JPS61222976A - 多孔質体の表面緻密化法 - Google Patents
多孔質体の表面緻密化法Info
- Publication number
- JPS61222976A JPS61222976A JP6430985A JP6430985A JPS61222976A JP S61222976 A JPS61222976 A JP S61222976A JP 6430985 A JP6430985 A JP 6430985A JP 6430985 A JP6430985 A JP 6430985A JP S61222976 A JPS61222976 A JP S61222976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous body
- densified
- porous
- gas
- cvd reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007663 fining method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 4
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 9
- -1 sialon Chemical compound 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000975357 Salangichthys microdon Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5042—Zirconium oxides or zirconates; Hafnium oxides or hafnates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は連続気孔を有する多孔質体の表面緻密化法に係
り、特に多孔質セラミックス等の多孔質体の表面部のみ
を有効に緻密化するに好適な多孔質体の表面緻密化法に
関する。
り、特に多孔質セラミックス等の多孔質体の表面部のみ
を有効に緻密化するに好適な多孔質体の表面緻密化法に
関する。
[従来の技術]
近年、高温高強度構造材料として窒化珪素、炭化珪素、
サイアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラ
ミックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開
発がなされている。これらのセラミックスの用途は、ガ
スタービンのブレードや燃焼器、ディーゼルエンジンの
シリンダやピストンその他高温用機械部品として数多く
ある。
サイアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラ
ミックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開
発がなされている。これらのセラミックスの用途は、ガ
スタービンのブレードや燃焼器、ディーゼルエンジンの
シリンダやピストンその他高温用機械部品として数多く
ある。
しかして、セラミックスの中でも多孔質のセラミック部
材は、断熱性、吸音性、軽量性、耐熱衝撃性等の点にお
いて優れた特性を有するところから広い範囲の応用が期
待されている。多孔質セラミック部材は、通常、セラミ
ックス粉体の加圧成形密度を低くして焼成を行うか、又
は成形時に揮発性あるいは可燃性物質を添加して焼成を
行う。
材は、断熱性、吸音性、軽量性、耐熱衝撃性等の点にお
いて優れた特性を有するところから広い範囲の応用が期
待されている。多孔質セラミック部材は、通常、セラミ
ックス粉体の加圧成形密度を低くして焼成を行うか、又
は成形時に揮発性あるいは可燃性物質を添加して焼成を
行う。
あるいはシラスのように焼成過程で発泡するような材料
を用いる、などの方法によって製造されている。
を用いる、などの方法によって製造されている。
しかしながら、多孔質セラミックスにおいては、その表
面が多孔質であることから、強度が低いなどの問題があ
る。
面が多孔質であることから、強度が低いなどの問題があ
る。
従って、強度が要求されるところにセラミックスを多孔
化して用いる場合には、特に、このような問題点を改善
することが必要とされていた。
化して用いる場合には、特に、このような問題点を改善
することが必要とされていた。
従来、多孔化されたセラミックスは、使用目的及び使用
部位に応じて、特に荷重等が加えられる箇所又は表面部
等は緻密化して用いるのが最も合理的とされており、こ
の緻密化法としては、セラミックス粉末を塗布して焼き
付ける方法、溶射などが提案されている。
部位に応じて、特に荷重等が加えられる箇所又は表面部
