JPS61198219A - スメクチツク液晶セルの製造法 - Google Patents
スメクチツク液晶セルの製造法Info
- Publication number
- JPS61198219A JPS61198219A JP60039497A JP3949785A JPS61198219A JP S61198219 A JPS61198219 A JP S61198219A JP 60039497 A JP60039497 A JP 60039497A JP 3949785 A JP3949785 A JP 3949785A JP S61198219 A JPS61198219 A JP S61198219A
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- Japan
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- liquid crystal
- smectic
- temperature
- crystal material
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示装置、特に強誘電体液晶セルの製造法
に関し、特に表示ディスプレイ、光シャッタ等に用いら
れるスメクチック液晶セルの製造法に関する。
に関し、特に表示ディスプレイ、光シャッタ等に用いら
れるスメクチック液晶セルの製造法に関する。
従来の技術
従来ネマチック液晶セルの配向制御においては、ラビン
グあるいは誘電体物質の斜方蒸着等によりモノドメイン
配向処理がなされていた。
グあるいは誘電体物質の斜方蒸着等によりモノドメイン
配向処理がなされていた。
しかしながらスメクチック液晶の場合にはその粘性が高
（流動性がないため、液晶内に一旦スメクチツク層が形
成され、界面によって固定されると、ネマチック液晶と
は異なり、層構造を有するため層全体を動かすには大き
な力を必要とする。このため単なるラビング処理だけで
はスメクチック液晶の場合にはモノドメイン液晶セルは
得られない。
（流動性がないため、液晶内に一旦スメクチツク層が形
成され、界面によって固定されると、ネマチック液晶と
は異なり、層構造を有するため層全体を動かすには大き
な力を必要とする。このため単なるラビング処理だけで
はスメクチック液晶の場合にはモノドメイン液晶セルは
得られない。
現在知られているスメクチック液晶の配向処理方法とし
てラビングないし斜方蒸着を施したセルを熱処理炉で高
温に保持し、液晶を等方性液体状態で注入した後長時間
かけて徐冷しつつスメクチック相をモノドメインとして
得ようとする方法がとられている。
てラビングないし斜方蒸着を施したセルを熱処理炉で高
温に保持し、液晶を等方性液体状態で注入した後長時間
かけて徐冷しつつスメクチック相をモノドメインとして
得ようとする方法がとられている。
発明が解決しようとする問題点
上述した従来法で作成したスメクチック液晶セルを偏光
顕微鏡下で観察すると非常に多くの欠陥があり、この欠
陥を境界とした多くのドメインの集合体からなり、ミク
ロ的に見てモノドメイン化されていない。かかるスメク
チック液晶セルは表示装置として用いた場合コントラス
トの低下を招くばかりでなく、他の光学的特性にも悪影
響を与えることから好ましくない。
顕微鏡下で観察すると非常に多くの欠陥があり、この欠
陥を境界とした多くのドメインの集合体からなり、ミク
ロ的に見てモノドメイン化されていない。かかるスメク
チック液晶セルは表示装置として用いた場合コントラス
トの低下を招くばかりでなく、他の光学的特性にも悪影
響を与えることから好ましくない。
従って本発明の目的は従来配向制御が困難であった強誘
電体液晶等のスメクチック液晶の配向を容易にし、良好
なモノドメインセルを得ることのできる配向方法による
スメクチック液晶セルの製造方法を提供することにある
。
電体液晶等のスメクチック液晶の配向を容易にし、良好
なモノドメインセルを得ることのできる配向方法による
スメクチック液晶セルの製造方法を提供することにある
。
問題点を解決するための手段
本発明は上下二枚の透明電極を付与した絶縁基板間に、
スメクチック液晶材料を注入し、上記液晶材料を等方性
液体にした後、上記上下の絶縁基板間に温度差を設け、
この温度差を保持しつつ徐冷することにより、スメクチ
ック液晶材料のモノドメインを形成させることによるス
メクチック液晶セルの製造方法にある。
スメクチック液晶材料を注入し、上記液晶材料を等方性
液体にした後、上記上下の絶縁基板間に温度差を設け、
この温度差を保持しつつ徐冷することにより、スメクチ
ック液晶材料のモノドメインを形成させることによるス
メクチック液晶セルの製造方法にある。
本発明で使用する上記透明電極を付与した上記絶縁基板
およびスメクチック液晶材料は従来より使用されている
周知のものを使用できる。
およびスメクチック液晶材料は従来より使用されている
周知のものを使用できる。
本発明方法を実施するに当っては、上下二枚の透明電極
を付与した絶縁基板間に、スメクチック液晶材料を注入
し、このスメクチック液晶材料を一度等方性液体にする
。スメクチック液晶材料を等方性液体にするに当っては
