JPS61204690A - スキヤン回路 - Google Patents

スキヤン回路

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JPS61204690A
JPS61204690A JP60045449A JP4544985A JPS61204690A JP S61204690 A JPS61204690 A JP S61204690A JP 60045449 A JP60045449 A JP 60045449A JP 4544985 A JP4544985 A JP 4544985A JP S61204690 A JPS61204690 A JP S61204690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
gate
type fet
scan circuit
clock signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP60045449A
Other languages
English (en)
Inventor
利之 三澤
啓太郎 藤森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS61204690A publication Critical patent/JPS61204690A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マトリクス型表示装置、固体撮像装置等のア
ドレッシングに用いるスキャン回路に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、マトリクス型表示装置、固体撮像装置等に用
いられるスキャン回路を少ない素子数の相補型?ICT
にて構成するものである。
〔従来技術〕
第7図に従来のスキャン回路を示す。同図(α)はマス
タースレーブタイプのDフリップフロップであり、これ
が従来のスキャン回路の基本セルを成す。同図<h>は
、同図(α)に示した基本セル1,2,3.4を用いて
構成されたシフトレジスタであり、これが従来のスキャ
ン回路を成す。従来のスキャン回路によるとマトリクス
型表示装置等のラインを駆動するためのバッファー回路
を除いても、1出力当り最低20個のトランジスタを必
要とする。また、図より明らかな様にシフトレジスタの
転送りロックはφ及び7の2つが必要である。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕マトリクス
型表示装置(例えば、透明基板上に設けられたアクティ
ブマトリクス液晶パネル)や固体撮像装置において、画
素エレメントとコンパチブルな製造プロセスでスキャン
回路を同一基板上に作り込もうとする場合、次の点が特
に重要なポイントとなる。
(+1  スキャン回路の回路構成を簡単なものとし、
構成素子数を減らすと共に能動領域の面積を減らすこと
(11)  シリコン薄膜(例えば、多結晶シリコン。
アモルファスシリコン等)を用いた薄II)ランジスタ
によってクロックバッファーを構成することは駆動能力
の点で困難である。このため必要とされるクロックの数
が少ないことが望ましい。
本発明は、上述の二点を満足し、画素エレメントと同一
の基板上に構成するのに適したスキャン回路を提供する
ことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図に示すごとく、少なくとも、クロック信号がゲー
トに入力されるP型FKT11と、被転送データがゲー
トに入力されるP型FETi2と為リセット信号がゲー
トに入力されるN型FET13とから成る第1の基本セ
ルと、少なくとも、クロック信号がゲートに入力される
N型FET16と、被転送データがゲートに入力される
N型FET15と、リセット信号がゲートに入力される
N型?FXT14とから成る第2の基本セルとを交互に
繰り返したデータ転送回路と、IPETによる論理ゲー
トから成るデコーダ17〜21とによりてスキャン回路
を構成する。
〔作用〕
第1図において、リセット信号によって、各基本セルの
出力22〜27は初期状態にリセットされる。次に、被
転送データがクロック信号に同期して転送されることに
よって、各基本セルの出力は初期状態と逆の状態に順次
反転される。更に、デコーダ17〜21によって前記各
基本セルの反転エツジを検出してスキャンノくルスを形
成する。
〔実施例〕
以下、図面に従って本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は(1本発明の詳細な説明するための図であ□る
。同図において、6はデータを転送するためのクロック
信号を入力するクロック信号線、7はスキャン回路を初
期状態にリセットするためのリセット信号を入力するり
セット信号線、8は被転送データ入力端子、9は正電源
線、10は負電、  源線である。また、クロック信号
がゲートに入力されるP型F’FiT11.被転送デー
タがゲートに入力されるP型?KT12及びリセット信
号がゲートに入力されるN型PK’l’13によって第
1の基本セル30が構成され、同様に、クロック信号が
ゲートに入力されるN型FET16.被転送データがゲ
ートに入力されるN型FET15及びリセット信号がゲ
ートに入力されるP型?に’I’14によって第2の基
本セル31が構成される。更に、前記第1の基本セルと
第2の基本セルを交互に繰り返し、各基本セルの出力端
子22 、25 。
24.25,26.27を#!1図に示す様にデコーダ
17.18.19,20.21の入力端子に接続する。
デコーダ17,19,21.・・・・・・はANDゲー
ト、デコーダ18,20.・・・・・・はNORゲート
で構成する。尚、第1図に示す本発明のスキャン回路は
、マ) IJクス型表示装置又は固体撮像装置等の画素
エレメントと同一の基板上に形成されるものであり、前
記P型PET及びN型IFIICTは薄膜トランジスタ
(以下、TPTと略記する。)又は単結晶MO5FET
である。
第3図は、本発明のもう一つの実施例を示した図である
。同図はデコーダとして排他的ORゲー)32,33,
34,35.36を用いて構成したスキャン回路である
次に、本発明の詳細な説明する。第2図において、37
はリセット信号、38は被転送入力データ、39はクロ
ック信号であり、それぞれ、第1図に示したリセット信
号線7.被転送データ入力端子8.クロック信号1M6
に印加される。第2図において、40,41.42.4
5.44は第1図における各基本セルの出力端子22.
23゜24.25.26での状態の変化の様子を示した
タイミング図である。時刻49において前記リセット信
号37がローレベルに立ち下がることによって、端子2
2,24.26はローレベルに、端子23,25.27
はハイレベルに初期設定される。次に、時刻50におい
て前記被転送入力データ38がローレベルに立ち下がり
、時刻51において前記クロック信号39が立ち下がる
ことによって端子22の状態はハイレベルに反転する。
更に時刻52においてクロック信号が立ち上がることに
よりて端子25の状態はローレベルに反転する。以下、
同様にして、クロック信号39の立下がり及び立ち上が
りに同期して、端子24,25、26 、27 、・・
・・・・の状態が順次反転する。
以上の結果、第1図のスキャン回路の出力端子53.5
4,56.57には45,46,47゜48に示す様に
、スキャンパルスが順次出力される。
第4図は、第3図に示した、スキャン回路の動作を説明
するための図である。第5図において各入力端子6.7
.8には、信号39,57.58が入力される。これは
第1図、第2図に説明したものと全く同様である。各基
本セルの出力端子65.64,65.・・・・・・にお
ける状態の変化も68.69,70.・・°・・・に示
すごとく前述の実施例と同様である。このとき、第3図
において、スキャン回路の出力58.59,60,61
.62には第4図の75.74,75.76に示す様な
為パルス幅が前述の実施例の2倍の出、力パルスが得ら
れる。
尚、第1図、第2図及び第3図、第4図において、IF
ETの’PNを逆にすると共に、電源の正負を逆にし、
更に、クロック信号、リセット信号及び被転送入力デー
タの極性を逆にしても、本発明の主旨に反しないことは
言うまでもない。
次に本発明の応用例について述べる。
第5図は、透明基板上にTNTアレイを設け、液晶を駆
動する様にして成るアクティブマトリクス液晶表示装置
に本発明のスキャン回路を応用した例である。同図にお
いて、画素マトリクス77は、TFT7B及び液晶セル
フ9等より構成されている。また、80は本発明のスキ
ャン回路であって、TIFTによるアナログスイッチア
レイ81を順次選択し、画像データを画像データ入力端
子82から画素マトリクス77の中に取り込む動作をす
る。一方、85も本発明のスキャン回路であり、画素マ
トリクス内の走査線84を順次選択する。ここで、スキ
ャン回路80及び85は画素マトリクス77と同一の基
板上に設けられている。
第6図は、第5図のアクティブマトリクス基板の断面構
造を示した図である。第6図において、85は透明基板
、86は第一層目のシリコン薄膜、87はゲート絶縁膜
、88は第二層目のシリ;・ン薄膜、89は層間絶縁膜
、90は画素電極及び配線を形成する透明導電膜である
。また、91は画素マトリクス内のN型(P型)TUF
Tを示し、92及び93はスキャン回路を構成するP型
(N型)TIPT及びN型(P型)TIFTを示す。
〔発明の効果) 本発明のスキャン回路の特長は、デコーダを含めても1
ビット当りの構成素子数がFET数にして10個前後と
極めて少なくて済むこと、及び、データ転送に必要なり
ロック数が1本で済み、反転クロックが不要なことであ
る。
このため、スキャン回路を小面積に形成することができ
、マ) IJクス型表示装置や固体撮像装置の画素エレ
メントと同一の基板内にスキャン回路を作り込む場合に
高い歩留シと低コストを保証することができる。
また、クロック数が1本で済むため、駆動能力が乏しく
クロックラインバッファーの作り込みが困難な多結晶シ
リコンアモルファスシリコン等によるT?Tでスキャン
回路を形成するのに適している。
更に、本発明のスキャン回路のデータ転送回路の動作は
、容it(キャパシタ)に電荷を貯えて状態を保持する
ダイナミック動作であるため貫通電流が無く極めて低消
費電力である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例を示した構成図。 第2図は、第1図の実施例の動作を説明するためのスキ
ャン回路のタイミング図。 第3図は、本発明のもう一つの実施例を示した構成図。 第4図は、#!3図の実施例の動作を説明するためのタ
イミング図。 第5図は、本発明の応用例を示した構成図。 第6図は、第5図の断面図。 第7図(α)、(b)は、従来のスキャン回路図。 以  上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)FETにより構成され、クロック信号に同期して
    被転送データを転送するスキャン回路において、 少なくとも、クロック信号がゲートに入力されるP型F
    ETと、被転送データがゲートに入力されるP型FET
    と、リセット信号がゲートに入力されるN型FETとか
    ら成る第1の基本セルと、少なくとも、クロック信号が
    ゲートに入力されるN型FETと、被転送データがゲー
    トに入力されるN型FETと、リセット信号がゲートに
    入力されるP型FETとから成る第2の基本セルとを構
    成要素として具備し、前記第1の基本セルと第2の基本
    セルとが交互に繰り返されたデータ転送回路から成るこ
    とを特徴とするスキャン回路。
  2. (2)前記P型FET及びN型FETは、薄膜トランジ
    スタであり、前記スキャン回路は、アクティブマトリク
    ス型液晶パネルにおける薄膜トランジスタアレイと同一
    の基板上に形成されて成ることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載のスキャン回路。
JP60045449A 1985-03-07 1985-03-07 スキヤン回路 Pending JPS61204690A (ja)

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JP60045449A JPS61204690A (ja) 1985-03-07 1985-03-07 スキヤン回路

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JPS61204690A true JPS61204690A (ja) 1986-09-10

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ID=12719648

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JP60045449A Pending JPS61204690A (ja) 1985-03-07 1985-03-07 スキヤン回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995025231A1 (de) * 1994-03-17 1995-09-21 Chemson Polymer-Additive Gesellschaft M.B.H. Zusatz zu reibbelagmischungen und damit hergestellte reibbeläge

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995025231A1 (de) * 1994-03-17 1995-09-21 Chemson Polymer-Additive Gesellschaft M.B.H. Zusatz zu reibbelagmischungen und damit hergestellte reibbeläge

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