等は緻密化して用いるのが最も合理的とされており、こ
の緻密化法としては、セラミックス粉末を塗布して焼き
付ける方法、溶射などが提案されている。
[発明が解決しようとする問題点]
上記従来の緻密化法のうち、溶融状態の粉末物質を吹き
付けるようにした溶射法では、多孔質セラミックス部材
の表面及びその近傍に分布する孔(ボア)の内部までは
十分には埋めきれない、また焼き付は法、溶射法のいず
れの方法によっても付着物やコーテイング膜がはがれ易
く緻密化部分が損傷し易いという問題がある。
付けるようにした溶射法では、多孔質セラミックス部材
の表面及びその近傍に分布する孔(ボア)の内部までは
十分には埋めきれない、また焼き付は法、溶射法のいず
れの方法によっても付着物やコーテイング膜がはがれ易
く緻密化部分が損傷し易いという問題がある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、緻密化部分
が極めて安定化される、多孔質体の表面緻密化法を提供
するべくなされたものであり、連続気孔を有する多孔質
体の表面を緻密化する方法において、多孔質体の緻密化
予定表面にジルコニア板をa層し、CVD反応の原料ガ
スを該多孔質体の連続気孔を通して該緻密化予定表面部
に供給すると共に、酸素を、該ジルコニア板の内部に拡
散させることにより該緻密化予定表面部に到達させ、多
孔質体の緻密化予定表面部においてCVD反応させ、該
表面部に固相を析出させて該表面部を緻密化することを
特徴とする多孔質体の表面緻密化法、 を要旨とするものである。
が極めて安定化される、多孔質体の表面緻密化法を提供
するべくなされたものであり、連続気孔を有する多孔質
体の表面を緻密化する方法において、多孔質体の緻密化
予定表面にジルコニア板をa層し、CVD反応の原料ガ
スを該多孔質体の連続気孔を通して該緻密化予定表面部
に供給すると共に、酸素を、該ジルコニア板の内部に拡
散させることにより該緻密化予定表面部に到達させ、多
孔質体の緻密化予定表面部においてCVD反応させ、該
表面部に固相を析出させて該表面部を緻密化することを
特徴とする多孔質体の表面緻密化法、 を要旨とするものである。
本出願人は先に多孔質部材の表面を緻密化する方法とし
て、多孔質部材の表面部のみをCVD反応の析出温度域
に加熱しておき、多孔質の連続気孔を経由してCVDガ
スを前記多孔質表面部に供給してCVD反応させ、該表
面部に固相を析出させることにより、該表面部を緻密化
する方法を見い出し特許出願した(特願昭58−133
098号。以下「先願」という、)、先願の方法によれ
ば極めて良好な緻密化表面を得ることが可能である。
て、多孔質部材の表面部のみをCVD反応の析出温度域
に加熱しておき、多孔質の連続気孔を経由してCVDガ
スを前記多孔質表面部に供給してCVD反応させ、該表
面部に固相を析出させることにより、該表面部を緻密化
する方法を見い出し特許出願した(特願昭58−133
098号。以下「先願」という、)、先願の方法によれ
ば極めて良好な緻密化表面を得ることが可能である。
しかして、本発明者らは、上記先願に基き、より工業的
に有利に多孔質体の表面を緻密化するべく鋭意検討を重
ねた結果、安定化ジルコニア板の酸素拡散能を利用して
、CVD反応のための酸素イオンを緻密化予定表面に供
給することにより。
に有利に多孔質体の表面を緻密化するべく鋭意検討を重
ねた結果、安定化ジルコニア板の酸素拡散能を利用して
、CVD反応のための酸素イオンを緻密化予定表面に供
給することにより。
より確実に緻密化予定表面部においてCVD反応を生起
させることができることを見い出し、本発明を完成させ
たものである。
させることができることを見い出し、本発明を完成させ
たものである。
以下に本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の詳細な説明する多孔
質体の断面の概略図である。
質体の断面の概略図である。
CVD反応は、一般に、析出させようとする物質の基質
元素を含む化合物よりなるガス(本発明においてはこれ
を「原料ガス」と称する。)とこのガスと反応して目的
物質を析出させる蒸気等(本発明においてはこれを「反
応、ガス」という、)を反応させることにより起こる。
元素を含む化合物よりなるガス(本発明においてはこれ
を「原料ガス」と称する。)とこのガスと反応して目的
物質を析出させる蒸気等(本発明においてはこれを「反
応、ガス」という、)を反応させることにより起こる。
本発明においては、まず、第1図(a)に示す如く、多
孔質体lの緻密化予定表面を覆うように安定化ジルコニ
アの板(例えば薄板)2を積層し、しかる後、原料ガス
を多孔質体1の緻密化予定面に対向する面(第1図(a
)におけるB)側から多孔質体の連続気孔を経由して原
料ガスを供給すると共に1反応ガスとして酸素をジルコ
ニア板の表面(第1図(a)におけるA)側から酸素イ