、上記上下二枚の絶縁基板の裏面に温度制御板を設け、
スメクチック液晶材料を注入後、上記温度制御板の温度
を上昇させて、上記絶縁基板およびスメクチック液晶材
料を加熱して液晶材料を等方性液体としても艮（、上記
温度制御板を予め上記液晶材料が等方性液体となるｉ度
に上昇させて詔き、その後スメクチック液晶材料を注入
して等方性液体としてもよい。
を付与した絶縁基板間に、スメクチック液晶材料を注入
し、このスメクチック液晶材料を一度等方性液体にする
。スメクチック液晶材料を等方性液体にするに当っては
、上記上下二枚の絶縁基板の裏面に温度制御板を設け、
スメクチック液晶材料を注入後、上記温度制御板の温度
を上昇させて、上記絶縁基板およびスメクチック液晶材
料を加熱して液晶材料を等方性液体としても艮（、上記
温度制御板を予め上記液晶材料が等方性液体となるｉ度
に上昇させて詔き、その後スメクチック液晶材料を注入
して等方性液体としてもよい。
次に本発明方法においては、上下の絶縁基板の間に温度
差を設け、この温度差を保持しつつ徐冷する。この温度
差の形成および徐冷は上述した温度制御板の温度制御に
よって行なうのが良い。
差を設け、この温度差を保持しつつ徐冷する。この温度
差の形成および徐冷は上述した温度制御板の温度制御に
よって行なうのが良い。
なお本発明を実施するに当っては、上記透明電極上にラ
ビング処理を施した配向膜もしくは他の配向制御膜を設
けるか、スメクチック液晶材料がモノドメイン化すると
きの棟となる有機高分子膜を設けるか、徐冷する間液晶
セルに磁場または電場を設けておくとよい。
ビング処理を施した配向膜もしくは他の配向制御膜を設
けるか、スメクチック液晶材料がモノドメイン化すると
きの棟となる有機高分子膜を設けるか、徐冷する間液晶
セルに磁場または電場を設けておくとよい。
上記絶縁基板間の温度差は、使用するスメクチック液晶
材料の相転移温度によって異なるが一般に使用したスメ
クチック液“晶材料の等方性液体、コレステリックまた
はネマチック相から、スメクチック相への転移点と、ス
メクチック相から結晶への転移点との差よりも小さくす
る。
材料の相転移温度によって異なるが一般に使用したスメ
クチック液“晶材料の等方性液体、コレステリックまた
はネマチック相から、スメクチック相への転移点と、ス
メクチック相から結晶への転移点との差よりも小さくす
る。
また徐冷温度は一般的に、スメクチック液晶が成長する
ようにあまり速くない速度で徐冷させる。また、徐冷終
了温度は、上基板（高温側）が等方性液体、コレステリ
ックあるいはネマチック相からスメクチック相への転移
点より低い温度で、また、下基板（低温側）が結晶化し
ない温度とする。
ようにあまり速くない速度で徐冷させる。また、徐冷終
了温度は、上基板（高温側）が等方性液体、コレステリ
ックあるいはネマチック相からスメクチック相への転移
点より低い温度で、また、下基板（低温側）が結晶化し
ない温度とする。
作用
本発明方法によれば、上述した如く上下基板間に温度差
を設けて、この温度差を保ちつつ徐々に温度を下げて行
くと、基板温度の降下により、低い方の基板側から注入
された等方性液体相のスメクチック液晶材料中に徐々に
スメクチック相が成長し、結果として良好なモノドメイ
ンセルが得られることが判った。
を設けて、この温度差を保ちつつ徐々に温度を下げて行
くと、基板温度の降下により、低い方の基板側から注入
された等方性液体相のスメクチック液晶材料中に徐々に
スメクチック相が成長し、結果として良好なモノドメイ
ンセルが得られることが判った。
冷却はスメクチック相が形成され、セル全体がスメクチ
ック相になったときに停止させる。
ック相になったときに停止させる。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例
裏面に温度制御板を設けた絶縁基板の表面に・透明電極
を付与し、更にラビング処理を施した配向膜を付与した
。上述した如き二枚の絶縁基板の間にエステル系の混合
スメクチック液晶材料を注入して、液晶セルを作った。
を付与し、更にラビング処理を施した配向膜を付与した
。上述した如き二枚の絶縁基板の間にエステル系の混合
スメクチック液晶材料を注入して、液晶セルを作った。
このときのセルの厚さは３μｍとした。
本実施例で使用したスメクチック液晶材料は、結晶とス
メクチックＣカイラル相の相転移温度は５℃であり、ス
メクチックＣカイラル相とスメクチックＡ相との相転移
温度は３２，０℃であり、スメクチック人相と等方性液
体相の相転移温度は６５．５℃であった。
メクチックＣカイラル相の相転移温度は５℃であり、ス
メクチックＣカイラル相とスメクチックＡ相との相転移
温度は３２，０℃であり、スメクチック人相と等方性液
体相の相転移温度は６５．５℃であった。
上記温度制御板の温度差を２０℃とし、この温度差を保
ちながら、スメクチック液晶材料が等方性液体相になる
温度にまで上昇させた、即ち低い方の基板温度が６６℃
になるまで加熱した。その後上記温度差２０℃を保ちつ
つ、１℃／分の速度で上下温度制御板の温度を下げると
、即ち絶縁基板温度を下げ、低い方の基板の温度が６５
℃を通り、低下して行くと、この基板側か°らスメクチ
ック入相が成長し、上下基板温度が６５℃〜３２℃の間
