JPS61208213A - 光気相成長装置 - Google Patents
光気相成長装置Info
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- JPS61208213A JPS61208213A JP4909485A JP4909485A JPS61208213A JP S61208213 A JPS61208213 A JP S61208213A JP 4909485 A JP4909485 A JP 4909485A JP 4909485 A JP4909485 A JP 4909485A JP S61208213 A JPS61208213 A JP S61208213A
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- Japan
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェーハなどの被処理材の表面に薄
膜を形成するために用いる光気相成長装置に係り、特に
、反応室の壁面に設置された光透過部材の汚れ防止に関
する。
膜を形成するために用いる光気相成長装置に係り、特に
、反応室の壁面に設置された光透過部材の汚れ防止に関
する。
たとえば、半導体ウェーハに光と特定の反応ガスにより
その表面に薄膜を形成する光ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置では、半導
体ウェーハを反応室に設置し、その表面に特定の反応ガ
スを作用させるとともに、反応室外から特定の波長の光
を作用させている。
その表面に薄膜を形成する光ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置では、半導
体ウェーハを反応室に設置し、その表面に特定の反応ガ
スを作用させるとともに、反応室外から特定の波長の光
を作用させている。
このような光ＣＱＤ装置において、光源は反応室外社設
置し、その光源からの光を反応室内に導くために反応室
の壁面部に窓を形成し、その窓を石英ガラスなどの光透
過部材で遮蔽している。
置し、その光源からの光を反応室内に導くために反応室
の壁面部に窓を形成し、その窓を石英ガラスなどの光透
過部材で遮蔽している。
この光透過部材は、反応室内の光気相反応などによって
汚れ、その汚れによってその光透過率が低下すると、半
導体ウェーハに形成される薄膜の膜厚が変化する原因に
なる。
汚れ、その汚れによってその光透過率が低下すると、半
導体ウェーハに形成される薄膜の膜厚が変化する原因に
なる。
従来、このような光透過部材の汚れ対策としてその表面
の洗浄やその表面に油を塗るなどの方法が取られている
。
の洗浄やその表面に油を塗るなどの方法が取られている
。
しかしながら、光透過部材の洗浄作業は、相当の時間を
要するため、気相成長処理の能率を低下させる。また、
油を塗る方法は洗浄作業の回数を少なくする点で有利で
あるが、油層によって反応光の短波長成分が吸収され、
光気相成長速度を低下させる原因になり、これもその作
業を低下させる原因になっている。
要するため、気相成長処理の能率を低下させる。また、
油を塗る方法は洗浄作業の回数を少なくする点で有利で
あるが、油層によって反応光の短波長成分が吸収され、
光気相成長速度を低下させる原因になり、これもその作
業を低下させる原因になっている。
そこで、この発明は、反応室の光透過部材の汚れを防止
しようとするものである。
しようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
すなわち、この発明は、反応室の壁面に光透過部材を設
置し、光源からの光を前記光透過部材を介して前記反応
室内の被処理材に照射するようにした光気相成長装置に
おいて、前記反応室の被処理材側に反応ガスを流通させ
るとともに、前記光透過部材の表面側に非反応ガスを通
過させることを特徴とするものである。
置し、光源からの光を前記光透過部材を介して前記反応
室内の被処理材に照射するようにした光気相成長装置に
おいて、前記反応室の被処理材側に反応ガスを流通させ
るとともに、前記光透過部材の表面側に非反応ガスを通
過させることを特徴とするものである。
したがって、この発明は、半導体ウェーハなどの被処理
材側には反応ガスを流通させるとともに、光透過部材の
反応ガス接触表面側には高速の非反応ガスを通過させ、
光透過部材への反応ガスを伴う光気相反応による汚れの
付着を阻止している。
材側には反応ガスを流通させるとともに、光透過部材の
反応ガス接触表面側には高速の非反応ガスを通過させ、
光透過部材への反応ガスを伴う光気相反応による汚れの
付着を阻止している。
以下、この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図はこの発明の光気相成長装置の実施例を示してい
る。
る。
第１図において、上側部材２と下側部材４との接合によ
り光気相成長用の反応室６が形成されている。
り光気相成長用の反応室６が形成されている。
この実施例では、被処理材として、たとえば半導体ウェ
ーハ８を用いており、上側部材２には、その半導体ウェ
ーハ８を支持する保持部１ｏが形成され、半導体ウェー
ハ８は、保持部１０に薄膜を形成すべき面を反応室６側
に向けて支持される。
ーハ８を用いており、上側部材２には、その半導体ウェ
ーハ８を支持する保持部１ｏが形成され、半導体ウェー
ハ８は、保持部１０に薄膜を形成すべき面を反応室６側
に向けて支持される。
上側部材２の上側には、蓋部材１２が上側部材２と分離
可能に設置され、半導体ウェーハ８はこの蓋部材１２を
開閉操作して着脱される。そして、上側部材２と蓋部材
１２との間は、上側部材２の上面の凹部１４に設置され
た０リング１６によって気密状態に保持されるとともに
、図示していない圧接手段によって圧接状態に保持され
る。
可能に設置され、半導体ウェーハ８はこの蓋部材１２を
開閉操作して着脱される。そして、上側部材２と蓋部材
１２との間は、上側部材２の上面の凹部１４に設置され
た０リング１６によって気密状態に保持されるとともに
、図示していない圧接手段によって圧接状態に保持され
る。
半導体ウェーハ８に臨む蓋部材１２の中心部には、半導
体ウェーハ８をその裏面側から均等に加熱する加熱手段
としてのタングステンやグラファイトなどからなる蓄熱
部材１８が取り付けられるとともに、その上側には石英
ガラスなどからなる光透過部材２０が設置されている。
体ウェーハ８をその裏面側から均等に加熱する加熱手段
としてのタングステンやグラファイトなどからなる蓄熱
部材１８が取り付けられるとともに、その上側には石英
ガラスなどからなる光透過部材２０が設置されている。
そして、蓄熱部材１８と光透過部材２０との間には、蓋
部材１２の側面から上側部材２の保持部１０の開口２１
に至るガス通路２３が形成されており、このガス通路２
３には光透過部材２０の汚れの付着を防止するための不
活性ガス２５が通流されて反応室６の内部に導かれてい
る。
部材１２の側面から上側部材２の保持部１０の開口２１
に至るガス通路２３が形成されており、このガス通路２
３には光透過部材２０の汚れの付着を防止するための不
活性ガス２５が通流されて反応室６の内部に導かれてい
る。
蓋部材１２の上側には加熱用光源を設置するための筺体
２２が設置され、上側部材２および光透過部材２０と光
源用筐体２２との間は、光源用筺体２２側の凹部２４．
２６に設置された○リング２８．３０を介して密封され
るとともに、固定ボルト３２．３４によって固定され、
光源用筐体２２の内部には光源３６が設置されている。
２２が設置され、上側部材２および光透過部材２０と光
源用筐体２２との間は、光源用筺体２２側の凹部２４．
２６に設置された○リング２８．３０を介して密封され
るとともに、固定ボルト３２．３４によって固定され、
光源用筐体２２の内部には光源３６が設置されている。
下側部材４には半導体ウェーハ８に光を照射する光照射
窓３８が形成され、この光照射窓３８は、石英ガラスな
どからなる光透過部材４ｏで遮蔽されている。
窓３８が形成され、この光照射窓３８は、石英ガラスな
どからなる光透過部材４ｏで遮蔽されている。
また、下側部材４には、下側部材４と光透過部材４０と
の間の気密を保持する０リング４２．４４を支持する密
閉枠４６が固定ボルト４８．５０で固定されている。こ
の密閉枠°４６の下側には、光の透過を開閉する開閉装
置５２の案内枠５４が取り付けられ、この案内枠５４の
内部には、プランジャ５６によって開閉操作される遮蔽
板５８が移動自在に取り付けられている。この開閉装置
５２の下側には、特定の波長の光を放つ光源６０が設置
されている。
の間の気密を保持する０リング４２．４４を支持する密
閉枠４６が固定ボルト４８．５０で固定されている。こ
の密閉枠°４６の下側には、光の透過を開閉する開閉装
置５２の案内枠５４が取り付けられ、この案内枠５４の
内部には、プランジャ５６によって開閉操作される遮蔽
板５８が移動自在に取り付けられている。この開閉装置
５２の下側には、特定の波長の光を放つ光源６０が設置
されている。
そして、反応室６の側壁部には、特定のガス源から供給
される反応ガス６４、不活性ガスからなる第１の非反応
ガス６６および第２の非反応ガス６８を個別に反応室６
内に供給するガス供給孔７０．７２．７４が形成され、
このガス供給孔７０．７２．７４の反応室６側の開口部
には、反応室６に反応ガス６４、第１および第２の非反
応ガス６６．６８の独立した層流を形成するための整流
ノズル７６が設置されている。整流ノズル７６は、ガス
供給孔７０．７２．７４に独立して連通し、かつ供給ガ
ス６４．６６．６８の圧力を調整する圧力調整部７８に
、供給ガス６４．６６．６８を反応室６内に独立して噴
射する３つの噴射部８０を結合したものである。圧力調
整部７８は、ガス供給孔７０．７２．７４と同径の通路
８２にその径より大きく拡開して圧力調整室８４を形成
したものであり、供給ガス６４．６６．６８の圧力を上
げて通流速度を低下させ、噴射部８０に供給する。噴射
部８０は、圧力調整部７８の圧力調整室８４の前面に０
．２鰭程度の複数の細隙を独立して形成したものである
。
される反応ガス６４、不活性ガスからなる第１の非反応
ガス６６および第２の非反応ガス６８を個別に反応室６
内に供給するガス供給孔７０．７２．７４が形成され、
このガス供給孔７０．７２．７４の反応室６側の開口部
には、反応室６に反応ガス６４、第１および第２の非反
応ガス６６．６８の独立した層流を形成するための整流
ノズル７６が設置されている。整流ノズル７６は、ガス
供給孔７０．７２．７４に独立して連通し、かつ供給ガ
ス６４．６６．６８の圧力を調整する圧力調整部７８に
、供給ガス６４．６６．６８を反応室６内に独立して噴
射する３つの噴射部８０を結合したものである。圧力調
整部７８は、ガス供給孔７０．７２．７４と同径の通路
８２にその径より大きく拡開して圧力調整室８４を形成
したものであり、供給ガス６４．６６．６８の圧力を上
げて通流速度を低下させ、噴射部８０に供給する。噴射
部８０は、圧力調整部７８の圧力調整室８４の前面に０
．２鰭程度の複数の細隙を独立して形成したものである
。
また、反応室６のガス出口側には、整流ノズル８６が設
置され、この整流ノズル８６の背面側の下側部材４には
、通流ガス６４．６６．６８の圧力を高めて流れを層状
に維持するため、ガスの下流側に立ち上がる傾斜面８８
が形成されているとともに、この傾斜面８８の終端側に
は各ガス６４．６６．６８を合流させて排気する排出口
９０が形成されている。この排出口９０には、ポンプな
どの排気装置が連結されており、一定の排気圧９２を作
用させるものとする。
置され、この整流ノズル８６の背面側の下側部材４には
、通流ガス６４．６６．６８の圧力を高めて流れを層状
に維持するため、ガスの下流側に立ち上がる傾斜面８８
が形成されているとともに、この傾斜面８８の終端側に
は各ガス６４．６６．６８を合流させて排気する排出口
９０が形成されている。この排出口９０には、ポンプな
どの排気装置が連結されており、一定の排気圧９２を作
用させるものとする。
そして、反応室６の内部には、反応ガス６４、第１およ
び第２の非反応ガス６６．６８の層流が形成されるとと
もに、この層流に対して直交する方向に特定の波長を持
つレーザ光９３が供給されている。この場合、反応ガス
６４は、レーザ光９３と関連して半導体ウェーハ８に薄
膜を成長させ、第１の非反応ガス６６は、光透過部材４
０に対する塵埃の付着を阻止するために、光透過部材４
０の表面部を高速度で通過させ、第２の非反応ガス６８
は、反応ガス６４と第１の非反応ガス６６とを分離する
ため、低速度で通過させるものとする。
び第２の非反応ガス６６．６８の層流が形成されるとと
もに、この層流に対して直交する方向に特定の波長を持
つレーザ光９３が供給されている。この場合、反応ガス
６４は、レーザ光９３と関連して半導体ウェーハ８に薄
膜を成長させ、第１の非反応ガス６６は、光透過部材４
０に対する塵埃の付着を阻止するために、光透過部材４
０の表面部を高速度で通過させ、第２の非反応ガス６８
は、反応ガス６４と第１の非反応ガス６６とを分離する
ため、低速度で通過させるものとする。
第２図および第３図は、整流ノズル７６の単一の噴射部
８０を示しており、反応ガス６４、第１および第２の非
反応ガス６６．６８を独立して噴射させるために、無数
の長方形状の細隙９４を形成し、この細隙９４の上下縁
部にガスの流通側に整流片９６を突出させたものである
。なお、９８は固定孔である。
８０を示しており、反応ガス６４、第１および第２の非
反応ガス６６．６８を独立して噴射させるために、無数
の長方形状の細隙９４を形成し、この細隙９４の上下縁
部にガスの流通側に整流片９６を突出させたものである
。なお、９８は固定孔である。
また、第４図および第５図は、整流ノズル８６を示して
おり、この整流ノズル８６には、前記細隙９４より大き
い間隔の細隙１００を形成するとともに、同様の整流片
１０２を設けたものである。
おり、この整流ノズル８６には、前記細隙９４より大き
い間隔の細隙１００を形成するとともに、同様の整流片
１０２を設けたものである。
なお、１０４は固定孔である。
以上の構成に基づき、その動作を説明する。
図示していない開閉手段によって、蓋部材１２は上側部
材２から外され、薄膜を形成すべき半導体ウェーハ８を
上側部材２の保持部１０に薄膜を形成すべき面を反応室
６側にして載置される。そして、蓋部材１２を上側部材
２に取り付け、密閉状態に保持する。
材２から外され、薄膜を形成すべき半導体ウェーハ８を
上側部材２の保持部１０に薄膜を形成すべき面を反応室
６側にして載置される。そして、蓋部材１２を上側部材
２に取り付け、密閉状態に保持する。
この状態において、光源３６を駆動し、光源３６からの
光は、光透過部材２０を経て蓄熱部材１８に照射され、
その照射光による熱が蓄熱部材１８に保持される。この
熱は、半導体ウェーハ８を余熱し、半導体ウェーハ８は
特定の温度に保持される。
光は、光透過部材２０を経て蓄熱部材１８に照射され、
その照射光による熱が蓄熱部材１８に保持される。この
熱は、半導体ウェーハ８を余熱し、半導体ウェーハ８は
特定の温度に保持される。
次に、光源６０を駆動するとともに、反応室６の内部の
空気を除き、反応室６に反応ガス６４、第１および第２
の非反応ガス６６．６８を通流させ、かつレーザ光９３
を通過させる。
空気を除き、反応室６に反応ガス６４、第１および第２
の非反応ガス６６．６８を通流させ、かつレーザ光９３
を通過させる。
そして、プランジャ５６を矢印Ａ方向に引き、開閉装置
５２の遮蔽板５８を特定の時間だけ開いて半導体ウェー
ハ８に光源６０からの光を照射する。この結果、半導体
ウェーハ８の表面には、反応ガス６４、レーザ光９３お
よび光源６０からの照射光によって、特定の薄膜が形成
される。
５２の遮蔽板５８を特定の時間だけ開いて半導体ウェー
ハ８に光源６０からの光を照射する。この結果、半導体
ウェーハ８の表面には、反応ガス６４、レーザ光９３お
よび光源６０からの照射光によって、特定の薄膜が形成
される。
このような光気相成長において、”反応室６には反応ガ
ス６４とともに第１および第２の非反応ガス６６．６８
が各ガス供給孔７０．７２．７４に特定のガス源から独
立して供給され、整流ノズル７６の圧力調整部７８で圧
力が調整された後、噴射部８０に供給されることにより
、それぞれ独立した流れを持つ層流として供給されてい
る。この場合、ガス６４．６６．６８の下流側には、整
流ノズル８６とともに圧力調整部としての傾斜面８８が
設けられているため、圧力の上昇によって下流側におい
ても層流が維持される。すなわち、反応室６には、反応
ガス６４、第１および第２の非反応ガス６６．６８が互
いに独立した通流路を持つ層流が得られ、互いに交じり
合うことがない。
ス６４とともに第１および第２の非反応ガス６６．６８
が各ガス供給孔７０．７２．７４に特定のガス源から独
立して供給され、整流ノズル７６の圧力調整部７８で圧
力が調整された後、噴射部８０に供給されることにより
、それぞれ独立した流れを持つ層流として供給されてい
る。この場合、ガス６４．６６．６８の下流側には、整
流ノズル８６とともに圧力調整部としての傾斜面８８が
設けられているため、圧力の上昇によって下流側におい
ても層流が維持される。すなわち、反応室６には、反応
ガス６４、第１および第２の非反応ガス６６．６８が互
いに独立した通流路を持つ層流が得られ、互いに交じり
合うことがない。
そして、光透過部材４０の表面側には、第１の非反応ガ
ス６６が高速度で通過するため、光透過部材４０の表面
に光気相反応に伴う塵埃の付着が阻止され、光透過部材
４０の汚れが防止できる。
ス６６が高速度で通過するため、光透過部材４０の表面
に光気相反応に伴う塵埃の付着が阻止され、光透過部材
４０の汚れが防止できる。
この結果、光透過部材４０の光透過率の低下を抑制でき
、半導体ウェーハ８に形成される薄膜の膜厚の変動を抑
えることができる。
、半導体ウェーハ８に形成される薄膜の膜厚の変動を抑
えることができる。
このような第１の非反応ガス６６の通流において、反応
ガス６４との間に低速の第２の非反応ガス６８を介在さ
せ、しかも、整流ノズル７６によって各ガス６４．６６
．６８の分離が良好になる結果、反応ガス６４に対する
第１の非反応ガス６６の影響は全く無く、安定した光気
相成長処理を実現できる。
ガス６４との間に低速の第２の非反応ガス６８を介在さ
せ、しかも、整流ノズル７６によって各ガス６４．６６
．６８の分離が良好になる結果、反応ガス６４に対する
第１の非反応ガス６６の影響は全く無く、安定した光気
相成長処理を実現できる。
なお、実施例では被処理材として半導体ウェーハを用い
たが、この発明の光気相成長装置では半導体ウェーハ以
外の金属材料やその他の被処理材に薄膜を形成すること
ができる。
たが、この発明の光気相成長装置では半導体ウェーハ以
外の金属材料やその他の被処理材に薄膜を形成すること
ができる。
以上説明したように、この発明によれば、反応室に光を
導く光透過部材の表面側に反応ガスと平行して高速の非
反応ガスを通流させるため、光透過部材に対する塵埃の
付着が阻止でき、光透過率の低下を抑制できるので、半
導体ウェーハなどの被処理材に形成される膜厚の変動を
抑えることができるとともに、安定した信頬性の高い光
気相成長処理を実現できる。
導く光透過部材の表面側に反応ガスと平行して高速の非
反応ガスを通流させるため、光透過部材に対する塵埃の
付着が阻止でき、光透過率の低下を抑制できるので、半
導体ウェーハなどの被処理材に形成される膜厚の変動を
抑えることができるとともに、安定した信頬性の高い光
気相成長処理を実現できる。
第１図はこの発明の光気相成長装置の実施例を示す断面
