JPS6121176B2 - - Google Patents
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- JPS6121176B2 JPS6121176B2 JP55119646A JP11964680A JPS6121176B2 JP S6121176 B2 JPS6121176 B2 JP S6121176B2 JP 55119646 A JP55119646 A JP 55119646A JP 11964680 A JP11964680 A JP 11964680A JP S6121176 B2 JPS6121176 B2 JP S6121176B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/453—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma- or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一つの素体に反応ガスが導かれ、そ
の反応ガスから化学作用によつて非晶質ガラスの
粉末が生成され、その粉末が素体上に析出して透
明なガラスに変換されるような減衰の少ないガラ
スフアイバ光導波体用のガラスの製造方法に関す
る。
の反応ガスから化学作用によつて非晶質ガラスの
粉末が生成され、その粉末が素体上に析出して透
明なガラスに変換されるような減衰の少ないガラ
スフアイバ光導波体用のガラスの製造方法に関す
る。
光通信伝送用には著しく純粋なガラスからなる
ガラスフアイバ光導波体を用いる。そのようなガ
ラスフアイバの製造には、先ず母材を作成し、次
にそれからフアイバを線引きすることが知られて
いる。母材の製造には冒頭で述べた方法を適用す
るのが望ましい。このような方法の一つとしては
CVD法（化学蒸着法）が知られている。この方
法においてはガラス素体は通常石英ガラス管から
成り、その内部に反応ガスを導く。その場合通常
石英ガラス管の内側に先ず低屈折率のガラス膜
を、そしてその上により高い屈折率のガラス膜を
設ける。そのために反応ガスとして例えば四塩化
けい素、ならびに三塩化ほう素、四塩化ゲルマニ
ウムのような一つまたは複数の適当な添加ガスお
よび酸素を用いる。この反応ガスを管の中で反応
させて非晶質ガラスにし、それが一部分または全
部管壁に堆積しそこで溶融透明化してガラス膜に
なる。そのようにしてつくられた母材を最終的な
母材としての棒に凝縮させ、次にそれをフアイバ
に線引きする。こうして850nｍの波長において
約２ないし３dB/Kmの減衰値をもつ光フアイバが
得られる。
ガラスフアイバ光導波体を用いる。そのようなガ
ラスフアイバの製造には、先ず母材を作成し、次
にそれからフアイバを線引きすることが知られて
いる。母材の製造には冒頭で述べた方法を適用す
るのが望ましい。このような方法の一つとしては
CVD法（化学蒸着法）が知られている。この方
法においてはガラス素体は通常石英ガラス管から
成り、その内部に反応ガスを導く。その場合通常
石英ガラス管の内側に先ず低屈折率のガラス膜
を、そしてその上により高い屈折率のガラス膜を
設ける。そのために反応ガスとして例えば四塩化
けい素、ならびに三塩化ほう素、四塩化ゲルマニ
ウムのような一つまたは複数の適当な添加ガスお
よび酸素を用いる。この反応ガスを管の中で反応
させて非晶質ガラスにし、それが一部分または全
部管壁に堆積しそこで溶融透明化してガラス膜に
なる。そのようにしてつくられた母材を最終的な
母材としての棒に凝縮させ、次にそれをフアイバ
に線引きする。こうして850nｍの波長において
約２ないし３dB/Kmの減衰値をもつ光フアイバが
得られる。
例えば海底テーブルの場合のような中間増幅器
に対する設備および配慮に費用のかかる長距離応
用に対しては、出来るだけ費用のかからない方法
で低い減衰値をもつフアイバを作成することが望
ましい。
に対する設備および配慮に費用のかかる長距離応
用に対しては、出来るだけ費用のかからない方法
で低い減衰値をもつフアイバを作成することが望
ましい。
フアイバに沿つての光損失の原因はおもに水酸
基（≡Si−OH）および金属酸化物（例えば
Fe2O3）のような不純物である。それ故に今まで
は低湿度の酸素（H2O５体積ppm）および市販
半導体品質の塩化物（SiCl4中のSiHCl3の規格0.2
