JPS61234321A - 2次元赤外線イメージ変換装置 - Google Patents
2次元赤外線イメージ変換装置Info
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- JPS61234321A JPS61234321A JP60075790A JP7579085A JPS61234321A JP S61234321 A JPS61234321 A JP S61234321A JP 60075790 A JP60075790 A JP 60075790A JP 7579085 A JP7579085 A JP 7579085A JP S61234321 A JPS61234321 A JP S61234321A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/48—Thermography; Techniques using wholly visual means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、赤外線の2次元像を検出する2次元赤外線イ
メージ検出装置に関する。
メージ検出装置に関する。
(従来の技術)
2次元赤外線イメージ検出装置は、多数の回路素子や配
線による電気回路のボード内のどの部分が異常であるの
かを推定するために用いられても)る。
線による電気回路のボード内のどの部分が異常であるの
かを推定するために用いられても)る。
多くの場合、故障箇所または故障の発生する可能 −性
の高い部分は、発熱しており赤外線を放出しているから
電気回路のボードの2次元像を撮像することにより、非
破壊、非接触で故障部分または故障の発生する可能性の
ある部分を推定することができる。
の高い部分は、発熱しており赤外線を放出しているから
電気回路のボードの2次元像を撮像することにより、非
破壊、非接触で故障部分または故障の発生する可能性の
ある部分を推定することができる。
従来の2次元赤外線イメージ検出装置は、赤外線ビジコ
ンまたは赤外線固体撮像装置で検出した温度分布のイメ
ージをAD変換によってディジタル信号化した後、フレ
ームメモリに蓄積して、この画像情報を電気的に信号処
理していた。
ンまたは赤外線固体撮像装置で検出した温度分布のイメ
ージをAD変換によってディジタル信号化した後、フレ
ームメモリに蓄積して、この画像情報を電気的に信号処
理していた。
そのために撮像装置とか、撮像したイメージを画像処理
するフレームメモリ等が必要になり、装置はかなり人身
りになっている。
するフレームメモリ等が必要になり、装置はかなり人身
りになっている。
(発明が解決しようとする問題点)
単な光学システムで画像処理力(できる2次元赤外線イ
メージ検出装置を提供することにある。
メージ検出装置を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
前記目的を達成するために、−面に光反射層が形成され
ている熱光学材料板と、前記光反射層表面に形成された
赤外線吸収層と、前記熱光学材料の他面から前記熱光学
材料板に平行な波面を持つ読み取り光を照射する光源装
置を設け、前記赤外線吸収層に赤外線の像を形成し、前
記光源からの光を前記熱光学材料板に入射して前記光反
射層で反射された屈折率の変化の影響を受けた反射光か
ら赤外線像に対応する像を形成するように構成されてい
る。
ている熱光学材料板と、前記光反射層表面に形成された
赤外線吸収層と、前記熱光学材料の他面から前記熱光学
材料板に平行な波面を持つ読み取り光を照射する光源装
置を設け、前記赤外線吸収層に赤外線の像を形成し、前
記光源からの光を前記熱光学材料板に入射して前記光反
射層で反射された屈折率の変化の影響を受けた反射光か
ら赤外線像に対応する像を形成するように構成されてい
る。
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第1図は、本発明による2次元赤外線イメージ検出装置
の第1の実施例を示す配置図である。
の第1の実施例を示す配置図である。
ガラス材料は、温度変化に応じて屈折率が変わる(熱光
学効果を示す)材料のひとつである。
学効果を示す)材料のひとつである。
この実施例では熱光学材料板としてガラスを使用してい
る。
る。
熱光学材料板5を形成するガラス板の両面は鏡面に研磨
されており、−面一光学反射層7が形成されている。
されており、−面一光学反射層7が形成されている。
熱光学材料板5の周縁には金属の放熱体6が設けられて
いる。
いる。
この光学反射層7の表面に赤外線吸収体8を形成する金
ブラックの層が形成されている。
ブラックの層が形成されている。
この赤外線吸収体8をICを装着した電気回路ボード等
の観察対象11に近接し、対面するように配置する。赤
外線像を光学手段により赤外線吸収体8上に形成しても
良い。
の観察対象11に近接し、対面するように配置する。赤
外線像を光学手段により赤外線吸収体8上に形成しても
良い。
波面が前記熱光学材料板5に平行になるように平行光線
化されたHe−Neレーザ光1(et)はハーフミラ−
2を介して前記熱光学材料板5に入射させられる。
化されたHe−Neレーザ光1(et)はハーフミラ−
2を介して前記熱光学材料板5に入射させられる。
ハーフミラ−2で反射させられた光は全反射ui10に
より反射させられ、反射光9として戻される。
より反射させられ、反射光9として戻される。
赤外線吸収体8が赤外線により発熱すると、それに応じ
て熱光学材料板5の屈折率が2次元的に変化させられる
。
て熱光学材料板5の屈折率が2次元的に変化させられる
。
したがって、全反射層7で反射させられて取り出された
反射光4(62)は前記屈折率の変化の分布に対応して
変調されることになる。
反射光4(62)は前記屈折率の変化の分布に対応して
変調されることになる。
その結果、反射光4と9との干渉により合成された出力
変調光3(eout)が生じ、これがスクリーン12に
投影されることによって、2次元の赤外線イメージに対
応する像が得られる。
変調光3(eout)が生じ、これがスクリーン12に
投影されることによって、2次元の赤外線イメージに対
応する像が得られる。
熱光学材料板5に入射させられるレーザ光1 (el)
と反射光4(et)はそれぞれ次の■および0式で表さ
れる。
と反射光4(et)はそれぞれ次の■および0式で表さ
れる。
e1=A1exp (jωt) ・・・・■e2
=A2 exp j (ωt−2kz) ・・・
■ここにおいて、 A、、 A2 :光の振幅 ω :レーザ光の角周波数 2 :熱光学材料板の厚さ k :nω/Go(n屈折率+CO光速)出力変調光3
(eout)はelと82の合成であるから eout−81−1−62+ ・ ・ ・■で変調光
3の強度Iは I=leout12 =A12+A22+2AI A2 cos 2kzとな
り、これはスクリーン12の上に投影される。
=A2 exp j (ωt−2kz) ・・・
■ここにおいて、 A、、 A2 :光の振幅 ω :レーザ光の角周波数 2 :熱光学材料板の厚さ k :nω/Go(n屈折率+CO光速)出力変調光3
(eout)はelと82の合成であるから eout−81−1−62+ ・ ・ ・■で変調光
3の強度Iは I=leout12 =A12+A22+2AI A2 cos 2kzとな
り、これはスクリーン12の上に投影される。
いま、ガラス材料の屈折率の温度変化係数は、dn/d
t=10−’/度 であるので、厚さが1mmの場合、光の位相をπ(λ/
2)だけ変化させるのに必要な温度変化ΔTは、 L/2 ・2 z −dn/d t−ΔT=λ/2(λ
はレーザ光の波長) の関係から ΔT=30@ となる。
t=10−’/度 であるので、厚さが1mmの場合、光の位相をπ(λ/
2)だけ変化させるのに必要な温度変化ΔTは、 L/2 ・2 z −dn/d t−ΔT=λ/2(λ
はレーザ光の波長) の関係から ΔT=30@ となる。
温度変化と出力強度の関係を第2図に示す。
約30“の温度変化で出力強度が反転する状態を示しで
ある。
ある。
赤外線吸収体3の近くに、ICを装着した電気回路ボー
ドを近づけると、温度分布に応じたパタ−ンがスクリー
ン12上に現れる。
ドを近づけると、温度分布に応じたパタ−ンがスクリー
ン12上に現れる。
観察対象11の電気回路内に故障があり、発熱が大きく
なると、装着されているICや抵抗は30゜程度に発熱
する。
なると、装着されているICや抵抗は30゜程度に発熱
する。
その部分のスクリーン12上のパターンが変化するので
障害の発生場所を容易に発見できる。
障害の発生場所を容易に発見できる。
第3図は本発明による2次元赤外線イメージ検出装置の
第2の実施例を示す配置図である。
第2の実施例を示す配置図である。
この実施例は、熱光学材料板5として前記ガラス材料の
代わりにY−cutのLiNbO3結晶を用いている。
代わりにY−cutのLiNbO3結晶を用いている。
波面が前記熱光学材料板5に平行になるように平行光線
化されたHe−Neレーザ光1(+31)は偏光子13
、ハーフミラ−2を介して前記熱光学材料板5に入射さ
せられる。
化されたHe−Neレーザ光1(+31)は偏光子13
、ハーフミラ−2を介して前記熱光学材料板5に入射さ
せられる。
前記実施例では、全反射鏡10を用いて参照光を作った
が、この実施例では参照光は不要である。
が、この実施例では参照光は不要である。
赤外線吸収体8が赤外線により発熱すると、それに応じ
て熱光学材料板5の常光、異常光線に対する屈折率が各
々+ 4−6 ×10−’ / deg +1、7
X IG−5/degで変化するために偏光方向が回
転させられる。
て熱光学材料板5の常光、異常光線に対する屈折率が各
々+ 4−6 ×10−’ / deg +1、7
X IG−5/degで変化するために偏光方向が回
転させられる。
反射光4は、ハーフミラ−2により反射させられて、検
光子14を介してスクリーン上に投影される。
光子14を介してスクリーン上に投影される。
なお、前記各実施例において、入射光であるレーザ光は
一様に熱光学材料板に入射させられるので、このレーザ
光により熱光学材料板がわずかに加熱されるが、一様に
加熱されるから測定を妨げることはない。
一様に熱光学材料板に入射させられるので、このレーザ
光により熱光学材料板がわずかに加熱されるが、一様に
加熱されるから測定を妨げることはない。
しかし、この温度変化を小さくしたい場合には、青色系
のレーザ光を用いることが望ましい。
のレーザ光を用いることが望ましい。
(変形例)
以上詳しく説明した実施例について、本発明の範囲内で
種々の変形を施すことができる。
種々の変形を施すことができる。
赤外線吸収体として、前述した金ブラックの代わりにG
e、InSbの薄膜を用いることができる。
e、InSbの薄膜を用いることができる。
(発明の効果)
以上詳しく説明したように、本発明による2次元赤外線
イメージ検出装置は、−面に光反射層が形成されている
熱光学材料板を用い、温度による屈折率の変化を光学的
に読み出すように構成しであるから、極めて簡単な構成
で赤外線像を検出することができる。
イメージ検出装置は、−面に光反射層が形成されている
熱光学材料板を用い、温度による屈折率の変化を光学的
に読み出すように構成しであるから、極めて簡単な構成
で赤外線像を検出することができる。
第1図は本発明による2次元赤外線イメージ検出装置の
第1の実施例を示す配置図である。 第2図は、前記実施例装置における温度変化と出力強度
の関係を示すグラフである。 第3図は本発明による2次元赤外線イメージ検出装置の
第1の実施例を示す配置図である。 1・・・He−Neレーザ光 2・・・ハーフミラ− 3・・・出力変調光 4・・・反射光 5・・・熱光学材料板 6・・・放熱体 7・・・全反射層 8・・・赤外線吸収体 9・・・反射光 10・・・全反射鏡 11・・・観察対象基板 12・・・スクリーン 13・・・偏光子 14・・・検光子 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 才1rl!1 ====i= 才2図 温度上化 ΔT
第1の実施例を示す配置図である。 第2図は、前記実施例装置における温度変化と出力強度
の関係を示すグラフである。 第3図は本発明による2次元赤外線イメージ検出装置の
第1の実施例を示す配置図である。 1・・・He−Neレーザ光 2・・・ハーフミラ− 3・・・出力変調光 4・・・反射光 5・・・熱光学材料板 6・・・放熱体 7・・・全反射層 8・・・赤外線吸収体 9・・・反射光 10・・・全反射鏡 11・・・観察対象基板 12・・・スクリーン 13・・・偏光子 14・・・検光子 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 才1rl!1 ====i= 才2図 温度上化 ΔT
Claims (1)
- 一面に光反射層が形成されている熱光学材料板と、前記
光反射層表面に形成された赤外線吸収層と、前記熱光学
材料の他面から前記熱光学材料板に平行な波面を持つ読
み取り光を照射する光源装置を設け、前記赤外線吸収層
に赤外線の像を形成し、前記光源からの光を前記熱光学
材料板に入射して前記光反射層で反射された屈折率の変
化の影響を受けた反射光から赤外線像に対応する像を形
成するように構成した2次元赤外線イメージ検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60075790A JPS61234321A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 2次元赤外線イメージ変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60075790A JPS61234321A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 2次元赤外線イメージ変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234321A true JPS61234321A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0533331B2 JPH0533331B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=13586360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60075790A Granted JPS61234321A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 2次元赤外線イメージ変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61234321A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013200267A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toyota Central R&D Labs Inc | 赤外線検出装置 |
| KR20210091196A (ko) * | 2018-10-29 | 2021-07-21 | 리서닉스 비브이 | 전자기 방사를 탐지하기 위한 방법 및 시스템 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5566725A (en) * | 1978-07-17 | 1980-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature detector |
| JPS55158525A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Toshiba Corp | Optical sensor for detecting temperature |
| JPS5728339A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Nec Corp | Probe card |
| JPS57114829A (en) * | 1980-12-09 | 1982-07-16 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Optical temperature detector |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP60075790A patent/JPS61234321A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5566725A (en) * | 1978-07-17 | 1980-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature detector |
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| JPS5728339A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Nec Corp | Probe card |
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| CN113348346A (zh) * | 2018-10-29 | 2021-09-03 | 莱瑟奥尼克斯有限公司 | 用于检测电磁辐射的方法和系统 |
| JP2022516827A (ja) * | 2018-10-29 | 2022-03-03 | リセオニクス、ベスローテン、フェンノートシャップ | 電磁放射を検出するための方法およびシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533331B2 (ja) | 1993-05-19 |
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