JPS61220599A - 超音波センサ - Google Patents

超音波センサ

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JPS61220599A
JPS61220599A JP6133685A JP6133685A JPS61220599A JP S61220599 A JPS61220599 A JP S61220599A JP 6133685 A JP6133685 A JP 6133685A JP 6133685 A JP6133685 A JP 6133685A JP S61220599 A JPS61220599 A JP S61220599A
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JP
Japan
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signal input
input electrode
electrode
high polymer
polymer film
Prior art date
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Application number
JP6133685A
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English (en)
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JPH0520040B2 (ja
Inventor
Toshihide Kuriyama
敏秀 栗山
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1,産業上の利用分野) 本発明は、超音波センサに関し、特にコンデンサタイプ
の超音波センサに関するものである。
(従来技術とその問題点) 一般に、超音波センサの一種としてコンデンサタイプの
超音波センサが知られている。これは主に測距センサと
して用いられるセンサで、薄い金属電極が表面に設けら
れた高分子フィルムとこの高分子フィルムと一定の空間
を、隔てて設置された電極によ多形成される。
従来、上記のコンデンサタイプの超音波センサは主に測
距用に使用され、このセンサの表面から    ゛送シ
出される超音波が正面の物体にはねかえってセンサに戻
るまでの遅延時間を測ることによシロ計算式 %式% から、センサと対象物体との距離を求めることができる
。この測距用超音波センサとして、ポラロイド社の自動
焦点カメラに使用されているコンデンサ型超音波センサ
がよく知られている0このポラロイド社製の超音波セン
サは第3図に示すように同心円状に溝が掘られたアルミ
円板の表面に、薄゛い金属電極が表面に設けられた高分
子フィルムが押しつけられた構造を持つ。高分子フィル
ムの表面とアルミの裏面はそれぞれ電極として動き、容
易に外部と電気的に接続される。このように、コンデン
サ型超音波センサは構造が簡単であるという特徴を持っ
ている。
しかしながら、コンデンサ型超音波セ/すを複数個アレ
イ状に配置し、それぞれのセンサから送り出される超音
波の相対的な位相を変化させ超音波を走査する超音波イ
メージングを行う場合従来のコンデンサ型超音波センナ
を使用するのは困難であった。すなわち、超音波走査用
センサアレイにおいてはアレイを構成するそれぞれの超
音波センサの幅は使用する超音波の波長程度に小さくす
る必要がある。たとえば周波数I Q OkHzの超音
波の空気中での波長は約3.4 mmであシ、従来のコ
ンデンサ型超音波センサを波長程度の大きさにしてプレ
イ状に並べるのは組立て工程が大幅に増加するという欠
点が生じていた。
(発明の目的) 本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、セン
サのアレイ化に適したコンデンサ型超音波センサを提供
することにある。
(発明の構成) 本発明によれば、少くとも表面に絶縁層が形成された基
板上の所定の位置に導電体層からなる信号入力電極が設
けられ、かつこの信号入力電極の左右もしくは周辺に形
成された高分子絶縁体のスペーサを介して上記信号入力
電極上に一定の空間を隔てて、薄い金属が表面に設けら
れた高分子フィルムが形成されることを特徴とする超音
波センサが得られる。
(実施例) 以下本発明について実施例を示す図面を参照して説明す
る。第1図は本発明の一実施例を示す断面図で同図にお
いて、lはサファイア基板、2は信号入力電極、3は高
分子絶縁体、4は高分子フィルム、5は金属電極である
。第2図は第1図の平面図でサファイア基板l上に信号
入力電極2が設けられた様子を示し、電気的な接続を取
るため金属電極に覆われていない領域が設けられている
0高分子絶縁体3は高分子フィルム4を信号入力電極2
と一定の空隙をあけて支持するだめのものであり、10
μm〜500μmの厚さを持つ。高分子フィルム4は1
μrrr−100μmの厚さを持ち表面に非常に薄い金
属電極が設けられている。
(発明の効果) 絶縁基板上に形成される信号入力電極2は、絶縁基板上
にアルミ、金などの金属を真空蒸着法やスパッタ法によ
シ設けた後、フォトリソグラフィーによりバターニング
されたフォトレジストをマスクにしてエツチングするこ
とにょシ、所定の形状に精度良く加工することができる
。また、同一絶縁基板上に複数の信号入力電極をアレイ
状に並べることも上記に述べた工程によシ容易に実現で
きる。第4図は本発明による実施例である第1図に示し
た超音波センサをアレイ化した場合の断面図である。
本発明によれば絶縁基板上のセンサ以外の領域に島状シ
リコン層を設け、この島状シリコン層を用いて絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタを形成することができ、さら
に高耐圧トランジスタ(H。
Sakuma 、 T、 Kuriyama and 
T、 5uzuki。
IEDM’79  Technical  Diges
t+  pp、594−597)を形成することも可能
である。したがって、コンデンサ型超音波センサの駆動
回路や検出回路も同一絶縁基板上に設けられる。
本発明は、一実施例に示したサファイア基板に限らずセ
ラミック基板やシリコンウェーハに絶縁膜を設けた基板
を絶縁基板として用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による超音波センサカー実施例の断面図
、第2図はこの実施例の平面図、第3図は従来のコンデ
ンサ型超音波センサの断面図、第4図は本発明によるコ
ンデンサ型超音波センサをアレイ状に並べた一実施例の
断面図である。 図において、lはサファイア基板、2は信号入力電極、
3は高分子絶縁体、4は高分子フィルム、5は金属電極
を示す。 1、□い、1ユ□ 、 0 .1て   ゛噌  1 
 図 蔓   2   図 15、会篇篩 苧  3  図 アルミ濫 亭   4   図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも表面に絶縁層が形成された基板上の所定の位
    置に導電体層からなる信号入力電極が設けられ、かつこ
    の信号入力電極の左右、もしくは周辺に形成された高分
    子絶縁体のスペーサを介して上記信号入力電極上に一定
    の空間を隔てて、薄い金属電極が表面に設けられた高分
    子フィルムが形成されることを特徴とする超音波センサ
JP6133685A 1985-03-26 1985-03-26 超音波センサ Granted JPS61220599A (ja)

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JP6133685A JPS61220599A (ja) 1985-03-26 1985-03-26 超音波センサ

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JP6133685A JPS61220599A (ja) 1985-03-26 1985-03-26 超音波センサ

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Publication Number Publication Date
JPS61220599A true JPS61220599A (ja) 1986-09-30
JPH0520040B2 JPH0520040B2 (ja) 1993-03-18

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JP (1) JPS61220599A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149299A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Agency Of Ind Science & Technol アレイ型超音波トランスデユ−サ
JPS62284600A (ja) * 1986-06-03 1987-12-10 Agency Of Ind Science & Technol 超音波トランスジューサの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149299A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Agency Of Ind Science & Technol アレイ型超音波トランスデユ−サ
JPS62284600A (ja) * 1986-06-03 1987-12-10 Agency Of Ind Science & Technol 超音波トランスジューサの製造方法

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JPH0520040B2 (ja) 1993-03-18

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