％以下）によつて処理されている。この処理とと
もに十分気密な装置とガラス素体（反応管）の前
の塵フイルタの使用において上記の減衰値が達せ
られる。極度の純粋条件の下で850nｍにおいて
１dB/Km以下そして1200nｍにおいて0.5dB/Km以
下の減衰値もすでに得られた。特にこの場合に
OH基の潜在的な起因物としての自由なまたは化
学的に結合した水素が反応管に達しないようにす
ることが留意された。そのために例えば次の処置
が実施された。水素化合物の塩化物（例えばシラ
ン、塩化水素）の蒸溜による精製、酸素からの水
および炭化水素の除去、塩化物容器の乾燥、塩化
物容器の装填の際の不活性ガス洗浄などである。
しかしながらこれらの処置はすべて手数がかか
り、高価でしかも障害が起りやすい。その上実際
には反応ガス混合物は導管系の漏れまたは腐蝕現
象によつて、そしてガラス堆積の際のガラス管の
回転の間に水のこん跡または塵粒子によつて汚染
されることはほとんど避けられない。
基（≡Si−OH）および金属酸化物（例えば
Fe2O3）のような不純物である。それ故に今まで
は低湿度の酸素（H2O５体積ppm）および市販
半導体品質の塩化物（SiCl4中のSiHCl3の規格0.2
％以下）によつて処理されている。この処理とと
もに十分気密な装置とガラス素体（反応管）の前
の塵フイルタの使用において上記の減衰値が達せ
られる。極度の純粋条件の下で850nｍにおいて
１dB/Km以下そして1200nｍにおいて0.5dB/Km以
下の減衰値もすでに得られた。特にこの場合に
OH基の潜在的な起因物としての自由なまたは化
学的に結合した水素が反応管に達しないようにす
ることが留意された。そのために例えば次の処置
が実施された。水素化合物の塩化物（例えばシラ
ン、塩化水素）の蒸溜による精製、酸素からの水
および炭化水素の除去、塩化物容器の乾燥、塩化
物容器の装填の際の不活性ガス洗浄などである。
しかしながらこれらの処置はすべて手数がかか
り、高価でしかも障害が起りやすい。その上実際
には反応ガス混合物は導管系の漏れまたは腐蝕現
象によつて、そしてガラス堆積の際のガラス管の
回転の間に水のこん跡または塵粒子によつて汚染
されることはほとんど避けられない。
従つて本発明の目的は、簡単なやり方で問題な
く低減衰のガラスフアイバ光導波体のための母材
を作成することができるような冒頭で述べた種類
の方法を提供することにある。
く低減衰のガラスフアイバ光導波体のための母材
を作成することができるような冒頭で述べた種類
の方法を提供することにある。
この目的は本発明によれば、反応ガスが反応ガ
スから素体上に堆積する非晶質ガラスの粉末と同
一の物質である非晶質ガラスから成る粉末を介し
て素体に導かれることによつて達成される。ここ
で非晶質ガラスから成る粉末を介してとは、反応
ガスが該粉末の表面に触れてその結果粉末粒子と
接触することを意味する。
スから素体上に堆積する非晶質ガラスの粉末と同
一の物質である非晶質ガラスから成る粉末を介し
て素体に導かれることによつて達成される。ここ
で非晶質ガラスから成る粉末を介してとは、反応
ガスが該粉末の表面に触れてその結果粉末粒子と
接触することを意味する。
本発明は、反応ガスから素体上に堆積するのと
同じ性質の非晶質ガラスからなる粉末の良好な吸
収特性を利用する。所定の非晶質ガラスからなる
粉末は従つてすぐれたフイルタとして作用する。
同じ性質の非晶質ガラスからなる粉末の良好な吸
収特性を利用する。所定の非晶質ガラスからなる
粉末は従つてすぐれたフイルタとして作用する。
本発明による方法の特に有利で有効な実施形式
は特許請求の範囲第２項に記載されている。この
方法によれば、フイルタとして作用する非晶質ガ
ラスからなる粉末が導かれる反応ガス自身から生
成され、そしてその生成された粉末をそれを分離
して収容る容器（粉末分離器）に集められる。フ
イルタとして作用する粉末の量は化学反応の選択
的な開始と終結によつて非常に容易に制御でき
る。
は特許請求の範囲第２項に記載されている。この
方法によれば、フイルタとして作用する非晶質ガ
ラスからなる粉末が導かれる反応ガス自身から生
成され、そしてその生成された粉末をそれを分離
して収容る容器（粉末分離器）に集められる。フ
イルタとして作用する粉末の量は化学反応の選択
的な開始と終結によつて非常に容易に制御でき
る。
