JPS6121892Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6121892Y2 JPS6121892Y2 JP1980055488U JP5548880U JPS6121892Y2 JP S6121892 Y2 JPS6121892 Y2 JP S6121892Y2 JP 1980055488 U JP1980055488 U JP 1980055488U JP 5548880 U JP5548880 U JP 5548880U JP S6121892 Y2 JPS6121892 Y2 JP S6121892Y2
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- JP
- Japan
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- period
- constant current
- voltage
- transistor
- electron beam
- Prior art date
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- Expired
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009432 framing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、静電偏向方式を採用した撮像管の電
子ビームに対する偏向回路に関する。
子ビームに対する偏向回路に関する。
撮像管においては、第1図に示すようにフエー
スプレート(ガラス)1の内面上にネサ膜等の透
明電極2が被着され、更にその上面にホトコンダ
クタ3が被着されていわゆるターゲツト4が構成
され、ネサ膜2には例えば20V〜80Vの直流電圧
を印加した状態でホトコンダクタ3の所定の範囲
(第1図で点線で示す)5内で電子ビームを走査
させることにより、ネサ膜2より信号を得るよう
にしている。そしてこの場合、ターゲツト4上の
チヤージが受光量に対応して電子ビームの走査に
より順次デイスチヤージされ、このデイスチヤー
ジされた部分の電圧は0V程度迄低下するが、高
い所でも5V程度である。尚上述した電子ビーム
の走査範囲5はいわゆる有効撮像画面とほゞ同一
に選ばれる。
スプレート(ガラス)1の内面上にネサ膜等の透
明電極2が被着され、更にその上面にホトコンダ
クタ3が被着されていわゆるターゲツト4が構成
され、ネサ膜2には例えば20V〜80Vの直流電圧
を印加した状態でホトコンダクタ3の所定の範囲
(第1図で点線で示す)5内で電子ビームを走査
させることにより、ネサ膜2より信号を得るよう
にしている。そしてこの場合、ターゲツト4上の
チヤージが受光量に対応して電子ビームの走査に
より順次デイスチヤージされ、このデイスチヤー
ジされた部分の電圧は0V程度迄低下するが、高
い所でも5V程度である。尚上述した電子ビーム
の走査範囲5はいわゆる有効撮像画面とほゞ同一
に選ばれる。
ところが一般的にはターゲツト4が受光する面
積は上述した有効撮像画面即ち電子ビームの走査
範囲5の面積よりも充分に広いものであつて、有
効撮像画面より広い範囲には電子ビームは走査し
ないので、ターゲツト4上において上述した有効
撮像画面即ち電子ビームの走査範囲5の外側では
デイスチヤージされるときがなく、従つて範囲5
外ではチヤージ電圧が極めて高くなり、これによ
り有効撮像画面へ到達せんとする電子ビームがベ
ンデイングし、走査歪を生ずると共にフレーミン
グ効果によつて画面の周辺に明るい枠が生ずる傾
向がある。又色相をインデツクス信号により識別
する方式のカラー撮像管では、電子ビームの歪に
よつてインデツクス信号と色信号との位相関係が
正常でなくなり、色復調に支障を来たす傾向も生
ずる等の欠点がある。
積は上述した有効撮像画面即ち電子ビームの走査
範囲5の面積よりも充分に広いものであつて、有
効撮像画面より広い範囲には電子ビームは走査し
ないので、ターゲツト4上において上述した有効
撮像画面即ち電子ビームの走査範囲5の外側では
デイスチヤージされるときがなく、従つて範囲5
外ではチヤージ電圧が極めて高くなり、これによ
り有効撮像画面へ到達せんとする電子ビームがベ
ンデイングし、走査歪を生ずると共にフレーミン
グ効果によつて画面の周辺に明るい枠が生ずる傾
向がある。又色相をインデツクス信号により識別
する方式のカラー撮像管では、電子ビームの歪に
よつてインデツクス信号と色信号との位相関係が
正常でなくなり、色復調に支障を来たす傾向も生
ずる等の欠点がある。
本考案はこのような欠点を回避しようとしたも
ので、図面第2図以下について説明する。
ので、図面第2図以下について説明する。
6は直流電源端子、7は映像ブランキング信号
Sa(第3図A参照)を印加する入力端子、8a
及び8bは夫々スイツチングパルスSa及びSc
(第3図B及びC参照)を印加する入力端子であ
