JPS61214399A - 中性粒子入射装置 - Google Patents
中性粒子入射装置Info
- Publication number
- JPS61214399A JPS61214399A JP60054526A JP5452685A JPS61214399A JP S61214399 A JPS61214399 A JP S61214399A JP 60054526 A JP60054526 A JP 60054526A JP 5452685 A JP5452685 A JP 5452685A JP S61214399 A JPS61214399 A JP S61214399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- neutralization
- neutral particle
- cell
- particle injection
- neutralization cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、核融合装置内プラズマを加熱するための中性
粒子入射加熱装置に係り、特に、中性化セル内の中性化
効率向上に好適な構造に関する。
粒子入射加熱装置に係り、特に、中性化セル内の中性化
効率向上に好適な構造に関する。
従来、負イオン源から引き出されたイオンビームの、中
性化セル内での中性化効率を増加させるため、高密度プ
ラズマ中を通すことが考えられている。
性化セル内での中性化効率を増加させるため、高密度プ
ラズマ中を通すことが考えられている。
〔発明の目的〕′
本発明の目的は、負イオン源から引き出されたイオンビ
ームの、中性化ゼル内での中性化効率を増加させるため
の中性粒子入射加熱装置を提供することにある。
ームの、中性化ゼル内での中性化効率を増加させるため
の中性粒子入射加熱装置を提供することにある。
本発明では中性化セルの側面からフィラメント電極とア
ーク電極を挿入し、フィラメント電極は円周方向に沿っ
て取付け、アーク電極はリング状に形成する。そして、
中性化セルにガス導入口から供給したガスを用いて、ア
ーク放電させることにより、密度の高いプラズマを発生
させる。プラズマの閉じ込めを良くするため、中性化セ
ル外側に、永久磁石を配置する。また、電極はリミタ−
によって、ビームから見込まないようにする。
ーク電極を挿入し、フィラメント電極は円周方向に沿っ
て取付け、アーク電極はリング状に形成する。そして、
中性化セルにガス導入口から供給したガスを用いて、ア
ーク放電させることにより、密度の高いプラズマを発生
させる。プラズマの閉じ込めを良くするため、中性化セ
ル外側に、永久磁石を配置する。また、電極はリミタ−
によって、ビームから見込まないようにする。
中性粒子入射加熱装置では、第１図に示すように、イオ
ン源１．中性化セル２．真空タンク３゜核融合装置本体
４で構成されている。イオン源で加速されたイオンビー
ムは、中性化セルで中性化され、核融合装置本体へ中性
化された粒子のみ、入射される。
ン源１．中性化セル２．真空タンク３゜核融合装置本体
４で構成されている。イオン源で加速されたイオンビー
ムは、中性化セルで中性化され、核融合装置本体へ中性
化された粒子のみ、入射される。
負イオン源を、イオン源として用いる時、中性化セルの
中に高密度プラズマを入れ、その中に負イオンビームを
通過させることにより、中性化効率を上げる方法がある
。
中に高密度プラズマを入れ、その中に負イオンビームを
通過させることにより、中性化効率を上げる方法がある
。
第２図に示すように、中性化セルの側面から、フィラメ
ント電極５を円周方向に沿って、−ヶ又は複数個取付け
る。また、リング状の形状をもつアーク電極６を一ケ所
又は二ケ所（第２図）では。
ント電極５を円周方向に沿って、−ヶ又は複数個取付け
る。また、リング状の形状をもつアーク電極６を一ケ所
又は二ケ所（第２図）では。
二ケ所６ａ及び６ｂ）に取付ける。ガス導入ロアから、
ガスを中性化セル内に供給し、フィラメント電極とアー
ク電極間にアーク放電させることで、高密度を発生させ
る。アーク放電を発生させる前に、フィラメントに電流
を流し、放電しやすくするため、電子を発生させておく
。
ガスを中性化セル内に供給し、フィラメント電極とアー
ク電極間にアーク放電させることで、高密度を発生させ
る。アーク放電を発生させる前に、フィラメントに電流
を流し、放電しやすくするため、電子を発生させておく
。
一方、アーク放電で作られた高密度プラズマは第３図に
示す中性化セル断面のように中性化セル外側に配置した
永久磁石９，１０により閉じ込められる。磁力線は１１
のように作られ、壁近くにのみ磁場の強い場所が発生す
る。永久磁石は、中性化セル側がＮ極となる９とＳ極と
なる１０は順次取付ける。
示す中性化セル断面のように中性化セル外側に配置した
永久磁石９，１０により閉じ込められる。磁力線は１１
のように作られ、壁近くにのみ磁場の強い場所が発生す
る。永久磁石は、中性化セル側がＮ極となる９とＳ極と
なる１０は順次取付ける。
イオン源からのイオンビームが、フィラメント電極、ア
ーク電極を見込まないように、リミタ−８を第２図のよ
うに取付ける。
ーク電極を見込まないように、リミタ−８を第２図のよ
うに取付ける。
中性化セルを工夫して、中性化効率をあげる方法として
、特開昭５６−１６５３００号、実開昭５７−４０３０
０号公報がある。
、特開昭５６−１６５３００号、実開昭５７−４０３０
０号公報がある。
本発明によれば、負イオン源を用いた場合の中性化効率
を、中性化セル内にガスのみ満している場合よりも大き
くすることが出来る。
