ
れていた。このワイヤーンデイング法はＡｕ線またａＡ
Ｉ線等の極めて細いワイヤによって半導体集積回路チッ
プ（１）のがンデイングＩ＃ツドと外部リードとの接続
を行う方法であるが、このがンデイング作業に熟練を要
し、作業性も悪くまたＩンデインダミスを起こしやす（
歩留りが悪い等の欠点があった。
そこで先に本願出願人は、特願昭５８−２５０７８６号
に示す如く絶縁性接着剤に低融点金属粒子が分散された
接着剤を使用して接続する方法を提案した。
に示す如く絶縁性接着剤に低融点金属粒子が分散された
接着剤を使用して接続する方法を提案した。
この半導体集積回路チップ（１）をフィルムキャリアテ
ープ上に配する場合につき説明するに、このフィルムキ
ャリアテープは第１図、第５図に示す如くポリイミドよ
り成るフレキシブル基板（３）上に被着された厚さ１８
μｍのＣｕ箔が選択的にエツチングされノターン化され
て半導体集積回路チップ（１）ノ複数のビンディングパ
ッド（２） 、 （２１・・・・・・Ｋ対応して電気的
に接続される複数の導電性リード（４１、（４１・・・
・・・が形成されたものである。
ープ上に配する場合につき説明するに、このフィルムキ
ャリアテープは第１図、第５図に示す如くポリイミドよ
り成るフレキシブル基板（３）上に被着された厚さ１８
μｍのＣｕ箔が選択的にエツチングされノターン化され
て半導体集積回路チップ（１）ノ複数のビンディングパ
ッド（２） 、 （２１・・・・・・Ｋ対応して電気的
に接続される複数の導電性リード（４１、（４１・・・
・・・が形成されたものである。
この半導体集積回路チップ（１）をフィルムキャリアテ
ープ上に接続固定するのに剥離シート上に接着剤層（５
）を塗布した連結シートを用意する。
ープ上に接続固定するのに剥離シート上に接着剤層（５
）を塗布した連結シートを用意する。
この連結シートの接着剤層（５）は、ホットメルトタイ
プの絶縁性接着剤（６）に、半田金属粒子（７）を分散
した塗料を用いた。絶縁性接着剤（６）は次の組成とし
た。
プの絶縁性接着剤（６）に、半田金属粒子（７）を分散
した塗料を用いた。絶縁性接着剤（６）は次の組成とし
た。
この組成の絶縁性接着剤Ｋ、これの固形分１００容量部
に対し、１０容量部の低融点半田金属粒子（７）を分散
させた。この金属粒子は、Ｐｂ−８ｎ合金にｓｂとＢｉ
を添加してその融点が１４０Ｃとされた平均粒径２０μ
簿の半田金属粒子を用いた。このように絶縁性接着剤（
６） Ｋ低融点半田金属粒子（７）が分散された接着剤
塗料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるように剥離シート
上にコーターによって塗布して連結シートを得た。この
ようにして得た連結シートの剥離シートを剥離して基板
（３）上の各導電性リード（４）上の少くとも半導体集
積回路チップ（１）のＩンデイング／ＩＦツド（２）と
接続すべき部分に差し渡ってその接着剤層（５）を載せ
、これの上に、第２図に示すようＫ、集積回路チップ（
１）をその各がンデイングノ母ツド（２）が対応する導
電性リード（４）上に、互いに接続すべき部分が接着剤
層（５）を介して重なり合うように載せ、両者を１７０
Ｃ下で５０ｋｙ／チツプで１５秒間加圧圧着した。この
ようにすると、接着剤層（５）中の接着剤が加熱によっ
て流動性を呈するので、特に基板（３）及び集積回路チ
ップ（１）の互いの対向面より実質的突出しているため
に圧力が掛けられる導電性リード（４）とこれに対応す
るＩンデイング７４ツド（２）との間に介在する絶縁性
接着剤（６）の多くが側方に押し出され、これら導電性
リード（４）とぎ・ンデイングパッド（２）との間にお
いて半田金属粒子（７）が、その加熱加圧によって第３
図に示すように溶融圧潰され、導電性リード（４）とデ
ンデイングノヤツド（２）ヒ０間が半田づけされて両者
が電気的に接続される。
に対し、１０容量部の低融点半田金属粒子（７）を分散
させた。この金属粒子は、Ｐｂ−８ｎ合金にｓｂとＢｉ
を添加してその融点が１４０Ｃとされた平均粒径２０μ
簿の半田金属粒子を用いた。このように絶縁性接着剤（
６） Ｋ低融点半田金属粒子（７）が分散された接着剤
塗料を乾燥後の厚さが２０μｍとなるように剥離シート
上にコーターによって塗布して連結シートを得た。この
ようにして得た連結シートの剥離シートを剥離して基板
（３）上の各導電性リード（４）上の少くとも半導体集
積回路チップ（１）のＩンデイング／ＩＦツド（２）と
接続すべき部分に差し渡ってその接着剤層（５）を載せ
、これの上に、第２図に示すようＫ、集積回路チップ（
１）をその各がンデイングノ母ツド（２）が対応する導
電性リード（４）上に、互いに接続すべき部分が接着剤
層（５）を介して重なり合うように載せ、両者を１７０
Ｃ下で５０ｋｙ／チツプで１５秒間加圧圧着した。この
ようにすると、接着剤層（５）中の接着剤が加熱によっ
て流動性を呈するので、特に基板（３）及び集積回路チ
ップ（１）の互いの対向面より実質的突出しているため
に圧力が掛けられる導電性リード（４）とこれに対応す
るＩンデイング７４ツド（２）との間に介在する絶縁性
接着剤（６）の多くが側方に押し出され、これら導電性
リード（４）とぎ・ンデイングパッド（２）との間にお
いて半田金属粒子（７）が、その加熱加圧によって第３
図に示すように溶融圧潰され、導電性リード（４）とデ
ンデイングノヤツド（２）ヒ０間が半田づけされて両者
が電気的に接続される。
この場合加熱加圧によって、流動性に富んだ状態とされ
た絶縁性接着剤（６）が、導電性リード（４）とダンデ
ィング／ＩＰツド（２）との間から外側に押し出され、
両者が半田金属によって良好に融着され、その接続部外
に押し出された絶縁性接着剤（６）が導電性を有する金
属粒子（７）を良好に包み込み、且つ隣り合う接続部間
にこの接着剤（６）が多量に存在することＫよって基板
（３）と半導体集積回路チップ（１）とが強固に固着さ
れる。
た絶縁性接着剤（６）が、導電性リード（４）とダンデ
ィング／ＩＰツド（２）との間から外側に押し出され、
両者が半田金属によって良好に融着され、その接続部外
に押し出された絶縁性接着剤（６）が導電性を有する金
属粒子（７）を良好に包み込み、且つ隣り合う接続部間
にこの接着剤（６）が多量に存在することＫよって基板
（３）と半導体集積回路チップ（１）とが強固に固着さ
れる。
しかしながら斯るゲンデイング／母ツド（２）とこれに
対応する導電性リード（４）との間の導通抵抗はバラツ
キが大きく、平均が１００以上もあった。これにつき本
発明者が種々研究したところ、この導通抵抗が比較的大
きいのは例えば１７０Ｃに加熱したままの状態で加圧を
止めたときは、−ンデイング１４ツド（２）である例え
ばＡｊスパッタ面への半田金属粒子（７）の所謂１ぬれ
”があまり良くないことから、その後冷却するに従いこ
の半田金属粒子（力のＡＩｌ側への接触面積が小さくな
ってしまうためであることがわかった。
対応する導電性リード（４）との間の導通抵抗はバラツ
キが大きく、平均が１００以上もあった。これにつき本
発明者が種々研究したところ、この導通抵抗が比較的大
きいのは例えば１７０Ｃに加熱したままの状態で加圧を
止めたときは、−ンデイング１４ツド（２）である例え
ばＡｊスパッタ面への半田金属粒子（７）の所謂１ぬれ
”があまり良くないことから、その後冷却するに従いこ
の半田金属粒子（力のＡＩｌ側への接触面積が小さくな
ってしまうためであることがわかった。
本発明は斯る点に鑑み半導体集積回路チップ（１１のが
ンデイングＩ４ツド（２）と１例えばフィルムキャリア
テープの導電性リード（４）との間の導電抵抗値を小さ
くする様にし、信頼性の高い接続が出来る様にすること
を目的とする。
ンデイングＩ４ツド（２）と１例えばフィルムキャリア
テープの導電性リード（４）との間の導電抵抗値を小さ
くする様にし、信頼性の高い接続が出来る様にすること
を目的とする。
本発明配線基板の接続方法は第１図に示す如（複数の導
電／母ターン（４） 、 （４１・・・・・・が配され
た基板（３）と、この複数の導電・ダターン（４） 、
（４１・・・・・・Ｋ対応して電気的に接続される複
数の導電体（２） 、 （２１・・・・！・とを有し、
この導電／＃ターン（４） 、 （４）・・曲とこれに
対応する導電体（２１、（２１・・・・・・とが重ね合