る。このパルスSa及びScはブランキング信号Sa
の略中央(時間的に見て)に位置されるを可とす
る。
Sa(第3図A参照)を印加する入力端子、8a
及び8bは夫々スイツチングパルスSa及びSc
(第3図B及びC参照)を印加する入力端子であ
る。このパルスSa及びScはブランキング信号Sa
の略中央(時間的に見て)に位置されるを可とす
る。
第1のスイツチング素子となるPNPトランジス
タ9を設けてそのベースを上述した入力端子7
に、エミツタを電源端子6に、コレクタを可変抵
抗器10を通じて可変抵抗器11の可動接点に
夫々接続する。この可変抵抗器11は電源端子6
と接地との間に接続する。更にNPNトランジス
タ12を設けてそのベースを可変抵抗器11の可
動接点に、コレクタを抵抗器13を通じて電源端
子6に夫々接続し、エミツタを抵抗器14を通じ
て接地する。
タ9を設けてそのベースを上述した入力端子7
に、エミツタを電源端子6に、コレクタを可変抵
抗器10を通じて可変抵抗器11の可動接点に
夫々接続する。この可変抵抗器11は電源端子6
と接地との間に接続する。更にNPNトランジス
タ12を設けてそのベースを可変抵抗器11の可
動接点に、コレクタを抵抗器13を通じて電源端
子6に夫々接続し、エミツタを抵抗器14を通じ
て接地する。
15a及び15bは夫々定電流回路であり、互
いに逆相関係に動作するように対称的に構成され
ているので、定電流回路15aについて説明し、
定電流回路15bには対称部分にサフイツクスa
をbに代えて附してその説明を省略する。
いに逆相関係に動作するように対称的に構成され
ているので、定電流回路15aについて説明し、
定電流回路15bには対称部分にサフイツクスa
をbに代えて附してその説明を省略する。
即ちトランジスタ16aを設け、そのベースを
トランジスタ12の出力端子(コレクタ又はエミ
ツタ)に、エミツタを抵抗器17aを通じて直流
電源端子(端子6又は接地)に夫々接続し、コレ
クタをダイオード18a−コンデンサ19aを通
じて直流電源端子(接地又は端子6)に接続す
る。尚電源端子6と接地との間にはトランジスタ
20aのコレクタ−エミツタ−トランジスタ21
aのエミツタ−コレクタで構成される直列回路を
接続し、これら両トランジスタ20a及び21a
のベースをダイオード18aのアノード及びカソ
ードに接続していわゆるバツフア回路22aを構
成し、両トランジスタ20a及び21aの接続点
より出力端子23aを導出している。しかし乍ら
このバツフア回路22aは必ずしも必要とせず、
ダイオード18aとコンデンサ19aとの接続点
Paより出力端子23aを導出してもよい。これ
ら出力端子23a及び23bを図示しないが撮像
管の電子ビームの水平偏向の一対の偏向板(電
極)に接続する。勿論本考案は垂直偏向の場合に
も使用することができる。尚ダイオード18aは
トランジスタ20a及び21aのベースバイアス
を発生させる為のものである。
トランジスタ12の出力端子(コレクタ又はエミ
ツタ)に、エミツタを抵抗器17aを通じて直流
電源端子(端子6又は接地)に夫々接続し、コレ
クタをダイオード18a−コンデンサ19aを通
じて直流電源端子(接地又は端子6)に接続す
る。尚電源端子6と接地との間にはトランジスタ
20aのコレクタ−エミツタ−トランジスタ21
aのエミツタ−コレクタで構成される直列回路を
接続し、これら両トランジスタ20a及び21a
のベースをダイオード18aのアノード及びカソ
ードに接続していわゆるバツフア回路22aを構
成し、両トランジスタ20a及び21aの接続点
より出力端子23aを導出している。しかし乍ら
このバツフア回路22aは必ずしも必要とせず、
ダイオード18aとコンデンサ19aとの接続点
Paより出力端子23aを導出してもよい。これ
ら出力端子23a及び23bを図示しないが撮像
管の電子ビームの水平偏向の一対の偏向板(電
極)に接続する。勿論本考案は垂直偏向の場合に
も使用することができる。尚ダイオード18aは
トランジスタ20a及び21aのベースバイアス
を発生させる為のものである。
更に本考案においては第2のスイツチング素子
となるトランジスタ24aを設け、そのベースを
パルスSbの入力端子8aに、コレクタを上述し
た接続点Paに、エミツタをバイアス電源25a
を通じて直流電源端子(端子6又は接地)に夫々
接続する。定電流回路15aに対しても同様に構
成するものである。
となるトランジスタ24aを設け、そのベースを
パルスSbの入力端子8aに、コレクタを上述し
た接続点Paに、エミツタをバイアス電源25a
を通じて直流電源端子(端子6又は接地)に夫々
接続する。定電流回路15aに対しても同様に構
成するものである。
次に上述した構成の動作を説明する。尚定電流
回路15b側はその動作が定電流回路15a側と
逆位相関係となるので、定電流回路15a側につ
いてのみ説明し、定電流回路15b側の説明を省
略する。
回路15b側はその動作が定電流回路15a側と
逆位相関係となるので、定電流回路15a側につ
いてのみ説明し、定電流回路15b側の説明を省
略する。
第3図Aに示すブランキング信号Saの期間
(ブランキング期間Ts)以外のアンブランキング
期間(Taとする)にあつては、トランジスタ9
はオフ状態にあり、よつて可変抵抗器11にて決
まる電圧によつてトランジスタ12の内部インピ
ーダンスが決まり、これに伴つて定電流回路15
aのトランジスタ16aのコレクタ−エミツタを
通ずる電流の大きさが決定される。このTa期間
に流れる電流によつてPa点に得られる電圧(コ
ンデンサ19aのチヤージ電圧)を第3図におい
てVaとして示す。よつてこの電圧Vaの変化の大
きさ(傾斜の度合)は可変抵抗器11を調整する
ことによつて変更することができる。
(ブランキング期間Ts)以外のアンブランキング
期間(Taとする)にあつては、トランジスタ9
はオフ状態にあり、よつて可変抵抗器11にて決
まる電圧によつてトランジスタ12の内部インピ
ーダンスが決まり、これに伴つて定電流回路15
aのトランジスタ16aのコレクタ−エミツタを
通ずる電流の大きさが決定される。このTa期間
に流れる電流によつてPa点に得られる電圧(コ
ンデンサ19aのチヤージ電圧)を第3図におい
てVaとして示す。よつてこの電圧Vaの変化の大
きさ(傾斜の度合)は可変抵抗器11を調整する
ことによつて変更することができる。
次にTs期間の前半(パルスSbより前)Tbに入
ると、端子7に供給されるブランキング信号Sa
によつてトランジスタ9がオンし、このトランジ
スタ9及び可変抵抗器10を通じた電流もトラン
ジスタ12のベースに供給され、従つてこれがよ
り導通する方向となり、この定電流回路15aの
電流は上述したTa期間の電流よりも増大する。
よつてPa点における電圧は上述のTa期間の上昇
速度よりも早くなる。この期間における電圧を第
3図DにおいてVbとして示す。よつてこの場合
の傾斜はVaのそれより急となり、可変抵抗器1
0をもつて変更し得る。よつてトランジスタ9及
び可変抵抗器10は定電流回路15aの電流を増
大する回路となる。
ると、端子7に供給されるブランキング信号Sa
によつてトランジスタ9がオンし、このトランジ
スタ9及び可変抵抗器10を通じた電流もトラン
ジスタ12のベースに供給され、従つてこれがよ
り導通する方向となり、この定電流回路15aの
電流は上述したTa期間の電流よりも増大する。
よつてPa点における電圧は上述のTa期間の上昇
速度よりも早くなる。この期間における電圧を第
3図DにおいてVbとして示す。よつてこの場合
の傾斜はVaのそれより急となり、可変抵抗器1
0をもつて変更し得る。よつてトランジスタ9及
び可変抵抗器10は定電流回路15aの電流を増
大する回路となる。
次にパルスSbの期間Tcに入ると、パルスSbに
よりトランジスタ24aが導通(オン)し、よつ
てコンデンサ19aがデイスチヤージされ、Pa
点の電圧は急激に低下する。この期間の電圧を第
3図においてVcとして示す。更にブランキング
期間Ts内における後半即ちパルスSbの後の期間
Tdに入ると、トランジスタ24aがオフの為に
コンデンサ19aは再びチヤージを開始する。そ
してこのときのトランジスタ16aのコレクタを
通ずる電流即ちチヤージ電流は、前のTb期間と
同一であるから、このときのPa点の電圧変化
(カーブの傾斜)はVbと同一となり、これを第3
図DにおいてVdにて示す。そして次のアンプラ
ンキング期間Taに入るとトランジスタ9がオフ
する為にトランジスタ12は再び可変抵抗器11
のみの設定により決まるインピーダンスとなり、
よつてPa点の電圧はVaで表わされることにな
る。尚図示の例ではこのPa点に示す電圧はバツ
フア回路22aを通じて出力端子23aに供給さ
れることになる。尚出力端子23bには第3図E
に示すように第3図Dとは逆極性の信号が得ら
れ、これらが一対の偏向板に印加される。第3図
Cは端子8bに供給されるパルスを示す。
よりトランジスタ24aが導通(オン)し、よつ
てコンデンサ19aがデイスチヤージされ、Pa
点の電圧は急激に低下する。この期間の電圧を第
3図においてVcとして示す。更にブランキング
期間Ts内における後半即ちパルスSbの後の期間
Tdに入ると、トランジスタ24aがオフの為に
コンデンサ19aは再びチヤージを開始する。そ
してこのときのトランジスタ16aのコレクタを
通ずる電流即ちチヤージ電流は、前のTb期間と
同一であるから、このときのPa点の電圧変化
(カーブの傾斜)はVbと同一となり、これを第3
図DにおいてVdにて示す。そして次のアンプラ
ンキング期間Taに入るとトランジスタ9がオフ
する為にトランジスタ12は再び可変抵抗器11
のみの設定により決まるインピーダンスとなり、
よつてPa点の電圧はVaで表わされることにな
る。尚図示の例ではこのPa点に示す電圧はバツ
フア回路22aを通じて出力端子23aに供給さ
れることになる。尚出力端子23bには第3図E
に示すように第3図Dとは逆極性の信号が得ら
れ、これらが一対の偏向板に印加される。第3図
Cは端子8bに供給されるパルスを示す。
