JPS6123320A - 光露光装置の露光位置検出機構 - Google Patents
光露光装置の露光位置検出機構Info
- Publication number
- JPS6123320A JPS6123320A JP59143812A JP14381284A JPS6123320A JP S6123320 A JPS6123320 A JP S6123320A JP 59143812 A JP59143812 A JP 59143812A JP 14381284 A JP14381284 A JP 14381284A JP S6123320 A JPS6123320 A JP S6123320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resist
- target mark
- mark
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は露光装置の位置決め機構に係り、特に該装置に
組み込まれる露光位置検出機構に関する。
組み込まれる露光位置検出機構に関する。
原画パターンを投影レンズを介してたとえば半導体ウェ
ーハのような被露光体面に投影転写する露光装置にあっ
て、複数の別個の原画パターンを同一の被露光体面に順
次重ね合わせて露光していく方法が頻繁に行なわれる。
ーハのような被露光体面に投影転写する露光装置にあっ
て、複数の別個の原画パターンを同一の被露光体面に順
次重ね合わせて露光していく方法が頻繁に行なわれる。
このような重ね合わせ露光にあっては、半導体装置の高
密度化、高集積化にともなって、増々重ね合わせ精度の
厳格ざが要求されてくる。
密度化、高集積化にともなって、増々重ね合わせ精度の
厳格ざが要求されてくる。
したがって、この重ね合わせにあっては、各原画パター
ン間の位置ずれを補正するようになっており、この補正
は、被露光体面および原画パターン面に形成されている
位置決めマークを基準として行なうようになっている。
ン間の位置ずれを補正するようになっており、この補正
は、被露光体面および原画パターン面に形成されている
位置決めマークを基準として行なうようになっている。
この補正のためには被露光体に位置合せ用のマークを形
成し、このマークを投影光学系とは別の観察光学系にて
検出する技術が用いられる。
成し、このマークを投影光学系とは別の観察光学系にて
検出する技術が用いられる。
すなわち第３図に示すように、図示しないＸ−Ｙ移動ス
テージ２１に半導体ウェーハ２２が載置されており、こ
のウェーハの表面にはレジスト５が塗布されている。そ
して、この半導体ウェーハ２２上にはレンズ２３が配置
され、このレンズ２２上にはレチクル２４が配置されて
いるレチクル２４のパターンは前記レンズ２３を介して
前記レジスト５面に投影されるようになっている。そし
て、前記レチクル２４に対する半導体ウエーハ２２の位
置決めは、前記Ｘ−Ｙ移転ステージ２１を水平移動させ
ることによってする位置決め機構によってできるように
なっている。前記半導体ウェーハ２２の表面の一部には
十文字形の凹陥部が形成されこれがターゲットマーク６
となっている。
テージ２１に半導体ウェーハ２２が載置されており、こ
のウェーハの表面にはレジスト５が塗布されている。そ
して、この半導体ウェーハ２２上にはレンズ２３が配置
され、このレンズ２２上にはレチクル２４が配置されて
いるレチクル２４のパターンは前記レンズ２３を介して
前記レジスト５面に投影されるようになっている。そし
て、前記レチクル２４に対する半導体ウエーハ２２の位
置決めは、前記Ｘ−Ｙ移転ステージ２１を水平移動させ
ることによってする位置決め機構によってできるように
なっている。前記半導体ウェーハ２２の表面の一部には
十文字形の凹陥部が形成されこれがターゲットマーク６
となっている。
このターゲットマーク６には、光源ｌ、オプチカルファ
イバ２、短波技カットフィルタ３、ハーフミラ−７およ
びレンズ４を介して白色光が照射されるようになってい
る。前吉己ターゲットマーク６から反射された白色光は
、前記レンズ４、前記ハーフミラ−７、ヘアライン板８
、レンズ９、レンズｌＯケ介してＩＴＶカメラ１１に入
力されるようになっており、このＩ’ｌ’Ｖカメラ１１
のモニタ１２には、前記ターゲットマーク像１３とヘア
ライン板像１４とが写し出さ°れる工うになっている。
イバ２、短波技カットフィルタ３、ハーフミラ−７およ
びレンズ４を介して白色光が照射されるようになってい
る。前吉己ターゲットマーク６から反射された白色光は
、前記レンズ４、前記ハーフミラ−７、ヘアライン板８
、レンズ９、レンズｌＯケ介してＩＴＶカメラ１１に入
力されるようになっており、このＩ’ｌ’Ｖカメラ１１
のモニタ１２には、前記ターゲットマーク像１３とヘア
ライン板像１４とが写し出さ°れる工うになっている。
前記半導体ウェーハの位置決めは、前記モニタ１２にお
けるヘアライン板像１４に対する前記ターゲットマーク
像１３の位置が正確な位置にあるか否かによってなされ
るものである。
けるヘアライン板像１４に対する前記ターゲットマーク
像１３の位置が正確な位置にあるか否かによってなされ
るものである。
しかし近年、超ＬＳＩの集積度が増大し微細化が進むに
つれ、たとえばレジスト等の各プロセス層の厚さが薄く
なり、ターゲットマーク６の段差が浅くなる傾向にある
。このように浅い段差のマークは、そのエツジ部の暗部
が不明瞭となり正確な位置検出が困難となる場合がおっ
た。
つれ、たとえばレジスト等の各プロセス層の厚さが薄く
なり、ターゲットマーク６の段差が浅くなる傾向にある
。このように浅い段差のマークは、そのエツジ部の暗部
が不明瞭となり正確な位置検出が困難となる場合がおっ
た。
すなわち、第４図に示すように、モニタ１２に入力され
るヘアライン板像１４およびターゲットマーク像１３の
それぞれの信号が図中１５Ｘ、および１５Ｙと表わされ
、その信号の出力値が充分とれず、前記ターゲットマー
ク像１３が鮮明に写し出されないものとなる。
るヘアライン板像１４およびターゲットマーク像１３の
それぞれの信号が図中１５Ｘ、および１５Ｙと表わされ
、その信号の出力値が充分とれず、前記ターゲットマー
ク像１３が鮮明に写し出されないものとなる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり
、たとえ位置決めマークを構成する段差部が小さなもの
であっても、該位置決めマークを鮮明にモニタし得る光
露光装置の露光位置検出機構全提供するものである。
、たとえ位置決めマークを構成する段差部が小さなもの
であっても、該位置決めマークを鮮明にモニタし得る光
露光装置の露光位置検出機構全提供するものである。
このような目的全達成するために、本発明は、Ｘ−Ｙ＄
励動ステージ上載置された被露光体を、前記Ｘ−Ｙ移動
ステージの移動によって、光露光装置および位置決め装
置ａに移動させることのできる光露光装置の位置決め機
構において、前記被露光体に照射する検出光学系中にバ
ンド幅の狭い光学フィルタケ介し得るようにしたもので
ある。
励動ステージ上載置された被露光体を、前記Ｘ−Ｙ移動
ステージの移動によって、光露光装置および位置決め装
置ａに移動させることのできる光露光装置の位置決め機
構において、前記被露光体に照射する検出光学系中にバ
ンド幅の狭い光学フィルタケ介し得るようにしたもので
ある。
第１図は本発明による光露光装置の露光位置検出機構の
一実施例を示す構成図である。同図において第３図に示
した符号と同符号のものは同材料を示している。第３図
と異なる構成は、ターゲットマーク６を照射する光源系
にある。すなわち、光源ｌがありこの光源ｌから照射さ
れる光は、オプチカルファイバ２によって導びかれ、狭
いバンド幅をもつフィルタ１８、あるいは１９を経て、
ハーフミラ−７の反射光によって前へ己ターゲットマー
ク６を照射するようになっている。
一実施例を示す構成図である。同図において第３図に示
した符号と同符号のものは同材料を示している。第３図
と異なる構成は、ターゲットマーク６を照射する光源系
にある。すなわち、光源ｌがありこの光源ｌから照射さ
れる光は、オプチカルファイバ２によって導びかれ、狭
いバンド幅をもつフィルタ１８、あるいは１９を経て、
ハーフミラ−７の反射光によって前へ己ターゲットマー
ク６を照射するようになっている。
このようにすれば、狭いバンド幅をもつ光は、ターゲッ
トマーク６を構成する凹陥部に形成されているレジスト
５における反射光の干渉光と、ターゲットマーク６の形
成領域外に形成されているレジスト５における反射光の
干渉光とが異なるため、前記凹陥部に形成されているレ
ジスト５における反射光の干渉光によって前記ターゲッ
トマーク６を識別する明確な信号を得ることができるよ
うになる。この信号はたとえば、第４図に示すように、
ターゲットマーク像２０に対応する信号が、ターゲット
マークにおける段差部のみです＜、その全領域を認識で
きる信号となることからも明らかである。
トマーク６を構成する凹陥部に形成されているレジスト
５における反射光の干渉光と、ターゲットマーク６の形
成領域外に形成されているレジスト５における反射光の
干渉光とが異なるため、前記凹陥部に形成されているレ
ジスト５における反射光の干渉光によって前記ターゲッ
トマーク６を識別する明確な信号を得ることができるよ
うになる。この信号はたとえば、第４図に示すように、
ターゲットマーク像２０に対応する信号が、ターゲット
マークにおける段差部のみです＜、その全領域を認識で
きる信号となることからも明らかである。
ここで、ターゲットマーク６を構成する凹陥部に形成さ
れているレジスト５における反射光の干渉光と、ターゲ
ットマーク６の形成領域外に形成されているレジスト５
における反射光の干渉光とが異なるのは、半導体ウエー
ノ・にレジスト全塗布する場合、均一塗布の目的からい
わゆるスピンナ塗布を行ない、この結果、凹陥部領域と
して形成されるレジスト５の膜厚が他の領域に形成され
るレジスト５の膜厚エリも若干厚くなるからである。
れているレジスト５における反射光の干渉光と、ターゲ
ットマーク６の形成領域外に形成されているレジスト５
における反射光の干渉光とが異なるのは、半導体ウエー
ノ・にレジスト全塗布する場合、均一塗布の目的からい
わゆるスピンナ塗布を行ない、この結果、凹陥部領域と
して形成されるレジスト５の膜厚が他の領域に形成され
るレジスト５の膜厚エリも若干厚くなるからである。
なお、前記、狭いバンド幅をもつフィルタ１８お工び１
９は従来の装置にも用いられていた短波長カットフィル
タ３とともに、モータ１７によって回転し得る円板に組
み込まれており、この円板を回ｉさせることによって前
記各フィルタ全自由に選択できるようになっている。
９は従来の装置にも用いられていた短波長カットフィル
タ３とともに、モータ１７によって回転し得る円板に組
み込まれており、この円板を回ｉさせることによって前
記各フィルタ全自由に選択できるようになっている。
前記フィルタ１８１’ｊ：、５４６ｍｍ’ｅ中心に半値
中１０ｒｒｒｍｅもつフィルタ、フィルタ１９は５７７
ｍを中心に半値中１０ｗｆｆ１もつフィルタ、カットフ
ィルタ３は５００問以下の波長をカットするフィルタで
ある。
中１０ｒｒｒｍｅもつフィルタ、フィルタ１９は５７７
ｍを中心に半値中１０ｗｆｆ１もつフィルタ、カットフ
ィルタ３は５００問以下の波長をカットするフィルタで
ある。
フィルタ１８および１９のいずれかを使用するのは、タ
ーゲットマーク６面に形成されるレジストの膜厚か、他
の領域に形成されるレジストの膜厚との関係で一定の粂
件が満足されると、たとえ各レジストの膜厚に相違があ
っても干渉光において相違おるものとして反射されない
場合があることから、この場合において、他方のフィル
タ金柑いるようにするものである。
ーゲットマーク６面に形成されるレジストの膜厚か、他
の領域に形成されるレジストの膜厚との関係で一定の粂
件が満足されると、たとえ各レジストの膜厚に相違があ
っても干渉光において相違おるものとして反射されない
場合があることから、この場合において、他方のフィル
タ金柑いるようにするものである。
また、ターゲットマーク６の検出にあっては、必ずしも
、段差の小さな場合のみに限らないことから、この場合
には、従来と同様短波長カットフィルタ３ケ用いて、従
来と同様の検出方法を行なっている。
、段差の小さな場合のみに限らないことから、この場合
には、従来と同様短波長カットフィルタ３ケ用いて、従
来と同様の検出方法を行なっている。
以上述べたことから明らかなように、本発明による光露
光装置の露光位置検出機構によれば、たとえ、位置決め
マークを構成する段差部が小さなものであっても、該位
置決めマーク全鮮明にモニタすることができるようにな
る。
光装置の露光位置検出機構によれば、たとえ、位置決め
マークを構成する段差部が小さなものであっても、該位
置決めマーク全鮮明にモニタすることができるようにな
る。
第１図は本発明による露光装置の露光位置検出機構の一
実施例を示す構成図、第２図は該露光位置検出機構にお
けるモニタ像とこのモニタ像を形成する入力信号との関
係を示す図、第３図は従来の露光装置の露光位置検出機
構の一例を示す構成図、第４図は従来の露光位置検出機
構におけるモニタ像とこのモニタ像全形成する入力信号
との関係を示す図である。 ｌ・・・光源、２・・・オプチカルファイバ、３・・・
短波長カットフィルタ、４・・・対物レンズ、５・・・
レジスト、６・・・基板のターゲットマーク、７・・・
ハーフミラ−１８・・・基準のヘアライン板、９．ｌＯ
・・・レンズ、１１・・・ＩＩｖカメラ、１２・・・Ｉ
ＴＶモニタ像、１３・・・基板のマーク像、１４・・・
ヘアラインの像、１５・・・ＩＴＶカメラの像の処理波
形、１７・・・モータ、１８．１９・・・せオいバンド
幅ケもつフィルり、２０・・・基板のマーク像、２１・
・・ＩＴＶカメラの像の処理波形。
実施例を示す構成図、第２図は該露光位置検出機構にお
けるモニタ像とこのモニタ像を形成する入力信号との関
係を示す図、第３図は従来の露光装置の露光位置検出機
構の一例を示す構成図、第４図は従来の露光位置検出機
構におけるモニタ像とこのモニタ像全形成する入力信号
との関係を示す図である。 ｌ・・・光源、２・・・オプチカルファイバ、３・・・
短波長カットフィルタ、４・・・対物レンズ、５・・・
レジスト、６・・・基板のターゲットマーク、７・・・
ハーフミラ−１８・・・基準のヘアライン板、９．ｌＯ
・・・レンズ、１１・・・ＩＩｖカメラ、１２・・・Ｉ
ＴＶモニタ像、１３・・・基板のマーク像、１４・・・
ヘアラインの像、１５・・・ＩＴＶカメラの像の処理波
形、１７・・・モータ、１８．１９・・・せオいバンド
幅ケもつフィルり、２０・・・基板のマーク像、２１・
・・ＩＴＶカメラの像の処理波形。
Claims (1)
- １、Ｘ−Ｙ移動ステージ上に載置された被露光体を、前
記Ｘ−Ｙ移動ステージの移動によつて、光露光装置およ
び位置決め装置に移動させることのできる光露光装置の
位置決め機構において、前記被露光体を照射する検出光
学系中にバンド幅の狭い光学フィルタを介し得るように
したことを特徴とする光露光装置の露光位置検出機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59143812A JPS6123320A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 光露光装置の露光位置検出機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59143812A JPS6123320A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 光露光装置の露光位置検出機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6123320A true JPS6123320A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15347540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59143812A Pending JPS6123320A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 光露光装置の露光位置検出機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6123320A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003149827A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Ushio Inc | パターンを検出するための顕微鏡 |
| JP2022122969A (ja) * | 2017-12-28 | 2022-08-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-07-11 JP JP59143812A patent/JPS6123320A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003149827A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Ushio Inc | パターンを検出するための顕微鏡 |
| JP2022122969A (ja) * | 2017-12-28 | 2022-08-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4269505A (en) | Device for the projection printing of the masks of a mask set onto a semiconductor substrate | |
| US4371264A (en) | Optical system for aligning two patterns and photo-repeater using such a system | |
| US5721605A (en) | Alignment device and method with focus detection system | |
| US4798470A (en) | Pattern printing method and apparatus | |
| US4592648A (en) | Device for projection copying of masks onto a workpiece | |
| JPS6123320A (ja) | 光露光装置の露光位置検出機構 | |
| JPH02206706A (ja) | 位置検出装置及び位置検出方法 | |
| JPH0722179B2 (ja) | 半導体ウエ−ハの位置合せマ−クの形成方法 | |
| JP3490797B2 (ja) | パターンの位置測定方法およびそれを用いた光学装置 | |
| US20050213084A1 (en) | Mask-defect inspecting apparatus | |
| US6229618B1 (en) | Method of improving registration accuracy and method of forming patterns on a substrate using the same | |
| JPS63119232A (ja) | 露光装置 | |
| JP2637412B2 (ja) | 位置あわせ方法 | |
| JPS5974625A (ja) | 投影型露光装置 | |
| JP2986627B2 (ja) | プロキシミティ露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法 | |
| JPS58213207A (ja) | アライメントマーク検出方法 | |
| JP2829666B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2884767B2 (ja) | 観察装置 | |
| JPS6232612A (ja) | アライメントマ−ク | |
| JPS6037615B2 (ja) | 投影露光装置のピント合せ方法 | |
| JPS63124412A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS632346A (ja) | ワ−ク位置検出方法およびその位置検出装置ならびにワ−ク | |
| JPS63110633A (ja) | 縮小投影式露光装置 | |
| JPH02105002A (ja) | 半導体素子上のパターン検出方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法およびそれに使用する投影露光装置 | |
| JPH07106231A (ja) | プロキシミティ露光装置 |