JPS61190992A - 量子井戸型光変調器つき半導体レ−ザ - Google Patents
量子井戸型光変調器つき半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61190992A JPS61190992A JP60031062A JP3106285A JPS61190992A JP S61190992 A JPS61190992 A JP S61190992A JP 60031062 A JP60031062 A JP 60031062A JP 3106285 A JP3106285 A JP 3106285A JP S61190992 A JPS61190992 A JP S61190992A
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- JP
- Japan
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- quantum well
- active layer
- inp
- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06258—Controlling the frequency of the radiation with DFB-structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕
本発明は，半導体レーザに関するものであシ。
具体的には，構造が単純であり，作製が容易な。
高速かつ安定に単一軸モード発振する半導体レーザに関
するものである。
するものである。
光ファイバの低損失化に伴い１０ ０ Ｋｍを越える長
距離間の光フアイバ伝送システムが構成可能となってき
ている。このような光伝送システムでは光ファイバの波
長分散による影響を受けるため光源には単一軸モード発
振するレーザが必要とされる。
距離間の光フアイバ伝送システムが構成可能となってき
ている。このような光伝送システムでは光ファイバの波
長分散による影響を受けるため光源には単一軸モード発
振するレーザが必要とされる。
通常の半導体レーザでは、定常状態では単一軸モードで
発振するが、高速の直接変調をかけて、注入する電流の
大きさを変えると、数本ないし１０数本の軸モードが発
生してしまい、高々４００Ｍｈ／Ｓ程度しか変調速度は
上げられなかった。最近このような欠点を克服するため
活性層もしくはこれに隣接して設けられた導波路層に回
折格子を設けた所謂分布帰遷型（Ｄｉｚｔｒｉｈｂｔａ
ｄ Ｆａｓｔ Ｅａｃｈ略してＤＦＥ ）レーザが提案
され、一部用いられている。しかし。
発振するが、高速の直接変調をかけて、注入する電流の
大きさを変えると、数本ないし１０数本の軸モードが発
生してしまい、高々４００Ｍｈ／Ｓ程度しか変調速度は
上げられなかった。最近このような欠点を克服するため
活性層もしくはこれに隣接して設けられた導波路層に回
折格子を設けた所謂分布帰遷型（Ｄｉｚｔｒｉｈｂｔａ
ｄ Ｆａｓｔ Ｅａｃｈ略してＤＦＥ ）レーザが提案
され、一部用いられている。しかし。
ＥｌｅｃｔｒｏｒＬｉｃｓ Ｌｏｔｔｅｒｙ ｉ９巻９
３７頁（１９８３）に岩下らによって発表されているよ
うに、高速で変調をかけるとスペクトルは広がシ、ファ
イバの波長分散の影響によって発光の初期が中心波長上
）長波長か短波長かに依存してファイバ伝播後のスペク
トルは狭くなったシ広くなったシし、その制御はできて
いないのが現状である。
３７頁（１９８３）に岩下らによって発表されているよ
うに、高速で変調をかけるとスペクトルは広がシ、ファ
イバの波長分散の影響によって発光の初期が中心波長上
）長波長か短波長かに依存してファイバ伝播後のスペク
トルは狭くなったシ広くなったシし、その制御はできて
いないのが現状である。
また、２つの共振器長が異なる半導体レーザを共振器面
が平行になるように直列に並べ、各々独立に電流を流し
、各々から異なる波長間隔で発振する軸モードの一本を
一致するように電流値を設定して単一軸モード化する方
法が米国ベル研究所のＴｚａｎｇ氏らによって提案され
ている（複合光共振器レーザ） （Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈ１ｙｚｉａｚ Ｌａｔｔｅｒｓ ４２巻６５０頁（１