以上説明した本考案によれば、第3図D及びE
に示す信号が偏向板に印加され、よつてアンブラ
ンキング期間Taでは通常の偏向が行われること
は明らかである。勿論のTa期間では、電子ビー
ムは第1図の点線で示す範囲(これは第3図Dに
示す電圧Vaの大きさHEで決まる)内で走査され
る。
に示す信号が偏向板に印加され、よつてアンブラ
ンキング期間Taでは通常の偏向が行われること
は明らかである。勿論のTa期間では、電子ビー
ムは第1図の点線で示す範囲(これは第3図Dに
示す電圧Vaの大きさHEで決まる)内で走査され
る。
そして次のTb期間に入つても電子ビームはリ
トレースされることはなく、従つて上述した範囲
5(これは冒頭に述べたように有効撮像画面の範
囲である)を越えて電子ビームは走査されること
になる。この走査範囲は第3図Dに示す電圧
Vd,Va及びVbが加算された大きさHEで決ま
り、しかもこの場合本考案においては、範囲5を
越えて走査するとき、電子ビームの速度を上昇さ
せるようにしたから、上述したHEはより一層大
きな値となり、即ちそれ丈け走査範囲を拡大させ
ることができ、これにより有効撮像画面即ち範囲
5の外域について充分広い範囲迄電子ビームを走
査させることができ、即ちこの部分のターゲツト
のデイスチヤージを行い得るので、冒頭に述べた
欠点を確実に回避することができる特徴を有する
ものである。
トレースされることはなく、従つて上述した範囲
5(これは冒頭に述べたように有効撮像画面の範
囲である)を越えて電子ビームは走査されること
になる。この走査範囲は第3図Dに示す電圧
Vd,Va及びVbが加算された大きさHEで決ま
り、しかもこの場合本考案においては、範囲5を
越えて走査するとき、電子ビームの速度を上昇さ
せるようにしたから、上述したHEはより一層大
きな値となり、即ちそれ丈け走査範囲を拡大させ
ることができ、これにより有効撮像画面即ち範囲
5の外域について充分広い範囲迄電子ビームを走
査させることができ、即ちこの部分のターゲツト
のデイスチヤージを行い得るので、冒頭に述べた
欠点を確実に回避することができる特徴を有する
ものである。
第1図は撮像管のターゲツト面を示す正面図、
第2図は本考案による撮像管の電子ビームの偏向
回路図、第3図はその動作の説明の為の波形図で
ある。 15a,15bは定電流回路、9はその電流を
増大させる為の回路のトランジスタ、23a,2
3bは偏向板への接続端子である。
第2図は本考案による撮像管の電子ビームの偏向
回路図、第3図はその動作の説明の為の波形図で
ある。 15a,15bは定電流回路、9はその電流を
増大させる為の回路のトランジスタ、23a,2
3bは偏向板への接続端子である。
Claims (1)
- 電流量を可変できる定電流回路と、該定電流回
路により充電されるコンデンサと、該コンデンサ
の両端電圧又はこれに関連する電圧の出力端子
と、映像ブランキング期間でオンし、上記定電流
回路の電流を、アンブランキング期間で流れる電
流量よりも大となす第1のスイツチング素子と、
上記映像ブランキング期間内のほゞ中間位置で、
上記第1のスイツチング素子のオン期間より短い
期間でオンし、上記コンデンサの充電電荷を放電
させる第2のスイツチング素子とよりなる撮像管
の電子ビームの偏向回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980055488U JPS6121892Y2 (ja) | 1980-04-23 | 1980-04-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980055488U JPS6121892Y2 (ja) | 1980-04-23 | 1980-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56157869U JPS56157869U (ja) | 1981-11-25 |
| JPS6121892Y2 true JPS6121892Y2 (ja) | 1986-07-01 |
Family
ID=29650141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980055488U Expired JPS6121892Y2 (ja) | 1980-04-23 | 1980-04-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6121892Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-04-23 JP JP1980055488U patent/JPS6121892Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56157869U (ja) | 1981-11-25 |
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