オンとしてジルコニア板2の内部に拡散させる。原料ガ
スとしては、Z r CJl 4、HfC文4.AlC
l3などの気化ガスが用いられる。反応ガスとしては、
o2又は02を含むガス(例えば大気)を用い得るが、
化学反応もしくは電気化学反応によってOを生じさせる
もの、例えばH2Oなども用いうる。
孔質体lの緻密化予定表面を覆うように安定化ジルコニ
アの板(例えば薄板)2を積層し、しかる後、原料ガス
を多孔質体1の緻密化予定面に対向する面(第1図(a
)におけるB)側から多孔質体の連続気孔を経由して原
料ガスを供給すると共に1反応ガスとして酸素をジルコ
ニア板の表面(第1図(a)におけるA)側から酸素イ
オンとしてジルコニア板2の内部に拡散させる。原料ガ
スとしては、Z r CJl 4、HfC文4.AlC
l3などの気化ガスが用いられる。反応ガスとしては、
o2又は02を含むガス(例えば大気)を用い得るが、
化学反応もしくは電気化学反応によってOを生じさせる
もの、例えばH2Oなども用いうる。
安定化ジルコニアは酸素イオンの良伝導体であるため、
酸素イオンは安定化ジルコニア板2の内部を容易に移動
して拡散され、多孔質体1の緻密化予定表面に到達し、
多孔質体の連続気孔を経由して送給された原料ガスに触
れてCVD反応を生起させる。
酸素イオンは安定化ジルコニア板2の内部を容易に移動
して拡散され、多孔質体1の緻密化予定表面に到達し、
多孔質体の連続気孔を経由して送給された原料ガスに触
れてCVD反応を生起させる。
このような安定化ジルコニア板は、そのジルコニアの特
性により#素を拡散するものであるので、緻密質に限ら
れず、多孔質であっても良い。
性により#素を拡散するものであるので、緻密質に限ら
れず、多孔質であっても良い。
また、安定化ジルコニアは、酸素の拡散移動距離を小さ
くするために、薄板とするのが好ましい。
くするために、薄板とするのが好ましい。
原料ガス供給は、通常、これをキャリアガスに同伴させ
て送給する。原料ガスのキャリアガスとしてはHeやN
2等の不活性ガスを用いるのが好ましい。
て送給する。原料ガスのキャリアガスとしてはHeやN
2等の不活性ガスを用いるのが好ましい。
なお、反応ガス及び酸素によりCVD反応を生起させる
ためには、多孔質体lの少なくとも緻密化予定表面部を
CVD反応の析出温度域に加熱する必要がある。この加
熱は、多孔質体1を全体的に加熱しても良く、また緻密
化予定表面部近傍のみを加熱しても良い0本発明におい
ては、安定化ジルコニア板2により、反応ガスの酸素イ
オンは緻密化予定表面に拡散されるため、多孔質体1を
全体的に加熱した場合においても、緻密化予定表面のみ
を確実に選択的緻密化することが可能である。
ためには、多孔質体lの少なくとも緻密化予定表面部を
CVD反応の析出温度域に加熱する必要がある。この加
熱は、多孔質体1を全体的に加熱しても良く、また緻密
化予定表面部近傍のみを加熱しても良い0本発明におい
ては、安定化ジルコニア板2により、反応ガスの酸素イ
オンは緻密化予定表面に拡散されるため、多孔質体1を
全体的に加熱した場合においても、緻密化予定表面のみ
を確実に選択的緻密化することが可能である。
加熱方法としては、特に制限はなく、外部加熱法、レー
ザ加熱法、高周波誘導加熱法等を採用し得るが、緻密化
予定部のみを加熱する場合にはレーザ加熱、高周波誘導
加熱等が有利である。
ザ加熱法、高周波誘導加熱法等を採用し得るが、緻密化
予定部のみを加熱する場合にはレーザ加熱、高周波誘導
加熱等が有利である。
高周波誘導加熱を採用する場合、多孔質体が炭化珪素等
の導電性の部材であればそのままの状態で緻密化予定部
分のみに磁界を印加して加熱されるが、多孔質体が非導
電性の場合には、多孔質体lの連続気孔の緻密化予定部
分に予め炭素等の導電物質を数10gmの厚さにコーテ
ィングする等の導電化処理を施した後、高周波誘導加熱
すれば良い、その他、安定化ジルコニア板2に適当な導
電性を付与して、安定化ジルコニア薄板2に磁界を印加
して加熱する方法も採用し得る。
の導電性の部材であればそのままの状態で緻密化予定部
分のみに磁界を印加して加熱されるが、多孔質体が非導
電性の場合には、多孔質体lの連続気孔の緻密化予定部
分に予め炭素等の導電物質を数10gmの厚さにコーテ
ィングする等の導電化処理を施した後、高周波誘導加熱
すれば良い、その他、安定化ジルコニア板2に適当な導
電性を付与して、安定化ジルコニア薄板2に磁界を印加
して加熱する方法も採用し得る。
本発明においては、原料ガスの供給と酸素の拡散及び加
熱により、緻密化予定部分において原料ガス及び酸素イ
オンとがCVD反応して、第1図(b)の如<、CVD
反応析出物3が析出される。これにより、緻密化を予定
する表面部にCVD反応析出物の固相が形成される。希
望する1 程度に緻密化された時点で、加熱及びガ
ス供給を止め、緻密化を終了する。
熱により、緻密化予定部分において原料ガス及び酸素イ
オンとがCVD反応して、第1図(b)の如<、CVD
反応析出物3が析出される。これにより、緻密化を予定
する表面部にCVD反応析出物の固相が形成される。希
望する1 程度に緻密化された時点で、加熱及びガ
ス供給を止め、緻密化を終了する。
緻密化を終了した多孔質体は、CVD反応析出物3によ
り、多孔質体lと安定化ジルコニア板2とが接着された
状態となっている。安定化ジルコニア板2が、表面緻密
化多孔質体の使用に際し、悪影響を及ぼす可能性がある
場合には、機械的な研磨等により除去する。安定化ジル
コニア薄板2の存在が特に問題とならない場合には、こ
れをそのままの状態で使用に供する。
り、多孔質体lと安定化ジルコニア板2とが接着された
状態となっている。安定化ジルコニア板2が、表面緻密
化多孔質体の使用に際し、悪影響を及ぼす可能性がある
場合には、機械的な研磨等により除去する。安定化ジル
コニア薄板2の存在が特に問題とならない場合には、こ
れをそのままの状態で使用に供する。
本発明において、多孔質体としては連続気孔を有する多
孔質体であればよく、その材質や気孔分布も任意のもの
でよい。具体的には、ジルコニア、アルミナ、シリカ、
炭化珪素等のセラミックス等が挙げられるが1本発明は
これらのセラミックスに限られず、多孔賀状に成形され
た金属、プラスチック又はその他の物質でもよい。
孔質体であればよく、その材質や気孔分布も任意のもの
でよい。具体的には、ジルコニア、アルミナ、シリカ、
炭化珪素等のセラミックス等が挙げられるが1本発明は
これらのセラミックスに限られず、多孔賀状に成形され
た金属、プラスチック又はその他の物質でもよい。
またCVD反応で多孔質体の表面部分に緻密化のために
析出される析出物の材質にも特に限定はなく、種々の酸
化反応型CVD反応による析出物質が採用できる0例え
ばZro2.AfL203 。
析出される析出物の材質にも特に限定はなく、種々の酸
化反応型CVD反応による析出物質が採用できる0例え
ばZro2.AfL203 。
Hf 02 、 S i 02 、 MgO等が挙げ
られる。
られる。
従って、本発明においては、同一物質により表面部を緻
密化する場合に限られず、多孔質体の用途に応じて各種
の多孔質体及びCVD反応析出物質を選択することがで
きる。ただし、両者の熱膨張率の差に起因する剥離や割
れを防止する点からは同一物質、あるいは類似組成のも
のとするのが好ましい。
密化する場合に限られず、多孔質体の用途に応じて各種
の多孔質体及びCVD反応析出物質を選択することがで
きる。ただし、両者の熱膨張率の差に起因する剥離や割
れを防止する点からは同一物質、あるいは類似組成のも
のとするのが好ましい。
また、緻密化の程度はCVD反応ガスの供給量又は加熱
時間を調節することにより適宜調整することができる。
時間を調節することにより適宜調整することができる。
[作用]
安定化ジルコニア板の多孔質部材と接する側と反対側の
面から供給された酸素(イオン状態のものでも良い、)
はジルコニア板内を拡散され、多孔質体の緻密化予定表
面に到達する。しかして、この酸素は緻密化予定表面に
多孔質体の連続気孔を経由して供給されるZrC見4又
はYCC84の原料ガスと、 ZrCJL*+202− +Z ro2+2Cu2+4e″″ ZYC見a+302− + Y 20 :l + 3 CfL2 + 6 e
−の如きCVD反応し、CVD反応析出物を析出させる
。
面から供給された酸素(イオン状態のものでも良い、)
はジルコニア板内を拡散され、多孔質体の緻密化予定表
面に到達する。しかして、この酸素は緻密化予定表面に
多孔質体の連続気孔を経由して供給されるZrC見4又
はYCC84の原料ガスと、 ZrCJL*+202− +Z ro2+2Cu2+4e″″ ZYC見a+302− + Y 20 :l + 3 CfL2 + 6 e
−の如きCVD反応し、CVD反応析出物を析出させる
。
本発明においては、ジルコニア板を通して酸素を多孔質
体の緻密化予定表面に供給するので、多孔質体の緻密化
予定部分のみにCVD反応析出物を析出させ、緻密化を
行なうことができる。
体の緻密化予定表面に供給するので、多孔質体の緻密化
予定部分のみにCVD反応析出物を析出させ、緻密化を
行なうことができる。
[実施例]
以下に本発明を実施例により更に具体的に説明するが本
発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定さ
れるものではない。
発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定さ
れるものではない。
実施例1
連続気孔(気孔率60%、平均気孔径(280gm))
のジルコニア質セラミックス多孔質体ニついて、本発明
法に従って表面緻密化処理を施した。
のジルコニア質セラミックス多孔質体ニついて、本発明
法に従って表面緻密化処理を施した。
セラミックス多孔質体は30mmφX20mm1の円柱
状である。まずその緻密化予定表面に、第1図(&)の
如く、プラズマ溶射法によって作製した安定化ジルコニ
ア薄板(厚さ約1004 m 、 セラミックス多孔質
体と同一の断面形状を有する。)を積層し1次いで外部
加熱により前記セラミック体を徐々に加熱した。セラミ
ック体近傍にセットされた熱電対により温度を検出し、
加熱部の温度を850〜870℃に保持した。
状である。まずその緻密化予定表面に、第1図(&)の
如く、プラズマ溶射法によって作製した安定化ジルコニ
ア薄板(厚さ約1004 m 、 セラミックス多孔質
体と同一の断面形状を有する。)を積層し1次いで外部
加熱により前記セラミック体を徐々に加熱した。セラミ
ック体近傍にセットされた熱電対により温度を検出し、
加熱部の温度を850〜870℃に保持した。
この安定化ジルコニア薄板面(第1図(a)のA)側に
02ガスを接触させた。また、対向する面(第1図(a
)のB)側から多孔質体の連続気孔を経由してZ rc
l+ガス(キャリアガスHe)を、各々供給した。
02ガスを接触させた。また、対向する面(第1図(a
)のB)側から多孔質体の連続気孔を経由してZ rc
l+ガス(キャリアガスHe)を、各々供給した。
180分経過した後ガスの供給及び加熱を停止し、次い
で徐冷した。
で徐冷した。
本試料を切断研磨し光学顕微鏡によって観察したところ
表面反応析出層は連続的に緻密化され、その厚みは約1
15pm程度であることが認められた。
表面反応析出層は連続的に緻密化され、その厚みは約1
15pm程度であることが認められた。
又、このようにして緻密化処理された試料と、緻密化処
理前の試料とについて曲げ強度を比較したところ本発明
によって緻密化処理されたものは未処理のものに対し約
2.5倍高い耐摩耗性を有していることが認められた。
理前の試料とについて曲げ強度を比較したところ本発明
によって緻密化処理されたものは未処理のものに対し約
2.5倍高い耐摩耗性を有していることが認められた。
(曲げ強度の測定3点曲げ試験によった。)
[効果]
以上の通り、本発明は、連続気孔を有する多孔質体の表
面部にCVD反応析出物を析出させるようにしたもので
ある。このCVD反応析出物は投錨効果により気孔壁面
と強固に接合されており、極めて安定した緻密な表面を
得ることができる。
面部にCVD反応析出物を析出させるようにしたもので
ある。このCVD反応析出物は投錨効果により気孔壁面
と強固に接合されており、極めて安定した緻密な表面を
得ることができる。
また、安定化ジルコニアの酸素イオン拡散作用を利用し
て、緻密化を予定する箇所に酸素イオンを供給するよう
にしたので、多孔質体の表面だけを確実に緻密化できる
。なお、CVD反応ガスの供給量及び加熱時間を調節す
ることにより、緻密化の程度も任意に調整できる。
て、緻密化を予定する箇所に酸素イオンを供給するよう
にしたので、多孔質体の表面だけを確実に緻密化できる
。なお、CVD反応ガスの供給量及び加熱時間を調節す
ることにより、緻密化の程度も任意に調整できる。
従って1本発明方法によれば、各種の構造体として多孔
質体を用いる場合に有用な、表面緻密化多孔質体を提供
することができる。
質体を用いる場合に有用な、表面緻密化多孔質体を提供
することができる。
第1図(&)、(b)は本発明の詳細な説明する多孔質
体の概略断面図である。 l・・・多孔質体、 2・・・安定化ジルコニア薄板、 3・・・CVD反応析出物。
体の概略断面図である。 l・・・多孔質体、 2・・・安定化ジルコニア薄板、 3・・・CVD反応析出物。
Claims (1)
- (1)連続気孔を有する多孔質体の表面を緻密化する方
法において、多孔質体の緻密化予定表面にジルコニア板
を積層し、CVD反応の原料ガスを該多孔質体の連続気
孔を通して該緻密化予定表面部に供給すると共に、酸素
を、該ジルコニア板の内部に拡散させることにより該緻
密化予定表面部に到達させ、多孔質体の緻密化予定表面
部においてCVD反応させ、該表面部に固相を析出させ
て該表面部を緻密化することを特徴とする多孔質体の表
面緻密化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6430985A JPS61222976A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 多孔質体の表面緻密化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6430985A JPS61222976A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 多孔質体の表面緻密化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222976A true JPS61222976A (ja) | 1986-10-03 |
Family
ID=13254508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6430985A Pending JPS61222976A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 多孔質体の表面緻密化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222976A (ja) |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6430985A patent/JPS61222976A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5427823A (en) | Laser densification of glass ceramic coatings on carbon-carbon composite materials | |
| US5348765A (en) | Method of forming composite articles from CVD gas streams and solid particles or fibers | |
| JP3182212B2 (ja) | 高密度化多孔質ビレットを製造する方法及び多孔質予備成形体の高密度化方法 | |
| US5254374A (en) | Chemical vapor infiltration using microwave energy | |
| EP0200568A2 (en) | Refractory composite material and method of producing material | |
| EP0355916B1 (en) | Porous composite ceramic structure | |
| US4882109A (en) | Process of preparing zirconia-coated silicon nitride sintered member | |
| US6809304B2 (en) | High efficiency, oxidation resistant radio frequency susceptor | |
| JP4286142B2 (ja) | 部品の表面上に連続被覆を作る方法 | |
| JPS61222976A (ja) | 多孔質体の表面緻密化法 | |
| US5268199A (en) | Alkali corrosion resistant coatings and ceramic foams having superfine open cell structure and method of processing | |
| JPS61222975A (ja) | 多孔質体の表面緻密化法 | |
| WO2015025951A1 (ja) | 多孔質セラミックス及びその製造方法 | |
| Krumdieck et al. | Unique precursor delivery and control afforded by low-pressure pulsed-CVD process with ultrasonic atomization | |
| JP3219314B2 (ja) | 炭化ホウ素質被覆炭素材料の製造方法 | |
| JP2819268B2 (ja) | 多孔質溶射皮膜及びその形成方法 | |
| JP3054143B2 (ja) | ジルコニア焼結体の表面改質方法 | |
| US6248392B1 (en) | Method for manufacturing a fiber-reinforced bioactive ceramic implant | |
| JPH05262585A (ja) | SiC基高耐熱セラミックス複合部品 | |
| JP2543408B2 (ja) | セラミックス製断熱部材及びその製造方法 | |
| JPS6024372A (ja) | 多孔質部材の表面緻密化法 | |
| WO1997043460A1 (en) | Method and system for making and using unstabilized zirconia coatings | |
| JPS61222970A (ja) | 多孔質セラミツクスの製造方法 | |
| JP2632046B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| EP0394488A1 (en) | Composite boron nitride material and process for its production |