９８３） ：Ｉ が、単一モード発振する電流領域が
狭くかつ素子ごとにこの領域が異なるため予めこの領域
を調べておく必要があり、実用上使用が困難となると云
う問題があった。
が平行になるように直列に並べ、各々独立に電流を流し
、各々から異なる波長間隔で発振する軸モードの一本を
一致するように電流値を設定して単一軸モード化する方
法が米国ベル研究所のＴｚａｎｇ氏らによって提案され
ている（複合光共振器レーザ） （Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈ１ｙｚｉａｚ Ｌａｔｔｅｒｓ ４２巻６５０頁（１
９８３） ：Ｉ が、単一モード発振する電流領域が
狭くかつ素子ごとにこの領域が異なるため予めこの領域
を調べておく必要があり、実用上使用が困難となると云
う問題があった。
本発明はこれらの問題点を除去するため量子井戸型半導
体レーザを用い、かつ半導体レーザ基板を独立に電流注
入もしくは電圧印加できるように各々の領域の上部に分
離した電極を形成して発光再結合する領域に対して直列
に制御領域および制御電極とし、一方を光の変調器とし
て動作させて安定な単一軸モード発振を行なわせること
にある。
体レーザを用い、かつ半導体レーザ基板を独立に電流注
入もしくは電圧印加できるように各々の領域の上部に分
離した電極を形成して発光再結合する領域に対して直列
に制御領域および制御電極とし、一方を光の変調器とし
て動作させて安定な単一軸モード発振を行なわせること
にある。
活性層厚を薄くして量子井戸効果を生じさせると、従来
の半導体では見られない特性が出現することが、主とし
てＧａＡｓ／ＧａＡλＡｓ 系材料で発表されている（
１９８３年１０月号応用物理学会誌８４３頁〜８５１
頁）、その一つに内部吸収損失の低さがあシ。
の半導体では見られない特性が出現することが、主とし
てＧａＡｓ／ＧａＡλＡｓ 系材料で発表されている（
１９８３年１０月号応用物理学会誌８４３頁〜８５１
頁）、その一つに内部吸収損失の低さがあシ。
我々は従来の半導体レーザに比べ１０〜７０％の低い吸
収損失であることをＩｎＧａＡｚ／Ｉｎ−Ａｚ系の材料
において見い出しだ。従って量子井戸型活性層の一部で
発振動作を行なわせた場合２発光領域に連続する活性層
は低損失の導波路として機能させることができる。又、
量子井戸構造においては縦方向（井戸を形成する半導体
層に垂直な方向）電界を印加すると吸収端が比較的低電
界で長波長側にシフトする現象がＧａＡｚ／ＧａＡｉＡ
ｚ系において報告され（米国応用物理学会誌ＡｐｐＩ１
．ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ４４巻、
１９８４年１６頁−１８頁）ているが、この効果は
長波長帯１ｎＧａＡｒ ／ＩｒＬＡＩＩＡｓ系において
も同様に存在することを実験的に見い出した。第１図は
この実験に用いた試料の構造図であＦ）、５ｒＬ（錫）
が２ Ｘ １０１８浦ドープされたｎ型１ｎＰ基板１の
上にＩｎＰと格子整合するアンドープのＩｎＧａＡｚ層
７５７１０とアンドープのＩルＡ１１Ａｚ層７５，４１
１を交互に合計６０周期、厚さ０．９μｍの多重量子井
戸活性層３を分子線エピタキシー（ＭＥＥ）法により成
長し、その上にＰ型不純物としてＢｔ（ベリリウム）を
５ ｘ １Ｑ１？ｃｒｔ−” ドープされたＰ−ＩｎＰ
層５を成長して所謂ＰＩＮ構造を形成し。
収損失であることをＩｎＧａＡｚ／Ｉｎ−Ａｚ系の材料
において見い出しだ。従って量子井戸型活性層の一部で
発振動作を行なわせた場合２発光領域に連続する活性層
は低損失の導波路として機能させることができる。又、
量子井戸構造においては縦方向（井戸を形成する半導体
層に垂直な方向）電界を印加すると吸収端が比較的低電
界で長波長側にシフトする現象がＧａＡｚ／ＧａＡｉＡ
ｚ系において報告され（米国応用物理学会誌ＡｐｐＩ１
．ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ４４巻、
１９８４年１６頁−１８頁）ているが、この効果は
長波長帯１ｎＧａＡｒ ／ＩｒＬＡＩＩＡｓ系において
も同様に存在することを実験的に見い出した。第１図は
この実験に用いた試料の構造図であＦ）、５ｒＬ（錫）
が２ Ｘ １０１８浦ドープされたｎ型１ｎＰ基板１の
上にＩｎＰと格子整合するアンドープのＩｎＧａＡｚ層
