JPS61198900A - ピストンダイヤフラムスピ−カ - Google Patents
ピストンダイヤフラムスピ−カInfo
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- JPS61198900A JPS61198900A JP18899184A JP18899184A JPS61198900A JP S61198900 A JPS61198900 A JP S61198900A JP 18899184 A JP18899184 A JP 18899184A JP 18899184 A JP18899184 A JP 18899184A JP S61198900 A JPS61198900 A JP S61198900A
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Landscapes
- Audible-Bandwidth Dynamoelectric Transducers Other Than Pickups (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は平面ダイヤフラム〔振動板〕型磁気変換器また
はラウドスピーカ(拡声器)に関する。
はラウドスピーカ(拡声器)に関する。
従来の技術
ダイヤフラム型磁気変換器またはラウドスピーカは信号
伝導導体を取り付けた振動領域を持つダイヤプラムを含
む成る基本的な構成要素を持たなければならない。導体
は円形導線、箔、または帯状の金属膜でよい。変換器は
またダイヤフラムに作用する磁界源を含まなければなら
ない。これによって導体は磁界に包まれ、導体に可聴周
波数の信号が印加されると、ダイヤフラムの可振動領域
は印加信号の周波数と同期して振動し、所望の大きさと
周波数との音を発生する。
伝導導体を取り付けた振動領域を持つダイヤプラムを含
む成る基本的な構成要素を持たなければならない。導体
は円形導線、箔、または帯状の金属膜でよい。変換器は
またダイヤフラムに作用する磁界源を含まなければなら
ない。これによって導体は磁界に包まれ、導体に可聴周
波数の信号が印加されると、ダイヤフラムの可振動領域
は印加信号の周波数と同期して振動し、所望の大きさと
周波数との音を発生する。
典型的にはダイヤフラムの近(の磁気基板が磁界源で、
ダイヤフラムから間隔をとった穴のあいた軟鉄板を持ち
、軟鉄板上には互いに間隔をとった複数の細長い磁石帯
がある。これらの磁石帯は互いに関係し合って磁石帯の
表面から磁界を発射させてダイヤフラムとその上の導体
とをよぎらせる。
ダイヤフラムから間隔をとった穴のあいた軟鉄板を持ち
、軟鉄板上には互いに間隔をとった複数の細長い磁石帯
がある。これらの磁石帯は互いに関係し合って磁石帯の
表面から磁界を発射させてダイヤフラムとその上の導体
とをよぎらせる。
典型的なダイヤフラム型磁気スピーカが米国特許第3.
674.946号および第3.929.499号に詳細
に示されている。前者の特許では磁化帯は磁性材料の板
(パネル)またはシートの一部である。後者の特許では
磁化帯は磁性材料の帯として物理的に形づ(られている
。したがって、磁化帯は種々の形をとることができるこ
とは明らかである。
674.946号および第3.929.499号に詳細
に示されている。前者の特許では磁化帯は磁性材料の板
(パネル)またはシートの一部である。後者の特許では
磁化帯は磁性材料の帯として物理的に形づ(られている
。したがって、磁化帯は種々の形をとることができるこ
とは明らかである。
従来の技術の問題点
すべての公知の従来のダイヤフラム型磁気スピーカは磁
気基板に対して固定されたフレームに周縁が取り付けら
れた薄膜型材料のダイヤフラムを用いている。多(のそ
のような変換器においては、ダイヤフラムは薄膜材料の
弾性限界内において鴎1きわめてぴんと張られている。
気基板に対して固定されたフレームに周縁が取り付けら
れた薄膜型材料のダイヤフラムを用いている。多(のそ
のような変換器においては、ダイヤフラムは薄膜材料の
弾性限界内において鴎1きわめてぴんと張られている。
場合によっては薄膜型ダイヤフラムはいくぶんゆるいま
まにされた。
まにされた。
しかし従来はそのようなスピーカのダイヤフラムの可振
動領域は、ダイヤフラム上の導体を流れる信号電流と磁
気基板の磁化帯によって発生された磁界との相互作用に
よって合理的にたわんだ。可振動領域の中心部は導体を
流れる信号電流に応答して常態位置から太き(運動する
が、縁部は実質的に静止したままである。その結果、可
振動領域の中心部は縁部より音の発生に太き(寄与する
。
動領域は、ダイヤフラム上の導体を流れる信号電流と磁
気基板の磁化帯によって発生された磁界との相互作用に
よって合理的にたわんだ。可振動領域の中心部は導体を
流れる信号電流に応答して常態位置から太き(運動する
が、縁部は実質的に静止したままである。その結果、可
振動領域の中心部は縁部より音の発生に太き(寄与する
。
したがって、低音および中間領域の周波数の音は生とし
てダイヤフラムの中心部で発生されるので、発生された
音の大きさは一定の限界がある。
てダイヤフラムの中心部で発生されるので、発生された
音の大きさは一定の限界がある。
問題点を解決するための手段および効果本発明の目的は
低音周波数の音響出力の大きさを改良する新規な平面ダ
イヤフラム型磁気変換器を得ることである。
低音周波数の音響出力の大きさを改良する新規な平面ダ
イヤフラム型磁気変換器を得ることである。
本発明の特徴は、ダイヤフラム型磁気スピーカにおいて
、周縁が包囲物すなわちたわみ性ジヨイント(接続物)
によって剛性の(堅い)周辺フレームに取り付けられた
、堅い、または実質的に剛性の可振動領域を持つダイヤ
フラムを設けることである。実質的に剛性の可振動領域
は実質的にその長さと巾にわたって互いに間隔をとった
何条かの導体を持っている。ダイヤフラムの実質的に剛
性の可振動領域は高いこわさく堅さ)対重量比と低い密
度とを持つい(つかの材料の任意のものでつ(ることか
できる。材料の典型的なものは成形された繊維状パルプ
、かなりのこわさを持つ紙状材料、多数の強化用リブま
たはウェブおよびそれらの間忙(ぼみを持つハニカム(
蜂の巣)形のかなり厚い板状の成形スチロフォーム等で
ある。スチロフオームの厚さは0.762〜1,524
B(0,030〜0.060インチ)の範囲でよい。繊
