JPS6122545A - X線管 - Google Patents
X線管Info
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- JPS6122545A JPS6122545A JP60089877A JP8987785A JPS6122545A JP S6122545 A JPS6122545 A JP S6122545A JP 60089877 A JP60089877 A JP 60089877A JP 8987785 A JP8987785 A JP 8987785A JP S6122545 A JPS6122545 A JP S6122545A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/064—Details of the emitter, e.g. material or structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/24—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof
- H01J35/30—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof by deflection of the cathode ray
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/147—Spot size control
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線管、特に電子輝度の高い微小焦点を作り出
すことができる微小焦点式X線管に係る。
すことができる微小焦点式X線管に係る。
微小焦点式X線管は工業、医学、科学など、応用分野は
広(なるばかりである。その数多い用途+7)中ニハマ
イクロエレクトロニクス工業におけるX線IJ )グラ
フィ、金属工業における非破壊試験、医学における腫瘍
の診断、すなわち乳癌の早期発見などがある。
広(なるばかりである。その数多い用途+7)中ニハマ
イクロエレクトロニクス工業におけるX線IJ )グラ
フィ、金属工業における非破壊試験、医学における腫瘍
の診断、すなわち乳癌の早期発見などがある。
これまでにも多くの微小焦点式X線管が開発されて現在
使用されているが、これら周知のものはまだ全(満足で
きるものとはいえない。周知のX線管の生み出す焦点は
、大抵160〜750 ミクロン程度のものであるが、
多くの用途では100ミクロンまたはそれ以下と、これ
よりずっと小さな焦点が求められている。他にこれ位小
さな焦点を作れる周知のX線管では、輝度が足りない。
使用されているが、これら周知のものはまだ全(満足で
きるものとはいえない。周知のX線管の生み出す焦点は
、大抵160〜750 ミクロン程度のものであるが、
多くの用途では100ミクロンまたはそれ以下と、これ
よりずっと小さな焦点が求められている。他にこれ位小
さな焦点を作れる周知のX線管では、輝度が足りない。
さらに焦点が小さくしかも輝度も高いX線管もあるが、
これらは構成が非常に複雑で高価につ(上、通常は磁界
を生成するために重い磁石が必要であり、および/′!
i+たは個々の用途毎に電極を特別な幾何学的配置にす
ることが必要である。
これらは構成が非常に複雑で高価につ(上、通常は磁界
を生成するために重い磁石が必要であり、および/′!
i+たは個々の用途毎に電極を特別な幾何学的配置にす
ることが必要である。
本発明の目的は上述のような面で利点を有する微小焦点
式X線管を提供することである。
式X線管を提供することである。
より詳細に言うと、本発明の目的は、輝度の高い微小焦
点を形成し得ると共に、構成が単純かつ小型化されてお
り、個々の用途の要件に従って広範囲の電圧、電流、お
よび焦点の大きさで動作できる微小焦点式X線管を提供
することである。
点を形成し得ると共に、構成が単純かつ小型化されてお
り、個々の用途の要件に従って広範囲の電圧、電流、お