素体が中空体からなりその内部に反応ガスが導
かれる場合には、特許請求の範囲第３項に述べる
ように、粉末分離器をこの素体の開口部と結合す
るのが有効である。
かれる場合には、特許請求の範囲第３項に述べる
ように、粉末分離器をこの素体の開口部と結合す
るのが有効である。
その場合特許請求の範囲第４項に述べるよう
に、素体に融接されたガラス製の粉末分離器を用
いるならばやはり有効である。
に、素体に融接されたガラス製の粉末分離器を用
いるならばやはり有効である。
特許請求の範囲第５項に述べるように、反応ガ
スが少くとも一つの被酸化性けい素化合物と酸化
性ガスを含むのが望ましい。
スが少くとも一つの被酸化性けい素化合物と酸化
性ガスを含むのが望ましい。
添加されたけい素化合物を生成すべきであるな
らば、特許請求の範囲第６項に述べるように、反
応ガスが被酸化性添加元素化合物を含むときに有
効である。
らば、特許請求の範囲第６項に述べるように、反
応ガスが被酸化性添加元素化合物を含むときに有
効である。
特許請求の範囲第７項に述べるように、本発明
に基づく方法のための特に適当な粉末分離器は迷
路の形に形成されている。
に基づく方法のための特に適当な粉末分離器は迷
路の形に形成されている。
本発明の一つの実施例を詳細に説明する。
ガラス素体は石英ガラス管からなり、その内部
に反応ガスが導かれ、そしてその内壁にガラス膜
が推積する。反応ガスから酸化けい素と例えば
P2O5またはB2O3のような添加元素酸化物とが粉
末状で分離されて堆積し、それがそれから溶融透
明化される。
に反応ガスが導かれ、そしてその内壁にガラス膜
が推積する。反応ガスから酸化けい素と例えば
P2O5またはB2O3のような添加元素酸化物とが粉
末状で分離されて堆積し、それがそれから溶融透
明化される。
ここに述べる例においては非晶質で添加元素が
加えられるかまたは高純度の酸化けい素粉末の良
好な吸収特性が利用される。この非晶質の粉末は
ガス相から生成され、反応ガス流（この場合には
添加ガス流をいう。）の精製のために用いられ
る。そのためにガス流方向に関し石英ガラス管の
前にガラスからなる粉末分離器が設けられる。そ
れは石英ガラス管と融接されるのが有効である。
この分離器の前の加熱帯によりそしてこの帯部に
おける化学反応によつて先ず、ガラスフアイバ光
導波体のクラツドとコアとのための合成ガラスの
作成のためにも利用されるように、非晶質の
SiO2−P2O5およびSiO2−B2O3粉末または他の粉
末が同じガス混合物から生ずる。
加えられるかまたは高純度の酸化けい素粉末の良
好な吸収特性が利用される。この非晶質の粉末は
ガス相から生成され、反応ガス流（この場合には
添加ガス流をいう。）の精製のために用いられ
る。そのためにガス流方向に関し石英ガラス管の
前にガラスからなる粉末分離器が設けられる。そ
れは石英ガラス管と融接されるのが有効である。
この分離器の前の加熱帯によりそしてこの帯部に
おける化学反応によつて先ず、ガラスフアイバ光
導波体のクラツドとコアとのための合成ガラスの
作成のためにも利用されるように、非晶質の
SiO2−P2O5およびSiO2−B2O3粉末または他の粉
末が同じガス混合物から生ずる。
そうしてガス相から生じた粉末は一部分は分離
器に付着したままである。分離の終結の後に分離
器に付着した粉末は、分離器を通じて実質的に分
解されないで被層されるべき石英ガラス管に流入
する反応ガスのための表面活性フイルタとして役
立つ。
器に付着したままである。分離の終結の後に分離
器に付着した粉末は、分離器を通じて実質的に分
解されないで被層されるべき石英ガラス管に流入
する反応ガスのための表面活性フイルタとして役
立つ。
温度はその場合、塩化物の実質的な酸化が起き
ないが炭化水素やシランのようなＨを含む化合物
の痕跡が酸素と反応して一部分または全部有極性
で粘着性の化合物になる（これは約600℃で起き
る）程度にまでだけ下げられる。
ないが炭化水素やシランのようなＨを含む化合物
の痕跡が酸素と反応して一部分または全部有極性
で粘着性の化合物になる（これは約600℃で起き
る）程度にまでだけ下げられる。
石英ガラス管の中には第二の移動する加熱帯を
用いて公知の方式で粉末膜を堆積しそして透明溶
融化してガラス膜にする。この加熱帯を、反応管
が長い長さにわたつて一様に被層されるように、
管に沿つて移動させる。通常、十分な総層厚さの
