JPS61235575A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61235575A JPS61235575A JP7438085A JP7438085A JPS61235575A JP S61235575 A JPS61235575 A JP S61235575A JP 7438085 A JP7438085 A JP 7438085A JP 7438085 A JP7438085 A JP 7438085A JP S61235575 A JPS61235575 A JP S61235575A
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- JP
- Japan
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- etching gas
- etching
- vacuum
- vessel
- gas
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- Granted
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はドライエツチング装置に係り、特に被処理物の
８１に対する５ｈｏ２の選択比を高めることを可能とし
たドライエツチング装置に関する。
８１に対する５ｈｏ２の選択比を高めることを可能とし
たドライエツチング装置に関する。
従来のＲＩ ＥＩＧ！ （反応性イオンエツチング装置
）においては、真空容器の内部に一対の平行平板電極を
配置し、上記真空容器には、エツチングガスのガス導入
管および真空排気装置に接続されるガス排出管が接続さ
れており、上記一方の電極に被処理物を固定する。そし
て、真空排気＠置により真空容器内の排気を行なった後
、上記ガス導入管により真空容器内にエツチングガスを
導入し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラズ
マを発生させ、エツチングガスをイオン化あるいはラジ
カル化することにより被処理物のエツチングを行なうも
のである。
）においては、真空容器の内部に一対の平行平板電極を
配置し、上記真空容器には、エツチングガスのガス導入
管および真空排気装置に接続されるガス排出管が接続さ
れており、上記一方の電極に被処理物を固定する。そし
て、真空排気＠置により真空容器内の排気を行なった後
、上記ガス導入管により真空容器内にエツチングガスを
導入し、かつ、上記電極に高周波電力を印加してプラズ
マを発生させ、エツチングガスをイオン化あるいはラジ
カル化することにより被処理物のエツチングを行なうも
のである。
しかし、上記手段において、エツチングガスをＣＦ４の
みとした場合、被処理物のＳｉ基板とこの５ｉＪｌ板上
の５ｉ０２膜とのエツチングの選択比（Ｓｉ０２／Ｓｉ
）が１程度となってしまい、エツチングを行なった際、
被処理物のＳｉ基板まで削られてしまうという欠点を有
しており、エツチングの信頼性番著しく低下させていた
。
みとした場合、被処理物のＳｉ基板とこの５ｉＪｌ板上
の５ｉ０２膜とのエツチングの選択比（Ｓｉ０２／Ｓｉ
）が１程度となってしまい、エツチングを行なった際、
被処理物のＳｉ基板まで削られてしまうという欠点を有
しており、エツチングの信頼性番著しく低下させていた
。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、Ｓｉに対
するＳ ｔ ０２の選択比を高めることのできるドライ
エツチング装置を提供することを目的とするものである
。
するＳ ｔ ０２の選択比を高めることのできるドライ
エツチング装置を提供することを目的とするものである
。
（発明の概要）
上記目的を達成するため本発明に係るドライエツチング
装置は、真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、こ
の平行平板電極の一方に被処理物を固定し、上記真空容
器内にエツチングガスを導入しつつ上記電極に高周波電
力を印加することにより上記被処理物のエツチングを行
なうドライエツチング装置において、上記エツチングガ
スを導入する導入管の中途部に、上記真空容器内のエツ
チングガス圧力およびエツチングガスの流量を制御する
制御装置を介設し、この制御装置により上記具ゆ容器内
のエツチングガス圧力を４００Ｐａ、エツチングガスの
滞在時間を４秒以上に制御するようにしたことをその特
徴とするものである。
装置は、真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、こ
の平行平板電極の一方に被処理物を固定し、上記真空容
器内にエツチングガスを導入しつつ上記電極に高周波電
力を印加することにより上記被処理物のエツチングを行
なうドライエツチング装置において、上記エツチングガ
スを導入する導入管の中途部に、上記真空容器内のエツ
チングガス圧力およびエツチングガスの流量を制御する
制御装置を介設し、この制御装置により上記具ゆ容器内
のエツチングガス圧力を４００Ｐａ、エツチングガスの
滞在時間を４秒以上に制御するようにしたことをその特
徴とするものである。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を第１図および第２図を参照して
説明する。
説明する。
第１図は、本発明をＲＩＥ装置に適用した場合の一実施
例を示したもので、真空容器１の内部上面には、上部電
極２が配設されるとともに、内部下面には、絶縁部材３
を介して下部電極４が配設されており、上記真空容器１
の上記上部電極２部分は下方にくぼまされ、上記各電極
２，４聞距離が１０ｊＩＩＩ以下となるようになされて
いる。また、上記各電極２，４の内部には、冷２Ｊｌ水
管５，５が導通されており、上記下部電極４には、マツ
チング回路６を介して、ＲＦ１１ｆ源７が接続されてい
る。
例を示したもので、真空容器１の内部上面には、上部電
極２が配設されるとともに、内部下面には、絶縁部材３
を介して下部電極４が配設されており、上記真空容器１
の上記上部電極２部分は下方にくぼまされ、上記各電極
２，４聞距離が１０ｊＩＩＩ以下となるようになされて
いる。また、上記各電極２，４の内部には、冷２Ｊｌ水
管５，５が導通されており、上記下部電極４には、マツ
チング回路６を介して、ＲＦ１１ｆ源７が接続されてい
る。
さらに、真空容器１には、図示しないガス導入装置から
エツチングガスを送るガス導入管８および真空排気装置
９に接続されるガス排出管１０がそれぞれ接続されてお
り、上記ガス導入管８の途中部には、真空容器１の内部
のエツチングガス圧力およびエツチングガスの流量をｌ