維状パルプも軽さと強度とのためにハニカム形に形成ま
たは成形することができる。また、パルサ材で堅い板を
つ(つてダイヤフラムの可振動領域とすることもできる
。成る膨張ビード技術材料と炭素繊維、または他の炭素
繊維材料もそれに用いることができる。これらの材料の
成るものを用いるときはダイヤフラムの可振動領域は成
形、工作、または組み立てることができる。これらの材
料のい(つかは軽量と強度のために一緒に用いることが
できる。もちろん、包囲物はダイヤフラムの可振動領域
の実質的に堅い材料と同じまたは異なる材料でつ(るこ
とかできる。また包囲物は可振動領域と一体であっても
または可振動領域に取り付けられた別の材料体であって
もよい。
、周縁が包囲物すなわちたわみ性ジヨイント(接続物)
によって剛性の(堅い)周辺フレームに取り付けられた
、堅い、または実質的に剛性の可振動領域を持つダイヤ
フラムを設けることである。実質的に剛性の可振動領域
は実質的にその長さと巾にわたって互いに間隔をとった
何条かの導体を持っている。ダイヤフラムの実質的に剛
性の可振動領域は高いこわさく堅さ)対重量比と低い密
度とを持つい(つかの材料の任意のものでつ(ることか
できる。材料の典型的なものは成形された繊維状パルプ
、かなりのこわさを持つ紙状材料、多数の強化用リブま
たはウェブおよびそれらの間忙(ぼみを持つハニカム(
蜂の巣)形のかなり厚い板状の成形スチロフォーム等で
ある。スチロフオームの厚さは0.762〜1,524
B(0,030〜0.060インチ)の範囲でよい。繊
維状パルプも軽さと強度とのためにハニカム形に形成ま
たは成形することができる。また、パルサ材で堅い板を
つ(つてダイヤフラムの可振動領域とすることもできる
。成る膨張ビード技術材料と炭素繊維、または他の炭素
繊維材料もそれに用いることができる。これらの材料の
成るものを用いるときはダイヤフラムの可振動領域は成
形、工作、または組み立てることができる。これらの材
料のい(つかは軽量と強度のために一緒に用いることが
できる。もちろん、包囲物はダイヤフラムの可振動領域
の実質的に堅い材料と同じまたは異なる材料でつ(るこ
とかできる。また包囲物は可振動領域と一体であっても
または可振動領域に取り付けられた別の材料体であって
もよい。
本発明を平面型磁気変換器に用いたときの特別の利点は
、低周波に対して変換器の扱うパワーが増大し、低周波
および中間周波忙おいて音響出力がかなり大きくなるこ
とである。端から端までの、ダイヤフラムの全可振動領
域はダイヤフラムの背後にある磁化帯に近づいたり離れ
たりする本質的に同じ振動運動をする。その結果、低周
波領域において、ダイヤフラムがたわむ従来の公知のス
ピーカによるよりもかなり高い音響パワー出力が得られ
る。
、低周波に対して変換器の扱うパワーが増大し、低周波
および中間周波忙おいて音響出力がかなり大きくなるこ
とである。端から端までの、ダイヤフラムの全可振動領
域はダイヤフラムの背後にある磁化帯に近づいたり離れ
たりする本質的に同じ振動運動をする。その結果、低周
波領域において、ダイヤフラムがたわむ従来の公知のス
ピーカによるよりもかなり高い音響パワー出力が得られ
る。
この堅い可振動領域型ダイヤフラムでは導体はダイヤフ
ラム上に種六の方法で設けることができる。またこの型
のダイヤフラムに用いるのに!に適した種々の磁気回路
を用いることができる。
ラム上に種六の方法で設けることができる。またこの型
のダイヤフラムに用いるのに!に適した種々の磁気回路
を用いることができる。
ダイヤフラム上の導体は横に並べて設けることができる
。導体のバンドの巾は磁気基板の隣り合った磁化帯の間
の間隔に比較して狭(てもまたは十分広(てもよい。導
体の広いバンドは互いに反対極性の隣り合った磁化帯の
全前面にわたってもよい。導体はまた重ねてはり付けて
もよい。この場合は重ね合わせた導体はダイヤフラムの
面に垂直な方向にかなりの厚さ忙なる。場合によっては
これらの重ね合わせた導体は堅い可振動領域の成るもの
のリブまたはハニカム形に組み込むかそれに直接成形し
てもよい。これらの積み重ねた導体はダイヤフラムの堅
さを増大させるリブの働きをし、変換器のパワー処理能
力を高めて低周波数における出力を増大させる。
。導体のバンドの巾は磁気基板の隣り合った磁化帯の間
の間隔に比較して狭(てもまたは十分広(てもよい。導
体の広いバンドは互いに反対極性の隣り合った磁化帯の
全前面にわたってもよい。導体はまた重ねてはり付けて
もよい。この場合は重ね合わせた導体はダイヤフラムの
面に垂直な方向にかなりの厚さ忙なる。場合によっては
これらの重ね合わせた導体は堅い可振動領域の成るもの
のリブまたはハニカム形に組み込むかそれに直接成形し
てもよい。これらの積み重ねた導体はダイヤフラムの堅
さを増大させるリブの働きをし、変換器のパワー処理能
力を高めて低周波数における出力を増大させる。
また、剛性可振動領域型ダイヤフラムは対向した磁気基
板の間にサンドウィッチのように設けてもよい。このと
きはダイヤフラム上の導体はダイヤプラムの両側から発
生された磁界の影響を受ける。対向した磁界は磁界を平
たんにするので、磁束線はダイヤフラムを低周波数で振
動させるためにダイヤフラム上に発生する力を最適にす
る。
板の間にサンドウィッチのように設けてもよい。このと
きはダイヤフラム上の導体はダイヤプラムの両側から発
生された磁界の影響を受ける。対向した磁界は磁界を平
たんにするので、磁束線はダイヤフラムを低周波数で振
動させるためにダイヤフラム上に発生する力を最適にす
る。
実施例
第1および2図に本発明の1実施例を示す。長方形の変
換器10は音響的に透明な磁気基板11とダイヤフラム
12とを持つ。変換器10は広範囲の大きさと形とを持
ち、場合によっては約23cIIL(9インチ)の長さ
および約15cWL(6インチ)の巾を持つ。また場合
によってはかなりの長さ、たとえば90〜122cIr
L(36〜48インチ)以上の長さおよび23〜30α
(9−12インチ)の巾を持つ。または変換器は第13
.14図に示すように直径7.6cR(3インチ)以下
の直径の円形またはこれとは異なる形をとることができ
る。
換器10は音響的に透明な磁気基板11とダイヤフラム
12とを持つ。変換器10は広範囲の大きさと形とを持
ち、場合によっては約23cIIL(9インチ)の長さ
および約15cWL(6インチ)の巾を持つ。また場合
によってはかなりの長さ、たとえば90〜122cIr
L(36〜48インチ)以上の長さおよび23〜30α
(9−12インチ)の巾を持つ。または変換器は第13
.14図に示すように直径7.6cR(3インチ)以下
の直径の円形またはこれとは異なる形をとることができ
る。
磁気基板11はそれを音響的に透明にするための多数の
穴14を持つ軟鉄磁気板またはアマチュア13を含む。
穴14を持つ軟鉄磁気板またはアマチュア13を含む。
磁気基板はまた図示のように互に一定の間隔をとった多
数の磁化帯15を持つが、第12.18図に示すように
他の配列をとってもよい。磁化帯15は穴14の間にあ
って穴14との干渉を最小にし、変換器の音響的負荷を
最小にする。
数の磁化帯15を持つが、第12.18図に示すように
他の配列をとってもよい。磁化帯15は穴14の間にあ
って穴14との干渉を最小にし、変換器の音響的負荷を
最小にする。
基板は軟鉄磁気板13の外周の周りを完全に囲む固いス
ペーサすなわちフレームストリップ16を含み、他の同
様なストリップ17と連携してダイヤフラムの周縁12
.1をそれらの間に締めて留める。ストリップ16.1
7はリベット18のような機械的締具によって基板11
に固定されている。ストリップ16,17はスチールで
つくられているが、これらの周縁ストリップ16.17
の材料は重要ではない。
ペーサすなわちフレームストリップ16を含み、他の同
様なストリップ17と連携してダイヤフラムの周縁12
.1をそれらの間に締めて留める。ストリップ16.1
7はリベット18のような機械的締具によって基板11
に固定されている。ストリップ16,17はスチールで
つくられているが、これらの周縁ストリップ16.17
の材料は重要ではない。
磁化帯15は多数の材料の任意のものからり(られるが
、典型的には米国ミネソタ州、セントポールの3M社の
「プラスティフオーム」という商標名で知られるゴムで
結合したバリウムフェライトでつ(られる。磁化帯15
は板13とダイヤフラム12とに垂直な方向に磁化され
、磁極はそれらの前面になる。磁化帯の前面15.1は
その全長にわたってN極に分極され、前面15.2はそ
の全長にわたってS極に分極されている。
、典型的には米国ミネソタ州、セントポールの3M社の
「プラスティフオーム」という商標名で知られるゴムで
結合したバリウムフェライトでつ(られる。磁化帯15
は板13とダイヤフラム12とに垂直な方向に磁化され
、磁極はそれらの前面になる。磁化帯の前面15.1は
その全長にわたってN極に分極され、前面15.2はそ
の全長にわたってS極に分極されている。
場合によっては磁化帯15をダイヤフラムの位置にもつ
と強力な磁界、すなわちもつと大きな磁束密度を発生す
る材料でつ(ることか望ましい。
と強力な磁界、すなわちもつと大きな磁束密度を発生す
る材料でつ(ることか望ましい。
この場合にはセラミック磁石のような材料、たとえばサ
マリウムコバルトや他の希土類材料を用いることができ
る。また、第12図に示すように異なる磁気回路を用い
ることができる。ダイヤフラムの両側に対向した磁気基
板を用いると、ダイヤフラムの位置における磁界が強化
される。
マリウムコバルトや他の希土類材料を用いることができ
る。また、第12図に示すように異なる磁気回路を用い
ることができる。ダイヤフラムの両側に対向した磁気基
板を用いると、ダイヤフラムの位置における磁界が強化
される。
ダイヤフラム12の堅い可振動領域12.2は実質的に
全磁気基板11および特にその丁ぺての磁化帯15に対
面する大きさである。
全磁気基板11および特にその丁ぺての磁化帯15に対
面する大きさである。
ダイヤフラムは可聴周波数範囲内と考えられるたいてい
の周波数において振動するために高いこわさく堅さ)対
重量比および低密度の種々の材料からつくられる。たい
ていの場合、ダイヤフラムの可振動領域は約20〜15
000ヘルツの周波数範囲内、成る場合は20000ヘ
ルツまでの周波数で振動することが期待される。
の周波数において振動するために高いこわさく堅さ)対
重量比および低密度の種々の材料からつくられる。たい
ていの場合、ダイヤフラムの可振動領域は約20〜15
000ヘルツの周波数範囲内、成る場合は20000ヘ
ルツまでの周波数で振動することが期待される。
ダイヤフラム12は全体が1つの材料でつ(られるか、
または実質的に堅い可振動領域は包囲物子なわちたわみ
性ジョイン) 12.37に含んで1つの材料でつくら
れても、成る場合には包囲物および外縁12.1は別の
材料でつくられて可振動領域に接続されてもよい。
または実質的に堅い可振動領域は包囲物子なわちたわみ
性ジョイン) 12.37に含んで1つの材料でつくら
れても、成る場合には包囲物および外縁12.1は別の
材料でつくられて可振動領域に接続されてもよい。
典型的にはダイヤフラムは繊維状、6ルゾ、所望の形に
容易に成形できる紙状材料でつくってもよい。またはダ
イヤフラムはスチロフオームまたは炭素繊維型材料また
は種々の材料の組合せでつくってもよ(、このときは必
要な軽量、堅さ、および耐久性が得られる。またダイヤ
フラムは成形、工作、またはいくつかの部品で組み立て
て接着その他で結合してもよい。多(の場合、ダイヤフ
ラムの可振動領域12.2は第2図に示すようにハニカ
ム形に形成するのが望ましく、領域12.2は実質的に
磁気基板11に対向した平面上にある平らな底板12.
4’に持つのが好ましい。互いに横方向に延びて一体に
成形されたリブ12.5.12.6は可振動領域を大巾
に堅くする。可振動領域には周縁リブすなわちリム12
.7があって包囲物12.3と結合して堅さを高めると
ともた包囲物との接続を確実にする。成る場合には可振
動領域は第5図建水すように用いた材料によって一定の
厚さの単純な平板でよい。他の場合にはダイヤフラムは
第7図に似たようにハニカム形に製作し、第2の板がそ
れに載ってハニカムを隠す構造にしてもよい。
容易に成形できる紙状材料でつくってもよい。またはダ
イヤフラムはスチロフオームまたは炭素繊維型材料また
は種々の材料の組合せでつくってもよ(、このときは必
要な軽量、堅さ、および耐久性が得られる。またダイヤ
フラムは成形、工作、またはいくつかの部品で組み立て
て接着その他で結合してもよい。多(の場合、ダイヤフ
ラムの可振動領域12.2は第2図に示すようにハニカ
ム形に形成するのが望ましく、領域12.2は実質的に
磁気基板11に対向した平面上にある平らな底板12.
