JPS61204942A - 半導体集積回路装置のシヤワ−水洗方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置のシャワー水洗方法に関す
る。

〔従来の技術〕

第２図に示すように、半導体集積回路の生産工程の酸化
膜エツチング装置において、エツチング槽１内でエツチ
ングｉｆαにて処理された半導体ウェハー２を水洗する
必要がある。３はウエノ１−２を搬送するためのキャリ
アである。

従来、半導体集積回路装置のシャワー水洗方法は、ウェ
ハー２を水槽４に入れたと同時に、水槽４内の純水５を
すべて排水した後、シャワー６より純水を水槽４内に給
水してウェハー２をシャワー水洗し、再び給水を止めて
純水をすべて排水する反復動作によって、常に水槽内の
純水をきれいな状態でウェハーに付着した洗浄液（Ｈ２
Ｃｈ−アンモニア水）又はエツチング液（フッ酸など）
を洗浄していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の水洗方法は水槽内の純水を常にきれいな
状態で水洗することになっているので、水槽内の純水を
すべて排水するという動作をくり返さなければならない
。

しかし、この方法では純水をすべて排水する時に、排水
される汚れた純水がウェハーの表面に接触し、純水内に
漂っている不純物（ゴミ）をウニバーの表面に付けてし
まうという欠点があった。

本発明は前記問題点を解消するもので、不純物が半導体
ウェハーの表面に付着（２ないようにし／ζ半導体集積
回路装置のシャワー水洗方法を提供するものである。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明は水槽内で半導体ウェハーを純水にてシャワー水
洗する方法において、水槽内に純水を給排水するととも
に給排水用を調整して常時半導体ウェハーを水槽内に充
填される純水の水面下に浸漬させた状態で半導体ウェハ
ーのジャワ−水洗を行うことを！１−１ｉ′徴とする半
導体集積回路装置のシャワー水洗方法である。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図によって説明する。

第１図において、キャリア３にセットされた半導体ウェ
ハー２は酸化膜エツチング装置のエツチング槽１内でエ
ツチング液１αにて処理され、水槽４内に移し替えられ
る。

水槽４内では、その水面値を、半導体ウェハー２が純水
の水面下に没する高さ位置Ｈに保ち、水槽４内に純水５
をシャワー６により給水し、満杯になったとき、水槽４
より汚れ／こ純水を、水面４ａが高さ位置１■になるま
で排水し、高さ位置Ｊ（に水面４ａがなったとき、排水
を止めて、再び給水する。

この給水と排水を繰り返して′４″′導体ウェハー２を
洗浄ｒる。

尚、実施例では給水と排水とを交互に繰り返しでンヤワ
ー水洗を行ったが、水槽４内の水面４αを高さ位置■（
以−トの範囲に保し、給水と排水とを同時に行ってンヤ
ワー水洗するようにしても良い。

表面に付着（７たゴミの数が５０個以下のンリコン基板
を水槽内で洗浄したところ、従来の水洗方法では約１０
０００個付着していたのであるが、本発明によれば、ゴ
ミ数が約１０００個に激減した。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はウェハーを水面から出ない
ようにして純水の給排水を行ってシャワー水洗するため
、汚れた純水の内に漂っているゴミを減少することがで
き、半導体ウェハーの洗浄度を向上できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の−・実施例を示す構成図、第２図は従
来実施されていた水洗方法を示す構成図である。 ２・・半導体ウェハー　　４・・・水槽特許出願人　　
日本電気株式会社 ｍ＝す

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）水槽内で半導体ウェハーを純水にてシャワー水洗
   するシャワー水洗方法において、水槽に純水を給排水す
   るとともに給排水量を調整して常時半導体ウェハーを水
   槽内に充填される純水の水面下に浸漬させた状態で半導
   体ウェハーのシャワー水洗を行うことを特徴とする半導
   体集積回路装置のシャワー水洗方法。