１ｌｔｌｌする制御装置１１が介設されている。
エツチングガスを送るガス導入管８および真空排気装置
９に接続されるガス排出管１０がそれぞれ接続されてお
り、上記ガス導入管８の途中部には、真空容器１の内部
のエツチングガス圧力およびエツチングガスの流量をｌ
１ｌｔｌｌする制御装置１１が介設されている。
本実施例においては、下部電極４の上面にＳｉ基板上に
Ｓｉｏ２膜を形成してなる被処理物Ａを載置し、真空排
気袋［９により真空容器１内を真空にした後、真空容器
１内にガス導入管８によりエツチングガスとしてのＣＦ
４を導入する。そして、上記制御装＠１１により真空容
器１内のエツチングガス圧力を約４００Ｐａの高圧に維
持し、ＲＦｔ源７をＯＮにして下部電極４に高周波電力
を印加することによりプラズマ１１を発生させ、被処理
物Ａのエツチングを行なうものである。このとぎ、冷却
水管５．５に冷却水を循環させ、各電極２．４および被
処理物へを冷却するようになされる。
Ｓｉｏ２膜を形成してなる被処理物Ａを載置し、真空排
気袋［９により真空容器１内を真空にした後、真空容器
１内にガス導入管８によりエツチングガスとしてのＣＦ
４を導入する。そして、上記制御装＠１１により真空容
器１内のエツチングガス圧力を約４００Ｐａの高圧に維
持し、ＲＦｔ源７をＯＮにして下部電極４に高周波電力
を印加することによりプラズマ１１を発生させ、被処理
物Ａのエツチングを行なうものである。このとぎ、冷却
水管５．５に冷却水を循環させ、各電極２．４および被
処理物へを冷却するようになされる。
また、本実施例においては、上記制御装置１１によりエ
ツチングガス流過を制御して真空容器１内のエツチング
ガスの単位当りの滞在時間を４秒以上にしており、この
ように滞在時間を長くすることにより、第２図に示すよ
うに、Ｓｉのエツチング速度が低下するため、Ｓｉｏ２
に対する選択比が著しく向上することがわかる。また、
滞在時間が４秒以下であると、３ｉのエツチング速度が
高く選択比の向上は期待できない。
ツチングガス流過を制御して真空容器１内のエツチング
ガスの単位当りの滞在時間を４秒以上にしており、この
ように滞在時間を長くすることにより、第２図に示すよ
うに、Ｓｉのエツチング速度が低下するため、Ｓｉｏ２
に対する選択比が著しく向上することがわかる。また、
滞在時間が４秒以下であると、３ｉのエツチング速度が
高く選択比の向上は期待できない。
以上述べたように本発明に係るドライエツチング装置は
、制御装置によりエツチングガスの圧力を４００Ｐａと
し、エツチングガスの滞在時間を４秒以上としたもので
あり、上記滞在時間を長くすることにより、Ｓｉのエツ
チング速度が低下するため、５ｉ０２のＳｉに対する選
択比を著しく高めることができ、しかも、均一性も高い
という効果を奏する。
、制御装置によりエツチングガスの圧力を４００Ｐａと
し、エツチングガスの滞在時間を４秒以上としたもので
あり、上記滞在時間を長くすることにより、Ｓｉのエツ
チング速度が低下するため、５ｉ０２のＳｉに対する選
択比を著しく高めることができ、しかも、均一性も高い
という効果を奏する。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示し
たもので、第１図はＲＩＥ装置の概略構成因、第２図は
ガス滞在時間とエツチング速度との関係を示ず線図であ
る。 １・・・真空容器、２・・・上部電極、３・・・絶縁部
材、４・・・下部電極、５・・・冷却水管、６・・・マ
ツチング回路、７・・・ＲＦ電源、８・・・ガス導入管
、９・・・真空排気装置、１０・・・ガス排出管、１１
・・・制御装置、１２・・・プラズマ。
たもので、第１図はＲＩＥ装置の概略構成因、第２図は
ガス滞在時間とエツチング速度との関係を示ず線図であ
る。 １・・・真空容器、２・・・上部電極、３・・・絶縁部
材、４・・・下部電極、５・・・冷却水管、６・・・マ
ツチング回路、７・・・ＲＦ電源、８・・・ガス導入管
、９・・・真空排気装置、１０・・・ガス排出管、１１
・・・制御装置、１２・・・プラズマ。
Claims (1)
- 真空容器内に一対の平行平板電極を配設し、この平行平
板電極の一方に被処理物を固定し、上記真空容器内にエ
ッチングガスを導入しつつ上記電極に高周波電力を印加
することにより上記被処理物のエッチングを行なうドラ
イエッチング装置において、上記エッチングガスを導入
する導入管の中途部に、上記真空容器内のエッチングガ
ス圧力およびエッチングガスの流量を制御する制御装置
を介設し、この制御装置により上記真空容器内のエッチ
ングガス圧力を４００Ｐａ、エッチングガスの滞在時間
を４秒以上に制御するようにしたことを特徴とするドラ
イエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7438085A JPS61235575A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7438085A JPS61235575A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61235575A true JPS61235575A (ja) | 1986-10-20 |
| JPS64470B2 JPS64470B2 (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=13545500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7438085A Granted JPS61235575A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61235575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897171A (en) * | 1985-11-26 | 1990-01-30 | Tadahiro Ohmi | Wafer susceptor |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP7438085A patent/JPS61235575A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897171A (en) * | 1985-11-26 | 1990-01-30 | Tadahiro Ohmi | Wafer susceptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS64470B2 (ja) | 1989-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |