JPS6120212A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6120212A JPS6120212A JP14111284A JP14111284A JPS6120212A JP S6120212 A JPS6120212 A JP S6120212A JP 14111284 A JP14111284 A JP 14111284A JP 14111284 A JP14111284 A JP 14111284A JP S6120212 A JPS6120212 A JP S6120212A
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- film magnetic
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に高記
録密度のシステム用の書込みおよび読出しを兼用する薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
録密度のシステム用の書込みおよび読出しを兼用する薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
薄膜磁性ヘッドは薄い磁性薄膜を用いることにより、磁
界をヘッド先端に鋭く集中させることができるので、高
い磁気記録密度を実現することができるという特徴を有
している。
界をヘッド先端に鋭く集中させることができるので、高
い磁気記録密度を実現することができるという特徴を有
している。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す拡大断面図
であって、基板ｌ上に下部磁性体２、一端にギャップ３
を形成する絶縁体４、導体巻線５および上部磁性体６を
順次堆積したもので、磁気媒体に対面する先端部７は磁
気媒体の走行方向に平行に切り取られて構成されている
。なお、下部磁性体２と上部磁性体６の後端は磁気的に
接続され、ギャップ３の切欠き部分を除き閉磁路を形成
している。
であって、基板ｌ上に下部磁性体２、一端にギャップ３
を形成する絶縁体４、導体巻線５および上部磁性体６を
順次堆積したもので、磁気媒体に対面する先端部７は磁
気媒体の走行方向に平行に切り取られて構成されている
。なお、下部磁性体２と上部磁性体６の後端は磁気的に
接続され、ギャップ３の切欠き部分を除き閉磁路を形成
している。
このように構成してなる薄膜磁気ヘッドにおける上下部
磁性体の先端部の厚さはボール長（Ｐ）、上下部磁性体
の先端部の間隔はギャップ長（Ｇ、）と呼ばれている。
磁性体の先端部の厚さはボール長（Ｐ）、上下部磁性体
の先端部の間隔はギャップ長（Ｇ、）と呼ばれている。
書込電流が小さく、パターンシフトが小さく、読出電圧
の記録密度特性の良好な高記録密度の薄膜磁気ヘッドを
得るには、上記ポール長Ｐおよびギャップ長Ｇ、と最小
記録波長λとの関係は、特開昭５２−９２７０９号公報
に示されているよ５に、２Ｐ十Ｇ、＜λの式を満足する
必要がある旨開示されている。例えば、磁気媒体の磁化
反部密度が４００＠／ｗとすると、記録波長は５／ｊｍ
となり、２Ｐ十Ｇ、＜λ（＝５μｍ）を満すＰＸ’ｄ、
の値は、例えばＰ＝２ （μｍ）、Ｇ、＝１（μｍ）以
下となり極めて小さな値となる。
の記録密度特性の良好な高記録密度の薄膜磁気ヘッドを
得るには、上記ポール長Ｐおよびギャップ長Ｇ、と最小
記録波長λとの関係は、特開昭５２−９２７０９号公報
に示されているよ５に、２Ｐ十Ｇ、＜λの式を満足する
必要がある旨開示されている。例えば、磁気媒体の磁化
反部密度が４００＠／ｗとすると、記録波長は５／ｊｍ
となり、２Ｐ十Ｇ、＜λ（＝５μｍ）を満すＰＸ’ｄ、
の値は、例えばＰ＝２ （μｍ）、Ｇ、＝１（μｍ）以
下となり極めて小さな値となる。
筺た、高密度記録等の再生時において、連続した磁束反
転の間隔が小さくなった時に見られる再生波長のピーク
のずれをピークシフトと呼はれるが、このピークシフト
を小さくする公知技術としては、Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ
Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ＷｒｉＢｎｇ ａｎｄＲＪｅ
ａｄｉｎｇ ｗｉｔｎ ｍｕｌｔｉｔｕｒｎ ｆｉｌｍ
Ｈｅａｄｓ 。
転の間隔が小さくなった時に見られる再生波長のピーク
のずれをピークシフトと呼はれるが、このピークシフト
を小さくする公知技術としては、Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ
Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ＷｒｉＢｎｇ ａｎｄＲＪｅ
ａｄｉｎｇ ｗｉｔｎ ｍｕｌｔｉｔｕｒｎ ｆｉｌｍ
Ｈｅａｄｓ 。
ＩＥＥＥ 、 ’Ｉ’ｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃｓ 、 ＶｏＬ。
ａｇｎｅｔｉｃｓ 、 ＶｏＬ。
ＭＡＧ −１６、Ａ ５ 、 Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ
ｌ ９８Ｑ に示されるように、上記ポール長Ｐを記録
波長λの１／４以下にすることが重要であることが開示
されている。
ｌ ９８Ｑ に示されるように、上記ポール長Ｐを記録
波長λの１／４以下にすることが重要であることが開示
されている。
ところで、この小さなポール長Ｐを得る手段として、下
部磁性体２および上部磁性体６の厚さｔ。を薄くするこ
とが容易に考えられる。しかしながら、ｔ、を薄くする
と上下部磁性体２，６は容易に磁気的に飽和してしまう
ので、ギャップ３においては記録媒体を磁化するのに十
分に強い磁界Ｈａを得ることができない。特に、上部磁
性体６と下部磁性体２との間に導体巻線５をはさみ込む
ために、下部磁性体２と上部磁性体６との間隔は導体巻
線５の厚さ以上にする必要がある。一方、磁気ヘッドの
先端における下部磁性体と上部磁性体との間にはギャッ
プ長Ｇ、と等しい間隔を設けなければならない。そのた
めに、上下磁性体のいずれか一方例えば上部磁性体６は
図に示すようにギャップ３の後方に向って傾斜する斜面
部分をもつ構造となる。このようなｆｐｒ面部分を有す
る上部磁性体６を蒸着法等により形成する際、上部磁性
体６の斜面部分の厚さｔ、は、斜面の傾きをθとすると
必然的に”ｍ ＝ ｔ 、 ＣＯＢθとなり、他の水平
部分より薄くなる。そのために、上部磁性体６の斜面部
分は、記録時に閉磁路の他の部分よりも磁気的に飽和し
易くなり、ギャップ３においてより強い記録磁界Ｈａを
得ることができなくなる。また一方、情報を記録媒体圧
書込む際に、上下部磁性体２，６の磁気的飽和を避けて
ギャップ３に強い記録磁界を得るためにはず上下部磁性
体の先端平行部の長さすなわち磁気ギャップ深さＧａを
小さくする方法が考えられる。しかしながら、この方法
では磁性体の膜厚ｔ、を２μｍ程度に薄くしたときには
、磁気ギャップ深さＧａを３μｍ程度に極端に小さくす
る必要がある。
部磁性体２および上部磁性体６の厚さｔ。を薄くするこ
とが容易に考えられる。しかしながら、ｔ、を薄くする
と上下部磁性体２，６は容易に磁気的に飽和してしまう
ので、ギャップ３においては記録媒体を磁化するのに十
分に強い磁界Ｈａを得ることができない。特に、上部磁
性体６と下部磁性体２との間に導体巻線５をはさみ込む
ために、下部磁性体２と上部磁性体６との間隔は導体巻
線５の厚さ以上にする必要がある。一方、磁気ヘッドの
先端における下部磁性体と上部磁性体との間にはギャッ
プ長Ｇ、と等しい間隔を設けなければならない。そのた
めに、上下磁性体のいずれか一方例えば上部磁性体６は
図に示すようにギャップ３の後方に向って傾斜する斜面
部分をもつ構造となる。このようなｆｐｒ面部分を有す
る上部磁性体６を蒸着法等により形成する際、上部磁性
体６の斜面部分の厚さｔ、は、斜面の傾きをθとすると
必然的に”ｍ ＝ ｔ 、 ＣＯＢθとなり、他の水平
部分より薄くなる。そのために、上部磁性体６の斜面部
分は、記録時に閉磁路の他の部分よりも磁気的に飽和し
易くなり、ギャップ３においてより強い記録磁界Ｈａを
得ることができなくなる。また一方、情報を記録媒体圧
書込む際に、上下部磁性体２，６の磁気的飽和を避けて
ギャップ３に強い記録磁界を得るためにはず上下部磁性
体の先端平行部の長さすなわち磁気ギャップ深さＧａを
小さくする方法が考えられる。しかしながら、この方法
では磁性体の膜厚ｔ、を２μｍ程度に薄くしたときには
、磁気ギャップ深さＧａを３μｍ程度に極端に小さくす
る必要がある。
以下、この点について詳しく説明する。
新情報の書込みおよび旧情報の消去を兼ねるディスク用
ヘッドにおいて、ギャップ３に発生すべき磁界Ｈ，Ｆｉ
記録媒体の保磁力の５〜１０倍程度を見込む必要がある
。ここで、ヘッドの先端幅すなわち第１図の紙面直角方
向の幅をＷとすると、ギャップ３における漏れ磁束ΦＧ
は次式で表わされる。
ヘッドにおいて、ギャップ３に発生すべき磁界Ｈ，Ｆｉ
記録媒体の保磁力の５〜１０倍程度を見込む必要がある
。ここで、ヘッドの先端幅すなわち第１図の紙面直角方
向の幅をＷとすると、ギャップ３における漏れ磁束ΦＧ
は次式で表わされる。
Φｏ ＝１１ｏＸＨａ ＸＷＸＧｔ ・”（
１）一方、上部磁性体６内を流れる最大磁束量ΦＣは次
式となる。
１）一方、上部磁性体６内を流れる最大磁束量ΦＣは次
式となる。
Φｃ ＝Ｂｍ ＸＷＸ ｔ。 −（２
）ΦＣ≦ΦＧであシ、ギャップ深さＧｄの許容最大値は
次式となる。
）ΦＣ≦ΦＧであシ、ギャップ深さＧｄの許容最大値は
次式となる。
（３）式でＢｓ＝１万ガウメガウス＠ ＝２ ＡｍＳ
ｉ（Ｇ ＝５千エルステッドとすれば、Ｇｄの許容最大
値は４μｍとなる。また、蒸着、スパッタリング等の方
法によシ上部磁性体６を堆積する際に、斜面部分の厚さ
ｔ／、が薄くなり、Ｇｄの許容最大値はさらに小さくな
る。例えば、斜面部分の傾斜角θが４５度のとき、ｔ′
。＝＝ｔ、−ｃｏｓ４５°を式（３）ニ代入して計算す
ると許容最大値Ｇａ＃−１：、Ｇａ５２８μｍと極めて
小さな値となる。すなわち、磁気ヘッドにおいて、磁性
体厚さｔ、、ｔ’、を薄くせずに磁気コアの磁気抵抗を
できるだけ小さくしたままで、磁性体の先端のポール長
さＰを特に小さくする必要がある。このように磁性体の
膜厚を薄くすることなく、ヘッド先端部のポール長Ｐを
極小にする方法としては、第２図に示すように、磁気ヘ
ッドの磁性体先端に設けた平面の互に遠ざかる位置にあ
る端部８ａ、 ８ｂを非磁性領域にすることが知られて
いる。それによれば、第２図に示すように、記録媒体に
対面する磁性体の表面を切削した後に薄膜の上、Ｆ部磁
性体２．６の先端の互いに遠ざかる位置にある端部にホ
ット・レジスト等で形成したマスクを設け、その上面か
ら酸素イオンを打ち込んで磁性体を酸化せしめて、非磁
性あるいは弱磁性領域を形成するものである。しかしな
がらこの従来の磁気ヘッドを製造する方法では、ポール
部分９ａ、９ｂにマスク合わせを行うことが必要であり
、例えばポール長Ｐを２μｍとして±２０％以内の精度
で製作するには、マスク合わせ金する際に１Ｆ谷される
ずれは０．４μｍ１すなわち光の波長以下となる。した
がって、従来の磁気ヘッドの製造方法ではボール長Ｐを
極小にする際に、マスク合わせが不可能とな９、高記録
密度の磁気薄膜磁気ヘッドが得られないという問題点を
有していた。
ｉ（Ｇ ＝５千エルステッドとすれば、Ｇｄの許容最大
値は４μｍとなる。また、蒸着、スパッタリング等の方
法によシ上部磁性体６を堆積する際に、斜面部分の厚さ
ｔ／、が薄くなり、Ｇｄの許容最大値はさらに小さくな
る。例えば、斜面部分の傾斜角θが４５度のとき、ｔ′
。＝＝ｔ、−ｃｏｓ４５°を式（３）ニ代入して計算す
ると許容最大値Ｇａ＃−１：、Ｇａ５２８μｍと極めて
小さな値となる。すなわち、磁気ヘッドにおいて、磁性
体厚さｔ、、ｔ’、を薄くせずに磁気コアの磁気抵抗を
できるだけ小さくしたままで、磁性体の先端のポール長
さＰを特に小さくする必要がある。このように磁性体の
膜厚を薄くすることなく、ヘッド先端部のポール長Ｐを
極小にする方法としては、第２図に示すように、磁気ヘ
ッドの磁性体先端に設けた平面の互に遠ざかる位置にあ
る端部８ａ、 ８ｂを非磁性領域にすることが知られて
いる。それによれば、第２図に示すように、記録媒体に
対面する磁性体の表面を切削した後に薄膜の上、Ｆ部磁
性体２．６の先端の互いに遠ざかる位置にある端部にホ
ット・レジスト等で形成したマスクを設け、その上面か
ら酸素イオンを打ち込んで磁性体を酸化せしめて、非磁
性あるいは弱磁性領域を形成するものである。しかしな
がらこの従来の磁気ヘッドを製造する方法では、ポール
部分９ａ、９ｂにマスク合わせを行うことが必要であり
、例えばポール長Ｐを２μｍとして±２０％以内の精度
で製作するには、マスク合わせ金する際に１Ｆ谷される
ずれは０．４μｍ１すなわち光の波長以下となる。した
がって、従来の磁気ヘッドの製造方法ではボール長Ｐを
極小にする際に、マスク合わせが不可能とな９、高記録
密度の磁気薄膜磁気ヘッドが得られないという問題点を
有していた。
本発明の目的は、高記憶密度で書込み、再生する磁気記
録システム用磁気ヘッドを磁気コア厚さを薄くすること
なく、かつ磁気ギャップ深さＧａを小さくすることなく
、低コストで効率よく生産することができる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
録システム用磁気ヘッドを磁気コア厚さを薄くすること
なく、かつ磁気ギャップ深さＧａを小さくすることなく
、低コストで効率よく生産することができる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
本発明は、２以上の薄膜磁性体を積層して薄膜磁気ヘッ
ド本体を形成し、外層薄膜磁性体のギャップ形成端部の
一部を切除し、この切除部に非磁性体を充填して高記録
密度のシステム用の書込みおよび読出しを兼用する薄膜
磁気ヘッドの製造方法である。
ド本体を形成し、外層薄膜磁性体のギャップ形成端部の
一部を切除し、この切除部に非磁性体を充填して高記録
密度のシステム用の書込みおよび読出しを兼用する薄膜
磁気ヘッドの製造方法である。
上記の製造方法の対象となる薄膜磁気ヘッドは、例えば
第３図に示すように、基板１上にスパッタリング法、メ
ッキ法等によシ下部磁性体２を薄い絶縁層１０を介在さ
せて２層２ａ、２ｂに形成し、そして上部磁性体を薄い
絶縁層１１を介在させて２層６ａ、 ６ｂに形成し、前
記上下磁性体との間に導体巻線５を配設して構成されて
いる。さらに、この上下部磁性体は後端部が磁性的に接
続され、その先端部をギャップ３をはさんで互に分離し
て磁極を形成している。さらに磁極におけるボール長Ｐ
の一部をなす外層の薄膜磁性体層２ｂ、６ｂの一端部は
切除され、その切除部に非磁性体が充填されている。
第３図に示すように、基板１上にスパッタリング法、メ
ッキ法等によシ下部磁性体２を薄い絶縁層１０を介在さ
せて２層２ａ、２ｂに形成し、そして上部磁性体を薄い
絶縁層１１を介在させて２層６ａ、 ６ｂに形成し、前
記上下磁性体との間に導体巻線５を配設して構成されて
いる。さらに、この上下部磁性体は後端部が磁性的に接
続され、その先端部をギャップ３をはさんで互に分離し
て磁極を形成している。さらに磁極におけるボール長Ｐ
の一部をなす外層の薄膜磁性体層２ｂ、６ｂの一端部は
切除され、その切除部に非磁性体が充填されている。
このように磁極の先端部に非磁性体を充填するように構
成する薄膜磁気ヘッドでは、先端部のボール長Ｐを小さ
くするとともに、書込み動作時に薄膜磁性体が磁気飽和
することなく高記録密度化を図ることができる。
成する薄膜磁気ヘッドでは、先端部のボール長Ｐを小さ
くするとともに、書込み動作時に薄膜磁性体が磁気飽和
することなく高記録密度化を図ることができる。
以下、本発明の実施例を図によって説明する。
第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示
す工程説明図であって、積層工程、切除工程および充填
工程からなる。次罠各工程別に説明する。
す工程説明図であって、積層工程、切除工程および充填
工程からなる。次罠各工程別に説明する。
積層工程
この積層工程では、まず基板１上にスパッタリング法あ
るいはメッキ法などにより下部磁性体２、絶縁体４およ
び上部磁性体６を順次積層し、かつ下部磁性体２を絶縁
体１０を介在させて２層２ａ。
るいはメッキ法などにより下部磁性体２、絶縁体４およ
び上部磁性体６を順次積層し、かつ下部磁性体２を絶縁
体１０を介在させて２層２ａ。
２ｂに形成するとともに、上部磁性体６を同様に絶縁体
１１を介在させて２層６ａ、６ｂに形成して薄膜磁気ヘ
ッド本体を形成する。この２層からなる上下部磁性体２
，６を積層するに際し、各外層を被エツチング速度の大
きい磁性材料たとえばＦｅ−Ｎ１（組成比でＦ ｅ １
８．５％：Ｎｉ８１．５％）ＫＣｒあるいはＡｕ、ｐｔ
などの貴金属を微量添加した磁性材料で構成し、一方各
内層２ａ。
１１を介在させて２層６ａ、６ｂに形成して薄膜磁気ヘ
ッド本体を形成する。この２層からなる上下部磁性体２
，６を積層するに際し、各外層を被エツチング速度の大
きい磁性材料たとえばＦｅ−Ｎ１（組成比でＦ ｅ １
８．５％：Ｎｉ８１．５％）ＫＣｒあるいはＡｕ、ｐｔ
などの貴金属を微量添加した磁性材料で構成し、一方各
内層２ａ。
６ａに鉱被エツチング速度の小さい磁性材料たとえばＦ
ｅ−Ｎｉ合金（組成比でＦｅ１８゜５％：Ｎｉ８１．５
％）で形成して各磁性体の内外層において化学的エツチ
ングによる被エツチング速度の差異を設けるようにして
形成する。続いて図示しない薄い膜磁気ヘッドの後端部
を磁気的に接続して閉磁路を形成する一方、ヘッドの先
端部を切削加工して積層断面７を形成する。この積層断
面７は基板１、下部磁性体２ｂ、’ｌａ、ギャップ３お
よび上部磁性体６ａ、６ｂからなるう 切除工程 次に、薄膜磁気ヘッド本体の積層断面７を化学的エツチ
ング法によシエッチング処理を施す。上下部磁性体２．
６の各内層２ａ、６ａよシ被エツチング速度の大きい各
外層２ｂ、６ｂが選沢的にエツチングされ、磁気ヘッド
本体の先端部における外層２ｂ、６ｂの一部端部が切除
され、凹部が形成される。なお、上下部磁性体における
内外層の磁性材を同一にした場合においても、外層の厚
さを内層の厚さより大きくすることにより、エツチング
液の循環の差を利用してエツチング速度に差をつけるこ
とができる。さらに、他の切除方法としては、上下部磁
性体２，６を積層する際に、層間に絶縁層１０．１１を
介在させないで、化学的エツチング法において内外層間
に局部電池を形成させ、極部電池反応を利用して外層２
ｂ、６ｂを選沢的にエツチングすることができる。
ｅ−Ｎｉ合金（組成比でＦｅ１８゜５％：Ｎｉ８１．５
％）で形成して各磁性体の内外層において化学的エツチ
ングによる被エツチング速度の差異を設けるようにして
形成する。続いて図示しない薄い膜磁気ヘッドの後端部
を磁気的に接続して閉磁路を形成する一方、ヘッドの先
端部を切削加工して積層断面７を形成する。この積層断
面７は基板１、下部磁性体２ｂ、’ｌａ、ギャップ３お
よび上部磁性体６ａ、６ｂからなるう 切除工程 次に、薄膜磁気ヘッド本体の積層断面７を化学的エツチ
ング法によシエッチング処理を施す。上下部磁性体２．
６の各内層２ａ、６ａよシ被エツチング速度の大きい各
外層２ｂ、６ｂが選沢的にエツチングされ、磁気ヘッド
本体の先端部における外層２ｂ、６ｂの一部端部が切除
され、凹部が形成される。なお、上下部磁性体における
内外層の磁性材を同一にした場合においても、外層の厚
さを内層の厚さより大きくすることにより、エツチング
液の循環の差を利用してエツチング速度に差をつけるこ
とができる。さらに、他の切除方法としては、上下部磁
性体２，６を積層する際に、層間に絶縁層１０．１１を
介在させないで、化学的エツチング法において内外層間
に局部電池を形成させ、極部電池反応を利用して外層２
ｂ、６ｂを選沢的にエツチングすることができる。
充填工程
次に、切除工程において切除された凹部に非磁性材をス
パッタリング法によシ充填した後、充填した余剰の非磁
性材を切削研磨によシ取り除くと同時に、所定のギャッ
プ深さくｄｄ）になるようにヘッド先端部を切削研磨す
る。充填方法としては、スパッタリング方法の代わりに
、上下部磁性体の外層を電極とするメッキ法によること
も適宜で１、その他既存の充填方法を用いることができ
る。このように上記の積層、切除および充填工程を経て
得られる薄膜磁気ヘッドによれば、磁極先端部の互に遠
ざかる位置にある領域に非磁性（弱磁性を含む）の部分
を有し、ギャップ長Ｐを小さくすることができるととも
に、ギャップ深さＧ−を任意に形成することができる。
パッタリング法によシ充填した後、充填した余剰の非磁
性材を切削研磨によシ取り除くと同時に、所定のギャッ
プ深さくｄｄ）になるようにヘッド先端部を切削研磨す
る。充填方法としては、スパッタリング方法の代わりに
、上下部磁性体の外層を電極とするメッキ法によること
も適宜で１、その他既存の充填方法を用いることができ
る。このように上記の積層、切除および充填工程を経て
得られる薄膜磁気ヘッドによれば、磁極先端部の互に遠
ざかる位置にある領域に非磁性（弱磁性を含む）の部分
を有し、ギャップ長Ｐを小さくすることができるととも
に、ギャップ深さＧ−を任意に形成することができる。
さらに、本発明に係る製造方法では、２層以上の薄膜磁
性体の選沢エッチ性を利用して磁気ヘッド先端部の一部
を切除するため、ホットレジストなどで形成したマスク
を設ける必要はなく、精度の高いギャップ長Ｐを設定す
ることができる。
性体の選沢エッチ性を利用して磁気ヘッド先端部の一部
を切除するため、ホットレジストなどで形成したマスク
を設ける必要はなく、精度の高いギャップ長Ｐを設定す
ることができる。
このようにして得られた薄膜磁気ヘッドは、磁極の先端
部の互いに遠ざかる位置Ｋｌる領域が非磁性または弱磁
性となるので、相対向する磁極先端のポール長Ｐを小さ
くすることができる。そのため、磁極の先端付近におい
て磁束分布密度が下がシ、書き込み時にはギャップに強
い磁界が得られ、読み出し時にはピークシフトの低減効
果を得ることができる。
部の互いに遠ざかる位置Ｋｌる領域が非磁性または弱磁
性となるので、相対向する磁極先端のポール長Ｐを小さ
くすることができる。そのため、磁極の先端付近におい
て磁束分布密度が下がシ、書き込み時にはギャップに強
い磁界が得られ、読み出し時にはピークシフトの低減効
果を得ることができる。
第５図は垂直磁気記録に用いる単磁極ヘッドの一例を示
す断面説明図である。この垂直磁気記録に用いる単磁極
ヘッドにおいて、高密度記録を実現するにはポール長の
短いヘッドを形成する必要がある。図において、１０１
は磁性体、１０２および１０３は磁性体１０１の両面に
絶縁体１０４および１０５を介在させて配設した磁性体
であって、磁性体１０２，１０３は磁性体１０１よシ被
エツチング速度の大きな材質で形成されている。
す断面説明図である。この垂直磁気記録に用いる単磁極
ヘッドにおいて、高密度記録を実現するにはポール長の
短いヘッドを形成する必要がある。図において、１０１
は磁性体、１０２および１０３は磁性体１０１の両面に
絶縁体１０４および１０５を介在させて配設した磁性体
であって、磁性体１０２，１０３は磁性体１０１よシ被
エツチング速度の大きな材質で形成されている。
磁性体１０２，１０３の上下には導体巻線１０８゜１０
９周設されて、絶縁体１０６，１０７がそれぞれスパッ
タリング法等で堆積されて単磁極ヘッドが形成されてい
る。
９周設されて、絶縁体１０６，１０７がそれぞれスパッ
タリング法等で堆積されて単磁極ヘッドが形成されてい
る。
このように形成される単磁極ヘッドの先端部は、記録媒
体の走行方向に平行に切シ取られ、端面１１０が形成さ
れている。次いで、化学的エツチング、法によシ磁性体
１０２，１０３の先端一部を切除して、この切除部１１
１，１１２を形成した後、この切除部に非磁性材料を充
填、続いて磁極ヘッドの先端を平滑に切削研磨すること
によって、垂直磁気記録に用いる単磁極ヘッドを得るこ
とができる。このように本発明に係る製造方法において
は、磁性体を２以上積層するとともに、各層の化学的性
質を互に変えることで、フォト・レジスト等の方法によ
るマスク合せをせずに容易に高記録密度の薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。
体の走行方向に平行に切シ取られ、端面１１０が形成さ
れている。次いで、化学的エツチング、法によシ磁性体
１０２，１０３の先端一部を切除して、この切除部１１
１，１１２を形成した後、この切除部に非磁性材料を充
填、続いて磁極ヘッドの先端を平滑に切削研磨すること
によって、垂直磁気記録に用いる単磁極ヘッドを得るこ
とができる。このように本発明に係る製造方法において
は、磁性体を２以上積層するとともに、各層の化学的性
質を互に変えることで、フォト・レジスト等の方法によ
るマスク合せをせずに容易に高記録密度の薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。
以上の説明から、本発明によれば、磁気ヘッドのボール
長と記録媒体の記録波長が接近しても読出し波形のピー
クソフト量の少ない、かつ高記録密度の薄膜磁気ヘッド
を容易にかつ低コストで得ることができるという顕著な
効果を有する。
長と記録媒体の記録波長が接近しても読出し波形のピー
クソフト量の少ない、かつ高記録密度の薄膜磁気ヘッド
を容易にかつ低コストで得ることができるという顕著な
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す拡大断面図
、第２図は磁極先端を改良した従来の薄膜磁気ヘッドの
断面図、第３図は本発明の製造方法により製造される薄
膜磁気ヘッドの一例を示す断面図、第４図は本発明の製
造方法の工程説明図、第５図は本発明の製造方法による
垂直磁気記録に用いる単磁極ヘッドの一例を示す断面図
である。 １・・・基板、２ａ、２ｂ・・・下部磁性体、３・・・
ギャップ、４・・・絶縁体、５・・・導体巻線、６ａ、
５ｂ・・・上部磁性体、７・・・磁気ヘッドの先端面、
８・・・切除部。
、第２図は磁極先端を改良した従来の薄膜磁気ヘッドの
断面図、第３図は本発明の製造方法により製造される薄
膜磁気ヘッドの一例を示す断面図、第４図は本発明の製
造方法の工程説明図、第５図は本発明の製造方法による
垂直磁気記録に用いる単磁極ヘッドの一例を示す断面図
である。 １・・・基板、２ａ、２ｂ・・・下部磁性体、３・・・
ギャップ、４・・・絶縁体、５・・・導体巻線、６ａ、
５ｂ・・・上部磁性体、７・・・磁気ヘッドの先端面、
８・・・切除部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２以上の薄膜磁性体を積層して薄膜磁気ヘッド本体
を形成し、外層薄膜磁性体のギャップ形成端部の一部を
切除し、この切除部に非磁性体を充填して形成すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記外層薄膜磁性
体のギャップ形成端部の一部を切除する方法が各薄膜磁
性体の選沢エッチ性を利用する化学エッチング法である
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14111284A JPS6120212A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14111284A JPS6120212A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120212A true JPS6120212A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15284437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14111284A Pending JPS6120212A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120212A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6391813A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH023101A (ja) * | 1988-03-23 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
| JPH04146510A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-20 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
| US5245488A (en) * | 1986-08-13 | 1993-09-14 | Seiko Epson Corporation | Low-noise composite magnetic head for recording and producing |
| US7068467B2 (en) | 1998-07-23 | 2006-06-27 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus including the same |
| US7271982B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head built using an air-bearing surface damascene process |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP14111284A patent/JPS6120212A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245488A (en) * | 1986-08-13 | 1993-09-14 | Seiko Epson Corporation | Low-noise composite magnetic head for recording and producing |
| JPS6391813A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH023101A (ja) * | 1988-03-23 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
| JPH04146510A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-20 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
| US7068467B2 (en) | 1998-07-23 | 2006-06-27 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus including the same |
| US7382576B2 (en) | 1998-07-23 | 2008-06-03 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus including the same |
| US7271982B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head built using an air-bearing surface damascene process |
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