4’に持つのが好ましい。互いに横方向に延びて一体に
成形されたリブ12.5.12.6は可振動領域を大巾
に堅くする。可振動領域には周縁リブすなわちリム12
.7があって包囲物12.3と結合して堅さを高めると
ともた包囲物との接続を確実にする。成る場合には可振
動領域は第5図建水すように用いた材料によって一定の
厚さの単純な平板でよい。他の場合にはダイヤフラムは
第7図に似たようにハニカム形に製作し、第2の板がそ
れに載ってハニカムを隠す構造にしてもよい。
それ以外に、ダイヤフラムの可振動領域は実質的に第6
図に示すようた導線をダイヤフラムのリブに埋め込むよ
うに構成してもよい。
図に示すようた導線をダイヤフラムのリブに埋め込むよ
うに構成してもよい。
第1.2図において、ダイヤフラムの可振動領域は底板
12.4の平らな面忙取り付けられた導体の多数の走行
部分19を持つ。各走行部分19は磁化帯によって発生
された磁界内にある、複数の導Wst持つ。導体の走行
部分19は可振動領域の巾にわたって互いに一定の間隔
をとっていて、各走行部分は1対の磁化帯15によって
発生された磁界内にある。磁化帯15と導体の走行部分
19とはだいたい同じ長さである。導体は必要な信号電
流を流す大きさで、典型的には24〜32ゲージの大き
さである。
12.4の平らな面忙取り付けられた導体の多数の走行
部分19を持つ。各走行部分19は磁化帯によって発生
された磁界内にある、複数の導Wst持つ。導体の走行
部分19は可振動領域の巾にわたって互いに一定の間隔
をとっていて、各走行部分は1対の磁化帯15によって
発生された磁界内にある。磁化帯15と導体の走行部分
19とはだいたい同じ長さである。導体は必要な信号電
流を流す大きさで、典型的には24〜32ゲージの大き
さである。
可聴周波信号電流をたとえば端子19.1から導体に印
加したとき、ダイヤフラムの可振動領域12.2は磁気
基板11に近づいたり離れたりして振動し、印加された
信号電流の周波数と同じピッチと振動数の音を発生する
。包囲物12.3はたわむが、実質的に堅い可振動領域
12.2はその全巾および全長にわたって共同する信号
電流と磁界との影響の下に動(。ダイヤフラムの可振動
領域のすべての部分は本質的に同じ運動をする。その結
果、変換器の効率が改善され、もつと高いパワー出力が
得られ、特に低および中間可聴周波数において今までの
ものより大きな音量が得られる。
加したとき、ダイヤフラムの可振動領域12.2は磁気
基板11に近づいたり離れたりして振動し、印加された
信号電流の周波数と同じピッチと振動数の音を発生する
。包囲物12.3はたわむが、実質的に堅い可振動領域
12.2はその全巾および全長にわたって共同する信号
電流と磁界との影響の下に動(。ダイヤフラムの可振動
領域のすべての部分は本質的に同じ運動をする。その結
果、変換器の効率が改善され、もつと高いパワー出力が
得られ、特に低および中間可聴周波数において今までの
ものより大きな音量が得られる。
第3図の変換器20の実施例においては、導体21は第
1.2図に示すような円形のワイヤではな(、ダイヤフ
ラム22に接着された平らな箔の帯であること以外は変
換器は第1.2図のものと本質的に同じである。平らな
導体の帯はまたダイヤフラムに金属の被覆を施し、不要
部分をエツチングによって除去することによっても形成
することができる。第3図の実施例の動作は、第1.2
図に示すものと本質的に同じである。箔の厚さは0、2
54mm(0,010インチ)またはそれ以上でよく、
所望の信号電流を通す。箔の帯の各走行部分は箔の厚さ
と同じ程度(オーダ)の巾を持つ空間によって互いに絶
縁されている。
1.2図に示すような円形のワイヤではな(、ダイヤフ
ラム22に接着された平らな箔の帯であること以外は変
換器は第1.2図のものと本質的に同じである。平らな
導体の帯はまたダイヤフラムに金属の被覆を施し、不要
部分をエツチングによって除去することによっても形成
することができる。第3図の実施例の動作は、第1.2
図に示すものと本質的に同じである。箔の厚さは0、2
54mm(0,010インチ)またはそれ以上でよく、
所望の信号電流を通す。箔の帯の各走行部分は箔の厚さ
と同じ程度(オーダ)の巾を持つ空間によって互いに絶
縁されている。
第4図においては、変換器30は、多(のセル−!りは
穴31.1 ’に持つハニカム構造の低密度材料の単純
な平板の形の実質的に堅いダイヤフラム31を持つ。こ
のダイヤフラムは@量のプラスチックでつくられそいて
高いこわさ対重量比を持つ。
穴31.1 ’に持つハニカム構造の低密度材料の単純
な平板の形の実質的に堅いダイヤフラム31を持つ。こ
のダイヤフラムは@量のプラスチックでつくられそいて
高いこわさ対重量比を持つ。
または、ダイヤフラムはスチロ7オーム、またはパルサ
材または類似の材料の堅い平板のような他の堅い軽量の
材料でつくってもよい。この実施例においては磁気基板
32は第1.2図の基板11と本質的に同じである。さ
らに第2の実質的に同じ磁気基板33が磁気基板32と
対向位置にあってそれらの間にダイヤフラムの可振動領
域か挾まれている。両磁気基板32.33はダイヤフラ
ムから間隔をとってあって、音響的に透明で、上記のよ
うに磁化帯34を持っている。基板32,33において
は同じ極性の磁化帯が互いに対向している。導体の走行
部分35.36はダイヤフラム31の空いた面に施され
ている。あるいは、必要なパワーによっては一方の導体
は省略してもよい。
材または類似の材料の堅い平板のような他の堅い軽量の
材料でつくってもよい。この実施例においては磁気基板
32は第1.2図の基板11と本質的に同じである。さ
らに第2の実質的に同じ磁気基板33が磁気基板32と
対向位置にあってそれらの間にダイヤフラムの可振動領
域か挾まれている。両磁気基板32.33はダイヤフラ
ムから間隔をとってあって、音響的に透明で、上記のよ
うに磁化帯34を持っている。基板32,33において
は同じ極性の磁化帯が互いに対向している。導体の走行
部分35.36はダイヤフラム31の空いた面に施され
ている。あるいは、必要なパワーによっては一方の導体
は省略してもよい。
第4図の実施例においては、動作は、磁界がダイヤフラ
ムの両側から発生されてそれらの相互作用によってダイ
ヤフラムの位置にきわめて平たんな磁界ができること以
外は第1.2図のものとほとんど同じである。この平た
んな磁界はダイヤフラムを振動させる力を最適にする。
ムの両側から発生されてそれらの相互作用によってダイ
ヤフラムの位置にきわめて平たんな磁界ができること以
外は第1.2図のものとほとんど同じである。この平た
んな磁界はダイヤフラムを振動させる力を最適にする。
ここでもダイヤフラムの実質的に堅い可振動領域はその
丁ぺての部分において実質的に同じ運動をする。
丁ぺての部分において実質的に同じ運動をする。
第5図においては、ダイヤフラムの実質的に堅い可振動
領域42上の導体41は積み重ねられて互いに接着され
、ダイヤフラム40の面に取り付けられている。導体4
1の積み重ねは実質的に磁化帯の面の水準まで延びるま
で十分高(行なわれるが、それは隣り合った磁化帯43
の間の空間においてである。導体41は実質的に第1図
に示すようにして磁石の両端を若干越えて延びているの
で、導体41と磁化帯との間の干渉はない。積み重ねた
導体はダイヤフラムを堅くする効果があるとともに、!