を、中性化セル内にガスのみ満している場合よりも大き
くすることが出来る。
第１図は１本発明の一実施例の中性粒子入射加熱装置構
成図、第２図は、中性化セル部詳細図、第３図は中性化
セル断面図である。 １・・・イオン源、２・・・中性化セル、５・・・フィ
ラメント電極、６・・・アーク電極、９・・・永久磁石
（Ｎ極）。 １０・・・永久磁石（Ｓ極）。
成図、第２図は、中性化セル部詳細図、第３図は中性化
セル断面図である。 １・・・イオン源、２・・・中性化セル、５・・・フィ
ラメント電極、６・・・アーク電極、９・・・永久磁石
（Ｎ極）。 １０・・・永久磁石（Ｓ極）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、負イオン源、中性化セルからなる中性粒子入射加熱
装置において、 前記中性化セル中に高密度プラズマを作るためのアーク
電極、フィラメントを設け、前記中性化セルの壁面に閉
じ込め磁場用の永久磁石を取付けたことを特徴とする中
性粒子入射加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054526A JPH0754358B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 中性粒子入射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054526A JPH0754358B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 中性粒子入射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214399A true JPS61214399A (ja) | 1986-09-24 |
| JPH0754358B2 JPH0754358B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=12973100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60054526A Expired - Fee Related JPH0754358B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 中性粒子入射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754358B2 (ja) |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60054526A patent/JPH0754358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754358B2 (ja) | 1995-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE259988T1 (de) | Plasma-massenfilter | |
| JPS5949139A (ja) | 負イオン源 | |
| JPS5960899A (ja) | イオン・エネルギ−回収装置 | |
| JPS6417361A (en) | High energy large current particle source | |
| JPS61214399A (ja) | 中性粒子入射装置 | |
| CN109830422B (zh) | 一种溅射离子泵的磁路结构及溅射离子泵 | |
| JPS57159025A (en) | Method and device for dry etching | |
| JPS6331481Y2 (ja) | ||
| JPH05159894A (ja) | 負イオン源 | |
| JPS60195855A (ja) | 大容量イオン源 | |
| JPS60133646A (ja) | マイクロ波イオン源 | |
| JPH02265150A (ja) | 浦本式シートプラズマイオン源、電子源 | |
| JP2667826B2 (ja) | マイクロ波多価イオン源 | |
| JPS61257471A (ja) | 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 | |
| JPH0633680Y2 (ja) | 電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生装置 | |
| JPH07176396A (ja) | ビーム発生方法及び装置 | |
| JPH0882689A (ja) | イオン源 | |
| JPH07326495A (ja) | マイクロ波プラズマ発生装置 | |
| JP2791083B2 (ja) | 負イオン源 | |
| JPH06267472A (ja) | マイクロ波イオン源 | |
| JPS62108429A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| Vasil'ev et al. | Cyclotron ion source with cold hollow cathode | |
| JP2001133570A (ja) | 慣性静電閉じ込め核融合装置 | |
| EP1107652A3 (en) | Linear plasma filter | |
| JPS62116233A (ja) | イオンビ−ム照射装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |