JPS61191080A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61191080A JPS61191080A JP60031770A JP3177085A JPS61191080A JP S61191080 A JPS61191080 A JP S61191080A JP 60031770 A JP60031770 A JP 60031770A JP 3177085 A JP3177085 A JP 3177085A JP S61191080 A JPS61191080 A JP S61191080A
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- JP
- Japan
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- film
- compound semiconductor
- cdse
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- photoconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電効果を利用し光学的センサ素子を形成する
例えば２文字・画像等の読み出しを行う光電変換素子の
製造方法に関する。
例えば２文字・画像等の読み出しを行う光電変換素子の
製造方法に関する。
係るセンサ素子はＯＣＲ，ＯＭＲ等の光電変換素子とし
て、あるいは原稿読取り光照射の集束レンズ側に設けら
れた光電変換系を構成するファクシミリ装置のイメージ
センサに使用されている。咳センナ素子（光検知器）は
、高感度な光導電体として知られる■−■族化合物半導
体の例えばＣｄ５ｅ（又はＣｄ５）より形成されるが、
一般的に、適当な導体抵抗を有し、また照射の明暗光量
に対して導電率の変化（抵抗変化）が一定の値以上とす
る優れた光感性を備えることが要請されている。
て、あるいは原稿読取り光照射の集束レンズ側に設けら
れた光電変換系を構成するファクシミリ装置のイメージ
センサに使用されている。咳センナ素子（光検知器）は
、高感度な光導電体として知られる■−■族化合物半導
体の例えばＣｄ５ｅ（又はＣｄ５）より形成されるが、
一般的に、適当な導体抵抗を有し、また照射の明暗光量
に対して導電率の変化（抵抗変化）が一定の値以上とす
る優れた光感性を備えることが要請されている。
第２図は、従来、蒸着法によりえられた素子の製造方法
を説明する形成基板の一部を示す正面図である。
を説明する形成基板の一部を示す正面図である。
図は平坦な基板１の横（文字配列の行）方向にＣｄＳｅ
組成の蒸着薄膜として形成された方形ドツト２．及び該
ドツト２の両端４と５はドツト端部にオーバラップさせ
て例えばＣｒ−Ａｕからなるストライプ状のリード電極
３と３である。
組成の蒸着薄膜として形成された方形ドツト２．及び該
ドツト２の両端４と５はドツト端部にオーバラップさせ
て例えばＣｒ−Ａｕからなるストライプ状のリード電極
３と３である。
別図の光電変換素子は９例°えば原稿祇Ａ４サイズの場
合、配列の隣接ドツト間ピッチは１２５μｍ（解像度８
本／ｍｍの時）、また配列のドツト数は１７２８個にも
なる。
合、配列の隣接ドツト間ピッチは１２５μｍ（解像度８
本／ｍｍの時）、また配列のドツト数は１７２８個にも
なる。
基板１上のドツト２はＣｄＳｅ粉末を蒸着源として真空
蒸着法によりＣｄＳｅ膜厚さが１μｍ程度に被着形成さ
れる。次いでリード電極３の蒸着前。
蒸着法によりＣｄＳｅ膜厚さが１μｍ程度に被着形成さ
れる。次いでリード電極３の蒸着前。
前記ＣｄＳｅ Ｔｉｔ膜を光導電膜となすための活性化
処理がされる。これは窒素ガス雰囲気の温度６５０℃前
後の炉内で一時間焼成処理して行われる。しかる後、ス
トライブ形状の前記せるリード電極３と３が真空蒸着し
て膜付けされる。
処理がされる。これは窒素ガス雰囲気の温度６５０℃前
後の炉内で一時間焼成処理して行われる。しかる後、ス
トライブ形状の前記せるリード電極３と３が真空蒸着し
て膜付けされる。
第３図の特性は、前記活性化処理された光導電ドツト２
の光導電特性を示す。横軸は活性化処理温度〔単位℃〕
、また縦軸は二水準の明・曙光量の照射により計測され
たドツト２の明暗抵抗比（以下、コントラストとも云う
）と、ドツト素子の明抵抗値（Ｒｐ）それぞれを示して
いる。
の光導電特性を示す。横軸は活性化処理温度〔単位℃〕
、また縦軸は二水準の明・曙光量の照射により計測され
たドツト２の明暗抵抗比（以下、コントラストとも云う
）と、ドツト素子の明抵抗値（Ｒｐ）それぞれを示して
いる。
光導電膜の化合物半導体ＣｄＳｅは、ファクシミリ装置
側からの回路駆動条件として、明抵抗値Ｒｐがより低く
、またコントラストはなるべ（高いことが要求されてい
る。
側からの回路駆動条件として、明抵抗値Ｒｐがより低く
、またコントラストはなるべ（高いことが要求されてい
る。
これに伴い、従来、 ＣｄＳｅの蒸着時や炉内での活
性化処理時において、 Ｃｕ、ＣＩなど他の元素を混入
することが行われ、複合の化合物半導体を形成すること
がなされるも、製造プロセスが複雑となり問題がある。
性化処理時において、 Ｃｕ、ＣＩなど他の元素を混入
することが行われ、複合の化合物半導体を形成すること
がなされるも、製造プロセスが複雑となり問題がある。
前記ＣｄＳｅの単組成光導電膜に対する従来の製を添加
して複合組成の化合物半導体を形成することである。か
くしてコントラストが高く、及び低い明抵抗値Ｒｐを有
する高感度の光導電膜を形成することである。
して複合組成の化合物半導体を形成することである。か
くしてコントラストが高く、及び低い明抵抗値Ｒｐを有
する高感度の光導電膜を形成することである。
ｃ問題点を解決するための手段〕
Ｉ［−Ｖ［族化合物半導体を蒸着源とする従来のＣｄＳ
ｅをベースとしてこれにＺｎＳｅの化合物半導体を添加
して複合組成の光電変換素子を生成するにあたり。
ｅをベースとしてこれにＺｎＳｅの化合物半導体を添加
して複合組成の光電変換素子を生成するにあたり。
光導電膜形成基板上に第一のＵ−Ｖｔ族の化合物半導体
と第二のＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体を同一の蒸着源に
より同時に蒸着して第一・第二の複合化合物単導体膜を
形成する手段と、蒸着された前記の複合化合物半導体膜
を熱処理して活性化する手段により光導電膜が形成され
る本発明の光電変換素子の製造方法により解決される。
と第二のＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体を同一の蒸着源に
より同時に蒸着して第一・第二の複合化合物単導体膜を
形成する手段と、蒸着された前記の複合化合物半導体膜
を熱処理して活性化する手段により光導電膜が形成され
る本発明の光電変換素子の製造方法により解決される。
本発明は高感度の光導電膜として、従来の■−■族化合
物半導体ＣｄＳｅを第一の化合物半導体とし、これに添
加して生成する第二の化合物半導体としてＺｎＳｅに着
目している。添加のＺｎＳｅは蒸着源の坩堝内、予じめ
ＣｄＳｅと共にそれぞれ粉末体として混ぜ合わせて同一
蒸着源を形成し蒸着することにより複合組成の化合物半
導体膜を形成可能にしたことである。
物半導体ＣｄＳｅを第一の化合物半導体とし、これに添
加して生成する第二の化合物半導体としてＺｎＳｅに着
目している。添加のＺｎＳｅは蒸着源の坩堝内、予じめ
ＣｄＳｅと共にそれぞれ粉末体として混ぜ合わせて同一
蒸着源を形成し蒸着することにより複合組成の化合物半
導体膜を形成可能にしたことである。
蒸着された複合組成の化合物半導体膜は、活性化のため
の熱処理はＣｄＳｅと同じ炉内で行うことが出来、然も
形成された光導電膜はＺｎＳｅの添加によりコントラス
ト特性のよい導電膜が形成される。
の熱処理はＣｄＳｅと同じ炉内で行うことが出来、然も
形成された光導電膜はＺｎＳｅの添加によりコントラス
ト特性のよい導電膜が形成される。
以下１本発明の一実施例を詳細に説明に説明する。
平坦性の良いアルミナセラミック基板を担体基板とし、
該基板上に光導電膜を真空蒸着法により被着する。該蒸
着源には第一のＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体ＣｄＳｅ粉
末に対して、第二のＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体ＺｎＳ
ｅ粉末を５〜２０％（重量％換算）添加しかつよく混ぜ
合せた蒸着源を用いる。
該基板上に光導電膜を真空蒸着法により被着する。該蒸
着源には第一のＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体ＣｄＳｅ粉
末に対して、第二のＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体ＺｎＳ
ｅ粉末を５〜２０％（重量％換算）添加しかつよく混ぜ
合せた蒸着源を用いる。
即ち、従来と同じ蒸着源に複合組成の他の■−■族の化
合物半導体粉末を混合して同時蒸着することにより意図
する光導電膜が形成される。基板被着になる膜厚さは１
μｍとされる。
合物半導体粉末を混合して同時蒸着することにより意図
する光導電膜が形成される。基板被着になる膜厚さは１
μｍとされる。
前記蒸着さ九たＣｄＳｅとＺｎＳｅの複合半導体膜は１
次いで処理温度６５０’Ｃ，１％ｏ２を含むＮ２雰囲気
炉で６０分間処理して活性化処理される。
次いで処理温度６５０’Ｃ，１％ｏ２を含むＮ２雰囲気
炉で６０分間処理して活性化処理される。
第１図の特性図は、熱処理温度６５０”ｃ前後における
活性化処理後における第３図同様の光導電特性図である
。図示特性の横軸は熱処理温度を、及び縦軸はコントラ
スト及び明抵抗値Ｒｐそれぞれが示される。
活性化処理後における第３図同様の光導電特性図である
。図示特性の横軸は熱処理温度を、及び縦軸はコントラ
スト及び明抵抗値Ｒｐそれぞれが示される。
第１図を第３図と比較参照すれば明らかとなる様に、従
来のＣｄＳｅ膜のコントラストが１０強であるに対して
、 ＣｄＳｅとＺｎＳｅ複合の光導電膜は１５０％高い
コントラスト１６かえられる。他方、従来の明抵抗値は
６ＭΩと高い値であったが９本発明の光導電膜は、２〜
３ＭΩの低抵抗値のＲｐが取得され然も該抵抗値Ｒｐは
熱処理温度の低温側に対してフラットな特性が確認され
た。
来のＣｄＳｅ膜のコントラストが１０強であるに対して
、 ＣｄＳｅとＺｎＳｅ複合の光導電膜は１５０％高い
コントラスト１６かえられる。他方、従来の明抵抗値は
６ＭΩと高い値であったが９本発明の光導電膜は、２〜
３ＭΩの低抵抗値のＲｐが取得され然も該抵抗値Ｒｐは
熱処理温度の低温側に対してフラットな特性が確認され
た。
前記詳細に説明したことから明らかな様に本発明の複合
組成になる光導電膜は、新規な工程を付加するものでな
〈従来のＣｄＳｅの製造プロセスと同じプロセスで形成
しうると云う特長がある。
組成になる光導電膜は、新規な工程を付加するものでな
〈従来のＣｄＳｅの製造プロセスと同じプロセスで形成
しうると云う特長がある。
以上説明のように本発明においては光導電膜を形成する
ＩＩ−ＶＴ族の化合物半導体の複合組成膜が極めて簡易
な方法により取得されると共に、えられた光電変換素子
膜はプロセス的にトレランスの高い光導電特性を備える
ことから本発明の実用的価値は大きい。
ＩＩ−ＶＴ族の化合物半導体の複合組成膜が極めて簡易
な方法により取得されると共に、えられた光電変換素子
膜はプロセス的にトレランスの高い光導電特性を備える
ことから本発明の実用的価値は大きい。
第１図は本発明の複合光導電膜の光導電特性図。
第２図は従来の光導電膜形成になる一部センサある。
図中、１は光導電膜形成基板。
及び２は光導電膜（光センサ素子）である。
（：ｔＪＳｅ 士ｚｎＳｅ ａ Ｌ”ｉ−５％也想〜
粧理温度 ＪＩ 図 ゴ 第 ２ 凹 く／ブ某４反ｑ−官限面りユＰ：スリ里
諸しに−［’Ｃ］ 第 ３ 凹
粧理温度 ＪＩ 図 ゴ 第 ２ 凹 く／ブ某４反ｑ−官限面りユＰ：スリ里
諸しに−［’Ｃ］ 第 ３ 凹
Claims (2)
- （１）光導電膜形成基板上に第一のII−VI族の化合物半
導体と第二のII−VI族の化合物半導体を同一の蒸着源に
より同時に蒸着して第一・第二の複合化合物半導体膜を
形成する手段と、前記の複合化合物半導体膜を熱処理す
る手段により光導電膜を形成することを特徴とする光電
変換素子の製造方法。 - （２）前項記載のII−VI族の複合化合物半導体膜がＣｄ
Ｓｅ及びＺｎＳｅの組成であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031770A JPS61191080A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031770A JPS61191080A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191080A true JPS61191080A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12340281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60031770A Pending JPS61191080A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191080A (ja) |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60031770A patent/JPS61191080A/ja active Pending
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