よび焦点の大きさで動作できる微小焦点式X線管を提供
することである。
本発明によると、真空エンベロープから成り、前記エン
ベロープ内の陰極が電子ビームを発生し、前記エンベロ
ープ内の標的陽極が電子ビームの衝突全党けてその中に
ある窓を通してエンベロープ外部にX線を発生し、前記
陰極と標的陽極との間にある電極システムが前記標的陽
極に電子ビームが衝突する前にその電子ビームを制御す
る微小焦点式X線管であって、前記陰極は電流密度が高
(て均等であり輝度の高い電子ビームを放出する電子ビ
ーム放出面を有するピアス銃型式のディスペンサ陰極で
あり、前記電極システムが、前記ディスペンサ陰極を取
囲みかつ電子ビームを初期的に集束するビーム集束構造
を有するピアス銃型式の第1開口電極と、第1電極の前
方に間隔をあけて配置されかつ電子ビームの流れを制御
するための電位がかかるように構成された第2開口電極
と、前記第2電極の前方に配置されて電子ビームが前記
標的陽極に衝突する前にさらに電子ビームを集束するさ
らに別の電極手段とを含んでいることを特徴とするX線
管が提供される。
ベロープ内の陰極が電子ビームを発生し、前記エンベロ
ープ内の標的陽極が電子ビームの衝突全党けてその中に
ある窓を通してエンベロープ外部にX線を発生し、前記
陰極と標的陽極との間にある電極システムが前記標的陽
極に電子ビームが衝突する前にその電子ビームを制御す
る微小焦点式X線管であって、前記陰極は電流密度が高
(て均等であり輝度の高い電子ビームを放出する電子ビ
ーム放出面を有するピアス銃型式のディスペンサ陰極で
あり、前記電極システムが、前記ディスペンサ陰極を取
囲みかつ電子ビームを初期的に集束するビーム集束構造
を有するピアス銃型式の第1開口電極と、第1電極の前
方に間隔をあけて配置されかつ電子ビームの流れを制御
するための電位がかかるように構成された第2開口電極
と、前記第2電極の前方に配置されて電子ビームが前記
標的陽極に衝突する前にさらに電子ビームを集束するさ
らに別の電極手段とを含んでいることを特徴とするX線
管が提供される。
以千に説明する本発明の好適実施態様では、最後に挙げ
たさらに別の電極手段は、第2電極の前方に間隔をあけ
て配置されておりかつ電子ビームをさらに集束するため
の電位がかかるように構成された第3の開口電極と、第
3電極の前方に間隔をあけて配置されておりかつ電子ビ
ームをさらに集束するための電位がかかるように構成さ
れた第4の開口電極とを含んでいる。
たさらに別の電極手段は、第2電極の前方に間隔をあけ
て配置されておりかつ電子ビームをさらに集束するため
の電位がかかるように構成された第3の開口電極と、第
3電極の前方に間隔をあけて配置されておりかつ電子ビ
ームをさらに集束するための電位がかかるように構成さ
れた第4の開口電極とを含んでいる。
X線管において一般的に用いられる従来型式の陰極線管
電子銃の代わりに、本発明のxm管はディスペンサ陰極
と、このディスペンサ陰極を取囲むピアス鏡型の集束電
極とを用いている。ピアス銃は普通マイクロ波管に用い
られるものであるが、このような用途では電子ビームを
微小な点に集束する必要はないため、主として電子ノイ
ズを防止するための層流を作り出すのに使用されている
。
電子銃の代わりに、本発明のxm管はディスペンサ陰極
と、このディスペンサ陰極を取囲むピアス鏡型の集束電
極とを用いている。ピアス銃は普通マイクロ波管に用い
られるものであるが、このような用途では電子ビームを
微小な点に集束する必要はないため、主として電子ノイ
ズを防止するための層流を作り出すのに使用されている
。
ピアス銃集束電極はビームをその初めの直径の約2分の
1から3分の1に集束するが、これでは微小焦点X線管
にはまだまだ不十分である。しかし本発明による新規の
X線管は、ピアス銃型式のディスペンサ陰極を用いて電
流密度が均等で高り4、−輝度も高いビーム金供する。
1から3分の1に集束するが、これでは微小焦点X線管
にはまだまだ不十分である。しかし本発明による新規の
X線管は、ピアス銃型式のディスペンサ陰極を用いて電
流密度が均等で高り4、−輝度も高いビーム金供する。
