JPS61199300A - 半導体メモリ評価装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体メモリ評価装置に関する。

（従来の技術） ＩＣメモリは、ここ数年高密度化、高速化が進み、従来
の汎用ＲＡＭと並行してカスタム的要素の強いメモリが
開発されている。そのような−例としてビデオ静止画用
のメモリがあけられる。

ビデオの静止画はテープを一時停止させ、ＶＴＲへ、ド
を同一テープ位置で回転させることによシ、繰り返し映
像信号を得る方法が採用されていた。

しかし、この手法よシもＩＣメモリを使った電子的方法
によれは、コスト的にも信頼性の面でもすぐれたものが
できる。この電子的静止画作成システムを第３図に示す
、ＶＴＲテープヘッドからのコンポジ、トピデオ信号が
Ａ／Ｄ変換器ｌへ入力され、ディジタル信号へと変換さ
れる。変換時のサンプリング周波数は、標本比定ＩＭＫ
のっとって２倍以上必要で、この比が大きいほど、再生
出力信号の入力信号上対する一致率は高くなる。例えは
、カラー放送の２大男式であるＮＴＳＣ，ＰＡＬのカラ
ーサブ中ヤリアはそれぞれ３．５８ＭＨｚ　。

４．４３ＭＨｚであるから、サンプリングの比を３倍に
とるとサンプリング周波数は１００ＮＳとなり、入力信
号は１００Ｎ８毎に刻まれ、Ａ／Ｄ変換をうける。変換
後のディジタル信号はビデオメモリ２に連続的に蓄積さ
れる。ビデオメモリ２は一画面分の映像情報を蓄積する
に十分な容量をもつので、いったん、画面情報を格納し
てし１えば、その後、何度となく、同一画像を再生する
ことができる。

ビデオメモリ２のアドレスを繰シ返し順次アクセスする
仁とで常に同一映像信号がビデオメモリ２よシ供給され
続ける仁とＫなる。Ｄ／Ａ変換器３でこれを再びアナロ
グ信号に変換することによシ、映像信号が再生され、画
面上には静止画像が再現される。なお、コントローラ４
は、ＶＴＲヘッドのコントロールクロ、りを生成する。

かかるビデオメモリ２のプロ、り図が第４色に示しであ
る。記憶素子の集合であるメモリセルアレイ５、記憶素
子の行方向の番地を決める行アドレスバッフ７６、行デ
コーダ７、列方向の番地を決める列アドレスバッファ８
、列デコーダ９それに書き込み読み出しをコントロール
するブロック（図示せず）によってビデオメモリ２は構
成される。第Ｓ図に示した電子的静止画作成システムに
第４図のビデオメモリ２を使用する際の常套手段として
テレビ画面の水平線位置を行アドレスに一致させ、列ア
ドレス数をＡ／Ｄ変換のサンプリング数に対応するよう
に設計が行われる。

人間の視覚では画面の数ドツトの画質の不良は一般的に
瞬時には判断つきＫくい。このことはビデオメそりの立
場から見れは、従来のような汎用のＲＡＭのように全ピ
ット良品のみを選別使用しなくても、数ビツト不良のも
のでも使用可能であるということＫなる。

従来メモリの評価にはＩＣテスターが使われておシ、最
近のメモリの高性能化に伴い、ＩＣテスターの性能もか
なり進んできているが、このビデオメモリの評価Ｋｔｉ
メモリのビット各の良、不良の情報を記憶させておくメ
モリ、いわゆるビット・マツプ・メモリが必袈となる。

この記憶されたビ、ト・マツプ・メモリの情報を判定し
て良品、不良品の斬新を下している。

（発明が解決しようとする問題点） 上述のようなビット・マツプ・メモリを使用するメモリ
の評価方式ではビット・マツプ・メモリは、評価するビ
デオメモリの集積度に大きく依存し評価するメモリの高
密度化に追従して、その容量を増やしていかなくてはな
らないという問題点がある。

そこで本発明では多量のビット・マツプ用メモリを追加
せずコスト削減した半導体メそり評価装置を提供するも
のである。

（問題点を解決するための手段） 本発明の装置は、Ｍ行・Ｎ列（Ｍ、Ｎは自然数）のメモ
リセル構成をもつ半導体メモリから読み出された少なく
とも１つの行あるいは列のメモリセルデータと前記メモ
リセルデータの期待値とを前記メモリセルデータ毎に比
較し不一致のときには不一致信号を発生する第１の比較
手段と、前配不一致信号の供給をうけ供給回数を計数し
前記読み出された少なくとも１つの行あるいは列毎にリ
セットされる計数手段と、前記計数手段の計数値と予め
定めた値とを比較し一致したときに一致信号を発生する
第２の比較手段とを含んで構成される。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図（２）を参照して説明
する。

評価する半導体メモリとして先に述べたビデオメモリを
例にとる。このビデオメモリの行アドレス、列アドレス
は、それぞれ、テレビ画面の水平線位置、Ａ／Ｄ変換の
サンプリング数に対応するから、行アドレスで選択され
たワード線にぶらさがったＮ個のメモリセルがほとんど
不良であった場合画面の走査線一本が表示されないこと
になり致命的不良となる。そこで、１ワード線毎＜７Ｆ
良ビ、計数をカウントしそのカウンター数が予め許容限
界として設定した値をこえた場合、この評価サンプルは
不良と判定する。

本発明の一実施例の要部ブロック図を第１図に、また、
その評価フローチャートを第２図に示す。

第１図は従来の評価装置に追加すべき主な回路プロ、り
である。

第３図の半導体メモリ評価装置要部は評価メモリから読
み出されたデータと期待値とが一致するかどうかを比較
する比較器１０と、一致がとれなかったとき比較器１０
から発生する信号の発生回数をカウントするカウンタ１
１、カウンタＩＩＫ刻まれた数値と不良ピット数許容限
界設定値とを比べる比較器１２とから構成される。

第２図を参照して第１図の評価動作を説明する。・第２
図中一点鎖線で区切られ■で示した部分フローが評価メ
モリ内に期待値となる初期データを書き込むフロー、■
で示した部分フローが第１図の回路を使い評価メモリ１
ワード線ごとに不良ビ。

計数をチェックし比較するフローである。行と列のアド
レスをｔｔＪとし、あるメモリセルのアドレスを（’＄
ｊ）で表示するとすれは第４図に示し九ＭｘＮ個のメモ
リ七には（０，０）、（０，１）、　・・・−。

（０、Ｎ−１）　、　（１、Ｏ）、・・・・・・、（１
，Ｎ−１）、・・・・・・、（Ｍ−１，Ｎ−１）と番地
づけされる。

まず部分フロー■でセル（０，０）から（０，Ｎ−１）
そして（１，０）から（１，Ｎ−１）へと順次（Ｍ−１
゜Ｎ−１）番地のセルまで全メモリセルに初期データを
誉き込む。そして部分フロー■に入って、（０゜０）の
セルから誉き込まれているデータを読み出し比較器１０
によシ期待値データと比較する。データの一致がとれる
とＹＥＳフローへ進み列アドレスをインクリメントして
（Ｍ−１，Ｎ−１）番地まで進み不一致がない場合ｐａ
ｓｓ信号を発生して良品と判定し評価を終了する。もし
、途中不一致が生じるとＮＯフローへ進みカウンター１
１をインクリメントし、比較器１２により必ず列アドレ
スがＮ−１番地までごとにカウンター１１の内容を設定
値と比較し、設定値をこえた場合には、ただちにＦａｉ
ｔ信号を発生して評価を終了する。カウンタ１１は行が
変わる度にクリアされる。

このように、本実施例を用いれば一本のワード線ととに
１その不良ビット数をチェ、りし良品、不良品の判定を
することができる。

本実施例では行毎の良、不良判定を行った場合について
説明したが本発明はこれに限るものでなく列毎の良、不
良判定を行なう場合にも適用できること社明かである。

（発明の効果） 本発明には行または列アドレスごとに、しかもその注目
するアドレス数可変で不良ビットのチェックができ、さ
らに多量のビット・マツプ用メモリ全追加せず、最小限
のコス）Ｋて評価が行なえるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の要部ブロック図、第２図は
第１図の装置による半導体メモリの評価動作を示すフロ
ーチャート、第３図は半導体メモリを使用した電子的静
止画作成システムのプロ。 り図、第４図は半導体メモリのブロック図である。 １・・・・・・Ａ／Ｄ変換器、２・・・・・・ビデオメ
モリ、３・・・・・・Ｄ／Ａ変換器、４・・・・・・コ
ントローン、５・・・・・・メモリセルアレイ、６・・
・・・・行アドレスバッファ、７・・・・・・行デコー
ダ、８・・・・・・列アドレスバッファ、９・・・・・
・列デコーダ、１０．１２・・・・・・比較器、１１・
・・・・・カウンタ。 ζン１、 代理人　弁理士　　内　原　　　晋ｉ’　ｉ’、”：工
、０て　・・′

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　Ｍ行・Ｎ列（Ｍ、Ｎは自然数）のメモリセル構成をも
   つ半導体メモリから読み出された少なくとも１つの行あ
   るいは列のメモリセルデータと前記メモリセルデータの
   期待値とを前記メモリセルデータ毎に比較し不一致のと
   きには不一致信号を発生する第１の比較手段と、 前記不一致信号の供給をうけ供給回数を計数し前記読み
   出された少なくとも１つの行あるいは列毎にリセットさ
   れる計数手段と、 前記計数手段の計数値と予め定めた値とを比較し一致し
   たときに一致信号を発生する第２の比較手段とを含むこ
   とを特徴とする半導体メモリ評価装置。