図、第２図は第１の整流ノズルを示す平面図、第３図は
第２図の■−■線に沿う断面図、第４図は第２の整流ノ
ズルを示す平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断
面図である。 ６・・・反応室、８・・・被処理材としての半導体ウェ
ーハ、４０・・・光透過部材、６０・・・光源、６４・
・・反応ガス、６６．６８・・・非反応ガス、７６．８
６・・・整流ノズル、７８・・・圧力調整部、８８・・
・圧力調整手段としての傾斜面。
図、第２図は第１の整流ノズルを示す平面図、第３図は
第２図の■−■線に沿う断面図、第４図は第２の整流ノ
ズルを示す平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断
面図である。 ６・・・反応室、８・・・被処理材としての半導体ウェ
ーハ、４０・・・光透過部材、６０・・・光源、６４・
・・反応ガス、６６．６８・・・非反応ガス、７６．８
６・・・整流ノズル、７８・・・圧力調整部、８８・・
・圧力調整手段としての傾斜面。
Claims (3)
- （１）反応室の壁面に光透過部材を設置し、光源からの
光を前記光透過部材を介して前記反応室内の被処理材に
照射するようにした光気相成長装置において、前記反応
室の被処理材側に反応ガスを流通させるとともに、前記
光透過部材の表面側に非反応ガスを通過させることを特
徴とする光気相成長装置。 - （２）前記反応ガスと前記非反応ガスとの間に非反応ガ
スを通流させることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の光気相成長装置。 - （３）前記反応室のガス供給部に圧力調整手段を持つ整
流ノズルを設置して前記反応ガスおよび前記非反応ガス
を独立して供給するとともに、前記反応室のガス下流側
に圧力調整部を設け、前記反応ガスおよび前記非反応ガ
スの独立した層流が得られるようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の光気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4909485A JPS61208213A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 光気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4909485A JPS61208213A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 光気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208213A true JPS61208213A (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=12821505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4909485A Pending JPS61208213A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 光気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711815A (en) * | 1993-08-18 | 1998-01-27 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187033A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-17 | Seiko Epson Corp | Vapor phase chemical growth device |
| JPS5895818A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Ushio Inc | 被膜形成方法 |
| JPS5975621A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学反応による膜形成装置 |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4909485A patent/JPS61208213A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5711815A (en) * | 1993-08-18 | 1998-01-27 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
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