また電子顕微鏡のシステムにいくらか似た電極システム
も含まれており、電子ビームが標的陽極に衝突する前に
それを集束する働きをする。このように、マイクロ波管
に使用される従来型のピアス銃が最終的電子ビーム径を
元の直径の約2分の1から3分の1にするのに対し、本
発明のX線管は電子ビーム径を元の約16分の1tたは
それ以下にする。
も含まれており、電子ビームが標的陽極に衝突する前に
それを集束する働きをする。このように、マイクロ波管
に使用される従来型のピアス銃が最終的電子ビーム径を
元の直径の約2分の1から3分の1にするのに対し、本
発明のX線管は電子ビーム径を元の約16分の1tたは
それ以下にする。
以下により詳細な説明をするが、微小焦点式X線管は本
発明のもつ以上のような特徴に従って構成されることに
よって、径が非常に小さく(40ミクロン程度の)、電
子輝度の高いX線スポットを生み出すことができ、しか
も個々の用途における要件に従って変化する電圧、電流
、焦点の大きさなどを含むいろいろな動作条件に幅広く
対応できる。もう1つ重要な利点は、本発明のX線管は
磁石や特別の幾何学的配置をもつ複雑な電極システムを
必要としないため、非常に簡単でコンノ3クトな形に構
成できる点である。
発明のもつ以上のような特徴に従って構成されることに
よって、径が非常に小さく(40ミクロン程度の)、電
子輝度の高いX線スポットを生み出すことができ、しか
も個々の用途における要件に従って変化する電圧、電流
、焦点の大きさなどを含むいろいろな動作条件に幅広く
対応できる。もう1つ重要な利点は、本発明のX線管は
磁石や特別の幾何学的配置をもつ複雑な電極システムを
必要としないため、非常に簡単でコンノ3クトな形に構
成できる点である。
本発明のその他の特徴および利点については、以下の説
明から明らかとなろう。
明から明らかとなろう。
ここに添付図面を参照しなから釈明する本発明は単なる
例示である。
例示である。
第1図に示されたX線管は、例えばガラスまたはセラミ
ックス製の真空エンベロープ2から成り、真空エンベロ
ープ2は1端部で電子銃アセンブリ3を取囲んでおり、
また反対側の端部では電子ビームが衝突して窓5を通し
てX線を管の外側に向けて放出する標的陽極4を含む陽
極アセンブリを取囲んでいる。電子銃アセンブリ3につ
いては第2図により詳細に後述することにする。陽極ア
センブリは従来型式のもので良いが、標的陽極4はタン
グステンめっきした銅製とし、油などの冷却流体が循環
できるように中空構造とする。管の窓5もベリリウムな
どの従来型の構造で良い。標的陽極から発生されたX線
は、従来構造のX線管の場合と同様、窓5から出る前に
まず非集束7アラデーケージ6を通過する。
ックス製の真空エンベロープ2から成り、真空エンベロ
ープ2は1端部で電子銃アセンブリ3を取囲んでおり、
また反対側の端部では電子ビームが衝突して窓5を通し
てX線を管の外側に向けて放出する標的陽極4を含む陽
極アセンブリを取囲んでいる。電子銃アセンブリ3につ
いては第2図により詳細に後述することにする。陽極ア
センブリは従来型式のもので良いが、標的陽極4はタン
グステンめっきした銅製とし、油などの冷却流体が循環
できるように中空構造とする。管の窓5もベリリウムな
どの従来型の構造で良い。標的陽極から発生されたX線
は、従来構造のX線管の場合と同様、窓5から出る前に
まず非集束7アラデーケージ6を通過する。
しかし電子銃アセンブリ3の方は特殊な構成であって、
第2図により詳細に示されている。図示のように、電子
銃アセンブリ3はディスペンサ陰極lOから成る陰極ア
センブリを含み、ディスペンサ陰極10は電流密度が均
等で高く、輝度も、高い電子ビームを放出する電子放出
表面11を有する。陰極10は導線13を経由して電流
の供給を受けるヒータフィラメント12より間接的に加
熱される。
第2図により詳細に示されている。図示のように、電子
銃アセンブリ3はディスペンサ陰極lOから成る陰極ア
センブリを含み、ディスペンサ陰極10は電流密度が均
等で高く、輝度も、高い電子ビームを放出する電子放出
表面11を有する。陰極10は導線13を経由して電流
の供給を受けるヒータフィラメント12より間接的に加
熱される。
ディスペンサ陰極10の電子放出面11は開口電極14
に取囲1れており、開口電極14はピアス銃型式でもあ
り電子ビームに初期的集束効果を与えるビーム集束構造
を有している。したがって陰極の電子放出表面11は断
面円形のビームを放出するべく円形形状とし、電極14
は陰極の電位となるが、従来のピアス銃構造と同様陰極
表面11から放出させるビームを元の直径の2分の1ま
たは3分の1に集束するべ(凹形形状とする。
に取囲1れており、開口電極14はピアス銃型式でもあ
り電子ビームに初期的集束効果を与えるビーム集束構造
を有している。したがって陰極の電子放出表面11は断
面円形のビームを放出するべく円形形状とし、電極14
は陰極の電位となるが、従来のピアス銃構造と同様陰極
表面11から放出させるビームを元の直径の2分の1ま
たは3分の1に集束するべ(凹形形状とする。
但し従来のピアス銃と異なる点は、電極14と標的陽極
4(第1図)の間の電極システムの中にさらに3つの開
口電極が含まれる点である。つまり開口電極15はピア
ス型集束電極のすぐ前にあって電子ビームの電流を制御
する電位がかかるように構成されている。開口電極16
は電極15のすぐ前にあり、電子ビームをさらに集束す
るための電位がかかるように構成されている。そして平
面部分17aとビーム集束部分17bを含む電極17は
電極16のすぐ前にあり、電子ビームをさらに集束する
ための電位がかかるように構成されている。
4(第1図)の間の電極システムの中にさらに3つの開
口電極が含まれる点である。つまり開口電極15はピア
ス型集束電極のすぐ前にあって電子ビームの電流を制御
する電位がかかるように構成されている。開口電極16
は電極15のすぐ前にあり、電子ビームをさらに集束す
るための電位がかかるように構成されている。そして平
面部分17aとビーム集束部分17bを含む電極17は
電極16のすぐ前にあり、電子ビームをさらに集束する
ための電位がかかるように構成されている。
電極15,16.17およびフィラメントヒータ12を
含む陰極アセンブリへの電気的結線は、管の基部を貫通
する導体ピン20を通って行われる。
含む陰極アセンブリへの電気的結線は、管の基部を貫通
する導体ピン20を通って行われる。
さらに陰極アセンブリは内側対流熱遮蔽21と外側放射
遮蔽22も含み、どちらも金属製で周知の構造のもので
ある。
遮蔽22も含み、どちらも金属製で周知の構造のもので
ある。
図示の構造では、ディスペンサ陰極10の電子放出表面
11は直径1〜2as+のものである。ピアス型集束電
極14は電子ビームの直径を約2分の1に縮小するよう
に構成されている。電極15は電極14の0.8〜1.
22鱈前方に、望ましくは1.9篩前方に配置されてお
り、電子ビームの電流を制aするべり200〜1.50
0ボルトの電位がかかるように構成されている。電極1
6は電極15の1.6〜2.4−1望ましくは2.0閣
前方に配置されており、800〜1.500ボルトの電
位がかかるように構成されていてその開口部を通過する
電子ビームに対して集束作用を与える。電極17の平面
部分17aは電極16の1.6〜2.4 an、望まし
くは2.0問前方に配置されており、1,000〜5,
000ボルトの電位がかかるように構成されていて電子
ビームにさらに集束作用を与えるため、電子ビームの直
径は最終的に、ディスペンサ陰極10の電子放出表面1
1から放出された時の元の直径の16分の1またはそれ
以下まで小さくなる。陽極・陰極電圧は5kVから10
0kVまで変化し得る。また電子流は2mAから20m
Aまで変化できる・このようなX線管では電子ビーム輝
度(Blが1100k/sn2で40ミクロンから1,
500ミク四ンの間の大きさのスポットを作り出すこと
ができ、動作時間としては1. OOO時間期待できる
ことがこれまでに分かつている・このような微小焦点X
線管は、特に乳癌の早期発見に有用であることも分かつ
ている。
11は直径1〜2as+のものである。ピアス型集束電
極14は電子ビームの直径を約2分の1に縮小するよう
に構成されている。電極15は電極14の0.8〜1.
22鱈前方に、望ましくは1.9篩前方に配置されてお
り、電子ビームの電流を制aするべり200〜1.50
0ボルトの電位がかかるように構成されている。電極1
6は電極15の1.6〜2.4−1望ましくは2.0閣
前方に配置されており、800〜1.500ボルトの電
位がかかるように構成されていてその開口部を通過する
電子ビームに対して集束作用を与える。電極17の平面
部分17aは電極16の1.6〜2.4 an、望まし
くは2.0問前方に配置されており、1,000〜5,
000ボルトの電位がかかるように構成されていて電子
ビームにさらに集束作用を与えるため、電子ビームの直
径は最終的に、ディスペンサ陰極10の電子放出表面1
1から放出された時の元の直径の16分の1またはそれ
以下まで小さくなる。陽極・陰極電圧は5kVから10
0kVまで変化し得る。また電子流は2mAから20m
Aまで変化できる・このようなX線管では電子ビーム輝
度(Blが1100k/sn2で40ミクロンから1,
500ミク四ンの間の大きさのスポットを作り出すこと
ができ、動作時間としては1. OOO時間期待できる
ことがこれまでに分かつている・このような微小焦点X
線管は、特に乳癌の早期発見に有用であることも分かつ
ている。
以上、本発明を1つの好適実施態様に関連して説明して
来たが、この他多くの変更ができるし用途も数多くある
ことは理解されるであろう。例を挙げると、ピアス型集
束電極14の角度を変えて、例えば特定の用途に適する
ようにその集束作用を強めることなどもできる。さらに
電圧の作用範囲についても、管の大きさを変えることに
よって拡大することができる。
来たが、この他多くの変更ができるし用途も数多くある
ことは理解されるであろう。例を挙げると、ピアス型集
束電極14の角度を変えて、例えば特定の用途に適する
ようにその集束作用を強めることなどもできる。さらに
電圧の作用範囲についても、管の大きさを変えることに
よって拡大することができる。
本発明のその他多くの変形例、修正例、および用途は明
らかであろう。
らかであろう。
第1図は本発明に従って構成された微小焦点X線管の1
つの形式を示す長手方向の断面図、第2図は、第1図の
X線管の電子銃を示す拡大図である0 2・・・真空エンベロープ、3・・・電子銃アセンブリ
、4・・・標的陽極、5・・・窓、10・・・デイスペ
ンサ陰極、11・・・電子放出面、12・・・ヒータフ
ィラメント、14・・・ピアス銃型開口電極、15〜1
7・・・開口電極、21.22・・・熱遮蔽。
つの形式を示す長手方向の断面図、第2図は、第1図の
X線管の電子銃を示す拡大図である0 2・・・真空エンベロープ、3・・・電子銃アセンブリ
、4・・・標的陽極、5・・・窓、10・・・デイスペ
ンサ陰極、11・・・電子放出面、12・・・ヒータフ
ィラメント、14・・・ピアス銃型開口電極、15〜1
7・・・開口電極、21.22・・・熱遮蔽。
Claims (11)
- (1)真空エンベロープ、このエンベロープ内にあって
電子ビームを発生させる陰極、該エンベロープ内にあっ
て電子ビームが衝突し内部の窓を通して該エンベロープ
の外部に放出されるX線を発生させる標的陽極、および
上記電子ビームを該標的陽極に衝突する前に制御するべ
く該陰極と標的陽極との間にある電極システムより成る
微小焦点式X線管であって、前記陰極は電流密度が高く
均等であり輝度の高い電子ビームを放出する電子放出面
を有するピアス銃型式のディスペンサ陰極であり、前記
電極システムが、前記ディスペンサ陰極を取囲みかつ電
子ビームを初期的に集束するビーム集束構造を有するピ
アス銃型式の第1開口電極と、第1電極の前方に間隔を
あけて配置されかつ電子ビームの電流を制御するための
電位がかかるように構成された第2開口電極と、前記第
2電極の前方に配置されて電子ビームが前記標的陽極に
衝突する前にさらに電子ビームを集束するさらに別の電
極手段とを含んでいることを特徴とするX線管。 - (2)前記さらに別の電極手段が、第2電極の前方に間
隔をあけて配置されかつ電子ビームをさらに集束するた
めの電位がかかるように構成された第3開口電極を含む
ことを特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載のX線
管。 - (3)前記第3電極が前記第2電極に向き合う平面部分
と、前記平面部分の前方にあって前記電子ビームをさら
に集束するビーム集束部分とを含んでいることを特徴と
する、特許請求の範囲第2項に記載のX線管。 - (4)前記第2電極が平坦状であり、第1電極の前方に
0.8〜1.2mm距離をあけて配置されることを特徴
とする、特許請求の範囲第1〜3項の何れかに記載のX
線管。 - (5)前記第2電極が前記第1電極の前方に1.0mm
距離をあけて配置されていることを特徴とする、特許請
求の範囲第4項に記載のX線管。 - (6)前記第3電極が平坦状であり、前記第2電極の前
方に1.6〜2.4mm距離をあけて配置されているこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第2項または第3項に
記載のX線管。 - (7)前記第3電極が前記第2電極の前方に2.0mm
距離をあけて配置されていることを特徴とする、特許請
求の範囲第6項に記載のX線管。 - (8)前記ディスペンサ陰極が円形状をしており、その
直径が1〜2mmであることを特徴とする、特許請求の
範囲第1〜7項の何れかに記載のX線管。 - (9)前記ディスペンサ陰極の直径が1.5mmである
ことを特徴とする、特許請求の範囲第8項に記載のX線
管。 - (10)前記ディスペンサ陰極がその中に配置されたヒ
ータフィラメントにより間接的に加熱され、端部壁が前
記電子放出面を形成していることを特徴とする、特許請
求の範囲第1〜9項の何れかに記載のX線管。 - (11)前記ヒータフィラメントを取囲む熱遮蔽をさら
に含むことを特徴とする、特許請求の範囲第9項に記載
のX線管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IL71676A IL71676A0 (en) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | X-ray tube |
| IL71676 | 1984-04-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122545A true JPS6122545A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=11055017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60089877A Pending JPS6122545A (ja) | 1984-04-27 | 1985-04-25 | X線管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122545A (ja) |
| DE (2) | DE3514700A1 (ja) |
| IL (1) | IL71676A0 (ja) |
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| DE4430622C2 (de) * | 1994-08-29 | 1998-07-02 | Siemens Ag | Kathodensystem für eine Röntgenröhre |
| WO2010061332A1 (en) | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Auxiliary grid electrode for x-ray tubes |
| DE102009038687B4 (de) * | 2009-08-24 | 2015-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung sowie Verfahren zur Steuerung eines Elektronenstrahls bei einer Röntgenröhre |
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1984
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- 1985-04-24 DE DE8512064U patent/DE8512064U1/de not_active Expired
- 1985-04-25 JP JP60089877A patent/JPS6122545A/ja active Pending
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Also Published As
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|---|---|
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| DE8512064U1 (de) | 1985-08-22 |
| DE3514700A1 (de) | 1985-10-31 |
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