７５７１０とアンドープのＩルＡ１１Ａｚ層７５，４１
１を交互に合計６０周期、厚さ０．９μｍの多重量子井
戸活性層３を分子線エピタキシー（ＭＥＥ）法により成
長し、その上にＰ型不純物としてＢｔ（ベリリウム）を
５ ｘ １Ｑ１？ｃｒｔ−” ドープされたＰ−ＩｎＰ
層５を成長して所謂ＰＩＮ構造を形成し。
その上にＢａドープＩｎＧａＡｚ層８（厚さ０．２μｍ
、キャリア濃度５ ｘ １Ｑ”ｃｍ−’ ）を順次成長
したもので光の窓としてこの層とＰ側電極Ａμ：Ｚｎ：
Ｎｉ２１ とに０．５ ＷＬｍ径の穴を開けた。この
試料に分光光度計を用いて光の透過スペクトルを測定し
たところ逆方向の縦方向電界によシ第２図に示すような
光の透過スペクトルに変化が現われた。すなわち、波長
１．５μｍにおいて電界５．６ＸｌＯ’〜缶で３．８係
の透過光量の減少が観測された。この電界効果は量子井
戸特有のもので通常のバルク構造のものに比べ。
、キャリア濃度５ ｘ １Ｑ”ｃｍ−’ ）を順次成長
したもので光の窓としてこの層とＰ側電極Ａμ：Ｚｎ：
Ｎｉ２１ とに０．５ ＷＬｍ径の穴を開けた。この
試料に分光光度計を用いて光の透過スペクトルを測定し
たところ逆方向の縦方向電界によシ第２図に示すような
光の透過スペクトルに変化が現われた。すなわち、波長
１．５μｍにおいて電界５．６ＸｌＯ’〜缶で３．８係
の透過光量の減少が観測された。この電界効果は量子井
戸特有のもので通常のバルク構造のものに比べ。
桁違いに大きい。この減少量は印加電界の大きさの２乗
に比例して増加するので、さらに高電界を加えれば透過
光量の減少、従って光吸収量は増大する。
に比例して増加するので、さらに高電界を加えれば透過
光量の減少、従って光吸収量は増大する。
以上は本発明の基本原理を説明するもので、光が量子井
戸層に垂直に入射した場合について述べたが、光が量子
井戸層に平行に入っても同じ効果が期待できる。以下実
施例について説明する。
戸層に垂直に入射した場合について述べたが、光が量子
井戸層に平行に入っても同じ効果が期待できる。以下実
施例について説明する。
〈実施例１〉
第３図（ａ）、の）は本発明の実施例を示す斜視図及び
断面図である。
断面図である。
ｎ−１ｔＬＰ基板１の上に部分的に回折格子１００を形
成する。この回折格子は１周期が（１Ａｖ〃） ｘ （
ｍ・’／２） （ただし、”−ｆｆは実効屈折率、鶏は
正の整数、λは発振波長）で与えられる凹凸の繰り返し
の回折格子である。
成する。この回折格子は１周期が（１Ａｖ〃） ｘ （
ｍ・’／２） （ただし、”−ｆｆは実効屈折率、鶏は
正の整数、λは発振波長）で与えられる凹凸の繰り返し
の回折格子である。
回折格子１００の周期は２次の周期を用いた場合４６７
０７深さ１ｓｏｏ、２． （１次の周期では２５５５
２ 、深さ７００１）〈１１０〉方向に繰返し形成され
ている。
０７深さ１ｓｏｏ、２． （１次の周期では２５５５
２ 、深さ７００１）〈１１０〉方向に繰返し形成され
ている。
回折格子１００はＨｅ−Ｃｄガスレーザの４２５０，２
の発振光を用い、２光束干渉露光法によシ形成した。回
折格子１００を部分的に形成するためには９回折格子１
００を形成しない部分を５ｉＯｚ膜で覆っておけばよい
。次にマスクとして用いた。５ 番Ｏｔ膜をエツチング
後９通常の埋め込み型半導体レーザを作製する。
の発振光を用い、２光束干渉露光法によシ形成した。回
折格子１００を部分的に形成するためには９回折格子１
００を形成しない部分を５ｉＯｚ膜で覆っておけばよい
。次にマスクとして用いた。５ 番Ｏｔ膜をエツチング
後９通常の埋め込み型半導体レーザを作製する。
ただし、活性層は量子井戸構造となっておυＩｎＧａＡ
ｚ層１ｏａｉ１ｏ、 ｒルＪ、（ＪＦ層３０１１１が各
６層、５層成長されている。Ｐ側電極２１．２２を形成
する際回折格子１００の上と他の部分とで２０μｍの分
離溝３０を挾んで注入電極２１と制御電極２２とに分離
させて形成した。
ｚ層１ｏａｉ１ｏ、 ｒルＪ、（ＪＦ層３０１１１が各
６層、５層成長されている。Ｐ側電極２１．２２を形成
する際回折格子１００の上と他の部分とで２０μｍの分
離溝３０を挾んで注入電極２１と制御電極２２とに分離
させて形成した。
注入電極２１の下部の活性層３で発光した光は制御電極
２２の下部領域の活性層３へと導波されている。活性層
で発光した光は９回折格子１００の周期４６７０）に対
