JPS61233355A - 自動車用空燃比センサ - Google Patents
自動車用空燃比センサInfo
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- JPS61233355A JPS61233355A JP60074902A JP7490285A JPS61233355A JP S61233355 A JPS61233355 A JP S61233355A JP 60074902 A JP60074902 A JP 60074902A JP 7490285 A JP7490285 A JP 7490285A JP S61233355 A JPS61233355 A JP S61233355A
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- air
- ratio sensor
- electrode
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
- G01N27/4071—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases using sensor elements of laminated structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は内燃機関の空燃比制御装置用センサに係り、特
に薄膜プロセスにより製作した小型で高感度な空燃比セ
ンサに関する。
に薄膜プロセスにより製作した小型で高感度な空燃比セ
ンサに関する。
内燃機関の空燃比制御装置は第1υ図に示す如き構成を
有している。すなわち、第10図は空燃比センサ1、エ
アフローセンサ2、水温センサ3、クランクシャフトセ
ンサ4などのセンサからエンジンff1lをコントロー
ルユニット5に取込み、燃料噴射弁6、イグニッション
コイル7、アイドルスピードコントロールパル7”8.
排カスII i 量制御パルプ9・や燃料ポンプ10
fiどを制御するシステムの一例を示したものであり、
空燃比センサ1はこのシステムの重要なデバイスになっ
ている。
有している。すなわち、第10図は空燃比センサ1、エ
アフローセンサ2、水温センサ3、クランクシャフトセ
ンサ4などのセンサからエンジンff1lをコントロー
ルユニット5に取込み、燃料噴射弁6、イグニッション
コイル7、アイドルスピードコントロールパル7”8.
排カスII i 量制御パルプ9・や燃料ポンプ10
fiどを制御するシステムの一例を示したものであり、
空燃比センサ1はこのシステムの重要なデバイスになっ
ている。
一般に、空燃比に対する酸素と一酸化炭素の濃度及び燃
焼効率の関係は第11図に示す如くになっている。従来
の内燃機関は加速などのノくワーを要する時(この場合
はリッチ領域で制御)を除き、理論空燃比(8toic
h 、空燃比A/F=14.7、空気過剰率λ−1)で
制御されている。これは空燃比センサとして実用に供す
るものが理論空燃比センサしがなかったことや排気ガス
対策によるためである。燃焼効率は第2図に示す如く、
燃料の希薄側即ち、リーン側で最大になることが知られ
ている。それ故、少なくともアイドルや軽負荷領域など
ではエンジンをり一ン制御することが望ましく、この領
域の空燃比を高精度に検出できるリーンセンサがこの場
合の重要なデバイスとなる。
焼効率の関係は第11図に示す如くになっている。従来
の内燃機関は加速などのノくワーを要する時(この場合
はリッチ領域で制御)を除き、理論空燃比(8toic
h 、空燃比A/F=14.7、空気過剰率λ−1)で
制御されている。これは空燃比センサとして実用に供す
るものが理論空燃比センサしがなかったことや排気ガス
対策によるためである。燃焼効率は第2図に示す如く、
燃料の希薄側即ち、リーン側で最大になることが知られ
ている。それ故、少なくともアイドルや軽負荷領域など
ではエンジンをり一ン制御することが望ましく、この領
域の空燃比を高精度に検出できるリーンセンサがこの場
合の重要なデバイスとなる。
しかし、現在簡単な構造で高精度、高信頼性のリーンセ
ンサが提供されるに至っていない。
ンサが提供されるに至っていない。
排ガス中の残存酸素濃度から希薄燃焼領域の空燃比を検
出するセンサとして、酸素ガスの拡散律速倉利用した基
本原理が特開昭52−69690号や特開昭52−72
286号で知られている。これらは単孔拡散型の空燃比
センサで簡単な構成であるが、検出部を加熱するヒータ
が傍熱タイプのため所要電力が大きく、温調精度に欠け
るなどの問題点があった。また、多孔拡散型空燃比セン
サの基本原理は特開昭53−116896号や特開昭5
7−189057号で知られている。これら多孔拡散型
空燃比センサは簡単な構成であるが、その特性は多孔拡
散層の気孔率や厚さに敏感でちゃ、ばらつき易す、、ま
た、多孔拡散型空燃比センサは多孔拡散層が数百μmと
厚く、応答性が悪いなどの問題点があった。
出するセンサとして、酸素ガスの拡散律速倉利用した基
本原理が特開昭52−69690号や特開昭52−72
286号で知られている。これらは単孔拡散型の空燃比
センサで簡単な構成であるが、検出部を加熱するヒータ
が傍熱タイプのため所要電力が大きく、温調精度に欠け
るなどの問題点があった。また、多孔拡散型空燃比セン
サの基本原理は特開昭53−116896号や特開昭5
7−189057号で知られている。これら多孔拡散型
空燃比センサは簡単な構成であるが、その特性は多孔拡
散層の気孔率や厚さに敏感でちゃ、ばらつき易す、、ま
た、多孔拡散型空燃比センサは多孔拡散層が数百μmと
厚く、応答性が悪いなどの問題点があった。
これら傍熱タイプに対して、ヒータを内蔵した基板上に
電極、ジルコニア固体電解質、多孔拡散抵抗体などを積
層した検出部を同時焼成にて製作する空燃比センサが特
開昭55−154450号や特開昭57−147049
号で知られている。これらの空燃比センサは直熱タイプ
のヒータである故、所要電力が小さくてすむという特徴
がある。しかし、基板とジルコニア固体電解質量の熱膨
張係数の不整合のため、熱衝撃に弱いなどの問題点があ
った。
電極、ジルコニア固体電解質、多孔拡散抵抗体などを積
層した検出部を同時焼成にて製作する空燃比センサが特
開昭55−154450号や特開昭57−147049
号で知られている。これらの空燃比センサは直熱タイプ
のヒータである故、所要電力が小さくてすむという特徴
がある。しかし、基板とジルコニア固体電解質量の熱膨
張係数の不整合のため、熱衝撃に弱いなどの問題点があ
った。
そこで、基板上に電極、ジルコニア固体電解質をスパッ
タなどの薄膜プロセスにて積層した空燃比センサが特開
昭55−62349号や特開昭55−156856号で
知られている。この空燃比センサは積層体が薄膜構造で
ある故、熱膨張係数に多少の不整合があっても、熱衝撃
に対しては強い構造体である。しかし、保護膜がないた
め、排ガス雰囲気中のダストの付着によって、その特性
が変化し易い。また、この空燃比センサは電極間に電流
を励起して、そのときの起電力がら空燃比を検出する方
式である故、陰極部が還元され易く、出力特性の直線性
に劣るなどの問題点があった。
タなどの薄膜プロセスにて積層した空燃比センサが特開
昭55−62349号や特開昭55−156856号で
知られている。この空燃比センサは積層体が薄膜構造で
ある故、熱膨張係数に多少の不整合があっても、熱衝撃
に対しては強い構造体である。しかし、保護膜がないた
め、排ガス雰囲気中のダストの付着によって、その特性
が変化し易い。また、この空燃比センサは電極間に電流
を励起して、そのときの起電力がら空燃比を検出する方
式である故、陰極部が還元され易く、出力特性の直線性
に劣るなどの問題点があった。
本発明の目的は熱衝撃に対し強く、しかも少ないヒータ
電力で空燃比を安定し九特性で高精度に検出することの
できる空燃比センサを提供することにある。
電力で空燃比を安定し九特性で高精度に検出することの
できる空燃比センサを提供することにある。
本発明は加熱用ヒータを内蔵した基板上に、スパッタな
どの薄膜プロセスにより、検出部を積層形成したもので
ある。
どの薄膜プロセスにより、検出部を積層形成したもので
ある。
したがって、本発明によれば、検出部インピーダンスが
小さくなり動作@度が低下し、検出部の小型化に適した
プロセスであることKより、少ないヒータ電力で検出部
を加熱することができる。
小さくなり動作@度が低下し、検出部の小型化に適した
プロセスであることKより、少ないヒータ電力で検出部
を加熱することができる。
ま几、基板に内蔵したヒータで検出部を直接的に加熱で
きる故、検出部の温度制御精度が向上し、排ガス温度の
変化に対する出力特性の変化幅が極めて小さくなり、空
燃比セン1すの検出精度も向上することができる。
きる故、検出部の温度制御精度が向上し、排ガス温度の
変化に対する出力特性の変化幅が極めて小さくなり、空
燃比セン1すの検出精度も向上することができる。
t7’t、本発明によれば、基板上の積層検出部は膜構
造で多る故、これらを構成する部材の熱膨張係数に若干
の差がちっても、熱衝撃に対して破壊しにくい構造とな
る。
造で多る故、これらを構成する部材の熱膨張係数に若干
の差がちっても、熱衝撃に対して破壊しにくい構造とな
る。
さらに、本発明によれば、酸素ガスの拡散を律速する多
孔拡散層(本発明の場合はジルコニア固体電解質)を薄
膜プロセスで製作できる故、多孔拡散層の気孔率や厚さ
は制御し易く、空燃比センサの歩留9が向上する。
孔拡散層(本発明の場合はジルコニア固体電解質)を薄
膜プロセスで製作できる故、多孔拡散層の気孔率や厚さ
は制御し易く、空燃比センサの歩留9が向上する。
なお、多孔拡散層は数μmと薄いこと、多孔拡散層上の
保護膜は約百μmであるがその多孔度は極めて大であっ
ても良い故、検出部の応答性としては数十ms程度のも
のを容易に得ることができる。
保護膜は約百μmであるがその多孔度は極めて大であっ
ても良い故、検出部の応答性としては数十ms程度のも
のを容易に得ることができる。
さらに1本発明によれば、基板側の陰極へ拡散で流入し
て来た酸素ガスを03ポンプ作用によって保護膜側の陽
極部へ排出させる故、陽極部の酸素濃度は排ガス中の酸
素濃度と等しくなる。従つて、定常状態では保護膜内部
での酸素濃度の勾配はなくなり、保護膜が排ガス中のダ
ストなどくよって多少の目詰抄が発生しても、検出部の
感度は不変であり使用環境中での耐久性が向上する。ま
た、電圧励起法である故、陰極部が極端に還元されるこ
ともない。
て来た酸素ガスを03ポンプ作用によって保護膜側の陽
極部へ排出させる故、陽極部の酸素濃度は排ガス中の酸
素濃度と等しくなる。従つて、定常状態では保護膜内部
での酸素濃度の勾配はなくなり、保護膜が排ガス中のダ
ストなどくよって多少の目詰抄が発生しても、検出部の
感度は不変であり使用環境中での耐久性が向上する。ま
た、電圧励起法である故、陰極部が極端に還元されるこ
ともない。
以下、本発明の実施例について説明する。
W、1図には本発明の一実施例が示されている。
図において、空燃比センサ1は排気管11に装着される
。平板型の検出エレメント12は孔13を有する保纒管
14を介して、排ガス流と接触する。空燃比センサ1は
検出端子15、ヒータ端子16を介して、空燃比センサ
用回路モジュールと接続される。以下、平板型の検出エ
レメントを平板型空燃比センサと称して説明する。
。平板型の検出エレメント12は孔13を有する保纒管
14を介して、排ガス流と接触する。空燃比センサ1は
検出端子15、ヒータ端子16を介して、空燃比センサ
用回路モジュールと接続される。以下、平板型の検出エ
レメントを平板型空燃比センサと称して説明する。
第2図には本発明による平板型空燃比センサの概略構造
が示されている。
が示されている。
図において、タングステンなどのヒータ17を内部した
アルミナなどの基板1B上に、検出部が薄膜プロセスに
より積層形成されている。このと−タ17を内蔵した基
板18は厚膜プロセスで、約1鴎の厚さに製作されてb
る。
アルミナなどの基板1B上に、検出部が薄膜プロセスに
より積層形成されている。このと−タ17を内蔵した基
板18は厚膜プロセスで、約1鴎の厚さに製作されてb
る。
この基板1B上に第1の電極19、ジルコニア固体電解
質20.第2の電極21が順次、スパッタなどの薄膜プ
ロセスで積層形成されている。この第2の電極21の上
にプラズマ溶射などにより保護膜22が形成されている
。なお、基板18の端部には検出端子15とヒータ端子
16が固着されている。
質20.第2の電極21が順次、スパッタなどの薄膜プ
ロセスで積層形成されている。この第2の電極21の上
にプラズマ溶射などにより保護膜22が形成されている
。なお、基板18の端部には検出端子15とヒータ端子
16が固着されている。
次に、本実施例に基づく平板型空燃比センサの製作手順
を第3図に基づいて説明する。
を第3図に基づいて説明する。
まず、第3図(a)に示す如く厚膜プロセスで製作した
ヒータ内蔵の基板18の端部に、検出端子15とヒータ
端子16をAgロウ23などで固着する。検出端子15
、ヒータ端子16は直径が0.2〜0.5■のNiワイ
ヤなどで構成されている。
ヒータ内蔵の基板18の端部に、検出端子15とヒータ
端子16をAgロウ23などで固着する。検出端子15
、ヒータ端子16は直径が0.2〜0.5■のNiワイ
ヤなどで構成されている。
次に%第3図(b) K示す如く約300GK加熱した
基板18の一部をメチルマスクで遮蔽し、約0、5 P
aのアルゴンガス雰囲気中で白金を高周波スパッタし
、第1の電極19を形成する。第1の電極19の厚さは
0.2〜1μmで娶る。
基板18の一部をメチルマスクで遮蔽し、約0、5 P
aのアルゴンガス雰囲気中で白金を高周波スパッタし
、第1の電極19を形成する。第1の電極19の厚さは
0.2〜1μmで娶る。
次に、第3図(C)に示す如くアルゴンと酸素の混合ガ
ス雰囲気中でジルコニア固体電解質20を1〜5μmだ
けスパッタする。この上に%第3図(d)に示す如く第
1の電極19と同様の手法で第2の電極21を形成する
。
ス雰囲気中でジルコニア固体電解質20を1〜5μmだ
けスパッタする。この上に%第3図(d)に示す如く第
1の電極19と同様の手法で第2の電極21を形成する
。
次に、liga図(e)に示す如くプラズマ溶射などく
より多孔質度の極めて高い保護膜22を約100μmだ
け形成し、検出部を保護する。
より多孔質度の極めて高い保護膜22を約100μmだ
け形成し、検出部を保護する。
最後K、第1の電極19とwc2の電極21の端部のリ
ード部と検出端子15の端部を第3図(0を示す如く耐
熱性の導電性接着剤24で接続する。
ード部と検出端子15の端部を第3図(0を示す如く耐
熱性の導電性接着剤24で接続する。
次に、本実施例に基づく平板型空燃比センサの検出原理
を第4図を用いて説明する。図に示すようK、検出部の
排ガス雰囲気と直接的に接触する。
を第4図を用いて説明する。図に示すようK、検出部の
排ガス雰囲気と直接的に接触する。
第1の電極19及び第2の電極21は多孔質く形成され
、この第1の電極19と第2の電極21は孔25を有し
ており、酸素ガスを自由に拡散させることができる。保
護膜22はさらに多孔質であり、この保@1X22の内
部を酸素などのガスは自由に拡散することができる。
、この第1の電極19と第2の電極21は孔25を有し
ており、酸素ガスを自由に拡散させることができる。保
護膜22はさらに多孔質であり、この保@1X22の内
部を酸素などのガスは自由に拡散することができる。
また、ジルコニア固体電解質20は多孔質ではあるが、
保護膜22や電極19.21に対してその気孔率は小さ
く形成されている。なお、ジルコニア固体電解質20の
多孔質度はスパッタ時の雰囲気や基板温度の影響を受け
るが、そのばらつきは小さいことが実験的に確認できた
。
保護膜22や電極19.21に対してその気孔率は小さ
く形成されている。なお、ジルコニア固体電解質20の
多孔質度はスパッタ時の雰囲気や基板温度の影響を受け
るが、そのばらつきは小さいことが実験的に確認できた
。
いま、第1の電極19が陰極、第2の電極21が陽極に
なるように、両電極間に直流電圧源26と電流計27が
接続されている。したがらて、保@i[22→第2のi
l[21→ジルコニア固体電解質20を介して第1の電
極19部へ拡散で流入した酸素ガスは第1の電極19で
還元されて、酸素イオンになる。との酸素イオンはジル
コニア固体電解質20中を陽極である第2の電極21へ
向けて移動し、この電極部で酸化されて再び酸素ガスに
なり放出される。
なるように、両電極間に直流電圧源26と電流計27が
接続されている。したがらて、保@i[22→第2のi
l[21→ジルコニア固体電解質20を介して第1の電
極19部へ拡散で流入した酸素ガスは第1の電極19で
還元されて、酸素イオンになる。との酸素イオンはジル
コニア固体電解質20中を陽極である第2の電極21へ
向けて移動し、この電極部で酸化されて再び酸素ガスに
なり放出される。
このとき、It流計27で計測されるポンピング電流値
Tpはジルコニア固体電解質20の多孔質度で拡散が律
速される酸素ガスの限界電流値に対応するので、このI
p値より排ガス中の残存酸素濃度をリニアに検出するこ
とができる。
Tpはジルコニア固体電解質20の多孔質度で拡散が律
速される酸素ガスの限界電流値に対応するので、このI
p値より排ガス中の残存酸素濃度をリニアに検出するこ
とができる。
本実施例による平板型空燃比センサの検出原理を第5図
を用いてさらに詳しく説明する。第1の電極19部へ拡
散で流入し念酸素ガスはジルコニア固体電解質20(i
’)(hポンプ機能により、第2の電極21部へ排出さ
れる故、定常状態下における各位置の酸素分圧POsは
図示のようになる。
を用いてさらに詳しく説明する。第1の電極19部へ拡
散で流入し念酸素ガスはジルコニア固体電解質20(i
’)(hポンプ機能により、第2の電極21部へ排出さ
れる故、定常状態下における各位置の酸素分圧POsは
図示のようになる。
即ち、陰極である第1の電極19部での酸素分圧は零に
なる。ジルコニア固体電解質20中の孔(両電極間に開
放する連続した微少な通路)部の酸素分圧は陽極である
第2の[極21へ向けて直線的に増大する。そして第2
の電極21部の酸素分圧は排ガス中の酸素分圧に等しく
なり、保護膜22の内部における酸素濃度の勾配はなく
なる。
なる。ジルコニア固体電解質20中の孔(両電極間に開
放する連続した微少な通路)部の酸素分圧は陽極である
第2の[極21へ向けて直線的に増大する。そして第2
の電極21部の酸素分圧は排ガス中の酸素分圧に等しく
なり、保護膜22の内部における酸素濃度の勾配はなく
なる。
従って、排ガス中の残存酸素濃度が低下すると、酸素分
圧の分布も点線で示す如く低下する。
圧の分布も点線で示す如く低下する。
本実施例に基づく平板型空燃比センサのv−工時性が第
6図に示されている。第6図は排ガス雰囲気温度が70
00で、両電極間の電圧を次第に増加させたとき、ジル
コニア固体電解質中のポンピングされる電流値の挙動を
示したものである。
6図に示されている。第6図は排ガス雰囲気温度が70
00で、両電極間の電圧を次第に増加させたとき、ジル
コニア固体電解質中のポンピングされる電流値の挙動を
示したものである。
図に示すように、励起電圧の増加にりれてポンプ電流は
次第に上昇し、ある一定で飽和する。この飽和ti値が
酸素ガスの拡散律速に伴6限界電流値と呼ばれるもので
あり、ジルコニア固体電解質20は平板型空燃比センサ
の良好な拡散抵抗体になっていることを確認できた。
次第に上昇し、ある一定で飽和する。この飽和ti値が
酸素ガスの拡散律速に伴6限界電流値と呼ばれるもので
あり、ジルコニア固体電解質20は平板型空燃比センサ
の良好な拡散抵抗体になっていることを確認できた。
電圧励起法に基づく測定法である故、励起電圧を0.8
ボルト以下の適当な値に設定しておくことにより、陰極
部は極端に還元されることはない。
ボルト以下の適当な値に設定しておくことにより、陰極
部は極端に還元されることはない。
また、保護膜22内部での酸素分圧は一定である故、保
護膜が排ガス中のダストなどによって多少、目詰りして
も限界電流値は変化せず、使用環境中での信頼性が高い
空燃比セッサである。保護膜22で目詰りした場合、セ
ンサの感度は不変であるが、その応答性は若干遅くなる
。
護膜が排ガス中のダストなどによって多少、目詰りして
も限界電流値は変化せず、使用環境中での信頼性が高い
空燃比セッサである。保護膜22で目詰りした場合、セ
ンサの感度は不変であるが、その応答性は若干遅くなる
。
本実施例に基づく平板型空燃比センサの出力特性が第7
図に示されている。図に示されるように、空気過剰率λ
に対して線形な出力特性が得られる。
図に示されている。図に示されるように、空気過剰率λ
に対して線形な出力特性が得られる。
本実施例に基づく平板型空燃比センサの温度特性が第8
図に示されている。この第8図は、空気過剰率λが1.
5における感度を示したものである。
図に示されている。この第8図は、空気過剰率λが1.
5における感度を示したものである。
図中、点線Aは袋管状のジルコニア固体電解質に多孔拡
散抵抗体を形成した従来型空燃比センサの温度特性を示
したものである。O印で示す如く、700C以下でその
感度は急激に低下する。これは、ジルコニア固体電解質
や電極が厚く、検出部のインピーダンスが高いためであ
る。これ忙対して、実線Bは本実施例による平板型空燃
比センサの温度特性を示したものであり、・印で示す如
く、低温作動限界は約5000と改善された。これは、
薄膜プロセスで形成した検出部のインピーダンスが従来
品の約1/100以下と小さいためと考えられる。
散抵抗体を形成した従来型空燃比センサの温度特性を示
したものである。O印で示す如く、700C以下でその
感度は急激に低下する。これは、ジルコニア固体電解質
や電極が厚く、検出部のインピーダンスが高いためであ
る。これ忙対して、実線Bは本実施例による平板型空燃
比センサの温度特性を示したものであり、・印で示す如
く、低温作動限界は約5000と改善された。これは、
薄膜プロセスで形成した検出部のインピーダンスが従来
品の約1/100以下と小さいためと考えられる。
従来品、本実施例共、検出部をヒータで低温作動限界温
度以上に加熱する必要がある。この点、本実施例は検出
部が約数同角と小さいこと、ヒータで検出部を直接的に
加熱できること、低温作動限界が低いことにより、ヒー
タの所要電力は5W以下であり九。
度以上に加熱する必要がある。この点、本実施例は検出
部が約数同角と小さいこと、ヒータで検出部を直接的に
加熱できること、低温作動限界が低いことにより、ヒー
タの所要電力は5W以下であり九。
図に示すよう(、空燃比センサの感度は低温作動限界以
上の温度でも、IOC当り約1−の感度変化(酸素ガス
拡散定数の温度依存性などKよる)を発生する。それ故
、検出部を高温の定温度に加熱、制御する必要がある。
上の温度でも、IOC当り約1−の感度変化(酸素ガス
拡散定数の温度依存性などKよる)を発生する。それ故
、検出部を高温の定温度に加熱、制御する必要がある。
この場合、本実施例はヒータと検出部が同一積層体であ
る故、検出部を±20C以下の精度で温度制御が可能で
おった。
る故、検出部を±20C以下の精度で温度制御が可能で
おった。
次に、本実施例に基づく平板型空燃比センサの動特性が
第9図に示されている。この第9図は空気過剰率λを1
.1から1.5に変化させたときの応答性を示したもの
であり、その時の定数は20m5以下であった。応答が
早いのは、酸素ガスの拡散を律速する拡散抵抗体層の厚
さが薄いためである。
第9図に示されている。この第9図は空気過剰率λを1
.1から1.5に変化させたときの応答性を示したもの
であり、その時の定数は20m5以下であった。応答が
早いのは、酸素ガスの拡散を律速する拡散抵抗体層の厚
さが薄いためである。
以上説明した如く、本発明によれば、熱衝撃に対し強く
、シかも少ないヒータ電圧で空燃比を安定した特性で高
精度に検出することができる。
、シかも少ないヒータ電圧で空燃比を安定した特性で高
精度に検出することができる。
第1図は空燃比センサの実装状態図、第2図は本発明に
よる平板型空燃比センサの概略構造図、第3図は平板型
空燃比センサの製作手順図、第4図は平板型空燃比セン
サの検出原理を示す図、第5図は平板型空燃比センサの
酸素分圧分布図、第6図は平板型空燃比センサのV−I
特性図、第7図は平板型空燃比センサの出力特性図、第
8図は空燃比センサの温度特性図、第9図は空燃比セン
サの応答性を示した図、第10図は空燃比制御装置の概
略構成図、第11図は空燃比と排ガス濃度、燃焼効率の
関係図である。 17・・・ヒータ、18・・・基板、19・・・第1電
極、20・・・ジルコニア固体電解質、21・・・第2
電極、22・・・保護膜。
よる平板型空燃比センサの概略構造図、第3図は平板型
空燃比センサの製作手順図、第4図は平板型空燃比セン
サの検出原理を示す図、第5図は平板型空燃比センサの
酸素分圧分布図、第6図は平板型空燃比センサのV−I
特性図、第7図は平板型空燃比センサの出力特性図、第
8図は空燃比センサの温度特性図、第9図は空燃比セン
サの応答性を示した図、第10図は空燃比制御装置の概
略構成図、第11図は空燃比と排ガス濃度、燃焼効率の
関係図である。 17・・・ヒータ、18・・・基板、19・・・第1電
極、20・・・ジルコニア固体電解質、21・・・第2
電極、22・・・保護膜。
Claims (2)
- 1.加熱用ヒータを内蔵した基板上に、スパツタなどの
薄膜プロセスにより第一電極,ジルコニア固体電解質及
び第二電極を順次、積層形成し、さらにその上に、プラ
ズマ溶射などにより多孔性の保護膜を形成し、前記第1
電極と第二電極の間に電圧を印加し、そのときに両電極
間に流れる電流値から排ガス中の残存酸素濃度を検出す
るようにしたことを特徴とする自動車用空燃比センサ。 - 2.特許請求の範囲第1項記載の発明において、上記薄
膜プロセスにより形成した第1電極,ジルコニア固体電
解質及び第2電極を多孔質体で形成したことを特徴とす
る自動車用空燃比センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074902A JPS61233355A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-08 | 自動車用空燃比センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074902A JPS61233355A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-08 | 自動車用空燃比センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233355A true JPS61233355A (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=13560783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60074902A Pending JPS61233355A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-08 | 自動車用空燃比センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61233355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383653U (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | ||
| JPH02126150A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Fujikura Ltd | 酸素センサ |
| JP2010519539A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 排気ガス検出器 |
-
1985
- 1985-04-08 JP JP60074902A patent/JPS61233355A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383653U (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | ||
| JPH02126150A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Fujikura Ltd | 酸素センサ |
| JP2010519539A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 排気ガス検出器 |
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