生成のためには複数のそのようなガラス層を必要
とし、それは繰返される堆積によつて得られる。
加熱帯の出発位置への戻り行程の間に、粉末分離
器は第一加熱帯の加熱によつてその都度新鮮で表
面活性の粉末をあらためて帯びる。これまで死時
間としてのみあらわれた戻り行程時間をそのよう
に原材料の精製のために利用できる。戻り行程時
間の変化によつて分離器中の粉末を都合のよい量
にすることができる。
用いて公知の方式で粉末膜を堆積しそして透明溶
融化してガラス膜にする。この加熱帯を、反応管
が長い長さにわたつて一様に被層されるように、
管に沿つて移動させる。通常、十分な総層厚さの
生成のためには複数のそのようなガラス層を必要
とし、それは繰返される堆積によつて得られる。
加熱帯の出発位置への戻り行程の間に、粉末分離
器は第一加熱帯の加熱によつてその都度新鮮で表
面活性の粉末をあらためて帯びる。これまで死時
間としてのみあらわれた戻り行程時間をそのよう
に原材料の精製のために利用できる。戻り行程時
間の変化によつて分離器中の粉末を都合のよい量
にすることができる。
粉末分離器はそのように表面活性酸化物粉末と
不純物の分離のために交互に役立つ。それは迷路
の様式で形成されるのが有効で、その中で粉末も
しくは不純物が対流と拡散とにより壁に達し、そ
こで表面力に基づき付着して残る。粉末の付着性
の改善のために分離器を気流を用いて冷却すると
よい。従来技術と相違して分離器の中の浄化手段
による反応管の汚染は、それ自身ガス相から析出
し実質的には反応管中の粉末と同一であるから、
比較的重大ではない。
不純物の分離のために交互に役立つ。それは迷路
の様式で形成されるのが有効で、その中で粉末も
しくは不純物が対流と拡散とにより壁に達し、そ
こで表面力に基づき付着して残る。粉末の付着性
の改善のために分離器を気流を用いて冷却すると
よい。従来技術と相違して分離器の中の浄化手段
による反応管の汚染は、それ自身ガス相から析出
し実質的には反応管中の粉末と同一であるから、
比較的重大ではない。
加熱された管長の終端においても粉末が沈漬
し、それは溶融透明化しガラスになることはな
い。管はこの方式で二、三回の堆積サイクルの後
に両側に不純物に対する保護手段を含んでおり、
それは絶えず新しくされる。十分なクラツド層厚
さの後に光を導くコアガラスの堆積が始まる。コ
アガラスの拡散して入るかまたは流入する不純物
からのあらゆる側の保護は堆積の終結後凝縮過程
の間もなお残る。
し、それは溶融透明化しガラスになることはな
い。管はこの方式で二、三回の堆積サイクルの後
に両側に不純物に対する保護手段を含んでおり、
それは絶えず新しくされる。十分なクラツド層厚
さの後に光を導くコアガラスの堆積が始まる。コ
アガラスの拡散して入るかまたは流入する不純物
からのあらゆる側の保護は堆積の終結後凝縮過程
の間もなお残る。
本発明の方法により作成された棒から通常のフ
アイバ線引き炉において線引きされた光フアイバ
は500ないし1400nｍのスペクトル範囲において
粉末分離器なしに製造されたフアイバと比較する
と明らかに低い減衰値を有する。
アイバ線引き炉において線引きされた光フアイバ
は500ないし1400nｍのスペクトル範囲において
粉末分離器なしに製造されたフアイバと比較する
と明らかに低い減衰値を有する。
本発明による方法は、例えば円柱状素材または
平らな円板の外側への酸化物粉末またはガラス状
もしくは非晶質酸化物層のガス相堆積における反
応流の精製に対しても適用される（棒の上への堆
積、ヴエルターイCVD法、半導体素子へのパツ
シベーシヨン膜の生成）。
平らな円板の外側への酸化物粉末またはガラス状
もしくは非晶質酸化物層のガス相堆積における反
応流の精製に対しても適用される（棒の上への堆
積、ヴエルターイCVD法、半導体素子へのパツ
シベーシヨン膜の生成）。
それはまた例えばガス炎からの堆積（焔加水分
解）またはプラズマ放電からの堆積（プラズマ
CVD工程）のような反応ガスへのエネルギー供
給の他の方式を用いる方法においても利用でき
る。
解）またはプラズマ放電からの堆積（プラズマ
CVD工程）のような反応ガスへのエネルギー供
給の他の方式を用いる方法においても利用でき
る。
その上なお、例えば光フアイバの作成のための
るつぼ溶融法において必要とされるガス相からの
高純酸化物粉末の生成に対してそれは応用でき
る。どの場合にも本来の反応帯の前に予備分離器
