JPS61176166A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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Publication number
JPS61176166A
JPS61176166A JP60015332A JP1533285A JPS61176166A JP S61176166 A JPS61176166 A JP S61176166A JP 60015332 A JP60015332 A JP 60015332A JP 1533285 A JP1533285 A JP 1533285A JP S61176166 A JPS61176166 A JP S61176166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photoelectric conversion
conversion element
coloring matter
coating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60015332A
Other languages
English (en)
Inventor
Taichi Sugimoto
太一 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60015332A priority Critical patent/JPS61176166A/ja
Publication of JPS61176166A publication Critical patent/JPS61176166A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入射光を電気信号に変換又は入力電気信号を
光に変換する光半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、光半導体装置は入射光路に光補正フィルタを有す
るものであった。
すなわち、従来の光半導体装置の構成は、第１図に示す
如く、光電変換素子１をリードフレーム３に固着し、ワ
イヤがンｙ”インク４を施す。次に光透過性樹脂５によ
シ封止成形し、更に光電変換素子ｌの入射光路の樹脂５
上に赤外域の波長域の光線を吸収する光補正フィルタ６
を固着する。
その結果、光補正フィルタ６の取付けに関し、特殊な技
術を必要とする上、工程数が多く、コストの高いもので
あった。
また、入射光の補正の為には光学フィルタを選択した上
調整しなければならない欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、前述の欠点を解消した、入射光補正を
広範囲に且つ容易に行うことのできる、低コストで製造
の容易な光半導体装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の光半導体装置は、光電変換素子の光入射面上に
色素を含有せる塗材層を有することを特徴としている。
以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。
尚、各図の符号は、同一成分、物質については同じもの
が用いられている。
第２図は本発明の実施態様の一つである。第２図におい
て、シリコン光電変換素子ｌの光入射面上にＣ，１，（
カラーインデックス：国際規格）７″イスパースグリー
ン（Ｃ，１，Ｄ量−ｐａｒｓ　Ｇｒ・・ｎ）を含有して
いる塗材が吹き付は塗布され塗材層２が形成されている
。そして該光電変換素子１は基板となるリードフレーム
３に固定され、必要な部分はワイヤがンディング４が行
なわれる。次に光透過性樹脂５で封止される。
本発明にかかる上記実施例は以上のような構成となって
いるので、入射光があると、赤外域の波長の光が塗材層
２に含有されているＣ、１．ディスＡ？−スゲリーンに
吸収されるため光電変換素子ｌには赤外域を除いた光が
入射する。
本発明は上記実施例に限らず、以下の如き場合にも明白
に適用可能である。
すなわち、塗材中の色素としては、各種の色素の中から
目的に応じ適宜選択され、例えばＣ，Ｉｄｉｓｐ＠ｒｓ
ｅ　Ｂｌｕ＠Ｌ−Ｃ−Ｉ　ｄ１ｓｐ＠ｒｓ＊　Ｇｒ＠ａ
ｎ　３Ｂ　＋ｄｉｓｐ＠ｒｓｅ　ｒｉｏｌｓｔ　１等の
色素を含有する塗材である。
本発明の光半導体装置は、上述の色素の種類及び含有量
を変えることによ）、吸収カットしたい光の波長を簡単
にしかも広範囲に調整することができる点において光補
正フィルタを用いる従来のものに比べて優れている。
上記色素は必要に応じ光透過性のバインダーに分散して
用いられる。バインダーとしては、塗布した状態におい
て光透過性のものであれば特に限定されない。
塗材層形成の方法は吹き付けに限らず、蒸着。
塗布等の方法によることもできる。
本発明に用いられる光電変換素子としては、特に限定さ
れず、光半導体装置に用いられる光電変換素子の中から
適宜選択され、上記シリコンの外、ＧａＡｌ系光電変換
素子が例示される。
また、素子に関する構成はリードフレーム、ワイヤがン
ディングに限らずどのようなものでも良い。また光電変
換素子は周辺回路を持つものでも良い。
本発明における封止方法は、樹脂封止に限らず、どのよ
うなものでも良く、例えば光電変換素子の光路にあたる
部分に窓をもつセラミ、ツクノ母、ケージでも良い。
〔発明の効果〕
以上、説明した様に、本発明によれば、入射光のうち塗
材層中の色素の吸収スペクトルにある波長の光は吸収カ
ットされる。その為光電変換素子に入射する光は、装置
に入射する光を補正した光となる。従って、別途光補正
フィルタを備える必要がなくなシ、入射光補正を任意且
つ容易に調整できる製造の容易な光半導体装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光半導体装置の縦断面図である。 第２図は本発明に係る光半導体装置の実施例を示す縦断
面図である。 １・・・光電変換素子、２・・・塗材層、３・・・リー
ドフレーム、４・・・ワイヤがンディング、５・−・光
透ｆｆｌ性樹脂、６・・・光補正フィルタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光電変換素子の光入射面上に色素を含有せる塗材層を有
    する光半導体装置。
JP60015332A 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置 Pending JPS61176166A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60015332A JPS61176166A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60015332A JPS61176166A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61176166A true JPS61176166A (ja) 1986-08-07

Family

ID=11885827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60015332A Pending JPS61176166A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61176166A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04306883A (ja) * 1991-04-03 1992-10-29 Mitsubishi Electric Corp 透明樹脂封止型半導体装置
US5283691A (en) * 1991-02-15 1994-02-01 Olympus Optical Co., Ltd. Solid state imaging apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5283691A (en) * 1991-02-15 1994-02-01 Olympus Optical Co., Ltd. Solid state imaging apparatus
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