にある間に、液晶材料中に良好な均質なスメクチックＡ
相のモノドメインが得られた。完全にスメクチック人相
が成長し終った後、温度差を取り除き、全体を３２℃以
下まで温度を下げるとスメクチックＣ相を示すモノドメ
イン液晶セルが得られた。
ちながら、スメクチック液晶材料が等方性液体相になる
温度にまで上昇させた、即ち低い方の基板温度が６６℃
になるまで加熱した。その後上記温度差２０℃を保ちつ
つ、１℃／分の速度で上下温度制御板の温度を下げると
、即ち絶縁基板温度を下げ、低い方の基板の温度が６５
℃を通り、低下して行くと、この基板側か°らスメクチ
ック入相が成長し、上下基板温度が６５℃〜３２℃の間
にある間に、液晶材料中に良好な均質なスメクチックＡ
相のモノドメインが得られた。完全にスメクチック人相
が成長し終った後、温度差を取り除き、全体を３２℃以
下まで温度を下げるとスメクチックＣ相を示すモノドメ
イン液晶セルが得られた。
発明の効果
本発明方法によれば従来では得られなかったスメクチッ
ク液晶の艮好なモノドメインが容易に得られる。また異
物等を核とするスメクチック相無指向な成長が見られな
い大きな効果があり本発明方法で作られたスメクチック
液晶セルのコントラストは良好であった。
ク液晶の艮好なモノドメインが容易に得られる。また異
物等を核とするスメクチック相無指向な成長が見られな
い大きな効果があり本発明方法で作られたスメクチック
液晶セルのコントラストは良好であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上下二枚の透明電極を付した絶縁基板間に、スメク
チツク液晶材料を注入し、上記液晶材料を等方性液体に
した後、上記上下の絶縁基板間に温度差を設け、この温
度差を保持しつつ徐冷することにより、スメクチツク液
晶材料のモノドメインセルを形成させることを特徴とす
るスメクチツク液晶セルの製造方法。 ２、上下絶縁基板の各裏面に温度制御板を設けて絶縁基
板の温度差を保持し、徐冷する特許請求の範囲第１項記
載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039497A JPS61198219A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | スメクチツク液晶セルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039497A JPS61198219A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | スメクチツク液晶セルの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198219A true JPS61198219A (ja) | 1986-09-02 |
Family
ID=12554682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039497A Pending JPS61198219A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | スメクチツク液晶セルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198219A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069533A (en) * | 1988-06-29 | 1991-12-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method of orienting liquid crystal optical device |
| JPH06289359A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法 |
| US5548428A (en) * | 1992-07-27 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60039497A patent/JPS61198219A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069533A (en) * | 1988-06-29 | 1991-12-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method of orienting liquid crystal optical device |
| JPH06289359A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法 |
| US5548428A (en) * | 1992-07-27 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure |
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