応する波長の光のみが回折され反射されるため発振スペ
クトルに強い選択性ができ、単一モード発振する。これ
は通常のＤＦＢレーザの発振機構と同様である。
２２の下部領域の活性層３へと導波されている。活性層
で発光した光は９回折格子１００の周期４６７０）に対
応する波長の光のみが回折され反射されるため発振スペ
クトルに強い選択性ができ、単一モード発振する。これ
は通常のＤＦＢレーザの発振機構と同様である。
制御電極によって逆バイアスをかければ制御電極の下部
領域の活性層を透過する光はバイアスの値によってその
吸収される値は変わるため、透過光強度は変調を受ける
ことになる。発光領域に注入される電流を一定にしてお
けばそのスペクトルは変化せず、一方制御電極によって
注入電流とは独立に変調がかけられるため、全体として
半導体レーザ外部へ放出される光のスペクトルは安定か
つ軸モード単一である。
領域の活性層を透過する光はバイアスの値によってその
吸収される値は変わるため、透過光強度は変調を受ける
ことになる。発光領域に注入される電流を一定にしてお
けばそのスペクトルは変化せず、一方制御電極によって
注入電流とは独立に変調がかけられるため、全体として
半導体レーザ外部へ放出される光のスペクトルは安定か
つ軸モード単一である。
〈実施例２〉
第４図（α）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す斜
視図及び断面図である。第１の実施例と異なる点は光導
波路層４の上に回折格子１００が形成されている点であ
る。この構造において単一軸モードで発振し、その波長
は２５℃、５ｎＪ’の光出力時に１．５５μｍであった
。発振しきい値電流は５０ｒＩＬＡと小さく。
視図及び断面図である。第１の実施例と異なる点は光導
波路層４の上に回折格子１００が形成されている点であ
る。この構造において単一軸モードで発振し、その波長
は２５℃、５ｎＪ’の光出力時に１．５５μｍであった
。発振しきい値電流は５０ｒＩＬＡと小さく。
また微分量子効率は２０チと高い値であったが、これは
実施例１とほぼ同様な特性であった。
実施例１とほぼ同様な特性であった。
〈実施例３〉
第５図（α）、（ｂ）は本発明の第３の実施例を示す断
面図である。ｎ型１ｎＰ基板１にｎ Ｗ ＩｎＰグラツ
ド層（膜厚３ハ、 Ｓｎドープ、キャリア濃度８ｘ １
Ｑ”ｔＭ−’）。
面図である。ｎ型１ｎＰ基板１にｎ Ｗ ＩｎＰグラツ
ド層（膜厚３ハ、 Ｓｎドープ、キャリア濃度８ｘ １
Ｑ”ｔＭ−’）。
その上に５層のＩｎＧａＡｚ井戸層１０（層厚１ｏｏ、
２．ノンドープ）その間に４層のｌ５Ａ２Ａｓバリア層
１１（層厚３０）、ノンドープ）を挾んで形成しその上
にＰ型１ｎＰ第１クラッド層９（層厚０．２μｍ、 Ｚ
ｎドープ、キャリア濃度１×１０１８ｃＴｒｒ５）を成
長した後。
２．ノンドープ）その間に４層のｌ５Ａ２Ａｓバリア層
１１（層厚３０）、ノンドープ）を挾んで形成しその上
にＰ型１ｎＰ第１クラッド層９（層厚０．２μｍ、 Ｚ
ｎドープ、キャリア濃度１×１０１８ｃＴｒｒ５）を成
長した後。
Ｐ型１ｎＰ第１クラッド層９を部分的にＨＣｆ！、系の
選択エツチングで剥離し、この部分のみ周期４６７０ｉ
の回折格子１００を形成する。この上にＰ型１ｎＰクラ
ッド層４（層厚１μＩｎ、Ｚｎドープ、キャリア濃度１
ｘ Ｉ Ｑ”ｚ−’ ） を成長する。その後の他
の工程は第１の実施例と同様である。
選択エツチングで剥離し、この部分のみ周期４６７０ｉ
の回折格子１００を形成する。この上にＰ型１ｎＰクラ
ッド層４（層厚１μＩｎ、Ｚｎドープ、キャリア濃度１
ｘ Ｉ Ｑ”ｚ−’ ） を成長する。その後の他
の工程は第１の実施例と同様である。
〈実施例４〉
第６図は本発明の第４の実施例を示す斜視図である。第
１と第２の共振器長の異なる半導体レーの部分の電圧を
変えて透過光の強度を変え１強度変調を行なわせるもの
である。レーザの作製法は通常の方法と同様であり、そ
れに加えて第１と第２のレーザを電気的に分離するとと
もにそれらの光共振器間に小さな間隔を入れておく。活
性層は第３のレーザには必ず量子井戸層が用いられてい
るが、第１．第２のレーザには量子井戸を用いなくても
よい。
１と第２の共振器長の異なる半導体レーの部分の電圧を
変えて透過光の強度を変え１強度変調を行なわせるもの
である。レーザの作製法は通常の方法と同様であり、そ
れに加えて第１と第２のレーザを電気的に分離するとと
もにそれらの光共振器間に小さな間隔を入れておく。活
性層は第３のレーザには必ず量子井戸層が用いられてい
るが、第１．第２のレーザには量子井戸を用いなくても
よい。
以上の実施例では活性層の発光波長は１．５５μｍであ
ったが、この波長に限定されることはない。又。
ったが、この波長に限定されることはない。又。
回折格子の周期が２次の場合について説明したが。
周期が１次の場合についても適用できる。又、レーザの
構造は埋め込み型について述べたが、他の構造のレーザ
についても適用される。
構造は埋め込み型について述べたが、他の構造のレーザ
についても適用される。
以上説明したように本発明によれば、量子井戸層の縦方
向電界効果を利用して光の透過特性に変調をかけるだめ
、定常状態において単一軸モード発振している半導体レ
ーザすべてに適用でき、安定かつ簡便に単一軸モード光
を得ることができる。
向電界効果を利用して光の透過特性に変調をかけるだめ
、定常状態において単一軸モード発振している半導体レ
ーザすべてに適用でき、安定かつ簡便に単一軸モード光
を得ることができる。
すなわち、直接変調により注入電流が変わるために軸モ
ードの不安定化、線幅の広がりが必然的に生ずる通常の
半導体レーザを安定な単一軸モード発振とすることが可
能である。具体的には回折格子が形成された光導波路領
域に量子井戸形の活性層を用いることにより或いは複合
光共振器を用いることによシ単−軸モード発振する半導
体レーザに量子井戸層を＜＜シつけ、その部分に縦方向
電界を加えて吸収端を変化させて透過光強度を変え変調
をかけるものである。
ードの不安定化、線幅の広がりが必然的に生ずる通常の
半導体レーザを安定な単一軸モード発振とすることが可
能である。具体的には回折格子が形成された光導波路領
域に量子井戸形の活性層を用いることにより或いは複合
光共振器を用いることによシ単−軸モード発振する半導
体レーザに量子井戸層を＜＜シつけ、その部分に縦方向
電界を加えて吸収端を変化させて透過光強度を変え変調
をかけるものである。
第１図は本発明の基本原理を実証するための素子の構造
図。 第２図はその結果を示す図、 第３図（α）、（６）は本発明の第１の実施例を示す斜
視図及び断面図。 第 Ｗ本発明の第２の実施例を示す斜視図及第６図挑得
は本発明の第４の実施例を示す斜視図である。 図中。 １はｎ型ＩｒＬＰ基板 ２はｎ型１ｎＰクラッド層 ３はＩｒＬＧａＡｚ ／Ｉｎ、４１．Ａｚ ｆｆ子井戸
活性層（ＩｎＧａＡｚ ； １０ 、 ＩｎＡＩＩＡｚ
； １１ ）４はＩｎＧａＡｚＰ光導波層 ５はＰ型１ｎＰクラッド層 ６はＰ型１ｎＰ埋め込み層 ７はｎ型１ｎＰ電流閉じ込め層 ８はＰ型１ｎＧαＡｔキャップ層 ２１．２３は注入電極 ２２は制御電極 ３０は分離溝 ４０はｎ側電極 １００は回折格子を示す。
図。 第２図はその結果を示す図、 第３図（α）、（６）は本発明の第１の実施例を示す斜
視図及び断面図。 第 Ｗ本発明の第２の実施例を示す斜視図及第６図挑得
は本発明の第４の実施例を示す斜視図である。 図中。 １はｎ型ＩｒＬＰ基板 ２はｎ型１ｎＰクラッド層 ３はＩｒＬＧａＡｚ ／Ｉｎ、４１．Ａｚ ｆｆ子井戸
活性層（ＩｎＧａＡｚ ； １０ 、 ＩｎＡＩＩＡｚ
； １１ ）４はＩｎＧａＡｚＰ光導波層 ５はＰ型１ｎＰクラッド層 ６はＰ型１ｎＰ埋め込み層 ７はｎ型１ｎＰ電流閉じ込め層 ８はＰ型１ｎＧαＡｔキャップ層 ２１．２３は注入電極 ２２は制御電極 ３０は分離溝 ４０はｎ側電極 １００は回折格子を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＩｎＰと格子整合している１ｎ＿１＿−＿ｘ＿１＿
−＿ｙ＿１Ｇａ＿ｘ＿１Ａｌ＿ｙ＿１Ａｓ（ただし０≦
ｙ１）でなる量子井戸層と、ＩｎＰと格子整合している
Ｉｎ＿１＿−＿ｘ＿２−＿ｙ＿２Ｇａ＿ｘ＿２Ａｌ＿ｙ
＿２Ａｓ（ただし、ｙ１＜ｙ２、０≦ｘ２）でなる上記
量子井戸層に比し広い禁制帯幅を有する障壁層とが順次
交互に積層されている構成を有する活性層と、 上記活性層の一方の面上に形成された第１の導電型を有
するＩｎＰ層からなる第１のクラッド層と上記活性層の
他方の面上に形成された第１の導電型とは逆の第２の導
電型を有するＩｎＰ層からなる第２のクラッド層が形成
されていることを特徴とする量子井戸型半導体レーザに
おいて、独立に電流注入もしくは電圧印加できるように