に低周波数において変換器のパワー取扱い能力を高める
。
領域42上の導体41は積み重ねられて互いに接着され
、ダイヤフラム40の面に取り付けられている。導体4
1の積み重ねは実質的に磁化帯の面の水準まで延びるま
で十分高(行なわれるが、それは隣り合った磁化帯43
の間の空間においてである。導体41は実質的に第1図
に示すようにして磁石の両端を若干越えて延びているの
で、導体41と磁化帯との間の干渉はない。積み重ねた
導体はダイヤフラムを堅くする効果があるとともに、!
に低周波数において変換器のパワー取扱い能力を高める
。
第6.7図においては変換器50は開いたハニカム形の
ダイヤフラム51を持ち、導体52はダイヤフラムのリ
ブ51.1内忙直接埋め込まれている。リブ51.1は
全体として変換器の縦方向で磁化帯53に平行に延びて
いるので、磁化帯の間の空間に出入りする。ダイヤフラ
ム51はまたリブ51.1の横方向に延び、リブ51.
1と一体に成形された強化用リブ51.2’!!’持つ
ことに注意されたい。第7図において、磁化帯53はそ
の中間位置において互いに対向する間隔を置いた端面5
3.1を持ち、ダイヤフラムの振動中に横方向の強化用
リブ51.2がそれらの間にはまるようになっている。
ダイヤフラム51を持ち、導体52はダイヤフラムのリ
ブ51.1内忙直接埋め込まれている。リブ51.1は
全体として変換器の縦方向で磁化帯53に平行に延びて
いるので、磁化帯の間の空間に出入りする。ダイヤフラ
ム51はまたリブ51.1の横方向に延び、リブ51.
1と一体に成形された強化用リブ51.2’!!’持つ
ことに注意されたい。第7図において、磁化帯53はそ
の中間位置において互いに対向する間隔を置いた端面5
3.1を持ち、ダイヤフラムの振動中に横方向の強化用
リブ51.2がそれらの間にはまるようになっている。
この実施例においては導体がリブ中に埋まりているので
、導体はパワーの取り扱い能力が高いとともにダイヤフ
ラム510強度と堅さに寄与する。
、導体はパワーの取り扱い能力が高いとともにダイヤフ
ラム510強度と堅さに寄与する。
第8図の変換器60は第4図の実施例ときわめて似てい
て、間にダイヤフラム63を挾む互いに対向した1対の
磁気基板61.62を持っている。
て、間にダイヤフラム63を挾む互いに対向した1対の
磁気基板61.62を持っている。
積み重ねた導体64はダイヤフラム63の両側に導体の
走行部分63.1 ′ik磁化帯65の間の空間の部分
につ(るりで、それらは磁化帯と干渉(衝突)しない。
走行部分63.1 ′ik磁化帯65の間の空間の部分
につ(るりで、それらは磁化帯と干渉(衝突)しない。
積み重ねた導体64はダイヤフラム63のこわさを高め
るとともに信号電流を流したときダイヤフラムを太き(
振動させる。
るとともに信号電流を流したときダイヤフラムを太き(
振動させる。
第9.10図に示す変換器70は第8図の変換器60と
類似で、ダイヤフラム73の両側に磁気基板71、γ2
を持つ。この実施例においては磁気基板71の磁化帯7
4は反対側の磁気基板72の磁化帯75に対して垂直方
向に延びている。したがってダイヤフラム73上の磁気
基板71側の導体76は磁化帯74と平行に磁化帯間の
空間の位置に延びている。積み重ねた導体77は磁気基
板72側のダイヤフラム73の面上を磁化帯75と平行
で導体76に垂直に延びている。両側の磁気基板11.
12からの磁界は実質的に専らそれぞれの側の導体76
.77中の電流と相互作用してダイヤフラムの音響発生
振動領域を振動させる。
類似で、ダイヤフラム73の両側に磁気基板71、γ2
を持つ。この実施例においては磁気基板71の磁化帯7
4は反対側の磁気基板72の磁化帯75に対して垂直方
向に延びている。したがってダイヤフラム73上の磁気
基板71側の導体76は磁化帯74と平行に磁化帯間の
空間の位置に延びている。積み重ねた導体77は磁気基
板72側のダイヤフラム73の面上を磁化帯75と平行
で導体76に垂直に延びている。両側の磁気基板11.
12からの磁界は実質的に専らそれぞれの側の導体76
.77中の電流と相互作用してダイヤフラムの音響発生
振動領域を振動させる。
第11図においては、変換器80はダイヤフラム81が
互いに接着した板82.83でできている点を除いては
第4図の変換器30と実質的に同じである。板82.8
3の一方または両方の接触面にリブな設けて全体として
)・二カ人形とすることができ、一方の板にフレームに
接続するための包囲物および取付縁なつくることができ
る。板には導体85.86がある。組み合わされたダイ
ヤフラムの板82.83はダイヤフラムの堅さを増大さ
せる。
互いに接着した板82.83でできている点を除いては
第4図の変換器30と実質的に同じである。板82.8
3の一方または両方の接触面にリブな設けて全体として
)・二カ人形とすることができ、一方の板にフレームに
接続するための包囲物および取付縁なつくることができ
る。板には導体85.86がある。組み合わされたダイ
ヤフラムの板82.83はダイヤフラムの堅さを増大さ
せる。
第12図においては変換器90は異なった改良磁気回路
を磁気基板91.91.1に設けである点を除いては第
4図のものと実質的に同じである。
を磁気基板91.91.1に設けである点を除いては第
4図のものと実質的に同じである。
軟鉄板92には穴940間にダイヤフラム95に面して
磁化帯93がある。磁化帯93はそれらの前面93.1
.93.2に磁極の所定の、系列を持つように配列され
る。この系列は北、南、南、北、北、南、南、北の繰り
返しである。この磁気回路においては、互いに逆極性を
持つ磁化帯93の隣り合った機能対はダイヤフラム95
の位置に強度の増大した磁界を発生するので、磁化帯の
面とダイヤフラムとの間に大きなすき間を持たせること
ができる。同じ機能対ではない隣り合った磁化帯は同じ
極性であるので、空間96におげろように実質的に磁界
のない中立域すなわち死域をつくる。
磁化帯93がある。磁化帯93はそれらの前面93.1
.93.2に磁極の所定の、系列を持つように配列され
る。この系列は北、南、南、北、北、南、南、北の繰り
返しである。この磁気回路においては、互いに逆極性を
持つ磁化帯93の隣り合った機能対はダイヤフラム95
の位置に強度の増大した磁界を発生するので、磁化帯の
面とダイヤフラムとの間に大きなすき間を持たせること
ができる。同じ機能対ではない隣り合った磁化帯は同じ
極性であるので、空間96におげろように実質的に磁界
のない中立域すなわち死域をつくる。
変換器90においては、ダイヤフラム上の導体97は磁
化帯の機能対とそれらの間の空間との全巾にわたる広い
バンドになっている。磁界は対向した磁気基板のために
平たんになっていて、ダイヤフラムKかかる力が最適に
なる。
化帯の機能対とそれらの間の空間との全巾にわたる広い
バンドになっている。磁界は対向した磁気基板のために
平たんになっていて、ダイヤフラムKかかる力が最適に
なる。
第13図においては変換器98は卵形すなわちだ円形で
あること以外&主実質的に第1.2図の変換器10の丁
ぺての特性を持つ。第14図の変換器99も円形である
こと以外は実質的に変換器10のすべての特徴を持つ。
あること以外&主実質的に第1.2図の変換器10の丁
ぺての特性を持つ。第14図の変換器99も円形である
こと以外は実質的に変換器10のすべての特徴を持つ。
2つの変換器98.99の導体98.1.99.1は可
振動領域のカーブした周縁に適応するために長さが互い
に相対的にわずかに変ることに注意されたい。
振動領域のカーブした周縁に適応するために長さが互い
に相対的にわずかに変ることに注意されたい。
第15図の変換器100はダイヤフラムの実質的に堅い
可振動領域101FC導体102を埋め込んであること
以外は第12図の変換器90にきわめて似ている。ダイ
ヤフラムの可振動領域は導体と一体に成形することがで
きる。上記のように領域101はスチロフォームでつ(
ることかできる。
可振動領域101FC導体102を埋め込んであること
以外は第12図の変換器90にきわめて似ている。ダイ
ヤフラムの可振動領域は導体と一体に成形することがで
きる。上記のように領域101はスチロフォームでつ(
ることかできる。
以上述べたすべての堅いダイヤフラムは周辺フレームス
) +Jツブと基板とにたわみ性包囲物で接続されるが
、堅いダイヤフラムを実質的にたわませないで振動させ
ながら磁化帯に対して所定の関係を持たせて保持するの
に他の装置を用いることもできる。たとえば、ダイヤフ
ラムのすみに軸受穴を設け、それに静止取付柱を通して
ダイヤフラムに柱上な自由にすべらせるようにすること
ができる。ダイヤフラムの周縁にはフレームストリップ
はないが、フレームストリップの近くで必ずしも必要で
はないが好ましくは実質的に気密関係に案内させること
ができる。また、このような柱を用いずにたわみ性リン
クを用いてフレームストリップとダイヤプラムとを接続
してダイヤフラムを磁化帯に整合させて保持してもよい
。
) +Jツブと基板とにたわみ性包囲物で接続されるが
、堅いダイヤフラムを実質的にたわませないで振動させ
ながら磁化帯に対して所定の関係を持たせて保持するの
に他の装置を用いることもできる。たとえば、ダイヤフ
ラムのすみに軸受穴を設け、それに静止取付柱を通して
ダイヤフラムに柱上な自由にすべらせるようにすること
ができる。ダイヤフラムの周縁にはフレームストリップ
はないが、フレームストリップの近くで必ずしも必要で
はないが好ましくは実質的に気密関係に案内させること
ができる。また、このような柱を用いずにたわみ性リン
クを用いてフレームストリップとダイヤプラムとを接続
してダイヤフラムを磁化帯に整合させて保持してもよい
。
第16図の変換器110は、ダイヤフラムがペースとな
るフィルム112上につくられ、フィルム112の外縁
112.1 においてフレームストリップ113に接続
されていること以外は第12図の変換器90ときわめて
似ている。フィルム112は0.00635〜0.12
7龍(0,OOO250〜0.005インチ)の厚さの
マイラとして知られるポリエステルフィルムのような多
(の材料の任意のものでつ(ることかできる。導体11
4はフィルム112上に設ける。スチロフオームまたは
他の類似のプラスチック材料の実質的に堅い板115を
導体114上に載せてフィルム112に付着させる。堅
い板115はダイヤフラムの堅い可振動領域となる。オ
プションとしてもう1枚の板116をフィルム1120
反対側に付着させてさらた堅さを増大させてもよい。こ
の実施例においては信号電流を印加すると、2つの板1
15.116によって堅さが大きくなっているので、全
ダイヤフラムがかなりの運動をする。しかしこれらの板
は成る程度はたわむ。
るフィルム112上につくられ、フィルム112の外縁
112.1 においてフレームストリップ113に接続
されていること以外は第12図の変換器90ときわめて
似ている。フィルム112は0.00635〜0.12
7龍(0,OOO250〜0.005インチ)の厚さの
マイラとして知られるポリエステルフィルムのような多
(の材料の任意のものでつ(ることかできる。導体11
4はフィルム112上に設ける。スチロフオームまたは
他の類似のプラスチック材料の実質的に堅い板115を
導体114上に載せてフィルム112に付着させる。堅
い板115はダイヤフラムの堅い可振動領域となる。オ
プションとしてもう1枚の板116をフィルム1120
反対側に付着させてさらた堅さを増大させてもよい。こ
の実施例においては信号電流を印加すると、2つの板1
15.116によって堅さが大きくなっているので、全
ダイヤフラムがかなりの運動をする。しかしこれらの板
は成る程度はたわむ。
第17図の変換器120はスチロフォームまたは他の堅
い材料の堅い板122とマイラまたは他のたわみ性フィ
ルム型プラスチック材料の板123とを接着したダイヤ
フラム121以外は第12図の変換器9″0と実質的に
似ている。導体124は堅い板122とフィルム板12
3との間に挾まれて実質的に堅い板122に埋まってい
る。堅い板122には平らな周囲接続板125と周縁部
126とがあり、後者はフレームストリップ127に取
り付けられている。オプションとしてもう1枚の実質的
に堅い板128tフィルム板1230反対側に付着させ
て堅さを増大させることができる。
い材料の堅い板122とマイラまたは他のたわみ性フィ
ルム型プラスチック材料の板123とを接着したダイヤ
フラム121以外は第12図の変換器9″0と実質的に
似ている。導体124は堅い板122とフィルム板12
3との間に挾まれて実質的に堅い板122に埋まってい
る。堅い板122には平らな周囲接続板125と周縁部
126とがあり、後者はフレームストリップ127に取
り付けられている。オプションとしてもう1枚の実質的
に堅い板128tフィルム板1230反対側に付着させ
て堅さを増大させることができる。
第16図の変換器110のように、変換器120のダイ
ヤフラム121は導体に信号電流が印加されたときその
長さと巾にわたってかなり運動するが、若干たわんでダ
イヤフラムの中心部は周辺部より成る程度行程が太き(
なる。
ヤフラム121は導体に信号電流が印加されたときその
長さと巾にわたってかなり運動するが、若干たわんでダ
イヤフラムの中心部は周辺部より成る程度行程が太き(
なる。
第18図は変換器の上記のどの実施例にも用いろことが
できる磁石構造体の変形を示す。磁石構造体130はシ
ートまたは板状で、図示の形に成形または型抜きするこ
とができる。この磁石構造体は第1.2図の磁石帯につ
いて述べたのと同じ材料でつくる。いくつかのスロット
131をつくって磁化帯132の間に空間を画定する。
できる磁石構造体の変形を示す。磁石構造体130はシ
ートまたは板状で、図示の形に成形または型抜きするこ
とができる。この磁石構造体は第1.2図の磁石帯につ
いて述べたのと同じ材料でつくる。いくつかのスロット
131をつくって磁化帯132の間に空間を画定する。
これらのスロットは磁気基板の鉄板または鋼板の穴と整
合する。狭いブリッジ133がスロットを横切り、隣り
合った磁化帯132を相互接続する。磁化帯は上面が図
示のような磁極に磁化するかまたは所望の磁気回路にし
たがって磁化することができる。
合する。狭いブリッジ133がスロットを横切り、隣り
合った磁化帯132を相互接続する。磁化帯は上面が図
示のような磁極に磁化するかまたは所望の磁気回路にし
たがって磁化することができる。
本発明の変換器は高いこわさ対重量比を持つ低密度材料
でできたダイヤフラムの実質的に堅い可振動領域を持つ
ことがわかるであろう。導体は可振動領域の実質的に全
長または金山にわたって広がり、実質的に全長たわたっ
て延びているので、可振動領域の実質的にすべての部分
が実質的に同じ運動をする。可振動領域の周縁のたわみ
性包囲物が可振動領域の全長および全巾にわたる実質的
に一様な振動運動を可能にする。
でできたダイヤフラムの実質的に堅い可振動領域を持つ
ことがわかるであろう。導体は可振動領域の実質的に全
長または金山にわたって広がり、実質的に全長たわたっ
て延びているので、可振動領域の実質的にすべての部分
が実質的に同じ運動をする。可振動領域の周縁のたわみ
性包囲物が可振動領域の全長および全巾にわたる実質的
に一様な振動運動を可能にする。
第1図は詳細を示すために一部を切り除いた、本発明を
用いた典型的なダイヤフラム型磁気変換器またはスピー
カの立面図である。 第2図は第1図のだいたい線2−2に沿った拡大詳細断
面図である。 第3図は本発明の変形実施例の拡大詳細断面図である。 第4図は本発明の第2変形実施例の詳細断面図である。 第5図は本発明の他の変形実施例の詳細断面図である。 第6図は本発明のさらに他の実施例で、第7図の線6−
6に沿った詳細断面図である。 第7図は第6図の線7−7に沿った詳細断面図である。 第8図は本発明のなお他の実施例の拡大詳細断面図であ
る。 第9図は本発明のさらに他の実施例で、第10図の線9
−9に沿った拡大詳細断面図である。 第1O図は第9図の線10−10に沿った詳細断面図で
ある。 第11図は本発明の他の実施例の詳細断面図である。 第12図は本発明のなお他の実施例の詳細断面図である
。 第13図は本発明の実施例のいくぶん異なる形のスピー
カの立面図である。 第14図は本発明の実施例の形の異なる他のスピーカの
立面図である。 第15図は本発明のなお他の実施例の詳細断面図である
。 第16図は本発明のさらに他の実施例の詳細断面図であ
る。 第17図は本発明のなお他の実施例の詳細断面図である
。 第18図は上記の諸図の磁化帯に代えることができる磁
気シートの他の実施例の詳細平面図である。 10.20.30、・・・・・・・・・変換器、11・
・・・・・・・・磁気基板、 12・・・・・・・・
・ダイヤフラム、12.5.12.6・・・・・・・・
・リブ、 14・・・・・・・・・穴、19・・・・
・・・・・導体
用いた典型的なダイヤフラム型磁気変換器またはスピー
カの立面図である。 第2図は第1図のだいたい線2−2に沿った拡大詳細断
面図である。 第3図は本発明の変形実施例の拡大詳細断面図である。 第4図は本発明の第2変形実施例の詳細断面図である。 第5図は本発明の他の変形実施例の詳細断面図である。 第6図は本発明のさらに他の実施例で、第7図の線6−
6に沿った詳細断面図である。 第7図は第6図の線7−7に沿った詳細断面図である。 第8図は本発明のなお他の実施例の拡大詳細断面図であ
る。 第9図は本発明のさらに他の実施例で、第10図の線9
−9に沿った拡大詳細断面図である。 第1O図は第9図の線10−10に沿った詳細断面図で
ある。 第11図は本発明の他の実施例の詳細断面図である。 第12図は本発明のなお他の実施例の詳細断面図である
。 第13図は本発明の実施例のいくぶん異なる形のスピー
カの立面図である。 第14図は本発明の実施例の形の異なる他のスピーカの
立面図である。 第15図は本発明のなお他の実施例の詳細断面図である
。 第16図は本発明のさらに他の実施例の詳細断面図であ
る。 第17図は本発明のなお他の実施例の詳細断面図である
。 第18図は上記の諸図の磁化帯に代えることができる磁
気シートの他の実施例の詳細平面図である。 10.20.30、・・・・・・・・・変換器、11・
・・・・・・・・磁気基板、 12・・・・・・・・
・ダイヤフラム、12.5.12.6・・・・・・・・
・リブ、 14・・・・・・・・・穴、19・・・・
・・・・・導体
Claims (28)
- (1)互いに平行で間隔をとつた複数の細長い磁化帯を
含む全体的に平らで堅い音響的に透明な磁気基板と、 磁化帯の正面にそれから間隔を置いて対向し、磁化帯に
沿つて延びる信号が通る導体を持つ、堅くてたわみにく
い可振動領域を持つダイヤフラムと、ダイヤフラムを基
板に接続して全可振動領域を磁界と導体中の信号電流と
の相互作用の下に振動させる接続装置と を備え、磁化帯は基板に垂直な方向に磁化され、隣り合
つた磁化帯は反対の極性を持ち、磁化帯の正面から外方
に磁界を発射する、信号電流が流れる変換器。 - (2)接続装置はたわみ性でダイヤフラムの可振動領域
と一体に形成されている、特許請求の範囲第1項記載の
変換器。 - (3)堅くする板がダイヤフラムの可振動領域に付着さ
れている、特許請求の範囲第2項記載の変換器。 - (4)接続装置はたわみ性でダイヤフラムの可振動領域
と異なる材料でつくられ、可振動領域に取り付けられて
いる、特許請求の範囲第1項記載の変換器。 - (5)可振動領域は導体を持つ堅い板を含み、接続装置
はダイヤフラムの可振動領域に取り付けられ磁気基板に
接続されたプラスチックフィルムを含む、特許請求の範
囲第4項記載の変換器。 - (6)ダイヤフラムの可振動領域は、それを横切つて延
び、それを堅くする細長いリブを持つている、特許請求
の範囲第1項記載の変換器。 - (7)導体はダイヤフラムのリブに埋め込まれている、
特許請求の範囲第6項記載の変換器。 - (8)導体はダイヤフラムの可振動領域の表面に取り付
けられている、特許請求の範囲第1項記載の変換器。 - (9)導体はダイヤフラムの可振動領域に埋め込まれて
いる、特許請求の範囲第1項記載の変換器。 - (10)導体は複数の導体要素が集まつて巾が広くなっ
ていて、互いに逆極性の磁化帯に対向してそれらから発
生する磁界を横切つている、特許請求の範囲第1項記載
の変換器。 - (11)導体はダイヤフラムの可振動領域上で互いに積
み重ねた複数の導体要素を含んでいる、特許請求の範囲
第1項記載の変換器。 - (12)互いに間隔を置いた複数の磁化帯を持つ全体的
に平らの堅い、音響的に透明な磁気基板と、磁化帯の正
面に間隔を置いて対向し、磁化帯に沿つて延びる複数の
、信号電流が流れる導体走行部分を持つ可振動領域と、
ダイヤフラムの周縁を磁気基板と接続する接続領域とを
持つダイヤフラムと を備え、磁化帯は正面が実質的に1つの面内にあり、磁
化帯はそれらの正面に実質的に垂直な方向に磁化され、
隣り合つた磁化帯は互いに逆極性に磁化され、それらの
正面から細長い磁界を外方に発射し、ダイヤフラムの可
振動領域は接続領域よりも大巾に堅くて接続領域はたわ
んで全可振動領域は磁界と導体中の信号電流との相互作
用の下に振動する、振動電流が流れる変換器。 - (13)導体は可振動領域に取り付けられた複数の導体
要素を含み、可振動領域の堅さを大巾に高める、特許請
求の範囲第12項記載の変換器。 - (14)磁気基板は前記磁化帯が取り付けられた音響的
に透明な軟鉄板である、特許請求の範囲第12項記載の
変換器。 - (15)互いに平行で間隔をとつた複数の、正面が1つ
の平面内にあり、正面に垂直に磁化されて正面から外方
に磁界を発生し、隣り合つたものが互いに逆の極性を持
つ細長い磁化帯をおのおのが含み、同じ極性の磁化帯が
向かい合うように間隔を置いて対向した1対の全体的に
平らで堅い、音響的に透明な磁気基板と、 磁化帯に沿つて磁界内を延びる、信号電流が流れる導体
を表面に持つ堅くてたわみにくい、磁化帯から間隔をと
つて磁気基板の間にある可振動領域と、可振動領域を基
板に接続して全可振動領域を磁界と導体中の信号電流と
の相互作用の下に振動させる装置とを持つダイヤフラム
と を備えた、信号電流が流れる変換器。 - (16)導体は、集つて隣り合つた互いに逆極性の磁化
帯に面しそれらから出る磁界を横切る広いパッドをつく
る複数の導体要素を含む、特許請求の範囲第15項記載
の変換器。 - (17)導体はダイヤフラム上の互いに積み重ねて接着
した複数の導体要素を含み、可振動領域の堅さを高める
強化用リブの作用をし、全可振動領域に実質的に同じ振
動運動をさせる、特許請求の範囲第15項記載の変換器
。 - (18)導体はダイヤフラムの可振動領域に埋め込まれ
ている、特許請求の範囲第15項記載の変換器。 - (19)導体はダイヤフラムの可振動領域の両側にあつ
てそれぞれ同じ側の磁化帯と向かい合つている、特許請
求の範囲第15項記載の変換器。 - (20)磁化帯は同じ極性のものが1つ置きに並んでい
る、特許請求の範囲第15項記載の変換器。 - (21)互いに平行で間隔をとつた複数の、細長い正面
が1つの平面内にあり、正面に垂直の方向に・・・・・
・北、南、南、北、北、南、・・・・・・の極性の系列
に磁化されて正面から外方に隣りの反対極性のものの全
巾にわたつて横切る磁界を発生する細長い磁化帯をおの
おのが含み、同じ極性の磁化帯が向かい合うように間隔
を置いて対向し、そのため磁界が圧縮されて磁力線が磁
化帯の正面と実質的に平行に延びる1対の全体的に平ら
で堅い、音響的に透明な磁気基板と、 おのおの、集まつて互いに反対極性の磁化帯とそれらの
間の空間との実質的に全巾に面して磁界を横切る広い平
らな走行部分をつくる複数の導体要素を含む複数の、信
号が流れる導体走行部分を持つ堅くてたわみにくい、磁
化帯から間隔をとつて磁気基板の間にある可振動領域と
、可振動領域の周縁を基板に接続して全可振動領域に磁
界と導体中の信号電流との相互作用の下に実質的に同じ
振動運動をさせるたわみ性装置とを持つダイヤフラムと を備え、大きなパワーを扱うことができて低周波数領域
において音響出力を大巾に増大させる、信号電流が流れ
る変換器。 - (22)導体要素は実質的に平らでダイヤフラムの可振
動領域と平行な形状を持つ、特許請求の範囲第21項記
載の変換器。 - (23)ダイヤフラムの可振動領域はスチロフオームで
つくられてい る、特許請求の範囲第1項記載の変換器。 - (24)ダイヤフラムの可振動領域はオープンセルを中
に持つハニカム構造に形成されている、特許請求の範囲
第1項記載の変換器。 - (25)ダイヤフラムの可振動領域は高強度低密度材料
の多重積層体で形成されている、特許請求の範囲第1項
記載の変換器。 - (26)ダイヤフラムの可振動領域は繊維状パルプ材料
でつくられている、特許請求の範囲第1項記載の変換器
。 - (27)ダイヤフラムの可振動領域は炭素繊維材料でつ
くられている、特許請求の範囲第1項記載の変換器。 - (28)ダイヤフラムの可振動領域は主としてバルサ材
でつくられている、特許請求の範囲第1項記載の変換器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18899184A JPS61198900A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | ピストンダイヤフラムスピ−カ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18899184A JPS61198900A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | ピストンダイヤフラムスピ−カ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198900A true JPS61198900A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=16233466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18899184A Pending JPS61198900A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | ピストンダイヤフラムスピ−カ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198900A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100750453B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2007-08-22 | 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 | 평면음향변환장치 |
| JP2008113195A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd | スピーカシステム |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18899184A patent/JPS61198900A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100750453B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2007-08-22 | 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 | 평면음향변환장치 |
| JP2008113195A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd | スピーカシステム |
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