JPS6121472A - 真空及び高圧用バルブ - Google Patents
真空及び高圧用バルブInfo
- Publication number
- JPS6121472A JPS6121472A JP14036384A JP14036384A JPS6121472A JP S6121472 A JPS6121472 A JP S6121472A JP 14036384 A JP14036384 A JP 14036384A JP 14036384 A JP14036384 A JP 14036384A JP S6121472 A JPS6121472 A JP S6121472A
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- JP
- Japan
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- gas
- valve
- stem
- wall surface
- vacuum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
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- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
- F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Lift Valve (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野Ｊ
本発明は、常圧もしくは真空及び高圧を必要とするよう
な気体流（ガス流）の迅速な切り換えに関する。
な気体流（ガス流）の迅速な切り換えに関する。
ｒ従来の技術」
従来の真空もしくは高圧バルブの接続様態の例を第５図
に示す。
に示す。
この図に示、される機能においては、バルブ（５３）及
び（５４）は交互に開くことにより、（５１）及び（５
２）で示される配管を通って流入するガスの選択を行い
、（５５）で示される配管へガスを導入する働きを有し
ている。図中の矢印はガス流の方向を示しており、第５
図（ａ）においては、バルブ（５４）は閉じられており
、バルブ（５３）が開かれている状態を表す。また第５
図（ｂ）においてはバルブ（５３）は閉じており、バル
ブ（５４）が開かれている状態を表す。
び（５４）は交互に開くことにより、（５１）及び（５
２）で示される配管を通って流入するガスの選択を行い
、（５５）で示される配管へガスを導入する働きを有し
ている。図中の矢印はガス流の方向を示しており、第５
図（ａ）においては、バルブ（５４）は閉じられており
、バルブ（５３）が開かれている状態を表す。また第５
図（ｂ）においてはバルブ（５３）は閉じており、バル
ブ（５４）が開かれている状態を表す。
第５図においては、（ａ）の状態から（ｂ）の状態にガ
ス流を切り換えようとすると、（ｂ）図の斜線部に切り
換え前のガスが残留し、又（ｂ）の状態から（ａ）の状
態にガス流を切り換えようとすると（ａ）図の斜線部に
切り換え前のガスが残留し、切り換ぐ− 蜘春避せ壬ため、バルブ（５３）及び（５４）の両方を
閉じた状態により配管（５５）側より一般的に真空引き
もしくは不活性ガスによる置換などを行う必要があった
。
ス流を切り換えようとすると、（ｂ）図の斜線部に切り
換え前のガスが残留し、又（ｂ）の状態から（ａ）の状
態にガス流を切り換えようとすると（ａ）図の斜線部に
切り換え前のガスが残留し、切り換ぐ− 蜘春避せ壬ため、バルブ（５３）及び（５４）の両方を
閉じた状態により配管（５５）側より一般的に真空引き
もしくは不活性ガスによる置換などを行う必要があった
。
「発明が解決しようとする問題」
このことは、（ａ）状態から（ｂ）状態及び（ｂ）状態
から（ａ）状態へのガス流の切り換え時間を長くする原
因となっていた。本発明はこのガス切り換え時における
真空引きもしくはガス置換などの操作を不必要とし、ガ
ス流の切り換えを混合することなしに迅速に行うことを
目的とした真空及び高圧ガスバルブ構造に関する。
から（ａ）状態へのガス流の切り換え時間を長くする原
因となっていた。本発明はこのガス切り換え時における
真空引きもしくはガス置換などの操作を不必要とし、ガ
ス流の切り換えを混合することなしに迅速に行うことを
目的とした真空及び高圧ガスバルブ構造に関する。
「問題点を解決するための手段」
第５図に示されるように、従来のガスバルブの組合わせ
によるガスの切り換えにおいては、第５図における斜線
部の容積を無視することはできず、残留ガスの混合が起
きていた。本発明者等はこの問題を解決すべく鋭意努力
を行ってきた。本発明の特徴は、ガスバルブの形状を改
良することにより、第５図における斜線部を無視できる
構造としたところにある。
によるガスの切り換えにおいては、第５図における斜線
部の容積を無視することはできず、残留ガスの混合が起
きていた。本発明者等はこの問題を解決すべく鋭意努力
を行ってきた。本発明の特徴は、ガスバルブの形状を改
良することにより、第５図における斜線部を無視できる
構造としたところにある。
第１図に本発明による真空及び高圧バルブの形状例を断
面図により示す。第１図（ａ）はバルブの閉状態、及び
第１図（ｂ）は開状態を示している。
面図により示す。第１図（ａ）はバルブの閉状態、及び
第１図（ｂ）は開状態を示している。
バルブはガス取り入れ口（１１）及び（１２） 、ベロ
ーズ（１３） 、運動導入軸（１４） 、ベローズ支持
体（１５） 、運動導入軸の支持体（１６）、ステム（
１７） 、寺リング（１８） 。
ーズ（１３） 、運動導入軸（１４） 、ベローズ支持
体（１５） 、運動導入軸の支持体（１６）、ステム（
１７） 、寺リング（１８） 。
−接続壁面（１９） 、バルブ壁面（１９） 、エアシ
リンダ（２１） 。
リンダ（２１） 。
エアシリンダ支持体（２２） 、ガス取り出し口（２３
）から構成されている。バルブの開閉はエアシリンダに
対する圧力制御により行われる。この図かられかる通り
、接続壁面（１９）の外壁はステム（１７）の当たり面
となっており、この面の形状にステム（１７）の形状は
合わせである。この例では接続壁面（１９）の外壁に対
し、バルブ壁面（２０）の先端は溶接加工により接続さ
れているが、ガスの封止が十分行なわれる範囲でネジど
めやリヘット打ち等による接続も可能である。エアシリ
ンダ（２１）の代わりにステップモータ等の能動体を使
用することにより、ステム（１７）の連続的な移動設定
が行えるようになり、ガス流に対しバルブの持つコンダ
クタンスを最小限（この例ではＯ）から最大限まで可変
設定°できる。
）から構成されている。バルブの開閉はエアシリンダに
対する圧力制御により行われる。この図かられかる通り
、接続壁面（１９）の外壁はステム（１７）の当たり面
となっており、この面の形状にステム（１７）の形状は
合わせである。この例では接続壁面（１９）の外壁に対
し、バルブ壁面（２０）の先端は溶接加工により接続さ
れているが、ガスの封止が十分行なわれる範囲でネジど
めやリヘット打ち等による接続も可能である。エアシリ
ンダ（２１）の代わりにステップモータ等の能動体を使
用することにより、ステム（１７）の連続的な移動設定
が行えるようになり、ガス流に対しバルブの持つコンダ
クタンスを最小限（この例ではＯ）から最大限まで可変
設定°できる。
ガス取り出し口（２会）を埋めるステム（１７）の斜線
部は、取り出し口において接続壁面（１９）の内側から
突出していてもよい。
部は、取り出し口において接続壁面（１９）の内側から
突出していてもよい。
「作用」
この第１図に例示されるようなバルブを用いて、第５図
のようなガス流の選択切り換えを行なわんとすると、第
２図に例示されるような構造が考えられる。第２図に示
される構造により、第５図中の斜線部分の容積はステム
（１７）と接続壁面（１９）の隙間を十分にうめること
により、実質的に０とすることができる。この事により
、第１図に示される従来の方法で避けられなかった切り
換え前のガスの切り換え後のガスへの混入を防ぐことが
できた。ガスバルブは２個に限らず、空間的な配置が許
す限り、３個以上のガスバルブの使用において３個以上
のガス取り出し口（２会）を有し、それらの切り換えを
互いにガスを混入することなしに連続的に行うことがで
きるように構成することも可能である。
のようなガス流の選択切り換えを行なわんとすると、第
２図に例示されるような構造が考えられる。第２図に示
される構造により、第５図中の斜線部分の容積はステム
（１７）と接続壁面（１９）の隙間を十分にうめること
により、実質的に０とすることができる。この事により
、第１図に示される従来の方法で避けられなかった切り
換え前のガスの切り換え後のガスへの混入を防ぐことが
できた。ガスバルブは２個に限らず、空間的な配置が許
す限り、３個以上のガスバルブの使用において３個以上
のガス取り出し口（２会）を有し、それらの切り換えを
互いにガスを混入することなしに連続的に行うことがで
きるように構成することも可能である。
「実施例」
本発明によるガスバルブを半導体製造装置ガス導入部に
使用した実施例を第３図（ａ）及び（ｂ）に示す。また
、従来のバルブを用いて構成されたガス切り換え部を半
導体製造装置のガス導入部に使用した例を第３図（ｃ）
に示す。
使用した実施例を第３図（ａ）及び（ｂ）に示す。また
、従来のバルブを用いて構成されたガス切り換え部を半
導体製造装置のガス導入部に使用した例を第３図（ｃ）
に示す。
これらの内で、第３図（ａ）は本発明によるバルブを３
個使用し、ガス切り換え時の残留ガスの混入を防いでい
る。第３図（ｂ）は（３１） 、 （３２） 、 （３
３）によって導入されるガスが共通配管（３４）を介さ
ず、直接反応炉（３５）に導入されている例を示してい
る。
個使用し、ガス切り換え時の残留ガスの混入を防いでい
る。第３図（ｂ）は（３１） 、 （３２） 、 （３
３）によって導入されるガスが共通配管（３４）を介さ
ず、直接反応炉（３５）に導入されている例を示してい
る。
即ち第１図に例示されているようなガスバルブが反応炉
壁面の３個所に直接構成されている。反応炉（３５）壁
面が第１図における（１９）の接続壁面となっている。
壁面の３個所に直接構成されている。反応炉（３５）壁
面が第１図における（１９）の接続壁面となっている。
これらの第３図に示されるガス導入口を用い、なおかつ
同一のプラズマＣｖＤ半導体製造装置を用いて、アモル
ファスシリコンＰＩＮ接合ダイオードを作製した。以下
実施例を示し、説明する。
同一のプラズマＣｖＤ半導体製造装置を用いて、アモル
ファスシリコンＰＩＮ接合ダイオードを作製した。以下
実施例を示し、説明する。
比較例１
第３図（ｃ）に示されるガス導入部を用いてダイオード
を作製した。作製に際し、Ｐ、Ｉ、Ｎの各層の形成は配
管内のガスの混入を避けるために真空引きを介して行っ
た。Ｐ、Ｉ、Ｎ型名アモルファスシリコン層の製造条件
は異なるガスを用いること以外はまったく同一条件とし
た。真空引きは各１時間行った。この方法で作製したダ
、イオードのＩ−■特性のグラフを第４図中の（ｄ）に
示す。
を作製した。作製に際し、Ｐ、Ｉ、Ｎの各層の形成は配
管内のガスの混入を避けるために真空引きを介して行っ
た。Ｐ、Ｉ、Ｎ型名アモルファスシリコン層の製造条件
は異なるガスを用いること以外はまったく同一条件とし
た。真空引きは各１時間行った。この方法で作製したダ
、イオードのＩ−■特性のグラフを第４図中の（ｄ）に
示す。
実施例１
第３図（ａ）に示されるガス導入部を用いて、ダイオー
ドを作製した。作製に際し、Ｐ、Ｔ、Ｎの各層の形成は
ガスの切り換えのみによって行い、真空引きは一切行な
わなかった。また半導体製造装置の操作は、Ｐ、Ｉ、Ｎ
型各層のアモルファスシリコン−条件とした。
ドを作製した。作製に際し、Ｐ、Ｔ、Ｎの各層の形成は
ガスの切り換えのみによって行い、真空引きは一切行な
わなかった。また半導体製造装置の操作は、Ｐ、Ｉ、Ｎ
型各層のアモルファスシリコン−条件とした。
作製したダイオードのＩ−Ｖ特性のグラフを第４図中の
（ａ）に示す。
（ａ）に示す。
実施例２
第３図（ｂ）に示されるガス導入部を用いた以外は実施
例１とまったく同一の様態により作製したダイオードの
Ｉ・−Ｖ特性キ＝プを第４図中の（ｂ）に示す。
例１とまったく同一の様態により作製したダイオードの
Ｉ・−Ｖ特性キ＝プを第４図中の（ｂ）に示す。
実施例３
第３図（ｃ）に示されるガス導入部を用いた以外は実施
例１とまったく同一の様態により作製したダイオードの
Ｉ−Ｖカーブを第４図中の（ｃ）に示す。
例１とまったく同一の様態により作製したダイオードの
Ｉ−Ｖカーブを第４図中の（ｃ）に示す。
「発明の効果」
第４図に示される４つのグラフから、本発明によるバル
ブを用いて作製したＰＩＮダイオードの特性（ａ）及び
（ｂ）は従来のガス導入部を使用し、なおかつガス切り
換え時に真空引きを行ない作製したダイオードの特性（
ｄ）と同様であり、真空引きに要した時間が製造工程に
おいて短縮されることは明らかである。又、従来のガス
導入部を使用して、真空引きを行わずに作製したダイオ
ードの特性（ｃ）は残留ガスの効果により（ａ） 、
（ｂ） 、 （ｄ）の示すいずれの特性に対しても劣っ
ている。
ブを用いて作製したＰＩＮダイオードの特性（ａ）及び
（ｂ）は従来のガス導入部を使用し、なおかつガス切り
換え時に真空引きを行ない作製したダイオードの特性（
ｄ）と同様であり、真空引きに要した時間が製造工程に
おいて短縮されることは明らかである。又、従来のガス
導入部を使用して、真空引きを行わずに作製したダイオ
ードの特性（ｃ）は残留ガスの効果により（ａ） 、
（ｂ） 、 （ｄ）の示すいずれの特性に対しても劣っ
ている。
本発明によるバルブ構造がガス切り換えの迅速化に有効
であることは明らかである。
であることは明らかである。
第１図は本発明による真空及び高圧バルブの断面図の例
であり、ガス取り入れ口（ＩＩＬ（１２）、ベローズ（
１３）、運動導入軸（１４）、ベローズ支持体（１５Ｌ
運動導入軸の支持体（１６） 、ステム（１７） 、○
リング（１８） 、接続壁面（１９） 、バルブ壁面（
２０） 、エアシリンダ（２１）、エアシリンダ支持体
（２２） 、ガス取り入れ口（２３）から構成される。 第２図は本発明による真空及び高圧バルブを用いたガス
流の切り換えを行なう装置の例。 第３図は本発明の高圧及び真空バルブを用いたガス導入
部を持つ半導体製造装置ｔ （ａ） 、 （ｂ）及び従
来のガス導入部を持つ半導体製造装置（ｃ）。（３１）
。 （３２） 、 （３３）はガス導入口、 （３５）は反
応炉を含む半導体製造装置。（３６） 、 （３７）
、 （３８）は本発明による真空及び高圧バルブ。 第４図は第３図に示される半導体製造装置を用いて作製
したＰＩＮ接合を有するアモルファスシリコンダイオー
ドの特性。 乍６５図１１録の カ゛゛スー＝７ｉ、ｔ７１４灸辷を
裟。
であり、ガス取り入れ口（ＩＩＬ（１２）、ベローズ（
１３）、運動導入軸（１４）、ベローズ支持体（１５Ｌ
運動導入軸の支持体（１６） 、ステム（１７） 、○
リング（１８） 、接続壁面（１９） 、バルブ壁面（
２０） 、エアシリンダ（２１）、エアシリンダ支持体
（２２） 、ガス取り入れ口（２３）から構成される。 第２図は本発明による真空及び高圧バルブを用いたガス
流の切り換えを行なう装置の例。 第３図は本発明の高圧及び真空バルブを用いたガス導入
部を持つ半導体製造装置ｔ （ａ） 、 （ｂ）及び従
来のガス導入部を持つ半導体製造装置（ｃ）。（３１）
。 （３２） 、 （３３）はガス導入口、 （３５）は反
応炉を含む半導体製造装置。（３６） 、 （３７）
、 （３８）は本発明による真空及び高圧バルブ。 第４図は第３図に示される半導体製造装置を用いて作製
したＰＩＮ接合を有するアモルファスシリコンダイオー
ドの特性。 乍６５図１１録の カ゛゛スー＝７ｉ、ｔ７１４灸辷を
裟。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、気体の流れの開閉を制御するバルブにおいて、気体
の取り出し口もしくは取り入れ口、あるいはその両方が
閉状態において、バルブの接続される壁面の内側に対し
、同一平面もしくは同一曲面を構成するか、もしくは突
出部を持つことを特徴とする真空及び高圧用バルブ。 ２、その気体の流れに対するコンダクタンスに、連続的
値もしくはそのうちの最大及び最小の２値及びそれらの
中間の値のうちの任意な組合わせのいずれかを持たせる
ことができることを特徴とした特許請求の範囲第１項に
記載される真空及び高圧用バルブ。 ３、１乃至２以上の気体取り入れ口もしくは取り出し口
の組合わせを持つことを特 徴とする特許請求の範囲第１項に記載される真空及び高
圧用バルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14036384A JPS6121472A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 真空及び高圧用バルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14036384A JPS6121472A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 真空及び高圧用バルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6121472A true JPS6121472A (ja) | 1986-01-30 |
Family
ID=15267079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14036384A Pending JPS6121472A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 真空及び高圧用バルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6121472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297322A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ装置用バルブ |
| CN105422940A (zh) * | 2015-11-19 | 2016-03-23 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种真空进气调节阀 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556208A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-17 | Asahi Eng Kk | Sampler for analysis |
| JPS5535498U (ja) * | 1978-08-31 | 1980-03-07 |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP14036384A patent/JPS6121472A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556208A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-17 | Asahi Eng Kk | Sampler for analysis |
| JPS5535498U (ja) * | 1978-08-31 | 1980-03-07 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297322A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ装置用バルブ |
| CN105422940A (zh) * | 2015-11-19 | 2016-03-23 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种真空进气调节阀 |
| CN105422940B (zh) * | 2015-11-19 | 2020-11-06 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种真空进气调节阀 |
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