JPS6120120B2 - - Google Patents
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- JPS6120120B2 JPS6120120B2 JP54023630A JP2363079A JPS6120120B2 JP S6120120 B2 JPS6120120 B2 JP S6120120B2 JP 54023630 A JP54023630 A JP 54023630A JP 2363079 A JP2363079 A JP 2363079A JP S6120120 B2 JPS6120120 B2 JP S6120120B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ発生装置の操作方法に関し、
詳しくは正極性と逆極性の二つのプラズマアーク
トーチ間に形成したヘアピンアークを熱源として
プラズマ炎を発生させる装置の操作方法に関する
ものである。
詳しくは正極性と逆極性の二つのプラズマアーク
トーチ間に形成したヘアピンアークを熱源として
プラズマ炎を発生させる装置の操作方法に関する
ものである。
一般に、正極性外套式プラズマアークトーチ
(中心電極(アーク柱の立つ電極)が負極で、中
心電極の周囲に狭搾孔を有する外套を二つ以上設
けたプラズマアークトーチをいう)と逆極性外套
式プラズマアークトーチ(中心電極が正極で、狭
搾孔を有する外套を二つ以上設けたプラズマアー
クトーチをいう。)の二つのトーチ間にヘアーピ
ンアークを形成してプラズマ炎を発生させる方法
は、高い熱量(温度)のプラズマ炎を容易につく
ることができ、その上酸素、空気など電極と激し
く反応する気体でもプラズマ化することができる
利点がある。
(中心電極(アーク柱の立つ電極)が負極で、中
心電極の周囲に狭搾孔を有する外套を二つ以上設
けたプラズマアークトーチをいう)と逆極性外套
式プラズマアークトーチ(中心電極が正極で、狭
搾孔を有する外套を二つ以上設けたプラズマアー
クトーチをいう。)の二つのトーチ間にヘアーピ
ンアークを形成してプラズマ炎を発生させる方法
は、高い熱量(温度)のプラズマ炎を容易につく
ることができ、その上酸素、空気など電極と激し
く反応する気体でもプラズマ化することができる
利点がある。
しかし、発生するプラズマ炎の指向性が気体流
量、電流等によつて変化するという現象があり、
これまで工業的に利用する上で大きな障害となつ
ていた。本発明者は先にプラズマ炎の指向性を一
定に保つため二つのトーチ間に形成されるヘアピ
ンアークの下流に気流導管を設ける方法を開発し
た(特許第770279号及び特許第881971号)。
量、電流等によつて変化するという現象があり、
これまで工業的に利用する上で大きな障害となつ
ていた。本発明者は先にプラズマ炎の指向性を一
定に保つため二つのトーチ間に形成されるヘアピ
ンアークの下流に気流導管を設ける方法を開発し
た(特許第770279号及び特許第881971号)。
しかし、この方法ではプラズマ炎の20〜30%以
上の熱量が気流導管の加熱のために失われ、高熱
量というプラズマ炎の特徴が大巾に減殺されると
いう問題があつた。
上の熱量が気流導管の加熱のために失われ、高熱
量というプラズマ炎の特徴が大巾に減殺されると
いう問題があつた。
本発明は上記に鑑みなされたものであつて、正
極性外套式プラズマアークトーチとこのトーチに
対して交差する方向に配置した逆極性外套式プラ
ズマアークトーチから成るプラズマ発生装置の操
作方法において、正極性外套式プラズマアークト
ーチの少なくとも二つの環状チヤンネルに適切な
割合の流量の気体を流してアーク柱を安定化する
ことにより、発生するプラズマ炎の熱量を高め且
つ指向性を一定化し、種々の工業的応用を容易に
する方法を提供することを目的とする。
極性外套式プラズマアークトーチとこのトーチに
対して交差する方向に配置した逆極性外套式プラ
ズマアークトーチから成るプラズマ発生装置の操
作方法において、正極性外套式プラズマアークト
ーチの少なくとも二つの環状チヤンネルに適切な
割合の流量の気体を流してアーク柱を安定化する
ことにより、発生するプラズマ炎の熱量を高め且
つ指向性を一定化し、種々の工業的応用を容易に
する方法を提供することを目的とする。
この目的は、前記のプラズマ発生装置を操作す
るに当つて、正極性外套式プラズマアークトーチ
の内側チヤンネルの気体流量と外側チヤンネルの
気体流量との和を一定にして作動させ決定した内
側チヤンネルの気体流量対熱損失の特性曲線の極
値座標の気体流量と実質的に同じか又はそれ以上
の流量の気体を前記の正極性外套式プラズマアー
クトーチの内側チヤンネルに流すことにより達成
される。
るに当つて、正極性外套式プラズマアークトーチ
の内側チヤンネルの気体流量と外側チヤンネルの
気体流量との和を一定にして作動させ決定した内
側チヤンネルの気体流量対熱損失の特性曲線の極
値座標の気体流量と実質的に同じか又はそれ以上
の流量の気体を前記の正極性外套式プラズマアー
クトーチの内側チヤンネルに流すことにより達成
される。
なお、ここでいう内側チヤンネルとはトーチの
環状チヤンネルが二つの場合は中心電極側のチヤ
ンネルであり、環状チヤンネルが三つの場合は中
心電極側の二つのチヤンネルを意味する。
環状チヤンネルが二つの場合は中心電極側のチヤ
ンネルであり、環状チヤンネルが三つの場合は中
心電極側の二つのチヤンネルを意味する。
以下添付図面により本発明を詳しく説明する。
第1図は本発明の操作方法に用いるプラズマ発
生装置の一例であつて、正極性外套式プラズマア
ークトーチA(以下、「トーチA」という。)とこ
のトーチに対し交差する方向に配置した逆極性外
套式プラズマアークトーチB(以下、「トーチ
B」という。)とから構成されている。
生装置の一例であつて、正極性外套式プラズマア
ークトーチA(以下、「トーチA」という。)とこ
のトーチに対し交差する方向に配置した逆極性外
套式プラズマアークトーチB(以下、「トーチ
B」という。)とから構成されている。
トーチAは、陰極棒1を保持するホルダー2
と、陰極棒を取囲む第1の環状チヤンネル3を限
定する第1の外套4と、この外套を取囲む第2の
環状チヤンネル5を限定する第2の外套6とで構
成される。第1の環状チヤンネル3には気体供給
口7よりアルゴン、ヘリウムなど電極に不活性な
気体(以下、「不活性気体」という。)である第1
の気体8が供給され、狭搾孔9,10より放出さ
れる。第2の環状チヤンネル5には気体供給口1
1より不活性気体又は酸素、空気など電極と反応
する活性な気体(以下、「活性気体」という。)で
ある第2の気体12が供給され、狭搾孔10より
放出される。ホルダー2、第1の外套4、第2の
外套6はそれぞれ絶縁体13で電気的に絶縁され
ている。ホルダー2は導線14で電源15の負端
子に接続され、第1の外套4と第2の外套6はそ
れぞれスイツチ16,17を介して電源15の正
端子に接続されている。
と、陰極棒を取囲む第1の環状チヤンネル3を限
定する第1の外套4と、この外套を取囲む第2の
環状チヤンネル5を限定する第2の外套6とで構
成される。第1の環状チヤンネル3には気体供給
口7よりアルゴン、ヘリウムなど電極に不活性な
気体(以下、「不活性気体」という。)である第1
の気体8が供給され、狭搾孔9,10より放出さ
れる。第2の環状チヤンネル5には気体供給口1
1より不活性気体又は酸素、空気など電極と反応
する活性な気体(以下、「活性気体」という。)で
ある第2の気体12が供給され、狭搾孔10より
放出される。ホルダー2、第1の外套4、第2の
外套6はそれぞれ絶縁体13で電気的に絶縁され
ている。ホルダー2は導線14で電源15の負端
子に接続され、第1の外套4と第2の外套6はそ
れぞれスイツチ16,17を介して電源15の正
端子に接続されている。
一方、トーチBは、補助陰極棒21を保持する
ホルダー22と、補助陰極棒21を取囲む第1の
環状チヤンネル23を限定する第1の外套24
と、この外套を取囲む第2の環状チヤンネル25
を限定する第2の外套26とで構成される。第1
の環状チヤンネル23には気体供給口27より不
活性気体である第1の気体28が供給され、狭搾
孔29,30より放出される。第2の環状チヤン
ネル25には気体供給口31より不活性気体であ
る第2の気体32が供給され、狭搾孔30より放
出される。ホルダー22、第1の外套24、第2
の外套26はそれぞれ絶縁体33で電気的に絶縁
されている。ホルダー22は導線34で補助電源
35の負端子に接続され、第1の外套24は導線
19で電源15の正端子に接続されると共にスイ
ツチ36を介して補助電源35の正端子にも接続
されている。
ホルダー22と、補助陰極棒21を取囲む第1の
環状チヤンネル23を限定する第1の外套24
と、この外套を取囲む第2の環状チヤンネル25
を限定する第2の外套26とで構成される。第1
の環状チヤンネル23には気体供給口27より不
活性気体である第1の気体28が供給され、狭搾
孔29,30より放出される。第2の環状チヤン
ネル25には気体供給口31より不活性気体であ
る第2の気体32が供給され、狭搾孔30より放
出される。ホルダー22、第1の外套24、第2
の外套26はそれぞれ絶縁体33で電気的に絶縁
されている。ホルダー22は導線34で補助電源
35の負端子に接続され、第1の外套24は導線
19で電源15の正端子に接続されると共にスイ
ツチ36を介して補助電源35の正端子にも接続
されている。
なお、トーチAの第1、第2の外套4,6、ホ
ルダー2及びトーチBの第1、第2の外套24,
26、ホルダー22は、それぞれ冷却水が還流す
る構造になつているが、説明の便宜上図示してい
ない。
ルダー2及びトーチBの第1、第2の外套24,
26、ホルダー22は、それぞれ冷却水が還流す
る構造になつているが、説明の便宜上図示してい
ない。
上記構成からなるプラズマ発生装置は次のよう
にして作動される。
にして作動される。
(1) トーチAにおいて、第1気体8を流し、電源
15に内蔵されている高周波電源により陰極棒
1と第1の外套4との間にアークを発生させ、
次いでスイツチ16を開き、スイツチ17を閉
じたままで第2外套6にアーク20′を移行さ
せいわゆる非移行型のプラズマジエツト装置と
して動作させる。
15に内蔵されている高周波電源により陰極棒
1と第1の外套4との間にアークを発生させ、
次いでスイツチ16を開き、スイツチ17を閉
じたままで第2外套6にアーク20′を移行さ
せいわゆる非移行型のプラズマジエツト装置と
して動作させる。
(2) 一方、トーチBにおいて、スイツチ36を閉
じ、第1気体28を流し、補助電源35により
補助陰極棒21と第1の外套24との間に非移
行型のアーク40′を発生させ、プラズマ気流
を二つのトーチの中心軸の交点37に向けて放
出させる。この状態で、 (3) スイツチ17を開くと符号20,40で示し
たヘアピンアークがトーチAの陰極棒1とトー
チBの第1外套24間に形成される。ここで、 (4) トーチAの第2気体12を流してから第1気
体8を止める。又トーチ8の第2気体32を流
してから第1気体28を止め、スイツチ36を
開き補助アーク40′も停止させる。次に電源
15によりアーク電流を増加調節する。
じ、第1気体28を流し、補助電源35により
補助陰極棒21と第1の外套24との間に非移
行型のアーク40′を発生させ、プラズマ気流
を二つのトーチの中心軸の交点37に向けて放
出させる。この状態で、 (3) スイツチ17を開くと符号20,40で示し
たヘアピンアークがトーチAの陰極棒1とトー
チBの第1外套24間に形成される。ここで、 (4) トーチAの第2気体12を流してから第1気
体8を止める。又トーチ8の第2気体32を流
してから第1気体28を止め、スイツチ36を
開き補助アーク40′も停止させる。次に電源
15によりアーク電流を増加調節する。
上記動作手順により第1図のプラズマジエツト
装置のトーチA,B間に形成されたヘアピンアー
クを熱源としてプラズマ炎が発生するが、前述し
たように気体流量やアーク電流値によつてプラズ
マ炎の指向性が変化し、利用上種々の障害をきた
す。
装置のトーチA,B間に形成されたヘアピンアー
クを熱源としてプラズマ炎が発生するが、前述し
たように気体流量やアーク電流値によつてプラズ
マ炎の指向性が変化し、利用上種々の障害をきた
す。
さて、第1気体8の流量Q1と第2気体12の
流量Q2の和であるトーチAの全気体流量Qを一
定とし(Q=Q1+Q2……一定)、Q1を0から増加
し(Q2はそれに従つて減少する)、第2外套6の
熱損失Lを冷却水の上昇温度から測定すると、第
2図の気体流量対熱損失の特性曲線が得られる。
流量Q2の和であるトーチAの全気体流量Qを一
定とし(Q=Q1+Q2……一定)、Q1を0から増加
し(Q2はそれに従つて減少する)、第2外套6の
熱損失Lを冷却水の上昇温度から測定すると、第
2図の気体流量対熱損失の特性曲線が得られる。
第2図の特性曲線から明らかなように、Q1が
0から増加するにしたがつてLは減少し最小値と
なる陰極座標A点を経て再び増加する特性を示
す。
0から増加するにしたがつてLは減少し最小値と
なる陰極座標A点を経て再び増加する特性を示
す。
この測定の主な諸元は次のとおりである。
トーチAの第1外套の狭搾孔9:
直径3.0mm,長さ3.0mm 〃 第2 〃 10:
直径1.0mm, 〃0.8mm トーチBの第1外套の狭搾孔29:
直径2.0mm, 〃2.0mm 〃 第2 〃 30:
直径3.0mm, 〃4.0mm 両トーチの中心軸の交点37と各トーチ先端との
距離: 各10mm 両トーチの中心軸の交角: 100゜ トーチAの全気体流量Q:
アルゴン、Q1+Q2=2.0/min (大気圧目盛流量計の読み) トーチBの第2気体32の流量Q3:
アルゴン、1.0/min (大気圧目盛流量計の読み) なお、交点37にトーチAの第2外套6端を近
づけ過ぎると、Q1に対するA点の位置は変わら
ないがLの値が増加する。又遠ざけ過ぎるとヘア
ピンアークが不安定になる。通常5〜15mmの範囲
で測定し、両トーチの角度も90〜114゜の範囲で
測定する場合には、A点におけるQ1の値は同一
のものが得られる。ただし交点37とトーチBの
第2外套26端との距離は電源電圧の許す範囲で
任意である。
直径3.0mm,長さ3.0mm 〃 第2 〃 10:
直径1.0mm, 〃0.8mm トーチBの第1外套の狭搾孔29:
直径2.0mm, 〃2.0mm 〃 第2 〃 30:
直径3.0mm, 〃4.0mm 両トーチの中心軸の交点37と各トーチ先端との
距離: 各10mm 両トーチの中心軸の交角: 100゜ トーチAの全気体流量Q:
アルゴン、Q1+Q2=2.0/min (大気圧目盛流量計の読み) トーチBの第2気体32の流量Q3:
アルゴン、1.0/min (大気圧目盛流量計の読み) なお、交点37にトーチAの第2外套6端を近
づけ過ぎると、Q1に対するA点の位置は変わら
ないがLの値が増加する。又遠ざけ過ぎるとヘア
ピンアークが不安定になる。通常5〜15mmの範囲
で測定し、両トーチの角度も90〜114゜の範囲で
測定する場合には、A点におけるQ1の値は同一
のものが得られる。ただし交点37とトーチBの
第2外套26端との距離は電源電圧の許す範囲で
任意である。
第2図において、Q1=0のとき、つまり第1
環状チヤンネルに気体を全く流さない場合には、
狭搾孔を通過さすことのできるアーク電流値であ
る最大許容電流値ICは70Aで、二重アークが発
生する。しかし、第2図の測定点の全てで、アー
ク柱20はトーチAの中心軸と同一方向に直進
し、プラズマ炎も直進している。
環状チヤンネルに気体を全く流さない場合には、
狭搾孔を通過さすことのできるアーク電流値であ
る最大許容電流値ICは70Aで、二重アークが発
生する。しかし、第2図の測定点の全てで、アー
ク柱20はトーチAの中心軸と同一方向に直進
し、プラズマ炎も直進している。
次に、上記測定において、トーチAの第2外套
の狭搾孔10のみを直径2.0mm、長さ2.0mmのもの
に変換して、同様の測定をしたものが第3図であ
る。こゝで×印で示した測定点は、第1図の破線
で示したようにアーク柱20が偏つている場合
で、○・印は直進していることを示す。第3図で
は、アーク柱20の偏りの度合を示していない
が、Q1=0のとき偏りが最も大きく、Q1を増加
するにしたがつて減少する。又Q1=0のとき、
二重アークの発生するICは90Aである。
の狭搾孔10のみを直径2.0mm、長さ2.0mmのもの
に変換して、同様の測定をしたものが第3図であ
る。こゝで×印で示した測定点は、第1図の破線
で示したようにアーク柱20が偏つている場合
で、○・印は直進していることを示す。第3図で
は、アーク柱20の偏りの度合を示していない
が、Q1=0のとき偏りが最も大きく、Q1を増加
するにしたがつて減少する。又Q1=0のとき、
二重アークの発生するICは90Aである。
第3図の測定結果から明らかなように、トーチ
Aの第2外套の狭搾孔10の直径を大きくする場
合には、ICを増加(70A→90A)させることが
できるが、アーク柱が偏るためにプラズマ炎も彎
曲することになる。しかし、トーチAのQ(2.0
/min)の一部をQ1として分流し、Q1を0.3〜
0.5/min以上にするとアーク柱は直進し、し
かもICは140A以上にもなる。
Aの第2外套の狭搾孔10の直径を大きくする場
合には、ICを増加(70A→90A)させることが
できるが、アーク柱が偏るためにプラズマ炎も彎
曲することになる。しかし、トーチAのQ(2.0
/min)の一部をQ1として分流し、Q1を0.3〜
0.5/min以上にするとアーク柱は直進し、し
かもICは140A以上にもなる。
なお、トーチ内のアーク柱の偏りとLの増加と
の関係は、外部磁場を印加したり或いは二つの外
套の中心軸をずらしたりするなど補助的実験によ
つても明らかであり、Q1=0における相当部分
(少くともA点以上)のLはトーチ内のアーク柱
の偏りに起因する。
の関係は、外部磁場を印加したり或いは二つの外
套の中心軸をずらしたりするなど補助的実験によ
つても明らかであり、Q1=0における相当部分
(少くともA点以上)のLはトーチ内のアーク柱
の偏りに起因する。
第2図の如く全気体流量Qに対して第2外套の
狭搾孔10の直径が小さい場合には、トーチ内で
アーク柱が偏つていてもトーチ外のアーク柱20
は直進しプラズマ炎も直進する。しかし、今日ま
でのプラズマアークトーチの技術的経験(例え
ば、気体を渦流状にして狭搾孔を通過させる方
法、又は陰極位置を精度良く設定するための方法
や治具など)からして、トーチ内のアーク柱が中
心軸上にあるとICを増大させ得ることが考えら
れる。したがつて、トーチ内のアーク柱の偏りが
第1環状チヤンネルに流すQ1によつて中心軸上
に安定化される場合にはICも増大するはずであ
る。
狭搾孔10の直径が小さい場合には、トーチ内で
アーク柱が偏つていてもトーチ外のアーク柱20
は直進しプラズマ炎も直進する。しかし、今日ま
でのプラズマアークトーチの技術的経験(例え
ば、気体を渦流状にして狭搾孔を通過させる方
法、又は陰極位置を精度良く設定するための方法
や治具など)からして、トーチ内のアーク柱が中
心軸上にあるとICを増大させ得ることが考えら
れる。したがつて、トーチ内のアーク柱の偏りが
第1環状チヤンネルに流すQ1によつて中心軸上
に安定化される場合にはICも増大するはずであ
る。
第4図は上記考察(観点)の下に行つた測定結
果であつて、トーチAの第2環状チヤンネル5内
の圧力であるトーチ内圧力PNとアーク電流Iの
関係を示す。なお、第2外套の狭搾孔10の直径
を1.0mm、長さを約1.0mmとし、それ以外は第2図
の場合と同一の測定条件の下に、分流比Q2:Q1
を、2.0:0、1.8:0.2、1.6:0.4、1.4:
0.6、1.2:0.8(大気圧目盛流量計の読み)に保
つて測定したものである。分流比が,の場合
には1=100A以上、PN=4.0Kg/cm2以上になつ
ても二重アークは発生しない。分流比が,,
の場合には×印の点で二重アークが発生する。
これらの結果からも明らかなように、第2図の如
きQ1対Lの特性曲線のA点から求められたQ1と
実質的に同じか又はそれ以上の流量の場合には、
最大許容電流値ICが著しく増大しており、トー
チ内のアーク柱が中心軸上に安定化されることを
裏付けている。しかし、第4図で分流比がの場
合の傾向から判るように、Q1をあまり増加する
とLが増加するために次第にICが低下し、つい
にはQ1=0すなわち第1環状チヤンネルに気体
を分流しない場合に得られるICよりも減少する
ことになる。したがつて、このように分流しない
場合に得られるICよりも低くなるQ1の値が本発
明の分流比の上限を示すことになる。
果であつて、トーチAの第2環状チヤンネル5内
の圧力であるトーチ内圧力PNとアーク電流Iの
関係を示す。なお、第2外套の狭搾孔10の直径
を1.0mm、長さを約1.0mmとし、それ以外は第2図
の場合と同一の測定条件の下に、分流比Q2:Q1
を、2.0:0、1.8:0.2、1.6:0.4、1.4:
0.6、1.2:0.8(大気圧目盛流量計の読み)に保
つて測定したものである。分流比が,の場合
には1=100A以上、PN=4.0Kg/cm2以上になつ
ても二重アークは発生しない。分流比が,,
の場合には×印の点で二重アークが発生する。
これらの結果からも明らかなように、第2図の如
きQ1対Lの特性曲線のA点から求められたQ1と
実質的に同じか又はそれ以上の流量の場合には、
最大許容電流値ICが著しく増大しており、トー
チ内のアーク柱が中心軸上に安定化されることを
裏付けている。しかし、第4図で分流比がの場
合の傾向から判るように、Q1をあまり増加する
とLが増加するために次第にICが低下し、つい
にはQ1=0すなわち第1環状チヤンネルに気体
を分流しない場合に得られるICよりも減少する
ことになる。したがつて、このように分流しない
場合に得られるICよりも低くなるQ1の値が本発
明の分流比の上限を示すことになる。
以上の測定結果ならびにその説明からも明らか
なように、トーチAとトーチBから成るプラズマ
発生装置を操作するに当つて、トーチAのQ1と
Q2の和(Q)を一定にして作動させ決定したQ1
対Lの特性曲線のA点から求められるQ1と実質
的に同じか又はそれ以上の流量の気体をトーチA
の内側チヤンネルに流すことにより、トーチ内の
アーク柱が中心軸上に安定化される結果、発生す
るプラズマ炎の指向性が一定化し且つ最大許容電
流値ICが著しく増大して熱量が高められるとい
う顕著な効果が得られる。
なように、トーチAとトーチBから成るプラズマ
発生装置を操作するに当つて、トーチAのQ1と
Q2の和(Q)を一定にして作動させ決定したQ1
対Lの特性曲線のA点から求められるQ1と実質
的に同じか又はそれ以上の流量の気体をトーチA
の内側チヤンネルに流すことにより、トーチ内の
アーク柱が中心軸上に安定化される結果、発生す
るプラズマ炎の指向性が一定化し且つ最大許容電
流値ICが著しく増大して熱量が高められるとい
う顕著な効果が得られる。
なお、第2、第3図のQ1対Lの特性曲線にお
いて、最小のLの値を示すA点を、トーチ内のア
ーク柱の偏りによるLが完全に消却された点であ
ると定義することは困難である。しかし、A点か
ら特定されるQ1によつて、トーチ内のアーク柱
の偏りによるLが極めて小さくなることが理解さ
れる。又このA点はQ1対Lの特性曲線から本発
明の操作方法の適切なQ1を求める唯一の極値で
あることが理解される。
いて、最小のLの値を示すA点を、トーチ内のア
ーク柱の偏りによるLが完全に消却された点であ
ると定義することは困難である。しかし、A点か
ら特定されるQ1によつて、トーチ内のアーク柱
の偏りによるLが極めて小さくなることが理解さ
れる。又このA点はQ1対Lの特性曲線から本発
明の操作方法の適切なQ1を求める唯一の極値で
あることが理解される。
第5図は本発明の操作方法に用いる別のプラズ
マ発生装置の一例であつて、トーチA及びトーチ
Bがそれぞれ三つの外套から成り、高活性気体濃
度のプラズマ炎が得られるように構成したもので
ある。図中、第1図の装置と同じ構成要素は同一
符号で示す。第1図の装置の構成と異なる点は、
トーチAにおいて、第1外套4と陰極棒1の間の
第1環状チヤンネル13に第3の外套41を設け
て分割し、第3の環状チヤンネル42とその気体
供給口43を設け、アーク移行用のスイツチ44
を有する電気回路を設けたことである。又トーチ
Bにおいても、第1外套24と第2外套26の間
に第3の外套51を設け、気体供給口53を設け
てある。ただし、トーチBは第1図のものを用い
ても支障はない。
マ発生装置の一例であつて、トーチA及びトーチ
Bがそれぞれ三つの外套から成り、高活性気体濃
度のプラズマ炎が得られるように構成したもので
ある。図中、第1図の装置と同じ構成要素は同一
符号で示す。第1図の装置の構成と異なる点は、
トーチAにおいて、第1外套4と陰極棒1の間の
第1環状チヤンネル13に第3の外套41を設け
て分割し、第3の環状チヤンネル42とその気体
供給口43を設け、アーク移行用のスイツチ44
を有する電気回路を設けたことである。又トーチ
Bにおいても、第1外套24と第2外套26の間
に第3の外套51を設け、気体供給口53を設け
てある。ただし、トーチBは第1図のものを用い
ても支障はない。
第5図の装置は次のようにして動作されるが、
先ず装置に流す全ての気体に不活性気体を用い
る。
先ず装置に流す全ての気体に不活性気体を用い
る。
(1) トーチAにおいて、第3気体45を流し、電
源15に内蔵される高周波電源により陰極棒1
と第3外套41との間にアークを発生させ、次
いでスイツチ44,16を順次開き、スイツチ
17を閉じたままで第2外套6にアーク20′
を移行させいわゆる非移行型のプラズマジエツ
ト装置として動作させる。
源15に内蔵される高周波電源により陰極棒1
と第3外套41との間にアークを発生させ、次
いでスイツチ44,16を順次開き、スイツチ
17を閉じたままで第2外套6にアーク20′
を移行させいわゆる非移行型のプラズマジエツ
ト装置として動作させる。
(2) トーチBにおいて、スイツチ36を閉じ、第
1気体28を流し、補助陰極棒21と第1外套
24との間に非移行型のアーク40′を発生さ
せ、プラズマ気流を二つのトーチの中心軸の交
点37に向けて放出させる。この状態で、 (3) スイツチ17を開くと、符号20,40で示
したヘアピンアークがトーチAの陰極棒1とト
ーチBの第1外套24との間に形成される。こ
こで、 (4) トーチAの第2気体12を流してから第3気
体45を止める。又、トーチBの第2気体32
を流してから第1気体28を止め、スイツチ3
6を開き補助アーク40′も停止する。次に電
源15によりIを調節する。
1気体28を流し、補助陰極棒21と第1外套
24との間に非移行型のアーク40′を発生さ
せ、プラズマ気流を二つのトーチの中心軸の交
点37に向けて放出させる。この状態で、 (3) スイツチ17を開くと、符号20,40で示
したヘアピンアークがトーチAの陰極棒1とト
ーチBの第1外套24との間に形成される。こ
こで、 (4) トーチAの第2気体12を流してから第3気
体45を止める。又、トーチBの第2気体32
を流してから第1気体28を止め、スイツチ3
6を開き補助アーク40′も停止する。次に電
源15によりIを調節する。
(5) 電極保護に必要な流量の不活性気体をトーチ
Aの第3気体45及びトーチBの第3気体55
として流す。ここでトーチAの第2気体12と
トーチBの第2気体32を活性気体に切換え
る。
Aの第3気体45及びトーチBの第3気体55
として流す。ここでトーチAの第2気体12と
トーチBの第2気体32を活性気体に切換え
る。
上記動作手順により第5図のプラズマジエツト
装置のトーチA,B間に形成されたヘアピンアー
クを電源として活性気体のプラズマ炎が発生す
る。
装置のトーチA,B間に形成されたヘアピンアー
クを電源として活性気体のプラズマ炎が発生す
る。
ここで、第1図の場合と同様に、トーチAの全
気体流量Qは第3、第1、第2気体43,8,1
2の各流量Q12,Q11,Q2の和で、一定とし(Q
=Q12+Q11+Q1……一定)、又陰極棒1を保護す
るQ12(不活性気体)も一定とする。
気体流量Qは第3、第1、第2気体43,8,1
2の各流量Q12,Q11,Q2の和で、一定とし(Q
=Q12+Q11+Q1……一定)、又陰極棒1を保護す
るQ12(不活性気体)も一定とする。
そしてQ11を0から増加し第2外套6のLを冷
却水の上昇温度から測定すると、第2,第3図と
同様にQ1(=Q11+Q12)対Lの特性曲線のA点が
求まる。すなわち、A点から求められるアーク柱
を安定化する気体流量であるQ1は、活性気体で
あるQ11と不活性気体であるQ12の和であり、Q12
は一定であるので、活性気体であるQ2の一部を
分流したQ11となる。
却水の上昇温度から測定すると、第2,第3図と
同様にQ1(=Q11+Q12)対Lの特性曲線のA点が
求まる。すなわち、A点から求められるアーク柱
を安定化する気体流量であるQ1は、活性気体で
あるQ11と不活性気体であるQ12の和であり、Q12
は一定であるので、活性気体であるQ2の一部を
分流したQ11となる。
つまり、トーチAの内側チヤンネルである第3
と第1の環状チヤンネル42,3のうち、第3の
環状チヤンネル42は陰極棒を保護するに必要な
一定のQ12である不活性気体を流し、第1の環状
チヤンネル3には前記A点から求まるQ11と実質
的に同じか又はそれ以上の流量の活性気体を流す
ことにより、トーチ内のアーク柱が安定化され、
ICの増大と共に高い活性気体濃度のプラズマ炎
が得られる。
と第1の環状チヤンネル42,3のうち、第3の
環状チヤンネル42は陰極棒を保護するに必要な
一定のQ12である不活性気体を流し、第1の環状
チヤンネル3には前記A点から求まるQ11と実質
的に同じか又はそれ以上の流量の活性気体を流す
ことにより、トーチ内のアーク柱が安定化され、
ICの増大と共に高い活性気体濃度のプラズマ炎
が得られる。
例えば第1図の装置で第1気体8を不活性気体
(アルゴン)、第2気体12を活性気体(空気、酸
素)にして活性気体のプラズマ炎を発生させるこ
とができるが、プラズマ炎の活性気体濃度を上げ
るためQ1を減少させるとICが減少し、反対にI
Cを増大させるためにQ1を増加させると活性気体
濃度が低下し、アーク電圧も低下するという問題
があつた。
(アルゴン)、第2気体12を活性気体(空気、酸
素)にして活性気体のプラズマ炎を発生させるこ
とができるが、プラズマ炎の活性気体濃度を上げ
るためQ1を減少させるとICが減少し、反対にI
Cを増大させるためにQ1を増加させると活性気体
濃度が低下し、アーク電圧も低下するという問題
があつた。
しかし、このような問題も第5図の装置を用い
た前述の本発明の操作方法によつて解消すること
ができた。
た前述の本発明の操作方法によつて解消すること
ができた。
実施例
第5図の装置において、トーチBは第1図のも
のを用い、トーチAを下記条件にして実施した。
のを用い、トーチAを下記条件にして実施した。
第3外套の狭搾孔46: 直径2.6mm
長さ2.0mm
第1 〃 9: 直径4.0mm
長さ3.0mm
第2 〃 10: 直径1.0mm
長さ0.7mm
Q12:アルゴン 0.25/min
(大気圧目盛流量計の読み)
Q11:空気 0.15/min
(大気圧目盛流量計の読み) Q12: 空気 5.6/min
(大気圧目盛流量計の読み) その結果、PN=5Kg/cm2、1=90Aすなわち
電流密度115A/mm2、空気濃度96%で安定に動作
し、プラズマ炎も直進しその指向性は極めて良好
であつた。
(大気圧目盛流量計の読み) Q12: 空気 5.6/min
(大気圧目盛流量計の読み) その結果、PN=5Kg/cm2、1=90Aすなわち
電流密度115A/mm2、空気濃度96%で安定に動作
し、プラズマ炎も直進しその指向性は極めて良好
であつた。
なお、第5図の装置は第1図の装置の内側チヤ
ンネルを第3と第1の二つの環状チヤンネルで構
成して内側チヤンネルに流す気体を分割したもの
である。したがつて、全てのチヤンネルに不活性
気体を流す場合は第1図の装置に相当することに
なり、第1図と同様な作用効果が得られる。
ンネルを第3と第1の二つの環状チヤンネルで構
成して内側チヤンネルに流す気体を分割したもの
である。したがつて、全てのチヤンネルに不活性
気体を流す場合は第1図の装置に相当することに
なり、第1図と同様な作用効果が得られる。
第6図は本発明の操作方法に用いる別のプラズ
マ発生装置の一例であつて、プラズマ炎中に処理
材料を導入して溶射、溶融、化学反応等を行う
種々の工業的応用が効率良く行えるように構成さ
れたものである。
マ発生装置の一例であつて、プラズマ炎中に処理
材料を導入して溶射、溶融、化学反応等を行う
種々の工業的応用が効率良く行えるように構成さ
れたものである。
上記したプラズマ炎を利用する種々の工業的応
用においては、処理材料(金属、非金属の粉末材
又は線材、溶剤など)をプラズマ炎の気体温度の
高い熱源(アーク柱)近くに導入することが望ま
しい。このため今日まで種々の方法が試みられて
いるが、熱源の近くに導入すると溶融した処理材
料が狭搾孔に付着し、狭搾孔の損傷或いは閉塞、
巨大な粒子の発生等安定した作業の継続を中断さ
せるような障害を生ずる。このためやむを得ず、
処理材料は狭搾孔の出口付近或いは放出されたプ
ラズマ炎に導入する方法が現在用いられている。
用においては、処理材料(金属、非金属の粉末材
又は線材、溶剤など)をプラズマ炎の気体温度の
高い熱源(アーク柱)近くに導入することが望ま
しい。このため今日まで種々の方法が試みられて
いるが、熱源の近くに導入すると溶融した処理材
料が狭搾孔に付着し、狭搾孔の損傷或いは閉塞、
巨大な粒子の発生等安定した作業の継続を中断さ
せるような障害を生ずる。このためやむを得ず、
処理材料は狭搾孔の出口付近或いは放出されたプ
ラズマ炎に導入する方法が現在用いられている。
一方、トーチAとトーチB間にヘアピンアーク
を形成してプラズマ炎を発生させる方法は、従来
汎用されているプラズマ発生装置の如き器壁(狭
搾孔)を用いずにプラズマ炎を発生させることが
できる利点がある。しかし、この方法の重大な欠
点は前述したように気体流量、電流によつて、ヘ
アピンアーク及び発生するプラズマ炎の方向が変
化することである。そのため処理材料の加熱の割
合が変化したり、或いは加熱された処理材料の飛
翔方向が変つたりして、実用化は困難であつた。
を形成してプラズマ炎を発生させる方法は、従来
汎用されているプラズマ発生装置の如き器壁(狭
搾孔)を用いずにプラズマ炎を発生させることが
できる利点がある。しかし、この方法の重大な欠
点は前述したように気体流量、電流によつて、ヘ
アピンアーク及び発生するプラズマ炎の方向が変
化することである。そのため処理材料の加熱の割
合が変化したり、或いは加熱された処理材料の飛
翔方向が変つたりして、実用化は困難であつた。
しかし、上記諸問題も第6図の装置を用いた本
発明の操作方法により解決することができる。
発明の操作方法により解決することができる。
第6図の装置のトーチA及びトーチBの構成は
第1図とほとんど同じであり、同一構成要素は同
一の符号で示す。第1図と異なる点は、構成部材
56によつてトーチAとトーチBが絶縁物57を
介して固定され、処理材料導入管58が絶縁物5
9を介して構成部材に取付けられていることであ
る。なお、導入管58の導入口60の中心軸はヘ
アピンアーク20に交わり、処理材料がヘアピン
アーク部分に導入できるようになつている。又、
トーチBの中心軸に対して第2外套26の狭搾孔
30を曲げてあり、加工作業の障害となるトーチ
Bの下方への突出を除いている。
第1図とほとんど同じであり、同一構成要素は同
一の符号で示す。第1図と異なる点は、構成部材
56によつてトーチAとトーチBが絶縁物57を
介して固定され、処理材料導入管58が絶縁物5
9を介して構成部材に取付けられていることであ
る。なお、導入管58の導入口60の中心軸はヘ
アピンアーク20に交わり、処理材料がヘアピン
アーク部分に導入できるようになつている。又、
トーチBの中心軸に対して第2外套26の狭搾孔
30を曲げてあり、加工作業の障害となるトーチ
Bの下方への突出を除いている。
この装置の操作方法は第1,第5図と全く同じ
であり、超音速のアーク柱20から長大な層流プ
ラズマ炎を作る低速のアーク柱20まで指向性が
一定に保たれ、得られるプラズマ炎の指向性を一
定に保つことができる。そのため、処理材料をプ
ラズマ炎の熱源部に安定して供給することがで
き、しかも高温高速という特徴は従来の汎用装置
よりも優れている。
であり、超音速のアーク柱20から長大な層流プ
ラズマ炎を作る低速のアーク柱20まで指向性が
一定に保たれ、得られるプラズマ炎の指向性を一
定に保つことができる。そのため、処理材料をプ
ラズマ炎の熱源部に安定して供給することがで
き、しかも高温高速という特徴は従来の汎用装置
よりも優れている。
実施例
第6図の装置において、トーチAを第5図の三
つの外套から成るトーチAにおきかえ、次の条件
で実施した。
つの外套から成るトーチAにおきかえ、次の条件
で実施した。
Q12:アルゴン 0.2/min
(大気圧目盛流量計の読み)
Q11:空 気 0.15/min( 〃 )
Q2:空 気 2.5/min( 〃 )
アーク電圧: 170V、1=130A
その結果、約40cmの長大な層流プラズマ炎が得
られ、これに純アルミナ粉末を導入することによ
り、直径400μ以上の球状化が実現できた。な
お、約22KVの入力でこのような処理は従来の装
置では全く不可能なものである。
られ、これに純アルミナ粉末を導入することによ
り、直径400μ以上の球状化が実現できた。な
お、約22KVの入力でこのような処理は従来の装
置では全く不可能なものである。
以上詳述したように、本発明はトーチAとトー
チBから成るプラズマ発生装置を操作するに当つ
て、トーチAの少なくとも二つの環状チヤンネル
から気体を適切な割合の流量で流すことにより、
トーチ内のアーク柱を中心軸上に安定化し、発生
するプラズマ炎の熱量を高め且つ指向性を一定化
する顕著な効果を有するものであり、プラズヤ炎
の工業的応用に極めて貢献するものである。
チBから成るプラズマ発生装置を操作するに当つ
て、トーチAの少なくとも二つの環状チヤンネル
から気体を適切な割合の流量で流すことにより、
トーチ内のアーク柱を中心軸上に安定化し、発生
するプラズマ炎の熱量を高め且つ指向性を一定化
する顕著な効果を有するものであり、プラズヤ炎
の工業的応用に極めて貢献するものである。
第1図は本発明の操作方法に用いるプラズマ発
生装置の一例を示す断面図、第2図と第3図は第
1図の装置を用いて得られた気体流量対熱損失の
特性曲線の一例を示す。第4図は第1図の装置を
用いて得られた分流比別のアーク電流対トーチ内
圧力の特性曲線の一例を示す。第5図と第6図は
本発明の操作方法に用いる別のプラズマ発生装置
の一例をそれぞれ示す断面図。 図中の符号:1…陰極棒、3…第1環状チヤン
ネル、4…第1外套、5…第2環状チヤンネル、
6…第2外套、8…第1気体、9,10…狭搾
孔、12…第2気体、20…アーク柱、40…ア
ーク柱、41…第3外套、42…第3環状チヤン
ネル、45…第3気体、46…狭搾孔、56…構
成部材、58…処理材料導入管、60…導入口。
生装置の一例を示す断面図、第2図と第3図は第
1図の装置を用いて得られた気体流量対熱損失の
特性曲線の一例を示す。第4図は第1図の装置を
用いて得られた分流比別のアーク電流対トーチ内
圧力の特性曲線の一例を示す。第5図と第6図は
本発明の操作方法に用いる別のプラズマ発生装置
の一例をそれぞれ示す断面図。 図中の符号:1…陰極棒、3…第1環状チヤン
ネル、4…第1外套、5…第2環状チヤンネル、
6…第2外套、8…第1気体、9,10…狭搾
孔、12…第2気体、20…アーク柱、40…ア
ーク柱、41…第3外套、42…第3環状チヤン
ネル、45…第3気体、46…狭搾孔、56…構
成部材、58…処理材料導入管、60…導入口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 正極性外套式プラズマアークトーチとこのト
ーチに対し交差する方向に配置した逆極性外套式
プラズマアークトーチとから成るプラズマ発生装
置の操作方法において、前記の正極性外套式プラ
ズマアークトーチの内側チヤンネルの気体流量と
外側チヤンネルの気体流量との和を一定にして作
動させ決定した内側チヤンネルの気体流量対熱損
失の特性曲線の極値座標の流量と実質的に同じか
又はそれ以上の流量の気体を、前記の正極性外套
式プラズマアークトーチの内側チヤンネルに流す
ことを特徴とするプラズマ発生装置の操作方法。 2 正極性外套式プラズマアークトーチとこのト
ーチに対し交差する方向に配置した逆極性外套式
プラズマアークトーチとから成るプラズマ発生装
置の操作方法において、前記の正極性外套式プラ
ズマアークトーチの内側チヤンネルの気体流量と
外側チヤンネルの気体流量との和を一定にして作
動させ決定した内側チヤンネルの気体流量対熱損
失の特性曲線の極値座標の流量と実質的に同じか
又はそれ以上の流量の気体を、前記の正極性外套
式プラズマアークトーチの内側チヤンネルに流し
てヘアピンアークを形成し、このヘアピンアーク
に処理材料を導入することを特徴とするプラズマ
発生装置の操作方法。 3 前記の正極性外套式プラズヤアークトーチが
陰極棒と、この陰極棒を取囲む第1の環状チヤン
ネルを限定する第1の外套と、この外套を取囲む
第2の環状チヤンネルを限定する第2の外套を有
し、前記の内側チヤンネルが前記の第1の環状チ
ヤンネルであり、前記の外側チヤンネルが前記の
第2の環状チヤンネルである特許請求の範囲第1
項に記載のプラズマ発生装置の操作方法。 4 前記の正極性外套式プラズマアークトーチが
陰極棒と、この陰極棒を取囲む第1の環状チヤン
ネルを限定する第1の外套と、この外套を取囲む
第2の環状チヤンネルを限定する第2の外套を有
し、前記の内側チヤンネルが前記の第1の環状チ
ヤンネルであり、前記の外側チヤンネルが前記の
第2の環状チヤンネルである特許請求の範囲第2
項に記載のプラズマ発生装置の操作方法。 5 前記の正極性外套式プラズマアークトーチが
陰極棒と、この陰極棒を取囲む第3の環状チヤン
ネルを限定する第3の外套と、この第3の外套を
取囲む第1の環状チヤンネルを限定する第1の外
套と、この外套を取囲む第2の環状チヤンネルを
限定する第2の外套を有し、前記の内側チヤンネ
ルが前記の第3と第1の環状チヤンネルであり、
前記の外側チヤンネルが前記の第2の環状チヤン
ネルである特許請求の範囲第1項に記載のプラズ
マ発生装置の操作方法。 6 前記の第1の環状チヤンネルに不活性気体を
流し、前記の第2の環状チヤンネルに不活性気体
又は活性気体を流す特許請求の範囲第3項に記載
のプラズマ発生装置の操作方法。 7 前記の第1の環状チヤンネルに不活性気体を
流し、前記の第2の環状チヤンネルに不活性気体
又は活性気体を流す特許請求の範囲第4項に記載
のプラズマ発生装置の操作方法。 8 前記の第3の環状チヤンネルに不活性気体を
流し、前記の第1と第2の環状チヤンネルに不活
性気体又は活性気体を流す特許請求の範囲第5項
に記載のプラズマ発生装置の操作方法。 9 前記の処理材料が被覆粉末材又は被覆線材で
ある特許請求の範囲第2項に記載のプラズマ発生
装置の操作方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363079A JPS55117577A (en) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | Operating method of plasma generator |
| US06/124,938 US4341941A (en) | 1979-03-01 | 1980-02-26 | Method of operating a plasma generating apparatus |
| FR8004571A FR2450548A1 (fr) | 1979-03-01 | 1980-02-29 | Procede de mise en oeuvre d'un generateur de plasma |
| DE19803007826 DE3007826A1 (de) | 1979-03-01 | 1980-02-29 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines plasmas |
| GB8007133A GB2045040B (en) | 1979-03-01 | 1980-03-03 | Method of operating a plasma jet generator |
| US06/307,312 US4439662A (en) | 1979-03-01 | 1981-09-30 | Method of operating a plasma generating apparatus |
| GB08225766A GB2116408B (en) | 1979-03-01 | 1982-09-09 | Method of operating a plasma jet generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2363079A JPS55117577A (en) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | Operating method of plasma generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55117577A JPS55117577A (en) | 1980-09-09 |
| JPS6120120B2 true JPS6120120B2 (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=12115899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2363079A Granted JPS55117577A (en) | 1979-03-01 | 1979-03-01 | Operating method of plasma generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55117577A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150341A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Onoda Cement Co Ltd | 複合トーチ型プラズマ発生装置とその装置を用いたプラズマ発生方法 |
| CA2405743C (en) * | 2000-04-10 | 2009-09-15 | Tetronics Limited | Twin plasma torch apparatus |
| US9994450B2 (en) * | 2007-07-06 | 2018-06-12 | Evaco, Llc | Method and apparatus for a low cost and carbon free point of use dissociation of water into elemental gases and production of hydrogen related power |
-
1979
- 1979-03-01 JP JP2363079A patent/JPS55117577A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55117577A (en) | 1980-09-09 |
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