各々の領域の上部に分離した電極が形成され、発光再結
合する上記活性層に対して直列に制御領域および制御電
極を配置形成したことを特徴とする半導体レーザ。 ２、上記活性層の一部領域あるいは上記活性層に隣接し
て設けられた導波路層の一部領域に形成された周期が（
１／ｎ＿ｅ＿ｆ＿ｆ）×（ｍ・λ／２）〔ｎ＿ｅ＿ｆ＿
ｆ：実効屈折率、ｍ：正の整数、λ：発振波長〕で与え
られる凹凸の繰り返しの回折格子を含む多層積層構造を
備えることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031062A JPH06105817B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 量子井戸型光変調器つき半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031062A JPH06105817B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 量子井戸型光変調器つき半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190992A true JPS61190992A (ja) | 1986-08-25 |
| JPH06105817B2 JPH06105817B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=12320980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60031062A Expired - Lifetime JPH06105817B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 量子井戸型光変調器つき半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105817B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4815087A (en) * | 1985-05-15 | 1989-03-21 | Sumitomo Elec. Industries, Ltd. | High speed stable light emitting semiconductor device with low threshold current |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139691A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59165480A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS59181588A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60031062A patent/JPH06105817B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139691A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59165480A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS59181588A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4815087A (en) * | 1985-05-15 | 1989-03-21 | Sumitomo Elec. Industries, Ltd. | High speed stable light emitting semiconductor device with low threshold current |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105817B2 (ja) | 1994-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |