JPS61203701A

JPS61203701A - 表面波のためのノンレシプロカルマイクロ波デバイスとそのデバイスを使用する高分離アイソレ−タ

Info

Publication number: JPS61203701A
Application number: JP60299732A
Authority: JP
Inventors: ジエラール　フオルテール; ベルナール　ゲラン
Original assignee: Thomson CSF SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1984-12-27
Filing date: 1985-12-27
Publication date: 1986-09-09
Also published as: FR2575605A1; EP0188966A1; CA1240008A; FR2575605B1; DE3575816D1; EP0188966B1; US4698604A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はマイクロ波の分野に係るものであり、更に詳し
くいえば体積波（ｖｏｌｕｍｅ　ｗａｖｅ）を伴わない
表面電磁波のためのノンレシプロカルデバイスに係るも
のである。４−２０ギガヘルツの広い周波数範囲にわた
って電波伝播方向における挿入損失が低く、′そして反
対方向においては減衰の高いマイクロ波アイソレータに
本発明を主として適用することができる。

従来の技術表面電磁波とは、フェライトのような異方性物質の磁化
に垂直な方向に伝播し、そしてフェライトの異方性特性
から生じる異常な回転磁気モードと称する新しいタイプ
のモードの波を意味していることを理解されたい。

「ノンレシプロカル回路」という術語は、その回路を通
る電磁波の伝播方向により回路の伝達特性（減衰、移相
）が変化する回路をいう。このタイプの既知の回路には
、定常磁化フィールドにさらされているフェライトのよ
うなフェリ磁性または回転磁性物質を含んでいる伝送ラ
インセクション（同軸ライン、導波管、ストリップライ
ン回路等）がある。外部からの磁化をうける場合このタ
イプの物質の透確率はテンソルであり、このことはその
中を伝播する電磁波の媒体のインピーダンスがその媒体
に関係している一定基準に対する電磁波の磁界成分の方
向により異なっていくということを意味して・いる。こ
の方向は伝播方向につれて変る。この特性を基本的に利
用して構成した回路がサーキュレータ、アイソレータ、
フェーズ・シフター等として知られているものであって
、アイソレータを例にとると電磁波の伝送方向における
減衰は低く（数デシベル、時にはそれ以下）、そして反
対方向においては減衰は高くなっている（２０デシベル
以上）。

これらのいわゆる表面波を詳しく説明したものとして次
の刊行物がある。

「ケーブルと伝送」（“Ｃａｂｌｅｓ　ａｎｄ　Ｔｒａ
ｎｓｍｉｓｓｉｏｎ”）、Ｎα４　、１９７３年１０月
、　４１６−４３５頁、「磁化されたフェライトプレー
ト中の伝播、新しい広帯域ノンレシプロカルデバイスへ
の適用」（“Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｉｎ　ａ　ｍａｇ
ｎｅｔｉｚｅｄ　ｆｅｒｒｉｔｅ　ｐｌａｔｅ、　ａｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔ。

ｎｏｖｅｌ　　ｗｉａｌｅ　　−ｂａｎｄ　　ｎｏｎｒ
ｅｃｉｐｒｏｃａｌ　　ｄｅｖｉｃｅｓ”）、及びジ・
インスティチュート　オブ　エレクトリカル　アンド　
エレクトロニック　エンジニアーズの［磁気学会報Ｊ　
（”Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃｓ”）１Ｍａｇ、　１１巻、　　Ｎ（１５、１９７５
年９月、　１２７６頁。

更に、ノンレシプロカルマイクロ波デバイスは、回転磁
性またはフェリ磁性物質から成る媒体中の電磁表面波の
伝播を利用する既知の構造を有している。このタイプの
デバイスは刊行物に説明されており、そのような刊行物
には次のものがある。

「ノン・レシプロカル表面波デバイス」と題する、１９
７１年６月４日出願の仏特許第２．１３９．７６７号、
それの第１追加特許として１９７１年８月２７日に出願
した仏特許第２．１５０．５９７号、そしてそれの第２
追加特許として１９７２年３月２８日に出願した仏特許
第２、１７７、５０７号、並びに「センナ波の広帯域ア
イソレータ」と題する、１９７６年３月ｌＯ日出願の仏
特許第２．３４４．１４０号。

体積波又は表面波の寄生モードを含む表面伝送の他のモ
ードが、伝送しようとする帯域の周波数で励振され、そ
して所望のノンレシプロカル表面モードと同時に回転磁
気物質中を伝播することがある。利用されているモード
（「ダイナミックモード」と称する）に最も近い寄生モ
ードは体積モード（ｖｏｌｕｍｅ　ｍｏｄｅｓ）である
。本発明の重要な目的は、寄生波に変り、そしてダイナ
ミックモードで伝播しているエネルギーを減する、デバ
イスへ加えたエネルギーの割合を減少するための手段を
講することにある。

前述の特許に開示されている技術に従ってつくられたデ
バイスはＳＥＷモードと称する電磁波表面波モード（表
面電磁波）により励振された寄生体積モードを減衰させ
ずに保持する。これらの寄生モードの励振プロセスを効
果的に阻止する方法はこれまでのところ見出されていな
い。主として妨害してくるモードは、ＴＥモード（優勢
なトランスバースエレクトリックモード）に近いハイブ
リッドモードである。

このタイプのデバイスにおいては、相互に平行ではない
側辺が曲線となっている台形の平らな金属導体、いわゆ
るコアを、表面波が伝播する回転磁気物質の２枚のプレ
ートの間に配置し、そして吸収負荷を形成する２枚のプ
レートを前記の回転磁気物質のプレートに押しつけるこ
とが知られている。

このデバイスにコアの面に垂直な磁界Ｈをかける。この
タイプのすべてのデバイスにおいて表面モードは平らな
導体、又はストリップラインの表面（この面は磁界Ｈに
平行となっている）に沿って案内され、そして拘束され
ている。前方方向において、表面モードは台形コアの直
線辺に沿って案内され、そしてデバイスの出力へ伝送さ
れる。

反対方向においては表面モードはコアの曲線部分により
案内され、そして吸収負荷により吸収される。体積モー
ドもストリップライ゛／１“存在し、そして吸収体に侵
入する。

発明が解決しようとする問題点本発明の主目的は高次モードの共振現象を防止すること
であり、そしてそれ故これらのモードにより伝送される
エネルギーの間で実質的な結合が出現するのを防止する
ことである。

問題点を解決するための手段このために、本発明では、前進方向にＳＥＷ波を伝送す
る直線辺と反対の中心コアの縁において低損失方向と反
対に伝播するＳＥＷと強い結合を生ずる区域をＴＥモー
ドの共振器に介在せしめている。

機械的又は形状的観点からこのことが意味していること
は、本発明のデバイスが備えている金属コアの形状は回
転磁気物質のプレートに平行な長い直線辺と、この長い
直線辺に向って凸となっている２つの非平行の曲線辺か
ら成るということである。先行技術の台形要素の短い、
又は直線の縁は本発明においては複雑な形の縁に置換さ
れている。最初台形であった要素はそれの短辺に沿って
曲線の形に切られ、複雑な形となったこの縁の一部分を
回転磁気物質の２枚のプレートの間に配置し、その位置
ではＳＥＷモードと体積モードとの間の結合域が形成さ
れている。換言すれば、コアの縁は吸収物質の２枚のプ
レートに挾まれている区域と、これに続いて回転磁気物
質の２枚のプレートに挟まれている結合域と、そして再
び吸収物質の２枚のプレートに挟まれている区域とを備
えている。電磁波の伝播方向におけるこれら３つの区域
の巾について以下に説明する。

更に具体的にいえば、本発明に従う表面電磁波のための
ノンレシプロカルマイクロ波デバイスは磁界中に含まれ
る次の要素を備えている。

−表面波が伝播する回転磁気物質の少なくとも２枚のプ
レート； −電磁波を吸収する負荷を形成している少なくとも２枚
のプレート； −これらの吸収負荷の間と回転磁気プレートの間に配置
した平らな導体又はコア（この平らな導体の作用は、デ
バイスの入力にある体積波を表面波に変換し、そしてそ
の表面波をデバイスの出力における体積波に変換するこ
とである。

共振により発生した寄生体積波を吸収し、そして高次モ
ードの波の共振を防止するためコアは表面波のＳＥＷモ
ード（このＳＥＷ波は、それが前方方向に伝播していく
コアの縁と反対のコアの縁において、低損失伝播の方向
とは反対の逆方向に進）と強く結合する少なくとも１つ
の区域を有している。

実施例第１図は先行技術によるノンレシプロカル表面波デバイ
スの構造を示す略図である。このデバイスは開いた状態
で示されており、そして図の面に対して対称的な他方の
部分を組合せると完全となる。

このデバイスは回転磁気導体物質の平行六面体プレート
１とこれに押しつけて配置した吸収物質の別の平行六面
体プレート２とを備えている。これらのプレートの上に
配置した実質的に台形の金属シート３の長辺は回転磁気
物質１と接触しており、そして短辺は吸収物質２と（又
は外側で）接触している。この組立体は第２の導電プレ
ートと第２の吸収プレートによって完全となる。これら
のプレートは金属要素３に対して対称である。組立体は
磁石とその橋片（図示せず）が生じた磁界中に置かれる
。磁界Ｈ８は要素３の面に垂直である。入力コネクタと
出力コネクタ（図示せず）はシート３の端４と５へ接続
される。

デバイスは３つの作動区域を備えている。結釡区域を形
成している金属シート３の点Ａまでの曲線三角形の部分
内の入力４において、この入力にあるＴＥＭモードの体
積波は表面波（ＳＥＷ）へ変換される。点Ａと点Ａ°と
の間の中心部分において吸収負荷２が寄生体積モード波
を吸収する。

出力５において、点Ａ°から始まって、第１の結合区域
と対称的な第２の結合区域が表面波（ＳＥＷ波）を体積
波に再変換する。このノンレシプロカルデバイスにおい
て、表面モードは入力から出力への前方方向にコア３の
直線縁に沿って伝送され、出力から現われる寄生モード
はコア３の曲線縁に沿って伝送され、そして吸収負荷２
によ、り吸収される。これらのモードの伝送は矢印で示
す。

既に述べたが、このタイプの既知デバイスは表面すなわ
ちＳＥＷモードが励振する寄生体積モードを減衰させる
ことなく保持し、そして励振プロセを有効に防止する手
段はいまだ見出されてはいない。これらの寄生モードは
、アイソレータのＳパラメータの応答曲線を無視できな
い程に変形させてしまう。挿入損失に関しては、応答曲
線は高周波の付近において負荷的な吸収「突起」を呈し
、これらの突起の周期性はフェライトプレート１の巾と
長さとにより異なる。これらの突起は周波数につれて増
大し、そしてＳＥＷモードの固有減衰の２倍にも達する
、又は２倍を越える不当に高い挿入損失を呈する。分離
に関して（又は逆方向の減衰に関して）、これはいずれ
のノンレシプロカルデバイスの場合においても基本パラ
メータであり、そして応答曲線は挿入減衰のと同じ周波
数で分離における実質的な減少を呈する。最後に、同じ
変動が定在波比の場合にも認められる。

本発明の目的は、表面波デバイス（ＳＥＷデバイス）が
体積モードを保持しないようにする新規な思想を提案す
ることにあり、そして高い分離を達成する高効率の、広
帯域且つコンパクトなアイソレータをもたらす簡単な手
段も提案することにある。

電磁波の伝播において、所望モードには望ましくないモ
ードが伴なうことがある。有用な周波数帯域とその伝播
媒体の特性（大きさ、材質）がこの望ましくないモード
を生せしめるときは、最も直接的な方法はその伝播媒体
がたり１つのモードしか保持できないようにそれらの特
性を選択することである。

この方法は、非常に広い帯域のデバイス、特にＳＥＷモ
ードで動作するデバイスでは利用できない。ＳＥＷモー
ドは次の周波数帯域内でだけ存在する。

μ ここでω＝角周波数、 ω、＝共振角周波数、 μ＝透磁率、 μ。７．＝実効透磁率、Ｋ＝透磁率テンソルの非対角線要素他方、もしωがμ。ｔｔ＞０となるようなものであれば
、体積モードが存在するが、それらは励振プロセスが存
在するときだけ現われる。ＳＥＷモードデバイスの場合
、体積モードは次のいずれかの場合に励振可能→ある。

すなわち、 −前進波がコアの直線縁により案内される場合回折輻射
を発生させること＼なる要素の欠陥により、又は −後進波の場合、コアの曲線縁により直接体積モードは
励振される。

特に逆方向又は反対方向において体積モードが励振され
ることがある。無限に薄く、そして完全に真直ぐなコア
又は完全に均質でありそして磨かれている多結晶フェラ
イトをつくることは実際には不可能であるということに
よるのである。

体積モードが存在するので、そしてそれらの存在が通過
帯域の第１オクターブのリミットをある程度越えるので
、フェライトに沿って中心コアの下に配置した吸収要素
によりこれらのモードを阻止できることが明らかとなっ
た。この吸収要素は逆方向に到達する電力を吸収する（
分離効果）のに使用されるものと同じである。

しかし、この阻止作用は不完全である。存在する体積モ
ードの漏洩フィールド分だけが吸収体に結合するだけだ
からである。体積モードは一側では中心コアの縁によっ
て限定されるスペース内に制限され（いわゆる磁壁効果
）、そして他側ではフェライトの反対縁によって限定さ
れるスペース内に制限される（電気的不連続効果）。

第２図にノンレシプロカルデバイスを第１図の線Ｂ−Ｂ
”に沿う断面で示す。

中心コア３に対して対称的なそれの構造を示すことによ
り完全なものとなる。フェライト要素の実効中Ｓは、フ
ェライト１と吸収体２との間の誘電体の不連続面とコア
の直線縁との間にのびる。

破線６は磁壁を表わしている。曲線７はＳＥＷの電界の
振巾の形を示し、曲線８は次数ｎ＝１の体積モードの電
界の振巾の形を示している。明らかとなるように、これ
らのモードは各場合フェライトの体積の２分の１に制限
されていない。図を簡単にするというだけのために分け
ている。

体積モードのダンピングによりデバイスの過電圧を、従
ってＳＥＷモードから取出すエネルギーの割合を低下さ
せる。

寄生モードは次式により定まるフェライトの実効長ＬＡ
　　（第１図においてＬＡ＝ＡＡ’）内の共振である：ここで、ｍは共振を生じるのに必要な半波長の数であり
、λｇ。は次数ｎの体積モードの案内された波長である
。

これらのモードの波長Ｋ　Ｘ　ＩＩはに等しい（Ｓはフェライトの実効中）。

実際に、Ｔ　Ｅ、、とＴＥ０１の体積モードにより励振
される５ないしｌＯのモードはこうして遮蔽されること
ができるが、抑圧されることはない。この結果として、 −許容し得る動作レベルにおいて帯域が減少するか、又
は −ＳＥＷモードだけにおける期待に比して所与の帯域に
おいて性能が低下するかの何れかとなる。

本発明の思想の基盤は、高１次モードの共振現象の防止
にあり、それ故これらのモードにより伝送されるエネル
ギー間の実質的結合の発生を防止することにある。

本発明に従って準ＴＥモードにおける共振器に（すなわ
ち、既に説明したコアの中心区域に）、ＳＥＷ波が前進
する直線縁と反対の中心コアの縁において低損失方向と
反対の方向に前進するＳＥＷモードと強い結合を生じる
区域を設ける。この結合域の実際の構造は後に説明する
が、その作用効果は、 −体積モードからＳＥＷモードへエネルギーを転換する
； −吸収体を覆うコアの側に結合域が存在するのでこのエ
ネルギーを吸収体へ移すことである。

結合域が十分に大きいと、すなわちＳＥＷモードの少な
くとも半波長の大きさがあると、共振現象は発生し得な
い。

第３図に示す本発明のノンレシプロカルデバイスの全体
の構造は第１図に示したタイプの既知デバイスの構造に
よく似ている。本発明のデバイスもフェライトのような
物質の回転磁気物質のプレート１と、吸収負荷を形成し
ているプレート２と、銅の薄板であるのが好ましい金属
コア９とを備えている。

第２のフェライトプレート１と第２の吸収負荷２とは、
第２図の断面図に示すように金属コア９に対して第１の
ものと対照的に配置され、そしてその組立体を磁石（図
示せず）の磁界Ｈ８へかける。

本発明のデバイスの新規性は導電性コア９の形状にある
。このコアの形も、長い直線縁１０がフェライト要素１
の縁と平行な方向に入力４と出力５との間でのびている
曲線状台形を思わせる。コアの形は、長い直線縁１０に
向って凸の、２つの曲線縁１１．１２により完成される
。これらの曲線縁は吸収負荷２へ入力４と出力５をそれ
ぞれ結合させている。然し本発明に従って第１図のコア
３の短い直線縁は深くくぼんで曲線縁１３を形成し、こ
の曲線の深さは、縁１３の１部分１４が２枚のフェライ
トプレート１の間に入る程に深くなっている。

結合区域はいま述べた区域（金属コア９の縁の部分１４
が２枚のフェライト１の間にある区域）に形成されてい
る。このくぼみが深くなくて、コア９の縁１３が２つの
吸収負荷２の間にあるならば、結合区域は存在せず、そ
して体積モードの抑圧効果も認められる程にはない。

曲線縁１３は簡単な形であってよく、例えば円でもよい
し、他の２次曲線例えば楕円、放物線でもよい。この縁
をもっと複雑な形にすることもできるし、長い縁１０に
垂直な直線に対して対称又は非対称とすることもできる
。

もし曲線縁１３を形成しているくぼみを狭いスロットに
すると、この縁の部分１４に沿う結合区域がなくなって
しまい、そして効果もなくなる。

曲線縁１３の部分１４が形成する結合区域の、フェライ
トに沿って測った長さをＺとすると、次数ｎの体積モー
ドはとなると直ちに阻止される。

実際にはその用いられる値はである。

長さＺの結合域の各側フェライト１と吸収体２との間の
接合の高における導電コア９の長さをＺＺとすると、こ
の長さ２２は、である。

長さＺＺは、それが体積モードの横減衰に関連している
ので十分に大きくなければならない。

結合域が達成する改善は、高分離デバイスに適用した場
合に認められる。ＳＥＷモードで動作するデバイスが達
成する分離は、 −２つのＳＥＷモード（入射波と反射波）の間の減衰特
性（これはデバイスの長さを増大することにより改善さ
れるが、フェライトの実効中Ｓの３倍に等しい長さによ
り実際に達成される分離の程度は大多数の例で３０デシ
ベルを越えることはない。）と、 −高次モードにより伝送されるエネルギーとの関数であ
る。

複数のＳＥＷアイソレータを直列とした高分離デバイス
をつくるというのが１つの解決であるが、これはデバイ
スの長さを増大すること＼なり、そして分離と同時に挿
入損失を増大することにもなる。

本発明に従って、挿入損失を増大させずに分離を高める
ため複数のく２つ、３つ、４つ等の）結合域を設けた高
分離デバイスを製作することができるようになる。

第４図は、ＳＥＷモードとＴＥオンモードとの間の３つ
の結合域１４を有するコア９を含む高分離アイソレータ
を示す。コア９に形成された結合域の数とは関係なく、
デバイスの挿入損失は大きな数では大きくなっても比例
して大きくなるということはない。伝播距離は比例して
変ることはないからである。挿入損失は第５図の曲線が
示すように低いま＼である。

この特性曲線は、約１０ギガヘルツでλｇ／２に相当す
る、Ｚ＝４ミリメートルとなるように単一の結合域を有
するデバイスに関するものである。

１０ギガヘルツは、６．５ギガヘルツと１８ギガヘルツ
との間で動作する調べたデバイスの第１の体積モードの
カットオフ周波数である。６．５ギガヘルツで−１，８
デシベルの挿入損失は、１７．５ギガヘルツまで−１，
０８と−１，８０との間でぼり一様であり、そして１８
ギガヘルツで−２，０５デシベルを越えることはない。

第６図は同じ周波数帯域内で同じアイソレータの減結合
を示す。示されている曲線は単調ではないけれども、そ
れは常に−４６，６９デシベルと、−６１，７７デシベ
ルとの間にある。これは分離の程度においてかなりの増
大を示している。先行技術のデバイス分離の程度は（≦
１．６デシベルに非常に近い挿入損失で）、−２０デシ
ベルから−３５デシベル程度である。

アイソレータのその他の構成要素についてはそれらは冒
頭に引用した特許に記載されたものと同じである。フェ
ライトプレート１は各場所に一片のスラブから成るのが
好ましく、吸収負荷２はフェライトと接触しても接触し
ていなくてもよい１つまたは幾つかの部分から成ること
がある。吸収物質の電磁波インピーダンスはＳＥＷモー
ドの電磁波インピーダンスに値が近いのが好ましい。最
後に、磁石とそれの極片はデバイスと一体となっていて
ひとまとめの組立体とするのが好ましい。

本発明はマイクロ波分野における高分離をつくり出すノ
ンレシプロカルデバイスへ適用される。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行技術によるノンレシプロカル表面波デバイ
スの平面図であり、その構成を示すためデバイスを開い
て示す。第２図はノンレシプロカルデバイスの断面図であり、Ｓ
ＥＷ表面モードと体積モードの電界の形を示している。第３図は本発明に従うノンレシプロカルの平面図である
。第４図は本発明に従う高分離アイソレータの平面図であ
る。第５図は第３図に示すアイソレータの挿入損失の曲線を
示す。第６図は第３図に示した本発明に従うアイソレータの場
合の減結合の曲線を示す。〔主な参照番号〕１・・回転磁気物質のプレート、２・・吸収物質のプレート、吸収負荷、３・・金属シー
ト、コア４・・入力、　　５・・出力、６・・磁壁、　　９・・コア、

Claims

【特許請求の範囲】

（１）表面波が伝播する回転磁気物質の少なくとも２枚
の平行プレート；電磁波に対し吸収負荷を形成している少なくとも２枚の
プレート；前記の回転磁気物質のプレートの間にそして前記の吸収
負荷のプレートの間に配置されている平らな導体または
コアを備えて、これらの構成要素は磁界Ｈ＿０内にあり
、前記の平らな導体はデバイスの入力にある体積波（Ｔ
ＥＭ波）を表面波に変換し、そしてその表面波をデバイ
スの出力において体積波に変換し、そして共振により発
生する寄生体積波を吸収するためそして高次モードの共
振を防止するために前記のコアは、表面波のＳＥＷモー
ドが前方方向に伝播していくコアの縁と反対のコアの縁
において、低損失伝播方向と反対の逆方向に伝播する表
面波のＳＥＷモードと強く結合するための少なくとも１
つの区域を有することを特徴とするノンレシプロカルマ
イクロ波デバイス。
（２）前記のコアが平らな金属導体であり、そして入力
から出力へ向う前方方向においてＳＥＷ波を伝送する直
線縁（この直線縁は２枚の回転磁気プレートの間にある
）と、一部分は２枚の回転磁気プレートの間にそして別
の部分は吸収負荷を形成している２枚のプレートの間に
配置されている２つの曲線縁とを備え、強い結合域を形
成するため直線縁と反対のコアの縁はその直線縁の向っ
て凸となっている曲線状であり、このようにしてコアに
形成したくぼみはそのくくぼみの曲線状縁の一部分が２
枚の回転磁気プレートの間に配置させることを保証する
に足るだけの深さを有している特許請求の範囲第１項に
記載のノンレシプロカルマイクロ波デバイス。
（３）コアの直線状縁と反対の曲線状縁は円形である特
許請求の範囲第２項に記載のノンレシプロカルマイクロ
波デバイス。
（４）コアの直線状縁と反対の曲線状縁は放物線又は楕
円形である特許請求の範囲第２項に記載のノンレシプロ
カルマイクロ波デバイス。
（５）コアの直線縁と反対の曲線状縁は、直線状部分と
曲線状部分とが相互に結合し合うような複雑な形となっ
ている特許請求の範囲第２項に記載のノンレシプロカル
マイクロ波デバイス。
（６）回転磁気プレートと吸収プレートとの間の接合の
高さで、結合域の長さと、結合域を方位するコアの２つ
の部分の長さとがそれぞれλ＿ｇ＿１／２より大きいが
、又はλ＿ｇ＿１／２に等しい（λ＿ｇ＿１は第１次の
案内されている波の波長）特許請求の範囲第２項に記載
のノンレシプロカルマイクロ波デバイス。
（７）ノンレシプロカルデバイスによる複数の強い結合
域を含むコアを備える高分離アイソレータにおいて、前
記ノンレシプロカルデバイスは、表面波が伝播する回転
磁気物質の少なくとも２枚の平行ペレート；電磁波に対し吸収負荷を形成している少なくとも２枚の
プレート；前記の回転磁気物質のプレートの間にそして前記の吸収
負荷のプレートの間に配置されている平らな導体または
コアを備えて、これらの構成要素は磁界Ｈ＿０内にあり
、前記の平らな導体はデバイスの入力にある体積波（Ｔ
ＥＭ波）を表面波に変換し、そしてその表面波をデバイ
スの出力において体積波に変換し、そして共振により発
生する寄生体積波を吸収するためそして高次モードの共
振を防止するために前記のコアは、表面波のＳＥＷモー
ドが前方方向に伝播していくコアの縁と反対のコアの縁
において、低損失伝播方向と反対の逆方向に伝播する表
面波のＳＥＷモードと強く結合するための少なくとも１
つの区域を有するノンレシプロカルマイクロ波デバイス
であることを特徴とする高分離アイソレータ。