が設けられる。
るつぼ溶融法において必要とされるガス相からの
高純酸化物粉末の生成に対してそれは応用でき
る。どの場合にも本来の反応帯の前に予備分離器
が設けられる。
ここで本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
述べるが、その場合には第１図に概念的に示され
た本発明による方法の実施装置が適用される。こ
の装置はほぼ二つの部分、すなわちガス混合系１
およびガラス旋盤２から成る。ガス混合系におい
ては適切なガス混合が行われる。これは一般には
塩化物である液状の被酸化性素材に対する添加弁
と調節容器とを用いて行われ、その素材を通して
その都度酸化性ガスとして酸化流が吹込まれる。
クラツドガラスの作成のためにはこの装置を使用
して、例えば1100Nml/minのO2、90ml/minの
SiCl4、９Nml/minのBCl3組成のガス流が用いら
れる。コアガラスの作成のためにはこのガス流に
30Nml/minのGeCl4が添加される。
述べるが、その場合には第１図に概念的に示され
た本発明による方法の実施装置が適用される。こ
の装置はほぼ二つの部分、すなわちガス混合系１
およびガラス旋盤２から成る。ガス混合系におい
ては適切なガス混合が行われる。これは一般には
塩化物である液状の被酸化性素材に対する添加弁
と調節容器とを用いて行われ、その素材を通して
その都度酸化性ガスとして酸化流が吹込まれる。
クラツドガラスの作成のためにはこの装置を使用
して、例えば1100Nml/minのO2、90ml/minの
SiCl4、９Nml/minのBCl3組成のガス流が用いら
れる。コアガラスの作成のためにはこのガス流に
30Nml/minのGeCl4が添加される。
ガラス作成は装置の第二部分であるガラス旋盤
２で行われる。内側に堆積されるべき外径20mmで
内径17mmの市販の石英管２０をガラス旋盤２の中
に装着し、その縦軸の周りに10／secの角速度で
回転する。右の方へ2.5mm/secの速さで50cmだけ
動くバーナ２１でこの管２０の中間部分を加熱
し、その場合管２０の狭い帯部を約1600℃に加熱
する。バーナ２１はそれから17mm/secの速さで出
発位置の方へ戻る。その場合管は比較的低温のま
まである。
２で行われる。内側に堆積されるべき外径20mmで
内径17mmの市販の石英管２０をガラス旋盤２の中
に装着し、その縦軸の周りに10／secの角速度で
回転する。右の方へ2.5mm/secの速さで50cmだけ
動くバーナ２１でこの管２０の中間部分を加熱
し、その場合管２０の狭い帯部を約1600℃に加熱
する。バーナ２１はそれから17mm/secの速さで出
発位置の方へ戻る。その場合管は比較的低温のま
まである。
バーナが出発位置に達するや否や次の加熱サイ
クルが始まる。この加熱された管長の左には石英
ガラスからなる粉末分離器２３が管に融接され、
右には排出管として役立ち排気に導く例えば40mm
の大きな直径を持つ石英ガラス管２５が接続され
る。
クルが始まる。この加熱された管長の左には石英
ガラスからなる粉末分離器２３が管に融接され、
右には排出管として役立ち排気に導く例えば40mm
の大きな直径を持つ石英ガラス管２５が接続され
る。
反応ガス混合物が石英ガラス管２０に気密回転
導入部１０を通じて左から導かれる。バーナ２１
の戻り行程の間にその都度第二の小さいバーナ２
２を分離器２３の前に直接挿入し、このバーナ２
２で反応ガス混合物を局部的に、ガス相からの粉
末形成が始まる温度まで加熱する。この実施例に
おいてはこの温度は約1400℃である。
導入部１０を通じて左から導かれる。バーナ２１
の戻り行程の間にその都度第二の小さいバーナ２
２を分離器２３の前に直接挿入し、このバーナ２
２で反応ガス混合物を局部的に、ガス相からの粉
末形成が始まる温度まで加熱する。この実施例に
おいてはこの温度は約1400℃である。
形成された粉末はその時分離器２３の中に白い
層として沈積する。その効果を高めるために分離
器を噴出空気２７によつて外から冷却する。
層として沈積する。その効果を高めるために分離
器を噴出空気２７によつて外から冷却する。
バーナ２１による管の加熱が始まると、バーナ
２２の酸素供給をしや断する。それから水素−空
気炎だけで管を加熱し、そして例えばSiHCl3の
ような水素を含む化合物の分解のためになお丁度
で十分であるような温度を生成する。移動する加
熱帯の中で酸化物粉末及びガラスへの変換が起き
る。加熱された管長（排出の際の）の終端にもは
や溶融透明化しない粉末が集まる。
２２の酸素供給をしや断する。それから水素−空
気炎だけで管を加熱し、そして例えばSiHCl3の
ような水素を含む化合物の分解のためになお丁度
で十分であるような温度を生成する。移動する加
熱帯の中で酸化物粉末及びガラスへの変換が起き
る。加熱された管長（排出の際の）の終端にもは
や溶融透明化しない粉末が集まる。
BCl3／SiCl4／O2ガス混合物による10回の堆積
サイクルによつてクラツドガラスの作成が終結
し、そしてガス流にGeCl4を混合し、それによつ
てコアガラスに対するクラツドガラスの必要な屈
折率飛躍が得られる。そこで実験の中断なしに50
回の別の推積サイクルを実施する。その後バーナ
前進速度の段階的な低減とそれによる温度上昇に
より管を棒に凝縮させる。この場合塩化物の供給
はほとんどしや断されるが、ガス流中の僅かな
GeGl4濃度だけは被層された管の内壁上のGeO2に
おける蒸発損失の補償のために維持される。管の
棒への凝縮の少し前にガスの通流は完全に中断さ
れる。引つづき棒をフアイバに線引きする。
サイクルによつてクラツドガラスの作成が終結
し、そしてガス流にGeCl4を混合し、それによつ
てコアガラスに対するクラツドガラスの必要な屈
折率飛躍が得られる。そこで実験の中断なしに50
回の別の推積サイクルを実施する。その後バーナ
前進速度の段階的な低減とそれによる温度上昇に
より管を棒に凝縮させる。この場合塩化物の供給
はほとんどしや断されるが、ガス流中の僅かな
GeGl4濃度だけは被層された管の内壁上のGeO2に
おける蒸発損失の補償のために維持される。管の
棒への凝縮の少し前にガスの通流は完全に中断さ
れる。引つづき棒をフアイバに線引きする。
第２図に示した迷路形の構造の粉末分離器２３
は多数の分離小室２３１〜２３７を備え、矢印２
６の方向に導入された反応ガスは順次に曲がりく
ねつた通路２４を貫流し、非晶質ガラスからなる
粉末２４０が垂直に設けられた小室壁２１１〜２
１６の箇所で導入された反応ガスから分離され
る。粉末の一部分は相対的に冷えた前記小室壁の
箇所に付着したままあり、粉末分離器２３の輪郭
壁２３０の内側にその大部分は落下する。輪郭壁
２３０の内側に十分な粉末２４０が分離して堆積
される場合には、曲がりくねつた通路２４の方向
転換範囲２４１〜２４６のところの反応ガスは前
記粉末中を貫通する。小室壁２１１〜２１６に沿
つて流れる際には反応ガスはそこに付着した粉末
を介して、つまり小室壁に付着した粉末の表面に
触れてその結果粉末粒子と接触するようにして導
かれる。
は多数の分離小室２３１〜２３７を備え、矢印２
６の方向に導入された反応ガスは順次に曲がりく
ねつた通路２４を貫流し、非晶質ガラスからなる
粉末２４０が垂直に設けられた小室壁２１１〜２
１６の箇所で導入された反応ガスから分離され
る。粉末の一部分は相対的に冷えた前記小室壁の
箇所に付着したままあり、粉末分離器２３の輪郭
壁２３０の内側にその大部分は落下する。輪郭壁
２３０の内側に十分な粉末２４０が分離して堆積
される場合には、曲がりくねつた通路２４の方向
転換範囲２４１〜２４６のところの反応ガスは前
記粉末中を貫通する。小室壁２１１〜２１６に沿
つて流れる際には反応ガスはそこに付着した粉末
を介して、つまり小室壁に付着した粉末の表面に
触れてその結果粉末粒子と接触するようにして導
かれる。
本発明により製造されたフアイバの減衰値を同
じ方法によるがしかし粉末分離器なしに造られた
フアイバと比較すると、粉末分離器の利用によつ
て不純物含有量およびそれに伴う光吸収が低減で
きることを示す。
じ方法によるがしかし粉末分離器なしに造られた
フアイバと比較すると、粉末分離器の利用によつ
て不純物含有量およびそれに伴う光吸収が低減で
きることを示す。
第１図は本発明による方法の一実施例のための
装置の概念図、第２図はその粉末分離器の一実施
例の縦断面図である。
装置の概念図、第２図はその粉末分離器の一実施
例の縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一つの素体に反応ガスが導かれ、その反応ガ
スから化学作用によつて非晶質ガラスの粉末が生
成され、その粉末が前記素体上に析出して透明な
ガラスに変換されるような製造方法において、反
応ガスから素体上に堆積する非晶質ガラスの粉末
と同一の物質である非晶質ガラスからなる粉末を
介して、反応ガスが素体に導かれることを特徴と
する低減衰ガラスフアイバ光導波体用のガラス製
造方法。 ２ 非晶質ガラスからなる粉末が導かれる反応ガ
ス自身から生成され、その生成された粉末をそれ
を分離して収容する容器（粉末分離器）に集める
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の製
造方法。 ３ 素体が中空体からなりその内部に反応ガスが
導かれる場合、粉末分離器がこの素体の開口部と
結合されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載の製造方法。 ４ 素体に融接されたガラス製の粉末分離器が用
いられることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の製造方法。 ５ 反応ガスが少くとも一つの被酸化性けい素化
合物および酸化性ガスを含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載の製造方法。 ６ 反応ガスが被酸化性還元元素化合物を含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の製造
方法。 ７ 粉末分離器が迷路の形に形成されることを特
徴とする特許請求の範囲第２項ないし第６項のい
ずれかに記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792935347 DE2935347A1 (de) | 1979-08-31 | 1979-08-31 | Verfahren zur herstellung von glas fuer glasfaserlichtwellenleiter geringer daempfung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5637244A JPS5637244A (en) | 1981-04-10 |
| JPS6121176B2 true JPS6121176B2 (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=6079789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11964680A Granted JPS5637244A (en) | 1979-08-31 | 1980-08-29 | Manufacture of glass for low attenuation glass fiber photoconductive body |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4295870A (ja) |
| JP (1) | JPS5637244A (ja) |
| DE (1) | DE2935347A1 (ja) |
| FR (1) | FR2464237A1 (ja) |
| GB (1) | GB2057423B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2504230A1 (fr) * | 1981-04-21 | 1982-10-22 | Lignes Telegraph Telephon | Dispositif d'etancheite tournant et dispositif de fabrication de fibres optiques comportant un tel dispositif d'etancheite |
| US4682994A (en) * | 1985-12-16 | 1987-07-28 | Polaroid Corporation | Process and apparatus for forming optical fiber preform |
| US5246734A (en) * | 1986-05-05 | 1993-09-21 | Dow Corning Corporation | Amorphous silicon hermetic coatings for optical wave guides |
| US4911712A (en) * | 1988-04-14 | 1990-03-27 | Heraeus Lasersonics, Inc. | Medical laser probe |
| US5030217A (en) * | 1988-04-14 | 1991-07-09 | Heraeus Lasersonics, Inc. | Medical laser probe and method of delivering CO2 radiation |
| US5063179A (en) * | 1990-03-02 | 1991-11-05 | Cabot Corporation | Process for making non-porous micron-sized high purity silica |
| US5205851A (en) * | 1990-10-12 | 1993-04-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing optical fiber coupler |
| EP0765845A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-04-02 | Litespec, Inc. | Method for vapor filtration of impurities during optical fiber preform manufacture |
| FR2776997B1 (fr) * | 1998-04-06 | 2000-05-12 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositif de fabrication d'une preforme de fibre optique comprenant une bague pour pieger et diffuser un rayonnement lumineux |
| FI116567B (fi) * | 2003-09-29 | 2005-12-30 | Liekki Oy | Menetelmä sekä järjestelmä seostetun lasimateriaalin lähtöaineiden kaasuvirtauksen muodostamiseksi |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3806570A (en) * | 1972-03-30 | 1974-04-23 | Corning Glass Works | Method for producing high quality fused silica |
-
1979
- 1979-08-31 DE DE19792935347 patent/DE2935347A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-07-18 US US06/169,951 patent/US4295870A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-08-21 FR FR8018285A patent/FR2464237A1/fr active Granted
- 1980-08-29 GB GB8028087A patent/GB2057423B/en not_active Expired
- 1980-08-29 JP JP11964680A patent/JPS5637244A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4295870A (en) | 1981-10-20 |
| DE2935347A1 (de) | 1981-03-26 |
| GB2057423A (en) | 1981-04-01 |
| FR2464237A1 (fr) | 1981-03-06 |
| GB2057423B (en) | 1983-02-02 |
| JPS5637244A (en) | 1981-04-10 |
| FR2464237B1 (ja) | 1984-02-24 |
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