JPS6122673A - アバランシエホトダイオ−ド用バイアス電圧印加装置 - Google Patents
アバランシエホトダイオ−ド用バイアス電圧印加装置Info
- Publication number
- JPS6122673A JPS6122673A JP59142804A JP14280484A JPS6122673A JP S6122673 A JPS6122673 A JP S6122673A JP 59142804 A JP59142804 A JP 59142804A JP 14280484 A JP14280484 A JP 14280484A JP S6122673 A JPS6122673 A JP S6122673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- light
- apd
- voltage
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/959—Circuit arrangements for devices having potential barriers for devices working in avalanche mode
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の技術分野〕
この発明は、！境温度変化にかかわらず、常に一定の感
度でアバランシェホトダイオード（以下ＡＰＤという）
を動作させるバイアス電圧印加装置に関するものである
。
度でアバランシェホトダイオード（以下ＡＰＤという）
を動作させるバイアス電圧印加装置に関するものである
。
ＡＰＤの感度Ｒ８は、印加するバイアス電圧ＶＢの増大
とともに、第１図に示すように増大し、温度Ｔ１では、
バイアス電圧ＶＢが ブレークダウン電圧ｖＢＤ１の直
前で感度Ｒ８はきわめて大となるが。
とともに、第１図に示すように増大し、温度Ｔ１では、
バイアス電圧ＶＢが ブレークダウン電圧ｖＢＤ１の直
前で感度Ｒ８はきわめて大となるが。
バイアス電圧ＶＢがブレークダウン電圧ｖＢＤ１以上で
はＡＰＤはブレークダウンをおこし、著しい雑音を発生
する。
はＡＰＤはブレークダウンをおこし、著しい雑音を発生
する。
環境温度がＴ１より大きい値Ｔ２になると、ブレークダ
ウンが生じるバイアス電圧はブレークダウン電圧ＶＢｐ
１より大きい値ＶＢＤ２となり、また、環境温度がＴ１
より小さい値Ｔ３になると、ブレークダウンが生じるバ
イアス電圧は、ｖＢＤｌより小さい値ｖＢＤ３となる。
ウンが生じるバイアス電圧はブレークダウン電圧ＶＢｐ
１より大きい値ＶＢＤ２となり、また、環境温度がＴ１
より小さい値Ｔ３になると、ブレークダウンが生じるバ
イアス電圧は、ｖＢＤｌより小さい値ｖＢＤ３となる。
従って、一定の高感度を得るためには、温度Ｔ２におい
ては、温度Ｔ１の場合に比し、バイアス電圧を増大させ
ることが必要であり、また温度Ｔ３ では、バイアス
電圧を減少させることが必要となる。
ては、温度Ｔ１の場合に比し、バイアス電圧を増大させ
ることが必要であり、また温度Ｔ３ では、バイアス
電圧を減少させることが必要となる。
このため、従来は、（４ＡＰＤを等温度に加熱維持し、
その温度におけるブレークダウン直前のバイアス電圧を
印加する。←）ブレークダウンが生じるときにＡＰＤが
発生する雑音を検出し、バイアス電圧をブレークダウン
が生じる直前の値に設定しなおす。等の方法がとられて
いた。
その温度におけるブレークダウン直前のバイアス電圧を
印加する。←）ブレークダウンが生じるときにＡＰＤが
発生する雑音を検出し、バイアス電圧をブレークダウン
が生じる直前の値に設定しなおす。等の方法がとられて
いた。
しかるに（へ）の方法では、ヒータ等のＡＰＤ加熱機構
や温度検出機構が必要であり、（すでは雑音検出機構や
バイアス電圧再設定機構が必要となるなど、装置の小型
化の障害となる欠点があった。
や温度検出機構が必要であり、（すでは雑音検出機構や
バイアス電圧再設定機構が必要となるなど、装置の小型
化の障害となる欠点があった。
この発明は、かかる欠点を改善する目的でなされたもの
で、簡単な構成による自己バイアス法により、温度の変
化にかかわらず常に一定の高感度でＡＰＤを動作させる
ＡＰＤ用バイアス電圧印加装置を提供するものである。
で、簡単な構成による自己バイアス法により、温度の変
化にかかわらず常に一定の高感度でＡＰＤを動作させる
ＡＰＤ用バイアス電圧印加装置を提供するものである。
第２図はこの発明の一実施例を示す図であり。
（１）は信号光、（２）はＡＰＤ、＋３１はＡＰＤ受光
面、（４）は発光ダイオード、（５）は差動増巾器、（
６）はバイアス光、（７）はバイアス用抵抗、（８）は
出力用抵抗、（９）はバイアス電源、 ＋１（ｌは結合
コンデンサ、ａＩｌは出力信号である。
面、（４）は発光ダイオード、（５）は差動増巾器、（
６）はバイアス光、（７）はバイアス用抵抗、（８）は
出力用抵抗、（９）はバイアス電源、 ＋１（ｌは結合
コンデンサ、ａＩｌは出力信号である。
信号光＋１１は光学系でＡ Ｐ Ｄ ＋２１の受光面（
３）に集光されている。一方、ＡＰＤ（２）が十分な分
光感度を有する波長帯に発光スペクトルをもつ発光ダイ
オード（４）が信号光（１１をさえぎらない位置に置か
れており、これはバイアス用抵抗（７）の両端の電位差
を増巾する差動増巾器（５）の出力で点灯され、バイア
ス光（６）をＡＰＤ受光面（３）に与えている。
３）に集光されている。一方、ＡＰＤ（２）が十分な分
光感度を有する波長帯に発光スペクトルをもつ発光ダイ
オード（４）が信号光（１１をさえぎらない位置に置か
れており、これはバイアス用抵抗（７）の両端の電位差
を増巾する差動増巾器（５）の出力で点灯され、バイア
ス光（６）をＡＰＤ受光面（３）に与えている。
Ａ Ｐ Ｄ ＋２１には、バイアス用抵抗（７）および
出力用抵抗（８）を介して、使用環境温度範囲における
ブレークダウン電圧の最大値よりも大きい端子間電圧を
もつバイアス電源（９）からバイアス電圧が印加されて
おり、結合コンデンサ（Ｌ（Ｉを通して光電変換された
出力信号（１１１がとりだされる。
出力用抵抗（８）を介して、使用環境温度範囲における
ブレークダウン電圧の最大値よりも大きい端子間電圧を
もつバイアス電源（９）からバイアス電圧が印加されて
おり、結合コンデンサ（Ｌ（Ｉを通して光電変換された
出力信号（１１１がとりだされる。
Ａ Ｐ Ｄ ＋２１で受光されるバイアス光電力をＰＢ
（６）。
（６）。
ＡＰＤ感度をＲ８（Ａ／Ｗ〕とすると、バイアス光によ
る光電流ＩＢ（Ａ）は。
る光電流ＩＢ（Ａ）は。
ＩＢ＝ＦＢ−Ｒ８・・・・・・・・・・川・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ ＋１１となる。バイア
ス用抵抗（７）の抵抗値をｒ〔Ω〕、バイアス光電力Ｐ
Ｂと差動アンプ（５）の差動入力電圧Ｖｎ （Ｖ）との
比をＫ ［ｗ／ｖ］とすレバ。
・・・・・・・・・・・・・・ ＋１１となる。バイア
ス用抵抗（７）の抵抗値をｒ〔Ω〕、バイアス光電力Ｐ
Ｂと差動アンプ（５）の差動入力電圧Ｖｎ （Ｖ）との
比をＫ ［ｗ／ｖ］とすレバ。
ＦＢ ” Ｋ ” ＶＤ
−に′ｒ′殉
＝ｌ（Ｈｒ−ＰＢ −ＴＬＢ ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ （２）よって、 Ｒｓ
”７７Ｆ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（３１すなわち、ＡＰＤの感度Ｒ８は、第１
図に示すような感度曲線に全く無関係に一定値１／（Ｋ
−ｒ）になる。
・・・・・・・・・・・・ （２）よって、 Ｒｓ
”７７Ｆ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（３１すなわち、ＡＰＤの感度Ｒ８は、第１
図に示すような感度曲線に全く無関係に一定値１／（Ｋ
−ｒ）になる。
上記のように、この発明によれば、差動増巾器と発光ダ
イオードのみを用いて容易にＡＰＤを環境温度にかかわ
りなく一定の高感度で使用することができるので、装置
の性能向上と小型化に大きく寄与することになる。
イオードのみを用いて容易にＡＰＤを環境温度にかかわ
りなく一定の高感度で使用することができるので、装置
の性能向上と小型化に大きく寄与することになる。
なお上記実施例ではバイアス用抵抗（７）と出力用抵抗
（８）を別々に設けであるが、場合により、ノ（イアス
用抵抗（７）を削除し、出力用抵抗（８）をノくイアス
用と出力用に共用することも可能である。
（８）を別々に設けであるが、場合により、ノ（イアス
用抵抗（７）を削除し、出力用抵抗（８）をノくイアス
用と出力用に共用することも可能である。
第１図はＡＰＤの感度とバイアス電圧の関係を示す図、
第２図はこの発明の一実施例を示す図であって、（１）
は信号光、（２１はＡＰＤ、＋３１はＡＰＤ受光面、（
４）は発光ダイオード、（５）は差動増巾器、（６）は
バイアス光、（７）はバイアス用抵抗、（９）はバイア
ス電源である。 なお９図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。
第２図はこの発明の一実施例を示す図であって、（１）
は信号光、（２１はＡＰＤ、＋３１はＡＰＤ受光面、（
４）は発光ダイオード、（５）は差動増巾器、（６）は
バイアス光、（７）はバイアス用抵抗、（９）はバイア
ス電源である。 なお９図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。
Claims (1)
- アバランシエホトダイオードにバイアス電圧をバイア
ス用抵抗を介して印加する手段と、上記バイアス用抵抗
の端子間電圧に比例した光電力を上記アバランシエホト
ダイオードに照射する発光手段とを備えたことを特徴と
するアバランシエホトダイオード用バイアス電圧印加装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59142804A JPS6122673A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | アバランシエホトダイオ−ド用バイアス電圧印加装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59142804A JPS6122673A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | アバランシエホトダイオ−ド用バイアス電圧印加装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122673A true JPS6122673A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15324021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59142804A Pending JPS6122673A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | アバランシエホトダイオ−ド用バイアス電圧印加装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122673A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219435U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-08 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP59142804A patent/JPS6122673A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219435U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-08 |
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