せられて両者間に、絶縁性接着剤（６）に低融点金属粒
子（７）が分散された接着剤層（５）を配して、加圧加
熱されてこの導電／４’ターン（４）、（４）・・・・
・・とこれに対応する導電体（２） 、 （２） 曲・
・とをこの金属粒子（７）の溶融により電気的に接続し
、この加圧状態のまま所定の温度まで冷却する様忙した
ものである。
電／母ターン（４） 、 （４１・・・・・・が配され
た基板（３）と、この複数の導電・ダターン（４） 、
（４１・・・・・・Ｋ対応して電気的に接続される複
数の導電体（２） 、 （２１・・・・！・とを有し、
この導電／＃ターン（４） 、 （４）・・曲とこれに
対応する導電体（２１、（２１・・・・・・とが重ね合
せられて両者間に、絶縁性接着剤（６）に低融点金属粒
子（７）が分散された接着剤層（５）を配して、加圧加
熱されてこの導電／４’ターン（４）、（４）・・・・
・・とこれに対応する導電体（２） 、 （２） 曲・
・とをこの金属粒子（７）の溶融により電気的に接続し
、この加圧状態のまま所定の温度まで冷却する様忙した
ものである。
斯る本発明に依れば、導電パターン（４１、（４１・・
曲とこれに対応する導電体（２１、（２＋・・曲との間
に絶縁性接着剤（６）に低融点金属粒子（７）が分散さ
れた接着剤層（５）を配して、これ等間を加圧加熱して
金属粒子（７）の溶融によりこの導電ノ々ターン（４１
、（４１・・−と導を体（２１、（２＋・・・・・・と
を電気的に接続し、その後加圧状態のまま所定の温度ま
で冷却する様にしたので、低融点金属粒子（７）と導電
・母ターン（４） 、 （４１・曲・及び導電体（２＋
、 （２１・・・・・・との接触面積がこの金属粒子
（７）の溶融時と変わることなく、この導電−ぐターン
（４）、（４）・・・と導電体（２＋ 、 （２）・・
曲との間の導電抵抗は極めて小さく全て例えば１Ω以下
となり信頼性の高い接続ができる。
曲とこれに対応する導電体（２１、（２＋・・曲との間
に絶縁性接着剤（６）に低融点金属粒子（７）が分散さ
れた接着剤層（５）を配して、これ等間を加圧加熱して
金属粒子（７）の溶融によりこの導電ノ々ターン（４１
、（４１・・−と導を体（２１、（２＋・・・・・・と
を電気的に接続し、その後加圧状態のまま所定の温度ま
で冷却する様にしたので、低融点金属粒子（７）と導電
・母ターン（４） 、 （４１・曲・及び導電体（２＋
、 （２１・・・・・・との接触面積がこの金属粒子
（７）の溶融時と変わることなく、この導電−ぐターン
（４）、（４）・・・と導電体（２＋ 、 （２）・・
曲との間の導電抵抗は極めて小さく全て例えば１Ω以下
となり信頼性の高い接続ができる。
以下図面を参照しながら本発明配線基板の接続方法の一
実施例につき説明しよう。
実施例につき説明しよう。
本例に於いては第１図、第５図に示す如く複数個例えば
各辺に３０個のゲンディングノ譬ツド（２） 、 （２
）・・・・・・をフィルムキャリアテープの導電性リー
ド（４）。
各辺に３０個のゲンディングノ譬ツド（２） 、 （２
）・・・・・・をフィルムキャリアテープの導電性リー
ド（４）。
（４）・・・・・・Ｋ接続するのに以下述べる如くして
行う。このフィルムキャリアテープは前述の如く一すイ
ミドより成るフレキシブル基板（３）上に被着された厚
す１８μｍのＣｕ箔が選択的にエツチングされＩり一ン
化されて半導体集積回路チップ（１）の複数のゲンディ
ングノ譬ツド（２１、（２＋・・・・・・Ｋ対応して電
気的に接続される複数の導電性リード（４） 、 （４
）・・曲が形成されたものである。
行う。このフィルムキャリアテープは前述の如く一すイ
ミドより成るフレキシブル基板（３）上に被着された厚
す１８μｍのＣｕ箔が選択的にエツチングされＩり一ン
化されて半導体集積回路チップ（１）の複数のゲンディ
ングノ譬ツド（２１、（２＋・・・・・・Ｋ対応して電
気的に接続される複数の導電性リード（４） 、 （４
）・・曲が形成されたものである。
この半導体集積回路チップ（１）をフィルムキャリアテ
ープ上に接続固定するのに剥離シート上に接着剤層（５
）を塗布した連結シートを用意する。この連結シートの
接着剤層（５）は前述同様の本のでホットメルトタイプ
の絶縁性接着剤（６）に半田金属粒子（７）を分散し九
ものである。
ープ上に接続固定するのに剥離シート上に接着剤層（５
）を塗布した連結シートを用意する。この連結シートの
接着剤層（５）は前述同様の本のでホットメルトタイプ
の絶縁性接着剤（６）に半田金属粒子（７）を分散し九
ものである。
この連結シートの剥離シートを剥離して基板（３）、上
の各導電性リード（４） 、 （４）・・・・・・上の
少な（とも半導体集積回路チップ（１）のゴンデイング
Δツド（２） 、 （２）・・・と接続すべき部分に差
し渡って、その接着剤層（５）を載せ、これの上に第２
図に示すように、集積回路チップ（１）をその各がンデ
ィングノ々ツド（２１、（２１・・・が対応する導電性
リード（４１、（４）・・・・・・上に互いに接続すべ
き部分が接着剤層（５）を介して重なり合うように載せ
、両者を１７ｏｒ：、 ５ｏｋｙ／チツプで１５秒間加
熱加圧する。この場合接着剤層（５）中の絶縁性接着剤
が加熱によって流動性を呈するので、特に基板（３）及
び集積回路チップ（１）の互いの対向面より実質的に突
出しているために圧力が掛けられる導電性リード（４１
、（４）・・・・・・とこれに対応するがンディングパ
ッド（２） 、 （２１・・・・・・との間に介在する
絶縁性接着剤（６）の多くが側方に押し出され、これら
導電性リード（４）。
の各導電性リード（４） 、 （４）・・・・・・上の
少な（とも半導体集積回路チップ（１）のゴンデイング
Δツド（２） 、 （２）・・・と接続すべき部分に差
し渡って、その接着剤層（５）を載せ、これの上に第２
図に示すように、集積回路チップ（１）をその各がンデ
ィングノ々ツド（２１、（２１・・・が対応する導電性
リード（４１、（４）・・・・・・上に互いに接続すべ
き部分が接着剤層（５）を介して重なり合うように載せ
、両者を１７ｏｒ：、 ５ｏｋｙ／チツプで１５秒間加
熱加圧する。この場合接着剤層（５）中の絶縁性接着剤
が加熱によって流動性を呈するので、特に基板（３）及
び集積回路チップ（１）の互いの対向面より実質的に突
出しているために圧力が掛けられる導電性リード（４１
、（４）・・・・・・とこれに対応するがンディングパ
ッド（２） 、 （２１・・・・・・との間に介在する
絶縁性接着剤（６）の多くが側方に押し出され、これら
導電性リード（４）。
（４）・・・・・・とゲンディングノ臂ツド（２１、（
２１・・・・・・との間において半田金属粒子（］）が
、その加熱加圧によって第３図に示すように溶融圧潰さ
れ、導電性リード（４）。
２１・・・・・・との間において半田金属粒子（］）が
、その加熱加圧によって第３図に示すように溶融圧潰さ
れ、導電性リード（４）。
（４）・・・・・・と？ンディングパッド（２） 、
（２）・・・・・・との間が半田付けされて両者が電気
的Ｋｍ続される。
（２）・・・・・・との間が半田付けされて両者が電気
的Ｋｍ続される。
本例に於いてはその後この両者間の５０ ｋｆ／ｆツブ
の加圧をそのまま継続した状態でこの両者が例えば６０
１１なるまで冷却する。
の加圧をそのまま継続した状態でこの両者が例えば６０
１１なるまで冷却する。
このようにしたがンディングパッド（２） 、 （２）
・・曲ト導電性リード（４１、（４１・・曲との接続部
における導通抵抗はｌΩ以下であり、隣り合う接続部間
の絶縁抵抗は１０９Ω以上であった。
・・曲ト導電性リード（４１、（４１・・曲との接続部
における導通抵抗はｌΩ以下であり、隣り合う接続部間
の絶縁抵抗は１０９Ω以上であった。
このように接続部における導通抵抗が充分小さくされ、
接続部間の絶縁抵抗を充分大となし得るのは上述したよ
うに加熱加圧によって、流動性に富んだ状態とされた絶
縁性接着剤（６）が導電性＋７ ｗド（４１、（４１・
・・・・・と？ンディング／譬ツド（２） 、 （２１
・・・・・・との間から外側に押し出され、両者が半田
金属によって良好に融着され、その接続部外に押し出さ
れた絶縁性接着剤（６）が導電性を有する金属粒子（７
）を良好に包み込み、且つ隣り合う接続部間にこの絶縁
性接着剤（６）が多量に存在するととｋよって基板（３
）と半導体集積回路チップ（１）とが強固に固着される
。
接続部間の絶縁抵抗を充分大となし得るのは上述したよ
うに加熱加圧によって、流動性に富んだ状態とされた絶
縁性接着剤（６）が導電性＋７ ｗド（４１、（４１・
・・・・・と？ンディング／譬ツド（２） 、 （２１
・・・・・・との間から外側に押し出され、両者が半田
金属によって良好に融着され、その接続部外に押し出さ
れた絶縁性接着剤（６）が導電性を有する金属粒子（７
）を良好に包み込み、且つ隣り合う接続部間にこの絶縁
性接着剤（６）が多量に存在するととｋよって基板（３
）と半導体集積回路チップ（１）とが強固に固着される
。
この場合本例に於いては導電性リード（４１、（４１・
・・・・・・・・とダンディングパッド（２１、（２）
・・−・・とが半田金属粒子（７）によって良好に融着
された後この両者間の加圧を保持したままで６００まで
冷却するのでそのままで絶縁性接着剤（６）が固まり、
半田金属粒子（７）と導電性リード（４） 、 （４１
・・・・・・及びゴンデイング／ダツド（２）。
・・・・・・・・とダンディングパッド（２１、（２）
・・−・・とが半田金属粒子（７）によって良好に融着
された後この両者間の加圧を保持したままで６００まで
冷却するのでそのままで絶縁性接着剤（６）が固まり、
半田金属粒子（７）と導電性リード（４） 、 （４１
・・・・・・及びゴンデイング／ダツド（２）。
（２）・・・・・・との接触面積が、この半田金属粒子
（７）の溶融時と変わることなく、この導電性リード（
４１、（４１・・・・・・とダンディングパッド（２１
、（２）・・・・・・との間の導電抵抗を極めて小さく
接続部の全てを例えば１Ω以下とでき信頼性の高い接続
ができる。
（７）の溶融時と変わることなく、この導電性リード（
４１、（４１・・・・・・とダンディングパッド（２１
、（２）・・・・・・との間の導電抵抗を極めて小さく
接続部の全てを例えば１Ω以下とでき信頼性の高い接続
ができる。
尚、上述の接合時の加熱温度、云い換えれば。
金属粒子の融点は５０Ｃ〜３５０Ｃ１好ましくは８００
〜２６０Ｃに選定される。ここにこの加熱温度、すなわ
ち金属粒子の融点を５０Ｃ以上、好ましくは８０Ｃ以上
に選定するのは、集積回路装置の例えば電子様器への実
装状態、すなわち使用状態で、５０Ｃ未満、好ましくは
８０Ｃ未満の外囲温度で、導電性リード（４）とがンデ
ィングパッド（２）トの接続部において両者間を融着す
る金属が再溶融して剥離や接続不良が発生するような信
頼性の低下を回避するためであり、３５０Ｃ以下、好ま
しくは２６０Ｃ以下に選定するのはこれを超えるような
加熱処理に耐える基板材料の選定が困難となり、また加
熱手段、作業が煩雑となり、工業的に不利益となってく
ることに因る。
〜２６０Ｃに選定される。ここにこの加熱温度、すなわ
ち金属粒子の融点を５０Ｃ以上、好ましくは８０Ｃ以上
に選定するのは、集積回路装置の例えば電子様器への実
装状態、すなわち使用状態で、５０Ｃ未満、好ましくは
８０Ｃ未満の外囲温度で、導電性リード（４）とがンデ
ィングパッド（２）トの接続部において両者間を融着す
る金属が再溶融して剥離や接続不良が発生するような信
頼性の低下を回避するためであり、３５０Ｃ以下、好ま
しくは２６０Ｃ以下に選定するのはこれを超えるような
加熱処理に耐える基板材料の選定が困難となり、また加
熱手段、作業が煩雑となり、工業的に不利益となってく
ることに因る。
また上述例では６０Ｃまで冷却したが、この温度は低融
点金属粒子（７）の融点以下であり、絶縁性接着剤（６
）が流動性を失う温度以下実際的には８０Ｃ以下で常温
までの所定の温度である。
点金属粒子（７）の融点以下であり、絶縁性接着剤（６
）が流動性を失う温度以下実際的には８０Ｃ以下で常温
までの所定の温度である。
また、金属粒子は、七〇粒径を、導電性リード（４）と
これＩｔするがンデイングノ々ツド（２）との接続部間
の間隔、すなわち隣り合う導電性リード（４）間、隣り
合うＩンデイング・臂ツド（２）間の間隔の捧以下程度
に選定されることが望ましく、このようにするときは、
隣り合う接続部間が金属粒子によって短絡されるような
事故を確実に回避できることを確めた。
これＩｔするがンデイングノ々ツド（２）との接続部間
の間隔、すなわち隣り合う導電性リード（４）間、隣り
合うＩンデイング・臂ツド（２）間の間隔の捧以下程度
に選定されることが望ましく、このようにするときは、
隣り合う接続部間が金属粒子によって短絡されるような
事故を確実に回避できることを確めた。
また、上述した導電性リードとこれに対応するがンデイ
ングパツド間に介在させる予めシート状とされた或いは
基板上に予め塗布される接着剤層中の接着剤と金属粒子
との混合割合は、接着剤（固形分）１００容量部に対し
て、金属粒子は０．５〜５０容量部に選定する。これは
０．５未満では低抵抗接続が不充分となる場合があり、
５０容量部を越えると接続部以外における金属粒子相互
の絶縁が不完全となったり、機械的接着強度が不充分と
なってくる場合があるととＫよる。
ングパツド間に介在させる予めシート状とされた或いは
基板上に予め塗布される接着剤層中の接着剤と金属粒子
との混合割合は、接着剤（固形分）１００容量部に対し
て、金属粒子は０．５〜５０容量部に選定する。これは
０．５未満では低抵抗接続が不充分となる場合があり、
５０容量部を越えると接続部以外における金属粒子相互
の絶縁が不完全となったり、機械的接着強度が不充分と
なってくる場合があるととＫよる。
また、これに用いられる絶縁性接着剤としては、上述し
た接合時の加圧加熱条件下で少くともｍ−は、流動性が
得られる接着剤、例えばゴム系、或いはエチレン−酢酸
ビニル系のいわゆるホットメルトタイプ、或いは熱架橋
する工ｆキシ系の熱硬化型の接着剤を用いることができ
る。
た接合時の加圧加熱条件下で少くともｍ−は、流動性が
得られる接着剤、例えばゴム系、或いはエチレン−酢酸
ビニル系のいわゆるホットメルトタイプ、或いは熱架橋
する工ｆキシ系の熱硬化型の接着剤を用いることができ
る。
また上述した例においては、複数の導電性リードとこれ
に対応して接続されるべきがンデイングＩ４ットとを予
めシート状にされた接着剤層を介在させ、て重ねるか、
導電性リード上に接着剤層を塗布しておくか貼り合せて
おいてこの接着剤層を介して重ね合せて加熱加圧するこ
とによって互いに重なる導電性リードとがンデイングパ
ツドとの間から多くの絶縁性接着剤を他部にその流動性
によって排除して金属粒子によって良好に導電性−リー
ドとがンデイング／４ツド間の融着を行い、且つその接
続部外に押し出された絶縁性接着剤が導電性を有する金
属粒子を良好に包み込み、且つ隣り合う接続部間にこの
接着剤が多量に存在することＫよって機械的に強固にそ
の固着を行うものであるが、このような現象が効果的に
生じ、導通抵抗を０．１Ω以下、絶縁抵抗を１０７Ω以
上、好ましくは１０９Ωとするｋは、絶縁性接着剤の加
熱接合時のＭ＠Ｆ＠Ｉ（メルト・フロー・インデックス
）は、０．００１以上、好ましくはｏ、ｏｏｓ以上とす
る。このＭ＠Ｆ・■は、ＡＳＴＭ 、 Ｄ１２３８のＡ
法またはＪＩＳ。
に対応して接続されるべきがンデイングＩ４ットとを予
めシート状にされた接着剤層を介在させ、て重ねるか、
導電性リード上に接着剤層を塗布しておくか貼り合せて
おいてこの接着剤層を介して重ね合せて加熱加圧するこ
とによって互いに重なる導電性リードとがンデイングパ
ツドとの間から多くの絶縁性接着剤を他部にその流動性
によって排除して金属粒子によって良好に導電性−リー
ドとがンデイング／４ツド間の融着を行い、且つその接
続部外に押し出された絶縁性接着剤が導電性を有する金
属粒子を良好に包み込み、且つ隣り合う接続部間にこの
接着剤が多量に存在することＫよって機械的に強固にそ
の固着を行うものであるが、このような現象が効果的に
生じ、導通抵抗を０．１Ω以下、絶縁抵抗を１０７Ω以
上、好ましくは１０９Ωとするｋは、絶縁性接着剤の加
熱接合時のＭ＠Ｆ＠Ｉ（メルト・フロー・インデックス
）は、０．００１以上、好ましくはｏ、ｏｏｓ以上とす
る。このＭ＠Ｆ・■は、ＡＳＴＭ 、 Ｄ１２３８のＡ
法またはＪＩＳ。
Ｋ７２１０のＡ法に規定された装置で、所定の圧着温度
において２１６０ ｆの荷重を印加した時にオリアイス
（孔）から１０分間に流出する樹脂のグラム数を示す本
のである。また、絶縁性接着剤層の厚さは、各接続部間
に生じる空間体積の１０〜３００％好ましくは３０〜２
００％とし、その淳さは５〜２００μｍとすることが望
ましい。
において２１６０ ｆの荷重を印加した時にオリアイス
（孔）から１０分間に流出する樹脂のグラム数を示す本
のである。また、絶縁性接着剤層の厚さは、各接続部間
に生じる空間体積の１０〜３００％好ましくは３０〜２
００％とし、その淳さは５〜２００μｍとすることが望
ましい。
また本発明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱す
ることなくその他種々の構成が取り得ることは勿論であ
る。
ることなくその他種々の構成が取り得ることは勿論であ
る。
本発明に依れば、導電パターン（４１、（４）・・・・
・・とこれに対応する導電体（２１、（２１・・−・・
との間に絶縁性接着剤（６） ｋ低融点金属粒子（７）
が分散され九接着剤層（５）を配して、２等間を加圧加
熱して金属粒子（７）の溶融によりこの導電ノダターン
（４） 、 （４）・・・・・・と導電体（２） 、
（２）・・・・・・とを電気的に接続し、その後この加
圧状態のまま所定の温度まで冷却する様にしたので低融
点金属粒子（７）と導電Ｉ４ターン（４） 、 （４）
・・・・・・及び導電体（２）。
・・とこれに対応する導電体（２１、（２１・・−・・
との間に絶縁性接着剤（６） ｋ低融点金属粒子（７）
が分散され九接着剤層（５）を配して、２等間を加圧加
熱して金属粒子（７）の溶融によりこの導電ノダターン
（４） 、 （４）・・・・・・と導電体（２） 、
（２）・・・・・・とを電気的に接続し、その後この加
圧状態のまま所定の温度まで冷却する様にしたので低融
点金属粒子（７）と導電Ｉ４ターン（４） 、 （４）
・・・・・・及び導電体（２）。
（２）・・・・・・どの接触面積がこの金属粒子（７）
の溶融時と変ることなく、この導電ノ母ターン（４１、
（４）・・・・・・と導電体（２＋ 、 （２＋・・・
・・・どの間の導電抵抗は極めて小さく、例えば１Ω以
下とでき信頼性の高い接続ができる利益がある。
の溶融時と変ることなく、この導電ノ母ターン（４１、
（４）・・・・・・と導電体（２＋ 、 （２＋・・・
・・・どの間の導電抵抗は極めて小さく、例えば１Ω以
下とでき信頼性の高い接続ができる利益がある。
第１図、第２図及び第３図は夫々本発明配線基板の接続
方法の一実施例の説明に供する線図、第４図は半導体集
積回路チップの例を示す底面図、第５図は配線基板の要
部の拡大平面図である。 （１）は半導体集積回路チップ、（２）はがンデイング
ノ母ツド、（３）は基板、（４）は導電性リード、（５
）は接着剤層、（６）は絶縁性接着剤、（７）は半田金
属粒子である。 第４図 第５図
方法の一実施例の説明に供する線図、第４図は半導体集
積回路チップの例を示す底面図、第５図は配線基板の要
部の拡大平面図である。 （１）は半導体集積回路チップ、（２）はがンデイング
ノ母ツド、（３）は基板、（４）は導電性リード、（５
）は接着剤層、（６）は絶縁性接着剤、（７）は半田金
属粒子である。 第４図 第５図
Claims (1)
- 複数の導電パターンが配された基板と、前記複数の導
電パターンに対応して電気的に接続される複数の導電体
とを有し、前記導電パターンとこれに対応する前記導電
体とが重ね合せられて両者間に、絶縁性接着剤に低融点
金属粒子が分散された接着剤層を配して、加圧加熱され
て前記導電パターンとこれに対応する前記導電体とを、
前記金属粒子の溶融により電気的に接続し、その後前記
加圧状態のまま所定の温度まで冷却することを特徴とす
る配線基板の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014007A JPS61174643A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 配線基板の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014007A JPS61174643A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 配線基板の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174643A true JPS61174643A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11849151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60014007A Pending JPS61174643A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 配線基板の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174643A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323535A (en) * | 1991-02-25 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical connecting member and method of manufacturing the same |
| US5819406A (en) * | 1990-08-29 | 1998-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming an electrical circuit member |
| US6015081A (en) * | 1991-02-25 | 2000-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical connections using deforming compression |
| WO2023234056A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 株式会社レゾナック | 回路接続構造体の製造方法及び回路接続装置 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60014007A patent/JPS61174643A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5819406A (en) * | 1990-08-29 | 1998-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming an electrical circuit member |
| US5323535A (en) * | 1991-02-25 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical connecting member and method of manufacturing the same |
| US6015081A (en) * | 1991-02-25 | 2000-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical connections using deforming compression |
| WO2023234056A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 株式会社レゾナック | 回路接続構造体の製造方法及び回路接続装置 |
| JP2023176346A (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-13 | 株式会社レゾナック | 回路接続構造体の製造方法及び回路接続装置 |
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