JPS61198101A - 偏光分離素子 - Google Patents
偏光分離素子Info
- Publication number
- JPS61198101A JPS61198101A JP3799485A JP3799485A JPS61198101A JP S61198101 A JPS61198101 A JP S61198101A JP 3799485 A JP3799485 A JP 3799485A JP 3799485 A JP3799485 A JP 3799485A JP S61198101 A JPS61198101 A JP S61198101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substance
- prism
- refractive index
- reflecting surface
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信システムを構成する光アイソレータに係
り、特に光アイソレータに利用される複屈折物質からな
る偏光分離素子に関する。
り、特に光アイソレータに利用される複屈折物質からな
る偏光分離素子に関する。
光通信用回路網の形成において回路網の途中における反
射光等が光ファイバによって逆方向に伝送され、光源と
して用いられる半導体レーザに入射すると光信号にノイ
ズが混入する。そこで逆方向に伝送されてきた光が半導
体レーザに入射するのを防ぎ、半導体レーザの動作を安
定化するために半導体レーザの前に光アイソレータを挿
入し、順方向の光線は回路網を形成する光ファイバに入
射するが、逆方向の光線は光ファイバの外に逸らすとい
う操作を行っている。
射光等が光ファイバによって逆方向に伝送され、光源と
して用いられる半導体レーザに入射すると光信号にノイ
ズが混入する。そこで逆方向に伝送されてきた光が半導
体レーザに入射するのを防ぎ、半導体レーザの動作を安
定化するために半導体レーザの前に光アイソレータを挿
入し、順方向の光線は回路網を形成する光ファイバに入
射するが、逆方向の光線は光ファイバの外に逸らすとい
う操作を行っている。
かかる光アイソレータには偏光分離素子が組込まれてお
り、偏光分離素子は常光線に対する屈折率と異常光線に
対する屈折率とが異なる、方解石の結晶や二酸化チタン
（Ｔ ｉ ０２ ）の単結晶等の複屈折物質で構成され
る。また偏光分離素子には板状複屈折物質の表から裏に
光を透過させることによって分離する透過型偏光分離素
子と、複屈折物質で形成されたプリズムの一面から入射
した光が反射面で全反射され、そこで偏光分離されて他
面から出射するプリズム型偏光分離棄子等がある。
り、偏光分離素子は常光線に対する屈折率と異常光線に
対する屈折率とが異なる、方解石の結晶や二酸化チタン
（Ｔ ｉ ０２ ）の単結晶等の複屈折物質で構成され
る。また偏光分離素子には板状複屈折物質の表から裏に
光を透過させることによって分離する透過型偏光分離素
子と、複屈折物質で形成されたプリズムの一面から入射
した光が反射面で全反射され、そこで偏光分離されて他
面から出射するプリズム型偏光分離棄子等がある。
中でも二酸化チタンの単結晶で形成されたプリズム型の
偏光分離素子は屈折率および分離角が大きく、且つ光デ
バイスを小型化できるために極めて有効な偏光分離素子
として利用されている。
偏光分離素子は屈折率および分離角が大きく、且つ光デ
バイスを小型化できるために極めて有効な偏光分離素子
として利用されている。
第２図は二酸化チタンの単結晶で形成されたプリズム型
偏光分離素子の従来例を示す断面斜視図である。
偏光分離素子の従来例を示す断面斜視図である。
図においてプリズム１は二酸化チタンの単結晶で形成さ
れており、プリズム１の入射面２から入射した矢印で図
示する光は、プリズム１と空気の境界に形成された反射
面３で反射され出射面４から出射する。二酸化チタン単
結晶は屈折率が高く常光線に対して２．４６３、異常光
線に対して２．７２１である。したがって入射面２から
入射する光は反射面３で全反射され、そこで偏光方向の
異なる二つの光線は分離されて出射面４から出射する。
れており、プリズム１の入射面２から入射した矢印で図
示する光は、プリズム１と空気の境界に形成された反射
面３で反射され出射面４から出射する。二酸化チタン単
結晶は屈折率が高く常光線に対して２．４６３、異常光
線に対して２．７２１である。したがって入射面２から
入射する光は反射面３で全反射され、そこで偏光方向の
異なる二つの光線は分離されて出射面４から出射する。
プリズムの反射面が清浄な間はプリズムに入射した光は
反射面で全反射される。しかし反射面に保護膜等の防塵
対策を施していないため、空気中に浮遊している塵埃等
が露出している反射面に付着する。塵埃等が反射面に付
着するとプリズムに入射した光は塵埃等によって乱反射
し、反射面における光の損失を増大させると共に偏光分
離素子の特性を悪化させるという問題がある。
反射面で全反射される。しかし反射面に保護膜等の防塵
対策を施していないため、空気中に浮遊している塵埃等
が露出している反射面に付着する。塵埃等が反射面に付
着するとプリズムに入射した光は塵埃等によって乱反射
し、反射面における光の損失を増大させると共に偏光分
離素子の特性を悪化させるという問題がある。
上記問題点は複屈折物質からなるプリズムの反射面を、
屈折率が該複屈折物質よりも低い物質で被覆してなる本
発明の偏光分離素子によって解決される。
屈折率が該複屈折物質よりも低い物質で被覆してなる本
発明の偏光分離素子によって解決される。
複屈折物質からなるプリズムの反射面を、屈折率が該複
屈折物質よりも低い物質で被覆することにより、プリズ
ムに入射した光は反射面で全反射させると共に、塵埃等
が反射面に付着して反射面における光の損失を増大させ
ると共に偏光分離素子の特性を悪化させる等の問題を回
避することができる。
屈折物質よりも低い物質で被覆することにより、プリズ
ムに入射した光は反射面で全反射させると共に、塵埃等
が反射面に付着して反射面における光の損失を増大させ
ると共に偏光分離素子の特性を悪化させる等の問題を回
避することができる。
以下添付図により本発明の実施例について説明する。第
１図は本発明になる偏光分離素子の一実施例を示す断面
斜視図であり、第２図と同じ対象物は同一記号で表して
いる。
１図は本発明になる偏光分離素子の一実施例を示す断面
斜視図であり、第２図と同じ対象物は同一記号で表して
いる。
図において複屈折物質からなるプリズム１の反射面３に
は、屈折率が複屈折物質よりも低い物質５が蒸着されて
おり、反射面３では複屈折物質と蒸着された物質の屈折
率の差により全反射が行われている。例えば二酸化チタ
ンの単結晶は屈折率が高く常光線に対して２．４６３、
異常光線に対して２．７２１であり、二酸化チタンの単
結晶で形成されたプリズム１の反射面３に、屈折率が１
．５の二酸化シリコン（Ｓｉ０２）を蒸着すると、二酸
化チタンの単結晶の屈折率と二酸化シリコンの屈折率の
差により十分全反射させることができる。
は、屈折率が複屈折物質よりも低い物質５が蒸着されて
おり、反射面３では複屈折物質と蒸着された物質の屈折
率の差により全反射が行われている。例えば二酸化チタ
ンの単結晶は屈折率が高く常光線に対して２．４６３、
異常光線に対して２．７２１であり、二酸化チタンの単
結晶で形成されたプリズム１の反射面３に、屈折率が１
．５の二酸化シリコン（Ｓｉ０２）を蒸着すると、二酸
化チタンの単結晶の屈折率と二酸化シリコンの屈折率の
差により十分全反射させることができる。
しかもプリズム１の反射面３の表面は蒸着された物質５
によって完全に被覆されており、空気中に浮遊している
塵埃等が反射面に付着して、反射面における光の損失を
増大させると共に偏光分離素子の特性を悪化させる等の
問題を回避することができる。
によって完全に被覆されており、空気中に浮遊している
塵埃等が反射面に付着して、反射面における光の損失を
増大させると共に偏光分離素子の特性を悪化させる等の
問題を回避することができる。
上述の如く本発明によれば空気中に浮遊している塵埃等
が反射面に付着して、特性を悪化させることを防止した
偏光分離素子を提供することができる。
が反射面に付着して、特性を悪化させることを防止した
偏光分離素子を提供することができる。
第１図は二酸化チタンの単結晶で形成された本発明にな
る、プリズム型偏光分離素子 の一実施例を示す断面斜視図、 第２図はプリズム型偏光分離素子の従来例を示す断面斜
視図、 である。図において １はプリズム、 ２は入射面、 ３は反射面、 ４は出射面、 ５は蒸着物質、 をそれぞれ表す。
る、プリズム型偏光分離素子 の一実施例を示す断面斜視図、 第２図はプリズム型偏光分離素子の従来例を示す断面斜
視図、 である。図において １はプリズム、 ２は入射面、 ３は反射面、 ４は出射面、 ５は蒸着物質、 をそれぞれ表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）複屈折物質からなるプリズムの反射面を、屈折率が
該複屈折物質よりも低い物質で被覆してなることを特徴
とする偏光分離素子。 ２）複屈折物質として二酸化チタンの単結晶を用いた特
許請求の範囲第１項記載の偏光分離素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3799485A JPS61198101A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 偏光分離素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3799485A JPS61198101A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 偏光分離素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198101A true JPS61198101A (ja) | 1986-09-02 |
Family
ID=12513124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3799485A Pending JPS61198101A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 偏光分離素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299059A (en) * | 1991-04-30 | 1994-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Plural-beam optical head including a uniaxial crystal right triangular prism beam divider |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3799485A patent/JPS61198101A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299059A (en) * | 1991-04-30 | 1994-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Plural-beam optical head including a uniaxial crystal right triangular prism beam divider |
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